「transition layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The adhesive layer 3 comprises a reactive polymer having ≤20°C glass transition temperature before curing and containing 1-100 mol% photopolymerizable functional group as a main component.例文帳に追加

粘着剤層３は、硬化前のガラス転移点が２０℃以下で、光重合可能な官能基を１〜１００ｍｏｌ％含む反応性高分子を主成分とする。 - 特許庁

For this purpose, during a sputtering process carried out in a vacuum chamber (18), reaction products (14) are incorporated at least virtually exclusively in the transition layer (12) on the substrate.例文帳に追加

真空チャンバ（１８）内でのスパッタリングプロセス中に、反応生成物（１４）は、少なくとも事実上独占的に遷移層（１２）内に組み込まれる。 - 特許庁

The coating layer may also contain an acrylic resin of ≤10 (mg-KOH/g) in acid value and of 30 to 100°C in glass transition temperature as the other resin component.例文帳に追加

他の樹脂成分として酸価が１０（ｍｇ−ＫＯＨ／ｇ）以下で且つガラス転移温度が３０〜１００℃のアクリル系樹脂を含有していてもよい。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon wafer having a steep profile of the resistivity between a substrate silicon wafer and an epitaxial layer, and a small transition width of the resistivity.例文帳に追加

基板シリコン・ウェーハとエピタキシャル層間の抵抗率プロファイルが急峻で、抵抗率の遷移幅が小さいシリコン・ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The multilayer printed wiring board previously incorporates an IC chip 20 in a core substrate 30 and a transition layer 38 is arranged on the die pad 24 of the IC chip 20.例文帳に追加

多層プリント配線板は、コア基板３０にＩＣチップ２０を予め内蔵させて、該ＩＣチップ２０のダイパッド２４にはトラジション層を３８を配設させている。 - 特許庁

Forming the nitride film SIN with a hydrogen-free from causes the interface trap in the neighborhood of the structure transition layer to contribute to charge accumulation more than before.例文帳に追加

窒化膜ＳＩＮを水素フリーの膜で形成すると、構造遷移層付近の界面トラップが今まで以上に電荷蓄積に寄与するようになる。 - 特許庁

To provide a method of producing a silicon epitaxial wafer, by which the impurity concentration profile in the transition zone of an epitaxial layer can be maintained constant.例文帳に追加

エピタキシャル層の遷移領域における不純物濃度プロファイルを一定に維持することができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device of which the vertical and horizontal viewing angles are improved and which includes a liquid crystal layer in which transition to an initial bend phase is facilitated.例文帳に追加

本発明は、上下及び左右視野角が改善されて、初期ベンド相への転移が容易い液晶層を含む液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

Fine recording magnetic domains can be thereby formed in the recording layer 65 and magnetization transition regions are made distinct, by which the noise during information reproduction is reduced.例文帳に追加

これにより記録層６５に微細な記録磁区が形成できるとともに磁化遷移領域も明瞭となり、情報再生時のノイズが低減する。 - 特許庁

To provide a perpendicular magnetic recording medium which can reliably form fine magnetic domains in an amorphous recording layer consisting of a rare earth transition metal material.例文帳に追加

希土類遷移金属材料からなる非晶質記録層に微小磁区を確実に形成できる垂直磁気記録媒体及び磁気記録装置を提供する。 - 特許庁

The input optical wiring 12 and the output optical wiring 13 are optically connected through the inter-layer optical transition part 16 disposed in their intersection points.例文帳に追加

入力光配線１２と出力光配線１３とは、それらの交点に配置された層間光移行部１６を介して光接続されている。 - 特許庁

The protection layer 5 is brought into a flexible rubber-like elastic state, because the glass transition point has a temperature lower than an ambient temperature, so as to detect easily a displacement or an acceleration.例文帳に追加

保護層５は、ガラス転移点が室温より低温であるので、軟らかいゴム状弾性状態となり、変位や加速度が検出し易くなる。 - 特許庁

To provide a structure including nitride semiconductor layers reduced in through transition; a composite substrate including a nitride semiconductor layer; and method for manufacturing them.例文帳に追加

貫通転位を低減された窒化物半導体層を含む構造体及び窒化物半導体層を含む複合基板と、それらの製造方法等を提供する。 - 特許庁

Consequently, the epitaxial substrate 1 rich in Al can be obtained comprising the upper layer 3 of low transition density of 1×10^9/cm^2 or less.例文帳に追加

