「silicon oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a laminated structural body suitable for the recording medium of an optical disk such as CD-RW and DVD-RAM in particular by providing this laminated structual body with a silicon carbide coating layer excellent in oxidation resistance, chlorine resistance, moisture resistance, a high refractive index, high light transmittance, or the like.例文帳に追加

耐酸化性、耐塩素性、耐湿性、高屈折率、高光透過率等に優れた炭化ケイ素質被覆層を有することにより、特にＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の光ディスクの記録媒体に好適な積層構造体を提供する。 - 特許庁

When performing dicing of the laminate 15 after the completion of the wafer process, the laminate is first ground in advance to remove the electrode pad 16b formed on a silicon substrate 12 of a dicing region 20, and which is the constitution part of TEG and difficult to transmit the laser beam including the silicon oxidation film 14b and the passivation film 18b.例文帳に追加

ウェハプロセス終了後の積層体１５に対してダイシング工程を行うに当たり、その前処理として、ダイシング領域２０のシリコン基板１２上に形成されている、ＴＥＧの構成部分である、レーザ光を透過させ難い電極パッド１６ｂをはじめシリコン酸化膜１４ｂやパッシベーション膜１８ｂを除去するための第１の研削工程を行っておく。 - 特許庁

The oxidizing process electrochemically oxidizes the porous polycrystalline silicon layer 4 by making a constant current to flow with a platinum electrode (unillustated) as a negative electrode and a lower electrode composed of the n type silicon substrate 1 and an ohmic electrode 2 as a positive electrode by using an oxidation treatment tank for containing the electrolyte of dissolving a solute composed of potassium nitrate of 0.04 M in an organic solvent composed of, for example, ethylene glycol.例文帳に追加

酸化工程では、例えばエチレングリコールからなる有機溶媒中に０．０４Ｍの硝酸カリウムからなる溶質を溶かした電解液の入った酸化処理槽を利用し、白金電極（図示せず）を負極、ｎ形シリコン基板１とオーミック電極２とからなる下部電極を正極として、定電流を流し多孔質多結晶シリコン層４を電気化学的に酸化する。 - 特許庁

In a film formation method for forming a silicon oxide film on the processing object W whose metal surface has been exposed within the processing container 22 for vacuum treatment, an Si-contained gas supply process for supplying Si-contained gas to the above processing container 22, and an oxidation-reduction supply process for simultaneously supplying oxide gas and oxidation-reduction gas to the above processing container 22, are alternately executed intermittently.例文帳に追加

真空引き可能になされた処理容器２２内で金属の表面が露出している被処理体Ｗにシリコン酸化膜を形成する成膜方法において、前記処理容器２２内へＳｉ含有ガスを供給するＳｉ含有ガス供給工程と、前記処理容器２２内へ酸化性ガスと還元性ガスとを同時に供給する酸化還元ガス供給工程とを、間欠的に交互に繰り返し行うようにする。 - 特許庁

After a device isolation groove is formed in a device isolation region on a semiconductor substrate 1, thermal oxidation treatment is then applied to the semiconductor substrate 1 to form a liner oxide film on an inner wall surface of the device isolation groove, and a silicon oxide film is continuously embedded within the device isolation groove to form a separated portion SGI.例文帳に追加

半導体基板１の素子分離領域に素子分離溝を形成した後、半導体基板１に熱酸化処理を施して素子分離溝の内壁面にライナー酸化膜を形成し、続いて素子分離溝の内部に酸化シリコン膜を埋め込むことにより分離部ＳＧＩを形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized, along with the manufacturing method thereof, by taking a contaminated layer and damaged layers produced before forming a silicide film in a silicon oxide film by the thermal oxidation, thereby removing the contaminated layer and the damaged layers.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明は、シリサイド膜形成前に生じる汚染層とダメージ層を熱酸化法によりシリコン酸化膜中に取り込み、除去することにより汚染層とダメージ層を除去することを特徴とする半導体装置及び半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a shallow groove element separation structure for restraining bending generated by thermal oxidation by a simple and short process without applying large stress to a silicon film, when forming the shallow groove element separation structure (STI structure) using an SOI substrate, and to provide the shallow groove element separation structure.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いて浅溝素子分離構造（ＳＴＩ構造）を形成する時、熱酸化により生じるベンディングを単純かつ短い工程で、珪素膜に大きな応力を掛けることなく抑える浅溝素子分離構造の製造方法及び浅溝素子分離構造を提供する。 - 特許庁

