「transition layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The transition layer is formed on a first surface 116 of the heat conduction member, and is 1 to 100 nanometers thick.例文帳に追加

熱伝導部材の第１の表面１１６に過渡層が形成され、過渡層の厚さが１ナノメートル〜１００ナノメートルである。 - 特許庁

The release layer contains a silicon-based polymer substance with a lower surface energy and a glass-transition temperature (Tg) of 25°C or lower.例文帳に追加

該リリーズ層はガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下であり、表面エネルギーが低いシリコン系高分子物質を含む。 - 特許庁

A phase transition type optical recording medium A is provided with a substrate 1 and a recording layer 3 having a track for recording information.例文帳に追加

相変化型光記録媒体Ａは基板１と、情報を記録するためのトラックを有する記録層３とを備える。 - 特許庁

Thereby a crystal defect, transition and distortion in current blocking layers 7 and 8 and a contact layer 9 are prevented.例文帳に追加

したがって、電流ブロック層７,８およびコンタクト層９内での結晶欠陥、転移、歪の発生を防止できる。 - 特許庁

This RF transition 20 includes an MMIC board 26 whose rear side has a metallization layer and whose front side has a microstrip 28.例文帳に追加

このＲＦ遷移２０は、背面にメタライゼーションを有し、正面にマイクロストリップ２８を有するＭＭＩＣ基板２６を含む。 - 特許庁

An aqueous emulsion resin having a glass transition temperature of 80-130°C is incorporated as a resin component constituting the second layer.例文帳に追加

第２層を構成する樹脂成分としてガラス転移温度が８０〜１３０℃の水系エマルジョン樹脂を含有させる。 - 特許庁

A 2nd intrasurface magnetized layer comprises an intrasurface magnetized film having its Curie temperature Tc4 near the transition temperature Tp3.例文帳に追加

第２の面内磁化層は、上記遷移温度Ｔｐ３近傍にキュリー温度Ｔｃ４を有する面内磁化膜からなる。 - 特許庁

A 1st intrasurface magnetized layer 2 comprises an intrasurface magnetized film having its Curie temperature Tc2 near the transition temperature Tp1.例文帳に追加

第１の面内磁化層２は、上記遷移温度Ｔｐ１近傍にキュリー温度Ｔｃ２を有する面内磁化膜からなる。 - 特許庁

The liquid crystal display device has a liquid crystal display panel DP of OCB (Optically Compensated Bend) mode which has a liquid crystal layer LQ held between a pair of substrates AR and CT and a transition voltage applying circuit DR which applies an alternating transition voltage changing liquid crystal molecules from splay alignment to bend alignment in a transition period to the liquid crystal layer LQ.例文帳に追加

液晶表示装置は一対の基板ＡＲ，ＣＴ間に液晶層ＬＱを挟持したＯＣＢモードの液晶表示パネルＤＰと、転移期間において液晶分子をスプレイ配向からベンド配向に転移させる交番転移電圧を液晶層ＬＱに印加する転移電圧印加回路ＤＲとを備える。 - 特許庁

The adhesive sheet having the adhesive layer formed in lamination on the surface of the topping rubber layer in the rubber-coated fabric through the intermediate layer, wherein the intermediate layer comprises amorphous polyester resin, whose glass transition point is higher than 20°C.例文帳に追加

ゴム引布におけるトッピングゴム層の表面に、中間層を介して、粘着層が積層形成されてなる粘着シートであって、前記中間層は、ガラス転移点が２０℃以上の非晶性ポリエステル樹脂からなることを特徴とする。 - 特許庁

An emission element 1 includes: a quantum cascade active layer 4 being an active layer using the intersubband transition; an n-type buffer layer 3 and an n-type guide layer 5 as first conduction-type semiconductor layers; and a photonic crystal layer 7 as a two-dimensional diffraction grating.例文帳に追加

発光素子１では、サブバンド間遷移を用いた活性層である量子カスケード活性層４と、第１導電型の半導体層としてのｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と、２次元回折格子としてのフォトニック結晶層７とを備える。 - 特許庁

In the phase transition type optical information recording medium having a first dielectric layer, a recording layer, a second dielectric layer and the reflection layer which are sequentially laminated on a transparent substrate, the second dielectric layer contains a nickel oxide.例文帳に追加

透明基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層を順次積層した相変化型光情報記録媒体であって、前記第２誘電体層がニッケル酸化物を含有している相変化型光情報記録媒体を主たる構成にする。 - 特許庁