これにより、Ａｌリッチであって、１×１０^9／ｃｍ^2以下という低転位密度の上部層３を有するエピタキシャル基板１を得ることができる。 - 特許庁

In the manufacturing method of a group III nitride power semiconductor device, a transition layer is grown up on a substrate by at least two different growth methods.例文帳に追加

III族窒化物パワー半導体デバイスの製造方法において、少なくとも２つの異なる成長方法により、遷移層を基板上で成長させる。 - 特許庁

In the recording layer 4, phase transition between a crystal phase and an amorphous phase takes place by irradiation with a light or by the application of electrical energy.例文帳に追加

記録層４は、光の照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化を生じるものである。 - 特許庁

The easily adhesive layer 12 contains two kinds of binders of a polyurethane resin and an acrylic resin having 30°C or higher in a glass transition point, and a carbodiimide crosslinker.例文帳に追加

易接着層１２には、ガラス転移点が３０℃以上のポリウレタン樹脂及びアクリル樹脂の２種類のバインダと、カルボジイミド系架橋剤とが含まれる。 - 特許庁

ACCELERATED TRANSPORT SEPARATION MEMBRANE INCLUDING SOLID POLYMERIC ELECTROLYTE LAYER CONSTITUTED OF TRANSITION METAL SALT AND POLYMER HAVING CARBON DOUBLE BOND AND POROUS SUPPORT FILM例文帳に追加

遷移金属塩及び炭素二重結合を有する高分子で構成された固体高分子電解質層と多孔質支持膜と、を含む促進輸送分離膜 - 特許庁

As the thermoplastic resin of the layer 3, a resin containing a hydroxyl group and having a thermal deformation temperature or a glass transition temperature of 70°C or above is used.例文帳に追加

又滑性耐熱層３の熱可塑性樹脂は、熱変形温度或いはガラス転移温度が７０℃以上のヒドロキシル基を含有する樹脂とする。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF ELECTROLUMINESCENT ELEMENT EQUIPPED WITH SILICON NANOCRYSTAL EMBEDDED SILICON OXIDE FILM HAVING MID-BANDGAP TRANSITION LAYER, AND OPERATION METHOD OF ELECTROLUMINESCENT ELEMENT例文帳に追加

中間バンドギャップ遷移層を有するシリコンナノ結晶含有酸化シリコン膜を備えた電界発光素子の製造方法および電界発光素子の操作方法 - 特許庁

To achieve continuous recording by enhancing security of information data during transition period between recording layers in a multi-layer recording medium without increasing capacity of a memory.例文帳に追加

メモリ容量を増加させることなく、多層記録媒体に対する記録層間移行期間の情報データの安全性を高めて連続記録を可能とする。 - 特許庁

The first information layers 13 include the first recording layer 18 which reversibly gives rise to phase transition between a crystalline phase and an amorphous phase by a laser beam 35 and the second information layers 14 include the second recording layer 27 which reversibly gives rise to the phase transition between the crystalline phase and the amorphous phase by the laser beam 35.例文帳に追加

第１の情報層１３は、レーザビーム３５によって結晶相と非晶質相との間で可逆的に相変態を起こす第１の記録層１８を含み、第２の情報層１４は、レーザビーム３５によって結晶相と非晶質相との間で可逆的に相変態を起こす第２の記録層２７を含む。 - 特許庁

This thermal transfer image receiving sheet has a coloring matter receiving layer formed on a base, and the coloring matter receiving layer consists of an aqueous dispersion type copolyester resin having a high glass transition temperature of 60-80°C and a water-based urethane resin having a lower glass transition temperature than the polyester of the above.例文帳に追加

基材上に色素受容層が形成された熱転写受像シートであって、前記色素受容層が、６０℃〜８０℃の高ガラス転移温度を有する水分散型共重合ポリエステル樹脂及びそのポリエステルよりも低ガラス転移温度を有する水性ウレタン樹脂からなることを特徴とする熱転写受像シート。 - 特許庁

The transition point of the liquid crystal layer 32 in the liquid crystal panel (switching liquid crystal panel 30) among the liquid crystal panel 10 for display and the switching liquid crystal panel 30 and disposed nearer to the light source is controlled to be higher than the transition point of the liquid crystal layer 13 in the other liquid crystal panel (liquid crystal panel 10 for display).例文帳に追加

