「transition layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Glass transition temperature Tg of the support layer 10s decreases.例文帳に追加

支持層１０ｓのガラス転移温度Ｔｇが下がる。 - 特許庁

A thermal barrier coating system includes a substrate, a first transition metal layer on the substrate, a bond coat on the first transition metal layer, a second transition metal layer on the bond coat, and an optional ceramic topcoat on the second transition metal layer.例文帳に追加

基材、基材の上の第１遷移金属層、第１遷移金属層の上のボンドコート、ボンドコートの上の第２遷移金属層および第２遷移金属層の上の任意のセラミックトップコートを含むサーマルバリアコーティングシステム。 - 特許庁

This magnetic memory cell is provided with a pinning layer 11, a pinned layer 12, a transition layer 13, a free layer 130, and a cap layer 16.例文帳に追加

この磁気メモリセルは、ピンニング層１１、ピンド層１２、遷移層１３、フリー層１３０およびキャップ層１６を備える。 - 特許庁

RARE-EARTH/TRANSITION METAL ALLOY MATERIAL WITH COATING LAYER例文帳に追加

被着層を有する希土類・遷移金属合金材料 - 特許庁

SPIN TRANSITION MAGNETIC ELEMENT HAVING LOW SATURATION MAGNETIZATION FREE LAYER例文帳に追加

低飽和磁化自由層を有するスピン転移磁気素子 - 特許庁

To provide a phase transition memory element provided with a phase transition substance layer including phase transition nano-particles and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

相転移ナノ粒子を含む相転移物質層を備える相転移メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce cracking and warpage of an epitaxial layer formed on the upper part of the transition layer of a group III-V semiconductor device by reducing strain of the transition layer.例文帳に追加

３-５族半導体デバイスの遷移層の歪みを減らし、上部に形成されるエピタキシャル層のクラック、反りを減少させる。 - 特許庁

The transition channel is positioned between the target layer and the second layer to fluidly couple the second layer to the target layer.例文帳に追加

移行チャネルは、第２層をターゲット層に流体カップリングするように、ターゲット層と第２層との間に位置する。 - 特許庁

A hot electron transition layer 125 is formed between the base layer 130 and the collector layer 110.例文帳に追加

ベース層１３０及びコレクタ層１１０の間にはホットエレクトロン転移層１２５が形成されている。 - 特許庁

The glass transition temperature Tg of the support layer 10s increases.例文帳に追加

支持層１０ｓのガラス転移温度Ｔｇが上昇する。 - 特許庁

COPPER TRANSITION LAYER FOR IMPROVING RELIABILITY OF COPPER WIRING例文帳に追加

銅配線の信頼性を向上させるための銅遷移層 - 特許庁

In a third embodiment, the P-transition layer is a superlattice.例文帳に追加

第３実施形態では、Ｐ型遷移層は超格子である。 - 特許庁

The reproducing layer 3 is formed of a rare earth metal-dominant rare earth transition metal alloy, and the intermediate layer 4 and the recording layer 5 are formed of transition metal-dominant rare earth transition metal alloys.例文帳に追加

再生層３は希土類金属優位の希土類遷移金属合金から形成され、中間層４及び記録層５は遷移金属優位の希土類遷移金属合金から形成される。 - 特許庁

On the second conductor layer 20 is provided a third nitrogen-containing conductor layer 30 composed of the same transition metal silicide layer as the transition metal silicide layer.例文帳に追加

第２導電体層２０の上に、遷移金属シリサイド層と同一の遷移金属シリサイド層からなり、窒素を含む第３導電体層３０が設けられている。 - 特許庁

The transition etching layer (20) prevents the upper layer (12) and the lower layer (14) from mixing with each other.例文帳に追加

遷移エッチング層（２０）は上部層（１２）と下部層１４とが相互に混合してしまうことを防ぐ。 - 特許庁

As the transition layer 13, a Cu layer and a thin insulating layer is used in a GMR element and a TMR element, respectively.例文帳に追加