Kaolin clay of 0.1 to 2.5 pts.wt. is externally added to 100 pts.wt. of a fire resistant powder containing 60 to 95% by weight of a silicon carbide in order to improve the corrosion resistance, the fluidity and the oxidation resistance of the casting material.例文帳に追加

耐食性及び流し込み材の流動性を向上させるために炭化珪素を６０〜９５重量％含む耐火性粉体１００重量部に対し、カオリン系粘土０．１〜２．５重量部を外掛けで添加したことにより、流し込み材の流動性、耐酸化性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical waveguide substrate of high quality in which particles or recessed pits caused by an oxidation- induced lamination defect are few on a quartz film when the quartz film becoming an optical waveguide is formed on the surface by oxidizing the surface of a silicon substrate relatively thick.例文帳に追加

シリコン基板の表面を比較的厚く酸化して、表面に光導波路となる石英膜を形成させる際、酸化誘起積層欠陥を起因とするパーティクルまたは凹状ピットが石英膜上に少ない高品質な光導波路基板を製造する方法を提供する。 - 特許庁

BORON CARBIDE-SILICON CARBIDE COMPLEX CARBON MATERIAL HAVING OXIDATION RESISTANCE, CRUCIBLE FOR SINTERING, CRUCIBLE FOR VACUUM DEPOSITION, DIE FOR CONTINUOUS CASTING, CRUCIBLE FOR MELTING METAL, ROLLER FOR TRANSPORTING GLASS, UNIFORMLY HEATING PIPE FOR ANNEALING STEEL WIRE MATERIAL, JIG FOR HIGH-TEMPERATURE BURNING AND JIG FOR HOT PRESS USING THE COMPLEX CARBON MATERIAL例文帳に追加

耐酸化性の炭化ホウ素−炭化ケイ素複合炭素材料及びそれを用いた焼結用ルツボ、真空蒸着用ルツボ、連続鋳造用ダイス、溶融金属用ルツボ、ガラス管搬送用ローラー、鋼線材焼鈍用均熱管、高温焼成用治具、ホットプレス用治具 - 特許庁

After forming a side wall 9 with a CVD oxide film (TEOS film 8) on the side of a gate electrode 7 on a silicon substrate 1, this substrate 1 is cleaned with the side wall 9 exposed, until the etching selectivity of the CVD film to a thermal oxidation film is 5 or less.例文帳に追加

シリコン基板１上のゲート電極７の側面にＣＶＤ酸化膜（ＴＥＯＳ膜８）からなるサイドウォール９を形成した後に、サイドウォール９が露出した状態で、ＣＶＤ酸化膜の熱酸化膜に対するエッチング選択比が５以下になるようにシリコン基板１に対して洗浄を行なう。 - 特許庁

This electrolytic cleaning method comprises a potential applying process for applying a potential more positive than the oxidation-reduction potential of a metallic element intended to be removed to a silicon carbide sintered body when it is dipped in a cleaning solution.例文帳に追加

炭化ケイ素焼結体を洗浄液に浸漬させた状態で、該炭化ケイ素焼結体に除去を目的とする金属元素の酸化還元電位よりも正の電位を印加する電位印加工程を含むことを特徴とする炭化ケイ素焼結体の電解洗浄方法である。 - 特許庁

The curable composition is characterized by containing a polyisobutylene-based polymer having at least one reactive silicon group (A), a photocurable compound having a number average molecular weight of ≥400 (B), an air oxidation-curable compound (C) and a tertiary hindered amine-based photostabilizer (D).例文帳に追加

少なくとも１つの反応性ケイ素基を有するポリイソブチレン系重合体（Ａ）と、数平均分子量が４００以上の光硬化性化合物（Ｂ）と、空気酸化硬化性化合物（Ｃ）と、第３級ヒンダードアミン系光安定剤（Ｄ）と、を含むことを特徴とする硬化性組成物。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a long-life silicon carbide coated graphite member free from pinhole even in a high temperature gaseous hydrogen chloride atmosphere and excellent in oxidation resistance particularly at high temperatures.例文帳に追加