そして、上記表示用液晶パネル１０とスイッチング液晶パネル３０のうち、光源に近い側に配置される液晶パネル（スイッチング液晶パネル３０）の液晶層３２の転移点が、他方の液晶パネル（表示用液晶パネル１０）の液晶層１３の転移点よりも高く設定される。 - 特許庁

In the ink jet recording medium wherein an ink receiving layer is provided on a support, a transition metal oxide such as cerium oxide or the like, of which the surface is coated with amorphous silica, is added to the ink receiving layer and the transition metal oxide coated with amorphous silica has a mean secondary particle size of 2.0-8.0 μm.例文帳に追加

支持体上にインク受容層を設けてなるインクジェット記録媒体において、該インク受容層に表面を不定形シリカで被覆された酸化セリウム等の遷移金属酸化物を含有し、その不定形シリカで被覆された遷移金属酸化物の平均２次粒子径が2.0μm以上8.0μm以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The interface fusion layer has a glass transition temperature lower than the adjoining organic layers, and by fusing the interface fusion layer and annealing it at a temperature higher than the glass transition temperature Tg, organic bonding having smooth steps is formed by smooth interdiffusion and being mixed with the adjoining layers.例文帳に追加

界面（インタフェース）の融合層がそのグラス転移温度が隣接する有機層より低く、界面（インタフェース）融合層を融合させ、そのグラス転移温度Ｔｇより高い温度で焼きなましすることにより、隣接層との滑らかな相互拡散および混合により滑らかな段階がある有機接合を形成する。 - 特許庁

Here, in the element substrate manufacturing process (S301), from among the plurality of the organic compound layers, the plurality of the organic compound layers are formed so that a first organic compound layer having the lowest glass transition temperature will be pinched between the second and third organic compound layers of glass transition temperatures higher than that of the first organic compound layer.例文帳に追加

ここで、素子基板製造工程（Ｓ３０１）では、複数の有機化合物層のうち、ガラス転移温度が最も低い第1の有機化合物層が、第1の有機化合物層よりガラス転移温度が高い第２および第３の有機化合物層の間で挟持されるように、複数の有機化合物層を形成する。 - 特許庁

Then, the nano powder is heated to at least heating temperature in the first heat treatment for performing second heat treatment, thus forming the carbon layer coated transition metal nano structure having a metal core made of the transition metal of Fe, Co, or Ni and a carbon layer formed while the periphery of the metal core is coated.例文帳に追加

次いで、前記ナノ粉末を前記第１の熱処理における加熱温度以上に加熱して第２の熱処理を行い、Ｆｅ、Ｃｏ又はＮｉの遷移金属からなる金属コア及び前記金属コアの周囲を覆うようにして形成された炭素層を有する炭素層被覆遷移金属ナノ構造体を形成する。 - 特許庁

An alloy 31 which has glass transition temperature and crystallization temperature and also has an amorphous structure is disposed between a semiconductor chip 11 and a wiring layer 14, and while they are pressed, the alloy 31 is heated to the level of a temperature between the glass transition temperature and crystallization temperature to bond the semiconductor chip 11 and wiring layer 14 together.例文帳に追加

ガラス転移温度と結晶化温度を有し、かつアモルファス組織を有する合金３１を半導体チップ１１と配線層１４との間に配置して、これらを加圧しつつ、合金３１をガラス転移温度から結晶化温度までの間の温度に加熱して半導体チップ１１と配線層１４接合する。 - 特許庁

The zigzag defect 15c is irradiated with light at a wavelength the alignment layer can absorb, so as to be heated up to a temperature equal to or higher than the phase transition temperature of an SmA phase, and then gradually cooled to a temperature equal to or lower than the phase transition temperature of the SmC phase.例文帳に追加

グザグ欠陥部１５ｃに対して配向膜が吸収可能な波長の光を照射してＳｍＡ相の相転移温度以上の温度まで加熱した後に、ＳｍＣ相の相転移温度以下の温度まで、徐々に降温させる。 - 特許庁

This laminated film has a coating layer formed on at least one side thereof and containing a polyester resin having a glass transition point of 50-100°C and an acrylic resin having a glass transition point of -50 to 50°C.例文帳に追加