The lithium secondary cell including a cathode layer containing a transition metal element, a solid electrolyte layer, and an anode layer containing lithium, has a ratio to a theoretical density of an appearance density of the cathode layer and the solid electrolyte layer of 95% or more.例文帳に追加

遷移金属元素を含む正極層、固体電解質層、およびリチウムを含む負極層とを有するリチウム二次電池であって、該正極層および該固体電解質層の見掛密度の理論密度に対する割合が９５％以上であるリチウム二次電池である。 - 特許庁

The semiconductor structure further comprises a second transition body, such as a transition module, having a smaller lattice parameter at a lower surface overlying the second surface of the first transition body and a larger lattice parameter at an upper surface of the second transition body, as well as a III-Nitride semiconductor layer over the second transition body.例文帳に追加

前記典型的な実施では、遷移モジュール等の第二遷移本体をさらに有し、この第二遷移本体は前記第一遷移本体の前記第二表面に重層する下表面においてより小さい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上表面においてより大きい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上方のIII族窒化物半導体層も同様である。 - 特許庁

This invention provides a multifilm having a composition transition layer led into the interface between a lower material layer and an upper material layer which respectively contain material elements whose interaction parameters are different from each other.例文帳に追加

本発明は、相互作用パラメータが相異なる物質元素をそれぞれ含んでなる下部物質層及び上部物質層の界面に組成転移層が導入される多重膜を提供する。 - 特許庁

The first conductive layer 7a has a metal carbide layer 7ax that includes a carbide of a transition metal belonging to Group IV, V, or VI of the Periodic Table and is bonded to the first resin layer 6e.例文帳に追加

第１導電層７ａは、周期表第４族、５族又は６族である遷移金属の炭化物を含み、且つ、第１樹脂層６ｅに接着する金属炭化物層７ａｘを有する。 - 特許庁

In the thermosensitive recording element having an undercoat layer and a thermosensitive recording layer sequentially laminated on a support, the undercoat layer contains a latex with a particle diameter of more than 150 nm and a glass transition temperature of 0°C or lower.例文帳に追加

支持体上に、下塗層、感熱記録層を順次積層して成る感熱記録体において、該下塗層に粒径が１５０ｎｍより大きく、ガラス転移温度が０℃以下であるラテックスを含有する。 - 特許庁

The surface of the elastic layer 41 is coated with a continuous or discontinuous thin coating layer 42, in which the coating layer 42 is made of polyamideimide resin having a glass transition temperature Tg of 200-300°C.例文帳に追加

そして、この弾性層４１の表面を連続あるいは不連続の薄い被覆層４２で被覆し、この被覆層４２を、ガラス転移温度Ｔｇが２００〜３５０℃のポリアミドイミド系樹脂とする。 - 特許庁

At this time, the upper part of the mask 4 where the GaN layer 32 is laterally epitaxilally grown can be used as a region where propagation of through-transition of the GaN layer 31 is suppressed.例文帳に追加

このときGaN３２が横方向エピタキシャル成長したマスク４の上部は、GaN層３１が有する貫通転位の伝搬が抑制された領域とすることができる。 - 特許庁

To provide an information recording medium which is capable of well executing recording and reproducing of a second information recording layer through first information recording layer having a phase transition recording film.例文帳に追加

相変化記録膜を有する第１の情報記録層を介して第２の情報記録層の記録・再生を良好に実行できる情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

To read data from the transition recorded on the magnetic storage layer, a bias current is impressed on a winding of the head to generate a bias magnetic flux which saturates part of the keeper layer.例文帳に追加

磁気記憶層上の記録された遷移からデータを読取るために、バイアス電流がヘッドの巻線に印加され、キーパ層の一部分を飽和するバイアス磁束を生成する。 - 特許庁

The diffraction pattern layer 20E and the cover layer 20D are successively formed by a UV replica method, in the order of higher glass transition point Tg of the UV-curing resin to be used.例文帳に追加

そして、使用されるＵＶ硬化樹脂のガラス転移点Ｔｇが高い順にＵＶレプリカ法によって回折パターン層２０Ｅ及びカバー層２０Ｄを設けるようにした。 - 特許庁

For example, during a transition period in which load increases, the temperature of the catalyst layer 1a is controlled by adjusting either the pressure of the cooling medium layer 1b, or the flow rate thereof.例文帳に追加

例えば、負荷増加の過渡期に、冷媒層１ｂの圧力を調整したり、冷媒流量を調整したりすることで、触媒層１ａの温度を制御する。 - 特許庁

In the transition section 370, the thickness of the outer layer 320a flatly decreases toward the distal end 360 and the thickness of the inner layer 320b flatly increases toward the distal end 360.例文帳に追加