本発明は炭化ケイ素被覆黒鉛部材の製造方法であって、高温度での塩化水素ガス雰囲気においてもピンホ−ルを生じない長寿命の炭化ケイ素被覆黒鉛部材を提供する製造法であり、特に高温において耐酸化性に優れた炭化ケイ素被覆黒鉛部材製造法を提供する。 - 特許庁

A top face and a side face of a light semitransmitting film 2 comprising a material containing at least silicon atoms and nitrogen atoms deposited on a transparent substrate 3 is subjected to a contact process with silylation agent and a subsequent oxidation process to form a modified layer 5 in the manufacturing process of a photomask.例文帳に追加

フォトマスクの製造過程において、透明基板３上に設けられた珪素原子と窒素原子を少なくとも含む材料からなる光半透過膜２の上面や側断面に対し、シリル化剤による接触処理およびそれに続く酸化処理を施して変質層５を形成する。 - 特許庁

When wet etching to remove a natural oxide film on a silicon substrate 1, a gate oxide film 2 is prevented from being etched since there is a first polysilicon layer 3 (the so-called pad polysilicon layer for buffering stresses at oxidation of a LOCOS oxide film) on the film 2.例文帳に追加

シリコン基板（１）上の自然酸化膜を除去するためにウエットエッチングする際には、ゲート酸化膜（２）上に第１のポリシリコン層（３）（ＬＯＣＯＳ酸化時のストレスを緩衝する、いわゆるパッド・ポリシリコン層）があるために、ゲート酸化膜（２）がエッチングされることが防止される。 - 特許庁

To provide a device structure, together with a manufacturing method, for defining an element forming region and its dimensions capable of preventing dislocation generated when an element separation region is formed on a silicon substrate in a thermal oxidation method in a semiconductor device having the element separation region.例文帳に追加

素子分離領域を有する半導体装置において該素子分離領域をシリコン基板の熱酸化で作製する場合の転位発生を防止する半導体装置内部の素子形成領域及び素子分離領域の寸法を規定した装置構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The plastic container has a compound thin film of gas barrier properties consisting of a plurality of layers of thin films 2 of gas barrier properties deposited on an inner surface of the container by a plasma chemical vapor deposition method and mainly comprising silicon oxide in which the degree of oxidation of each layer is successively increased from the first layer to the uppermost layer.例文帳に追加

プラスチック容器はその内面に、プラズマ化学気相成長法によって形成した、複数層の酸化珪素を主体とするガスバリア性薄膜からなり、第１層から最上層にかけて各層の酸化度が順次増加した、酸化珪素を主体とする複層ガスバリア性薄膜を備える。 - 特許庁

This method for producing an alcohol by reacting an aldehyde, a ketone or a fatty acid ester with hydrogen comprises using a modified sponge copper catalyst obtained by developing an alloy comprising copper, aluminum, iron, vanadium and one of manganese, silicon and nickel, or obtained by carrying out an oxidation treatment of the developed alloy.例文帳に追加

アルデヒド、ケトン又は脂肪酸エステルと水素を反応させてアルコールを製造する方法において、銅、アルミニウム、鉄、バナジウム、及びマンガン、シリコン又はニッケルのいずれかを含有する合金を展開して得られる、あるいは展開後に酸化処理して得られる変性スポンジ銅触媒を使用する。 - 特許庁

By using a hafnium nitride precursor and an aluminum precursor, the method is suited for depositing a High-k oxidation hafnium/aluminum oxide nanolaminate dielectric, used for a gate dielectric or a capacitor dielectric on a silicon surface which is subjected to hydrogen terminal treatment.例文帳に追加

窒化ハフニウムプリカーサおよびアルミニウムプリカーサを用いることによって、この方法は、水素終端処理されたシリコン表面上に、ゲート誘電体またはキャパシタ誘電体に用いるＨｉｇｈ−ｋ酸化ハフニウム／酸化アルミニウムナノラミネート誘電体を堆積することによく適している。 - 特許庁

Lower alcohol partial oxides are produced by vapor phase catalytic oxidation of lower alcohols with a gas containing molecular oxygen in the presence of the catalyst for selective oxidization reaction having rhenium oxide or rhenium oxide deposited on a metal oxide carrier such as iron, titanium, zirconium, silicon, aluminum, vanadium or the like as the active component.例文帳に追加