ポリエステルフィルムの少なくとも片面にガラス転移点が５０〜１００℃の範囲であるポリエステル樹脂とガラス転移点が−５０〜５０℃の範囲であるアクリル樹脂を含む塗布層が形成されていることを特徴とする光学用易接着性積層フィルム。 - 特許庁

The multilayered polyester film is constituted by forming a polyester derivative layer with a glass transition temperature of 80°C or above at least on one side of a copolyester film with a glass transition temperature of 50-79°C copolymerized from a dicarboxylic acid and a diol.例文帳に追加

本発明の多層ポリエステルフィルムは、ジカルボン酸及びジオールから共重合されガラス転移温度が５０〜７９℃である共重合ポリエステルフィルム層の少なくとも片面に、ガラス転移温度が８０℃以上であるポリエステル系誘導体層を形成してなる。 - 特許庁

The protection layer 5 is an organic polymer having a thermal physical property of which the glass transition point is at least 255K or less and is 0.63-0.47 times of a softening point or a primary transition point Tm (absolute temperature) within 353-452K of range.例文帳に追加

保護層５は、ガラス転移点が、少なくとも２５５Ｋ以下であるうえに、３５３〜４５２Ｋの範囲にある軟化温度もしくは一次転移点Ｔｍ（絶対温度）の０．６３倍〜０．４７倍である熱物性を有する有機高分子重合物である。 - 特許庁

The recording layer comprises an azo metal complex dye which is a complex of azo dyes and transition metal ions, whose number is equal to or greater than the number of the azo dyes, and comprises two or more transition metal ions in one molecule thereof.例文帳に追加

前記記録層は、アゾ色素と、該アゾ色素の数と同数またはそれ以上の数の遷移金属イオンとの錯体であるアゾ金属錯体色素を含み、該アゾ金属錯体色素は１分子中に２つ以上の遷移金属イオンを含有する。 - 特許庁

In the semiconductor device which comprises a wafer, a semiconductor layer formed on the wafer and an electrode layer comprising wiring or an electrode, the semiconductor device includes a portion wherein the semiconductor layer and the electrode layer are directly bonded, and the electrode layer is formed from the aluminum alloy thin film containing transition metals such as nickel, cobalt, iron and the like.例文帳に追加

基板と、該基板上に形成された半導体層と、配線又は電極を構成する電極層とを備えた半導体素子において、半導体層と電極層とが直接接合される部分を有しており、該電極層は、ニッケル、コバルト、鉄などの遷移金属を含有したアルミニウム合金薄膜で形成されているものとした。 - 特許庁

A semiconductor device 30 formed on the circuit board 20 is sealed with a first seal layer 40, a second resin layer 41 is formed on the first seal layer 40, and thermal expansion coefficient of the circuit board 20 and the second seal layer 41 in an in-plane direction is lower than that of the first seal layer 40 at a glass transition point or higher.例文帳に追加

回路基板２０上の半導体素子３０を第１の封止層４０で封止し、第１の封止層４０の上に第２の封止層４１を形成し、回路基板２０及び第２の封止層４１の面内方向の熱膨張率を第１の封止層４０のガラス転移点以上での熱膨張率よりも低くさせた。 - 特許庁

The printed wiring board 1 includes a metallic substrate 2, an insulating layer 3 formed on the surface of the metallic substrate 2, an adhesive layer 6 formed on the surface of the insulating layer 3 and composed of polyimide resin having a glass transition temperature of 20 to 300°C and thermoplasticity, and a metallic foil layer 8 formed on the surface of the adhesive layer 6.例文帳に追加

本発明のプリント配線板１は、金属基板２と、金属基板２の表面上に設けられた絶縁層３と、絶縁層３の表面上に設けられ、ガラス転移温度が２０℃〜３００℃であって熱可塑性を有するポリイミド樹脂により形成された接着層６と、接着層６の表面上に設けられた金属箔層８とを備えている。 - 特許庁

The photoluminescent film comprises two or more pairs of photoluminescent pattern layers each contacting with a primer layer, a pair of photoluminescent pattern layer consisting of a relief forming layer and a metal thin film layer, wherein preferably each of at least two photoluminescent patterns is visible from the back side and front side, and the glass transition temperature of the primer layer is 130°C or below.例文帳に追加