遷移層１３には、ＧＭＲ素子では銅層、ＴＭＲ素子では薄い絶縁層が用いられる。 - 特許庁

The thickness of the transition inhibiting layer 104 is 40 nm-0.7 μm.例文帳に追加

転位阻止層１０４の厚みは４０ｎｍ〜０．７μｍである。 - 特許庁

The variable resistive layer is composed of transition metal oxide.例文帳に追加

可変抵抗層は、遷移金属酸化物にて構成されている。 - 特許庁

OPTICAL RECORDING METHOD OF TWO-LAYER PHASE TRANSITION TYPE INFORMATION RECORDING MEDIUM例文帳に追加

２層相変化型情報記録媒体の光記録方法 - 特許庁

The transition layer includes both nitrogen and oxygen as the components.例文帳に追加

遷移層はその成分として窒素と酸素の両方を含む。 - 特許庁

The glass transition temperature of the adhesive layer 4 is such that it is different from that of the adhesive layer 5.例文帳に追加

接着剤層４と接着剤層５とはガラス転移温度が異なるものを用いる。 - 特許庁

The transition electrode is arranged on the insulating layer and a horizontal electric field is generated between the transition electrode and the pixel electrode.例文帳に追加

転移電極は、絶縁層に配置され、転移電極と画素電極との間に横電場が生じる。 - 特許庁

The first recording layer 61 comprises an organic dye layer 61C and the second recording layer 62 comprises a phase transition type metal layer 62B.例文帳に追加

第１の記録層６１を有機色素層６１Ｃ、第２の記録層６２を相変化型金属層６２Ｂからなるものとする。 - 特許庁

The HBT device having electrostatic discharge ruggedness includes: a sub-collector layer; a collector layer formed on the sub-collector layer; a base layer formed on the collector layer; an emitter layer formed on the base layer; a transition layer formed on the emitter layer; and an emitter cap layer formed on the transition layer.例文帳に追加

静電気放電耐久性を有するＨＢＴ素子は、サブコレクタ層と、サブコレクタ層の上に形成されたコレクタ層と、コレクタ層の上に形成されたベース層と、ベース層の上に形成されたエミッタ層と、エミッタ層の上に形成された遷移層と、遷移層の上に形成されたエミッタキャップ層と、を備える。 - 特許庁

Moreover, in the main layer of the resistance layer a metal to insulator transition (Mott transition) is induced by voltage, and the resistance is changed by a large amount.例文帳に追加

また、抵抗層の中心層は、電圧によって金属−絶縁体転移（モット転移）が誘起され、抵抗が大きく変化する。 - 特許庁

The resistance changing layer 12 is mainly formed of a transition metal oxide.例文帳に追加

抵抗変化層１２は、遷移金属酸化物を主成分とする。 - 特許庁

To suppress formation of a transition layer in an AlGaAs/InGaP interface.例文帳に追加

ＡｌＧａＡs／ＩｎＧａＰ界面の遷移層の形成を抑制する。 - 特許庁

The transition layer 38A of a thin IC chip 20A is made thick, and the transition layer 38B of a thick semiconductor device 20B is made thick.例文帳に追加

薄いＩＣチップ２０Ａのトランジション層３８Ａを厚く、厚い半導体素子２０Ｂのトランジション層３８Ｂを厚く形成してある。 - 特許庁

The oxide layer is made from a p-type transition metal oxide.例文帳に追加

前記酸化物層は、ｐ型遷移金属酸化物から形成される。 - 特許庁

The anode layer is formed of a particulate matter filled layer or a porous layer comprising a transition metal such as platinum or rhenium.例文帳に追加

アノード層は、白金、レニウムなどの遷移金属による多孔質層又は紛粒体充填層で形成される。 - 特許庁

The second glass transition point temperature given to a second layer 2 which is the other layer is relatively controlled to the first glass transition point temperature to be given to the first layer out of the two-layer structure.例文帳に追加