変化部３７０では外層３２０ａの厚さは先端部３６０に向けて単調に減少し、内層３２０ｂの厚さは先端部３６０に向けて単調に増加する。 - 特許庁

The dicing film for the semiconductor wafer comprises at least one layer of a polyester resin layer which is substantially amorphous and whose glass transition temperature is 0 to 50°C.例文帳に追加

実質的に非晶性であり、ガラス転移温度が０℃〜５０℃のポリエステル樹脂層を少なくとも１層有することを特徴とする半導体ウエハ用ダイシングフィルム。 - 特許庁

With the length of the LCR lengthened, the time when the recording paper 10 is in contact with the protective layer becomes long, and the protective layer is cooled down quickly and reaches a level below the transition point for glass.例文帳に追加

ＬＣＲ長が長くなるので、記録紙１０がグレーズ層６５に接触している時間が長くなり、保護層が急速に冷却されて、ガラス転移点以下になる。 - 特許庁

The memory device 100 includes: a substrate; a set of electrodes disposed on the substrate 110; a dielectric layer 102 formed between the set of electrodes; and a transition metal oxide layer 104 formed between the set of electrodes, the transition metal oxide layer 104 being configured to undergo the metal-insulator transition (MIT) to perform a reading or writing operation.例文帳に追加

メモリ素子１００は、基板と、基板１１０上に配置された一組の電極と、一組の電極の間に形成された誘電体層１０２と、一組の電極の間に形成された遷移金属酸化物層１０４とを含み、遷移金属酸化物層１０４は、金属−絶縁体転移（ＭＩＴ）を生じて、読み出し又は書き込み動作を行うように構成される。 - 特許庁

In the navigation system, an upper layer transition searching range rectangle specifying section 206 sets an upper layer transition searching range rectangle which can surely rise to an upper node of a second level region in the case searching processes corresponding to a stating place and a destination are carried out respectively in a first level region, and an upper node searching section 208 extracts the upper node in the upper layer transition searching range rectangle.例文帳に追加

上層移行探索範囲矩形特定部２０６は、出発地、目的地のそれぞれに対応して、レベル１リージョン内で探索を行ったときに確実にレベル２リージョンの上位ノードに到達することができる上層移行探索範囲矩形を設定し、上位ノード探索部２０８は、この上層移行探索範囲矩形内で上位ノードの抽出を行う。 - 特許庁

The thin film layer of transition metal is formed by applying a solvent formed by dissolving transition metal compound, containing organic anion and cation of transition metal in organic solvent on the ITO film and on the surface of the glass substrate of a base substrate, and applying heat treatment thereto.例文帳に追加

ＩＴＯ膜、ならびに下地基板のガラス基板表面に、有機物アニオン種ならびに遷移金属のカチオン種を含む、遷移金属化合物を有機溶媒中に溶解した溶液を塗布し、加熱処理を施して、該遷移金属の薄膜層を生成する。 - 特許庁

If the two bottom corner portions are called as source transition portions, the electrode width at each source transition portion (bottom corner portion) gradually widens from the source interconnect toward the formed region of the semiconductor layer 16.例文帳に追加

上記２つの底角部のことを、ソース移行部と呼ぶとすれば、各ソース移行部（底角部）における電極幅は、ソース配線から半導体層１６の形成領域に向かって徐々に広がっている。 - 特許庁

To provide a boron phosphide based semiconductor layer exhibiting direct transition recombination behavior, in which recombination efficiency of carriers is enhanced with regard to indirect transition compound semiconductor, i.e., boron phosphide.例文帳に追加

本来、間接遷移型の化合物半導体であるリン化硼素に関して、キャリアの再結合効率を向上させた直接遷移的な再結合挙動を呈するリン化硼素系半導体層を提供する。 - 特許庁

The freely deforming layer (4) is put between the first display base (3) and the second display base (5), and changes its state between a first shape transition state and a second shape transition state in a deforming manner.例文帳に追加

変形自由層（４）は第１表示基体（３）と第２表示基体（５）とにより挟まれ、変形自由層（４）は第１形状遷移態と第２形状遷移態との間で変形的に遷移する。 - 特許庁

The adhesion transition layer provided here comprises a lower SiO_x (or SiON) contained region and an upper C inclination region.例文帳に追加