レリーフ形成層と金属薄膜層とを１組の光輝性図柄層として、プライマ層を介して、２組又はそれ以上の組の光輝性図柄層を有し、好ましくは、少なくとも２つの光輝性図柄が表側及び裏面からそれぞれ視認でき、上記プライマ層のガラス転移温度が１３０℃以下であることも特徴とする。 - 特許庁

The positive electrode active material for the nonaqueous electrolyte secondary battery comprises a powder main part and a covering layer covering at least one part of the surface of the powder main part, the powder main part has a lithium transition metal composite oxide having spinel structure, and the covering layer has the lithium transition metal composite oxide having layer structure.例文帳に追加

非水電解質二次電池用正極活物質は、粉末本体と、該粉末本体の表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを有する粉末からなる非水電解質二次電池用正極活物質であって、該粉末本体は、スピネル構造リチウム遷移金属複合酸化物を有し，該被覆層は、層状構造リチウム遷移金属複合酸化物を有してなる。 - 特許庁

When recording/reproduction of information is performed by locally irradiating a medium for information recording formed by forming a recording and reproducing function layer having a phase transition type recording layer on a substrate with laser light, control of a laser condensing area is performed so that a laser condensing area on the phase transition type recording layer during recording is made larger than that during reproduction.例文帳に追加

基板上に、相変化型記録層を有する記録再生機能層を形成した情報記録用媒体に、局所的にレーザー光を照射して情報を記録・再生する際に、記録時の相変化型記録層上のレーザー集光面積が再生時の相変化型記録層上のレーザー集光面積より大きくなるようにレーザー集光面積の制御を行なう。 - 特許庁

(2) The phase transition optical recording medium has a lower interface layer consisting of the oxides of the one or more elements (precluding Zr) selected from the groups 2 to 14 of the third period to sixth period of periodic table between the lower protective layer and the recording layer.例文帳に追加

（２）下部保護層と記録層との間に、Ｚｒの酸化物と、周期律表の第３周期〜第６周期の２族〜１４族から選ばれる１種以上の元素（但し、Ｚｒは除く）の酸化物からなる下部界面層を有する（１）記載の光記録媒体。 - 特許庁

At least one surface of the optical compensation layer is coated with an adhesive containing humidity curable isocyanate compound of ≤100°C in glass transition temperature, and the adhesive is cured to form a cracking prevention layer directly on the surface of optical compensation layer.例文帳に追加

光学補償層の少なくとも一方の表面に、ガラス転移温度が１００℃以下である湿気硬化型イソシアネート化合物含有接着剤を塗工し、前記接着剤を硬化させることによって、前記光学補償層表面に直接クラック防止層を形成する。 - 特許庁

The binder contained in at least the described above under layer contains a polyurethane resin having a glass transition temperature ranging from 100 to 200°C and the magnetic layer existing at the uppermost layer has surface projections of 10 to 20 nm in height at 5 to 1,000 pieces/100 μm^2 on its surface.例文帳に追加

少なくとも前記下層に含まれる結合剤は、ガラス転移温度が１００〜２００℃の範囲であるポリウレタン樹脂を含み、最上層に位置する磁性層は、その表面に高さ１０〜２０ｎｍの表面突起を５〜１０００個／１００μｍ^2有する。 - 特許庁

The method for producing the emulsion is to set the glass transition temperature of a polymer of a core layer-forming monomer to be ≥20°C higher than that of a polymer of a shell layer-forming monomer and introduce an alkoxy silane compound in preparing the core layer.例文帳に追加

本発明の製造方法は、コア層形成用モノマーの重合体のガラス転移温度が、シェル層形成用モノマーの重合体のガラス転移温度よりも２０℃以上高くなるように設定し、コア層を得る際にアルコキシシラン化合物を導入することを特徴とする。 - 特許庁

Exhaust gas is passed in alternate normal and reverse direction through a catalytic layer filled with a denitration catalyst supporting transition metal on refractory inorganic oxide, and a time interval of switching of the passing direction is varied in dependence on the temperature of the catalytic layer or of outlet gas of the catalytic layer.例文帳に追加

耐火性無機酸化物に遷移金属を担持した脱硝触媒を充填した触媒層に、正逆交互に排ガスを流通し、かつ触媒層あるいは触媒層の出口ガスの温度に基づいて、流通方向を切り替える時間間隔を変化させる。 - 特許庁