酸化レニウム、又は鉄、チタン、ジルコニウム、ケイ素、アルミニウム、バナジウム等の金属酸化物担体に担持された酸化レニウムを活性成分とする選択酸化反応用触媒の存在下、低級アルコールを分子状酸素含有ガスにより気相接触酸化して、低級アルコール部分酸化物を製造する。 - 特許庁

When As is injected into a silicon substrate 10 having a natural oxidation film 11, an amorphous region 10a is formed, and the amorphous region 10a is divided into a high concentration oxygen region 10aa where the oxygen concentration is more than a critical value and a low concentration oxygen region 10ab where the oxygen concentration is lower than the critical value.例文帳に追加

自然酸化膜１１を有するシリコン基板１０にＡｓを注入すると、アモルファス領域１０ａが形成され、アモルファス領域１０ａは、酸素濃度が臨界値以上の高濃度酸素領域１０aaと、酸素濃度が臨界値よりも低い低濃度酸素領域１０abとに分かれる。 - 特許庁

To allow an electrode short circuit to occur by cutting the surface of an HSG silicon layer together with a natural oxidation film and producing HSG grain peeling due to lack of mechanical strength of a lower electrode when a wet etching process is performed before formation of a dielectric film in a manufacturing method of a capacitor utilizing HSG formation.例文帳に追加

ＨＳＧ形成を利用したキャパシタの製造方法で、誘電体薄膜の形成前にウェットエッチング工程を行うと自然酸化膜と一緒にＨＳＧシリコン層の表面も削られて、下部電極の機械的強度不足によりＨＳＧ粒剥がれが発生して電極短絡が起こる。 - 特許庁

To provide a method of forming a porous layer on a silicon single crystal substrate by an electrolytic oxidation method wherein only the plane orientation (111) of a silicon single crystal substrate is left on the surface to flaten the surface of the porous layer, and a part of the plane orientation (111) is selectively etched, and a triangular hole with an appropriately controlled etching hole and hole density is formed.例文帳に追加

電解酸化法によってシリコン単結晶基板上に多孔質層を形成する際、該多孔質層の表面が平坦化するようシリコン単結晶基板の（１１１）面方位のみを表面に残し、かつ、該（１１１）面方位の一部を選択的にエッチングでき、エッチング孔径及び孔密度等、適切に制御された三角柱状孔を生成し、多孔質層を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for manufacturing the fine spherical silica powder by spraying metal silicon powder raw material from a burner forming high temperature flame and carrying out oxidation combustion, is characterized in that high temperature encircling flame is formed by several burners which surround the above burner, and metal silicon particles are made to be not released from the high temperature flame.例文帳に追加

高温火炎を形成しているバーナーから金属シリコン粉末原料を噴射し、それを酸化燃焼させて微細球状シリカ粉末を製造する方法において、上記バーナーを囲周する複数本の包囲炎形成用バーナーによって上記高温火炎の包囲炎を形成させ、金属シリコン粒子が高温火炎から離脱させないようにすることを特徴とする微細球状シリカ粉末の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming an upper gate 16 by partly etching a silicon nitride film layer 15 and a metal layer 14, forming an upper sidewall 17 of a silicon nitride film on a sidewall of the gate 16, etching the layer 13 and the film 12 with the sidewall 17 as a mask, and conducting a sidewall oxidation of the remaining layer 13.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法では、シリコン窒化膜層１５およびメタル層１４が部分的にエッチングされて上側ゲート部１６が形成され、その上側ゲート部１６の側壁部にシリコン窒化膜の上側サイドウォール１７が形成され、その上側サイドウォール１７をマスクとして、ポリシリコン層１３およびゲート酸化膜１２がエッチングされるとともに、残留しているポリシリコン層１３の側壁酸化が行われる。 - 特許庁

By bringing soft magnetic metal powder 21 into contact with silica dioxide holding member 22 coated by silica dioxide powder 23 while heating them, oxidation-reduction reaction between the soft magnetic metal powder 21 and the silica dioxide powder 23 is generated, and silicon disengaged from the silica dioxide powder 23 is made to diffuse and permeate into the surface of each soft magnetic metal powder 21 to form a silicon permeation layer on the surfaces of the soft magnetic metal powder 21.例文帳に追加