ここで提供する接着遷移層は下部ＳｉＯ_x （またはＳｉＯＮ）含有領域と上部Ｃ傾斜領域とを備えている。 - 特許庁

Then, the substrate is heated to a comparatively high temperature, so that the CoXSi layer is made to undergo phase transition to CoSi2 layers 31a, 31b and 31c.例文帳に追加

その後、比較的高温で加熱してＣｏ_XＳｉ層をＣｏＳｉ_2層３１ａ、３１ｂおよび３１ｃに相転移させる。 - 特許庁

Furthermore, a light emitting layer 104 which generates light by the transition of a carrier between bands is provided over the substrate 120.例文帳に追加

また、基板１２０の上部に設けられ、バンド間でのキャリアの遷移により光を発生させる発光層１０４を備える。 - 特許庁

The concavo-convex structure layer 8 is formed of an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin, of which a glass-transition temperature range is 20-40°C.例文帳に追加

凹凸構造層８は、ガラス転移温度が２０〜４０℃の範囲の紫外線硬化樹脂又は熱硬化樹脂で形成した。 - 特許庁

It is preferable that the semiconductor electrode includes a layer of dyestuff molecule like ruthenium complex absorbed to the transition metal oxide.例文帳に追加

半導体電極は遷移金属酸化物に吸着されているルテニウム錯体などの染料分子層を含むことが好ましい。 - 特許庁

A self-aligned bit extending part is provided to the phase transition pattern to form a bit line traversing over the inter-layer insulating film.例文帳に追加

前記相転移パターンに自己整列されたビット延長部を備えて前記層間絶縁膜上を横切るビットラインを形成する。 - 特許庁

A transition metal element contained in a layer of the depth of 0.5-3 mm from the surface of the dummy rod 2 is controlled to be ≤30 ppm.例文帳に追加

ダミーロッド２の表面から０．５〜３ｍｍの深さの部分の層に含まれる遷移金属元素を３０ｐｐｍ以下とする。 - 特許庁

The generation of a zigzag pattern in a magnetization transition are is prevented by using an amorphous material for the magnetic layer.例文帳に追加

また、記録層として非晶質材料を用いることにより、磁化遷移領域にジグザグパターンが現れることが防止される。 - 特許庁

To eliminate the need for warming a liquid crystal layer up to a phase transition temperature or higher by reducing influences by external static electricity and noise.例文帳に追加

外部からの静電気やノイズの影響を低減し、液晶層を相転移温度以上に加温することを不要にする。 - 特許庁

The low-temperature laminating sheet has a laminate layer prepared by coating a substrate sheet with a binder having a glass transition point of 100°C or below.例文帳に追加

低温ラミネート用シートは１００度以下のガラス転移点をもつバインダーを，基材シート上に塗布してラミネート層を有する。 - 特許庁

The laminated film is constituted by laminating a polymer layer B, which is peelable with respect to a layer A comprising an acrylic thermoplastic copolymer with a glass transition temperature (Tg) of 120°C or above, on the single side of the layer A and providing a layer C comprising a hydrophilic polymer compound on the surface of the layer A on the side opposite to the layer B.例文帳に追加

ガラス転移温度（Ｔｇ）が１２０℃以上であるアクリル系熱可塑性共重合体からなるＡ層の片側表面に、該Ａ層とは剥離可能なポリマーＢ層が積層され、かつ、該Ｂ層とは反対側のＡ層表面に、親水性高分子化合物からなるＣ層が設けられてなる積層フィルムである。 - 特許庁

The memory element comprises an oxide layer formed by a resistance-transformed substance, a lower electrode, an oxide layer formed on the lower electrode including a transition metal oxide, nano-dots formed in the oxide layer and integrating the current paths in the oxide layer into a single unit, and an upper layer formed on the oxide layer.例文帳に追加

抵抗変換物質で形成された酸化層を備えるメモリ素子であって、下部電極と、下部電極上に遷移金属酸化物を含んで形成された酸化層と、酸化層内に形成され、酸化層内部のカレントパスを単一化するナノドットと、酸化層上に形成された上部電極とを備えるメモリ素子である。 - 特許庁

The product is filled with the oxygen-susceptible content in the multilayered container having an oxygen-absorbing layer comprising an oxidative organic component and a transition metal catalyst, an oxygen barrier layer positioned on the inside and the outside of the oxygen-absorbing layer, the outermost layer and the innermost layer.例文帳に追加

本発明は、酸化性有機成分及び遷移金属触媒を含む酸素吸収性層と、酸素吸収性層の内側及び外側に位置する酸素バリア層と、最外層と、最内層とを有する多層容器に酸素感受性の内容品を充填した製品を提供する。 - 特許庁