その２層構造のうちの第１層に与える第１ガラス転移点温度に対して他層である第２層２に与える第２ガラス転移点温度を相対的に制御する。 - 特許庁

The freely deforming layer (4) has a plastic deformability allowing bidirectional transition between the first shape transition state and the second shape transition state.例文帳に追加

変形自由層（４）は第１形状遷移態と第２形状遷移態との間の双方向遷移を許容する可塑的変形性を有している。 - 特許庁

The transition inhibiting layer 104 can effectively prevent the generation of transition caused by lattice mismatch between an n-type GaN layer 102 and an n-type AlGaN clad layer 103.例文帳に追加

転位素子層１０４は、ｎ型ＧａＮ層１０２とｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０３との間の格子不整合による転位の発生を効果的に阻止することができる。 - 特許庁

To improve light emission characteristics of a device when a transition metal oxide is used for a hole injection layer, especially, to enhance electron blocking characteristics of the transition metal oxide.例文帳に追加

遷移金属酸化物をホール注入層に用いたときのデバイスの発光特性を改善する。 - 特許庁

The transition metal oxide layer is formed so as to contain excessive transition metal compared with its stable status.例文帳に追加

転移金属酸化膜はその安定した状態に比べて過剰な転移金属を含むように形成される。 - 特許庁

The central metal of a transition-metal complex configuring the transition-metal complex layer 9 has a coordination numbers of 2 or more.例文帳に追加

遷移金属錯体層９を構成する遷移金属錯体の中心金属は、配位数２以上である。 - 特許庁

The GaN layer 5 formed in such a way has a screw transition density lower than that of the GaN layer 2.例文帳に追加

このようにして形成されたＧａＮ層５は、ＧａＮ層２よりもスクリュー転位密度が低い。 - 特許庁

The article (10) optionally comprises a transition layer (20) between the environmental barrier layer (16) and the top coat (18).例文帳に追加

物品（１０）は、環境バリヤー層（１６）とトップコート（１８）との間に遷移層（２０）を任意に含む。 - 特許庁

A ZrO_2-Y_2O_3-SiO_2 is used for dielectric protective layers between a phase transition recording layer and a reflection layer of the phase transition type optical disk used by putting the phase transition type recording layer held between the dielectric protective layers on a substrate.例文帳に追加

基板上に相変化型記録層を誘電体保護層で挟んで用いる相変化型光ディスクにおいて、相変化記録層と反射層との間の誘電体保護層に、ＺｒＯ_2−Ｙ_2Ｏ_3−ＳｉＯ_2を用いる。 - 特許庁

THERMAL/ENVIRONMENTAL BARRIER COATING WITH TRANSITION LAYER FOR SILICON-COMPRISING MATERIALS例文帳に追加

ケイ素含有材料用の、遷移層を有する熱／環境バリヤーコーティング - 特許庁

MEASUREMENT OF REYNOLDS NUMBER OR THE LIKE UTILIZING BOUNDARY LAYER TURBULENT FLOW TRANSITION PHENOMENON例文帳に追加

境界層乱流遷移現象を利用したレイノルズ数等の計測 - 特許庁

To suppress formation of a transition layer in an AlGaAs/InGaP interface.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＰ界面の遷移層の形成を抑制する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH TRANSITION METAL OXIDE LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

転移金属酸化膜を有する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

THERMAL/ENVIRONMENTAL BARRIER COATING WITH TRANSITION LAYER FOR SILICON-CONTAINING MATERIAL例文帳に追加

ケイ素含有材料用の、遷移層を有する熱／環境バリヤーコーティング - 特許庁

To provide a practical carbon layer coated transition metal nano structure.例文帳に追加

実用に足る炭素層被覆遷移金属ナノ構造体を提供する。 - 特許庁