軟磁性金属粉末２１と、二酸化珪素粉末２３によってコーティングされた二酸化珪素保持部材２２とを加熱しながら接触させることにより、軟磁性金属粉末２１と二酸化珪素粉末２３の酸化還元反応を発生させ、二酸化珪素粉末２３から離脱した珪素元素を軟磁性金属粉末２１の表面に拡散浸透させて珪素浸透層を軟磁性金属粉末２１の表面に形成する。 - 特許庁

The firing process comprises a step wherein the silicon carbide heating element is subjected to a stabilization-promoting treatment so that the concentration of carbon monoxide generated at initial oxidation of the heating element does not exceed a concentration determined depending on the ceramic device to be fired and a step wherein the ceramic device is fired using the silicon carbide heating element subjected to the stabilization-promoting treatment.例文帳に追加

炭化珪素発熱体を用いたセラミックデバイスの焼成方法において、炭化珪素発熱体の初期酸化の際、発生する一酸化炭素の濃度が焼成すべきセラミックデバイスに応じて定まる所定濃度を越えないように、炭化珪素発熱体を予め安定化促進処理する段階と、安定化促進処理した炭化珪素発熱体を用いて、セラミックデバイスを焼成する段階と、を有することを特徴とする焼成方法。 - 特許庁

To solve a problem of improving a joint between the flange of a reaction tube and a quartz cap in airtightness, where a large number of semiconductor wafers are loaded into the above vertical quartz reaction tube, and the silicon surface of a wafer is subjected to an oxidation treatment by the use of oxidizing gas containing hydrogen chloride gas.例文帳に追加

縦型の石英製の反応管内に多数の半導体ウエハを搬入し、塩化水素ガスを含む酸化用のガスを用いてウエハ上のシリコン表面部を酸化処理するにあたって、反応管のフランジ部と石英製のキャップ部との接合では気密性が不十分である点を解決すること。 - 特許庁

The manufacturing method of insulation members for the electrostatic chuck is characterized in that a molding obtained after molding mixed powder comprising silicon carbide powder obtained from the plasma CVD method of 1 wt.% or more and 10 wt.% or less and the remaining which is substantially aluminum powder is heated and sintered in a non-oxidation atmosphere.例文帳に追加

静電チャック用絶縁部材の製造方法は、１重量％以上、１０重量%以下のプラズマＣＶＤ法により得られた炭化珪素粉末と、残部が実質的に酸化アルミニウム粉末とからなる混合粉末を成形後、得られた成形体を非酸化性雰囲気中で加熱焼結することを特徴とする。 - 特許庁

After a gate electrode of poly-metal structure is formed on a gate oxide film, a mixing ratio of hydrogen gas/oxygen gas is controlled to be a partial pressure ratio in the range of a partial pressure ratio of water vapor/ hydrogen where each oxidation reduction reaction of metal and silicon is equilibrated, and the hydrogen containing water vapor is produced by catalysis.例文帳に追加

ゲート酸化膜上にポリメタル構造のゲート電極を形成した後、メタルおよびシリコンのそれぞれの酸化還元反応が平衡となる水蒸気／水素分圧比の範囲内の分圧比となるように、水素ガスと酸素ガスの混合比を制御し、触媒作用によって水蒸気を含む水素ガスを生成する。 - 特許庁

An element isolation oxide film 3 and a first gate oxide film 5 are formed on a semiconductor substrate 1, the gate oxide film 5 in device forming regions 3b and 3c is removed using the mask of a silicon nitride film 7 formed on the first gate oxide film 5 of a device forming region 3a, and a second oxide film 11 is formed by thermal oxidation (D).例文帳に追加

半導体基板１に素子分離酸化膜３及び第１ゲート酸化膜５を形成し、素子形成領域３ａの第１ゲート酸化膜５上に形成したシリコン窒化膜７をマクスにして素子形成領域３ｂ，３ｃのゲート酸化膜５を除去し、熱酸化処理により第２ゲート酸化膜１１を形成する（Ｄ）。 - 特許庁

The movable body 3 is constituted of an aluminum alloy of which the silicon content is less than 2% by mass, and the magnesium content is not less than 0.02% by mass and not more than 2% by mass, and an aluminum oxide coating formed by anodic oxidation treatment is applied on at least a friction surface among surfaces of the movable body.例文帳に追加

この可動体３は、ケイ素の含有量が２質量％未満であり且つマグネシウムの含有量が０．０２質量％以上２質量％以下であるアルミニウム合金で構成されており、その表面のうち少なくとも摩擦面には、陽極酸化処理による酸化アルミニウム被膜が設けられている。 - 特許庁

An oxide film serving as a gate oxide layer 2 is formed on a silicon semiconductor substrate 1, a shield is laminated on the oxide film at a position where a gate electrode is formed, the oxide film is additionally grown by oxidation, then the shield is removed, and a gate electrode 6 is formed on a site from which the shield is removed.例文帳に追加

シリコン半導体基盤１上にゲート酸化層２となる酸化膜を形成し、ゲート電極が作成される位置の酸化膜上に遮蔽体を積層し、酸化を行って酸化膜を追加成長させた後に遮蔽体を除去し、遮蔽体を除去した跡にゲート電極６を作成する。 - 特許庁

A side wall 119A is left on the side wall of an opening part by ansotropically etching (RIE) a TEOS silicon oxidation film 117, a spacer 119B is formed on a level difference part between the gate part of a MOS transistor and a Poly-Si film, and further the Poly-Si film 120 is accumulated on the whole face.例文帳に追加

ＴＥＯＳシリコン酸化膜１１７を異方性にエッチング（ＲＩＥ）することにより、開口部の側壁にサイドウォール１１９Ａを残すように、また、ＭＯＳトランジスタのゲート部とＰｏｌｙ−Ｓｉ膜との段差部にスペーサ１１９Ｂの形成を行い、さらに全面にＰｏｌｙ−Ｓｉ膜１２０を堆積させる。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device comprises a lower electrode D of the MIM capacitance element having a lower electrode D, a capacity insulating film C and an upper electrode U, and the gate electrode G of the MISFET for constituting the CMOS, made of a tantalum films so that the capacity insulating film C of the MIM capacitance element is a thermal oxidation silicon film 17 formed on the tantalum film.例文帳に追加

下部電極Ｄ、容量絶縁膜Ｃおよび上部電極Ｕを有するＭＩＭ容量素子の下部電極Ｄと、ＣＭＯＳを構成するＭＩＳＦＥＴのゲート電極Ｇをタンタル膜とし、ＭＩＭ容量素子の容量絶縁膜Ｃをタンタル膜上に形成された熱酸化シリコン膜１７とする。 - 特許庁

Then, the silicon thin film is subjected to plasma oxidation or plasma nitriding treatment by discontinuing the application of the high-frequency electric field, replacing the atmosphere inside the chamber with an oxidizing or nitriding gas atmosphere and resuming the application of the high-frequency electric field.例文帳に追加

その後、高周波電界の印加を中止し、プラズマ処理チェンバ内を酸化性ガス雰囲気あるいは窒化性ガスの雰囲気に置き換え、再び、高周波電界を印加して前記の基板上に形成されているシリコン薄膜のプラズマ酸化処理あるいはプラズマ窒化処理を行うシリコンナノ結晶構造体の形成方法。 - 特許庁

At least one kind of fire-resistant aggregate raw materials such as alumina, silica, zirconia, magnesia and spinel as the material for the plate for sliding nozzle, and 0.2 to 10 weight % of silicon nitride powder and 0.1 to 8.0 weight % of at least one kind of metal as an oxidation inhibitor in carbon-based composition are added.例文帳に追加

スライディングノズル用プレートの材料として、アルミナ、シリカ、ジルコニア、マグネシア及びスピネル等の耐火性骨材原料の中の少なくとも１種以上と、炭素質原料の配合において、窒化珪素粉末０．２〜１０．０重量％と、酸化防止剤として、少なくとも１種以上の金属の０．１〜８．０重量％とを添加する。 - 特許庁

In a step (d), a porous polysilicon layer 5 is formed by performing positive electrode oxidation processing with a constant current while performing light irradiation on the exposed polysilicon layer 3 by using the silicon oxide layer 4 as a mask material layer, and by using an electrolytic solution that is prepared by mixing 55 wt.% of hydrogen fluoride aqueous solution and ethanol with a ratio of 1:1, and cooled at 0°C.例文帳に追加

酸化シリコン層４をマスク材料層として５５ｗｔ％のフッ化水素水溶液とエタノールとを１：１で混合し０℃に冷却した電解溶液を用い、露出したポリシリコン層３に光照射を行いながら定電流で陽極酸化処理を行い多孔質ポリシリコン層５を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁

Thereafter a silicon oxidation film 125 is accumulated, patterning for forming a low resistance diffusion layer for emitter and MOS source/drain taking-out is performed, As+ ion is injected on the emitter part of a bi-polar transistor and the source/drain taking-out part of an NMOS transistor, and BF2+ ion is injected to the source/drain taking-out part of a PMOS transistor.例文帳に追加

その後、シリコン酸化膜１２５を堆積させ、エミッタ及びＭＯＳソース／ドレイン取り出し用の低抵抗拡散層を形成するためのパターンニングを行い、バイポーラトランジスタのエミッタ部とＮＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン取り出し部にＡｓ＋イオンを注入し、ＰＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン取り出し部にＢＦ２＋イオンを注入する。 - 特許庁

After introducing nitrogen ions 4 into the surface of a p-type SiC substrate 1, the nitrogen atoms present in an impurity-doped layer 6 are made to diffuse toward the rear surface of the SiC substrate 1, by increasing the number of the interstitial silicon atoms of the SiC substrate 1 by its thermal oxidation, so as to form an n-type impurity diffusion layer 7.例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ基板１の表面に窒素イオン４を導入した後、熱酸化によってＳｉＣ基板１の格子間シリコン原子の数を増加させることにより、不純物ドーピング層６の窒素をＳｉＣ基板１の裏面に向かって拡散させて、ｎ型不純物拡散層７を形成する。 - 特許庁

The boron carbide-silicon carbide complex carbon material having oxidation resistance is applied to the whole or part of the surface of a crucible for sintering, a crucible for vacuum deposition, a die for continuous casting, a crucible for melting a metal, a roller for transporting glass, a uniformly heating pipe for annealing a steel wire material, a jig for high-temperature burning and a jig for hot press.例文帳に追加

この耐酸化性の炭化ホウ素ー炭化ケイ素複合炭素材料を、焼結用ルツボ、真空蒸着用ルツボ、連続鋳造用ダイス、溶融金属用ルツボ、ガラス管搬送用ローラー、鋼線材焼鈍用均熱管、高温焼成用治具、ホットプレス用治具の表面の全部又は一部に適用する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display composed of a TFT structure in which oxidation of wiring material or the like is prevented by forming an oxide coating film having high adhesion with a semiconductor layer or a pixel electrode, and a source electrode or a drain electrode sandwiched between a semiconductor layer of amorphous silicon or the like and a passivation layer has stable ohmic joining property.例文帳に追加

半導体層あるいは画素電極との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、アモルファス・シリコンなどの半導体層とパッシベーション層に挟持されたソース電極あるいはドレイン電極が安定なオーミック接合性を有するＴＦＴ構造からなる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

Since an outer surface of a transparent electrode 55 can be shut off from air and moisture by forming a coating film 102 made of transparent silicon resin over the whole upper surface of the transparent electrode 55 formed in an outer surface of a glass substrate 52a, the reduction and oxidation reactions caused by applying the high voltage can be prevented.例文帳に追加

ガラス基板５２ａの外面に形成された透明電極５５の上面の全面に亘って、透明なシリコン樹脂からなるコーティング膜１０２を形成することにより、空気および湿気から透明電極５５の外面を遮断できるので、高電圧を印可することによって起こる還元および酸化反応を防止することが可能となる。 - 特許庁

To provide the wall oxide film forming method of a flash memory element, and the element isolation film forming method of the flash memory element using this which can improve element property by preventing dislocation phenomenon in which a silicon substrate of trench inner wall is broken by an oxidation process performed after a formation of trench.例文帳に追加

本発明は、トレンチの形成後に行われる酸化工程によってトレンチ内側壁のシリコン基板が破れるディスロケーション現象を防止して素子特性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法及びこれを用いたフラッシュメモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