「vacuum reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a sputtering apparatus for uniformizing a film thickness, film quality and film characteristics, by uniformizing the concentration of a reactive gas flowing along the surface of a target and thereby improving the uniformity of the reaction of the reactive gas with the target, when introducing a sputtering gas and the reactive gas into a vacuum chamber so as to form a film by reactive sputtering.例文帳に追加

スパッタガスと反応性ガスを真空室内に導入して反応性スパッタリングによる成膜を行うとき、ターゲットの表面に沿って流れる反応性ガスの濃度を均一にして、反応性ガスとターゲットの反応の均一化を高め、膜厚、膜質、膜特性を均一化できるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a heat-resistant coating member which is a heat-resistant coating member for supporting and melting, sintering, or heat-treating a metal or a ceramic in a vacuum, an inert gas atmosphere, or a reducing atmosphere and is lightweight and excellently heat-resistant, resistant to reaction or welding with the metal or the ceramic, and capable of being repeatedly used many times.例文帳に追加

真空、不活性雰囲気又は還元性雰囲気下において金属又はセラミックスを保持し、溶解、焼結又は熱処理するための耐熱性被覆部材であり、軽量且つ耐熱性が優れ、該金属やセラミックスと反応や溶着を起こし難く、使用可能回数の多い耐熱性被覆部材を提供することである。 - 特許庁

To provide a heat resistant coated member coated with a coating film hardly causing reaction or fusion with a metal or a ceramic in the melt-sintering or the heat treatment of the metal or the ceramic under a vacuum inert atmosphere or a reduction atmosphere and having excellent heat resistance, denseness and adhesion with a carbonaceous material.例文帳に追加

真空不活性雰囲気又は還元雰囲気下において金属又はセラミックスの溶解焼結又は熱処理を行う際に、該金属又はセラミックスと反応や溶着を起こし難く耐熱性と緻密性が優れしかも炭素質材との密着性が優れた皮膜を被覆した耐熱性被覆部材を提供することである。 - 特許庁

The method for producing carbides of groups 4A, 5A or 6A transition metals of the Periodic Table and/or double carbides of such transition metals and iron comprises conducting solid-phase reaction of a ferroalloy containing such a transition metal and unavoidable impurities with a carbonaceous material comprising carbon as the main component by co-milling under vacuum or an inert gas atmosphere.例文帳に追加

周期率表の第４Ａ族、第５Ａ族または第６Ａ族の遷移金属、鉄および不可避的不純物を含有するフェロアロイと、炭素を主体とする炭素材料とを、真空または不活性ガス雰囲気下で共粉砕により固相反応させる、該遷移金属を含む炭化物または該遷移金属および鉄を含む複合炭化物の製造方法。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for film deposition capable of effectively preventing film peeling generated in a reaction vessel during the film deposition, suppressing generation of dust in a vacuum vessel, and suitable for forming the deposited film having less spherical projections and excellent quality, in particular, for forming an amorphous silicon photosensitive member.例文帳に追加

堆積膜形成中に反応容器内で発生する膜はがれを効果的に防止できるとともに、真空容器内でのダストの発生を抑制することができ、球状突起の少ない品質の優れた堆積膜、特にアモルファスシリコン系感光体の形成に好適な堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The method of producing a mercaptocarboxylate (a') of a polyhydric alcohol of low odor includes subjecting mercaptocarboxylic acid or a mercaptocarboxylate, and a polyhydric alcohol comprising 2 to 6 hydroxy groups in its molecule to an esterification reaction under a pressure condition of 0.05 to 20 kPa, and further heat-treating the resulting mercaptocarboxylate (a) of the polyhydric alcohol under vacuum.例文帳に追加

メルカプトカルボン酸またはメルカプトカルボン酸エステルと、分子中に水酸基を２〜６個有する多価アルコールとを、０．０５〜２０ｋＰａの圧力条件下でエステル化反応させてメルカプトカルボン酸多価アルコールエステルを製造し、得られたメルカプトカルボン酸多価アルコールエステル（ａ）をさらに減圧下で加熱処理して、低臭気メルカプトカルボン酸多価アルコールエステル（ａ’）を製造する。 - 特許庁

The method includes emitting extreme-ultraviolet and/or vacuum-ultraviolet photons, having energy sufficiently high to initiate photodegradation of water molecules absorbed in a material, exposing the surface to the noble-gas plasma capable of emitting radicals of oxygen, hydrogen, and/or hydroxyl groups, and removing the radicals from the reaction chamber.例文帳に追加

該方法は、材料に吸収された水分子の光分解を引き起こすのに充分なエネルギーを有する、極端紫外及び／又は真空紫外のフォトンを放射して、酸素、水素及び／又は水酸基のラジカルを放出させることが可能である希ガスプラズマに対して該表面を露出することと、反応チャンバからラジカルを除去することとを含む。 - 特許庁

In producing a polycarbonate by polycondensing a reaction mixture containing an aromatic diol compound and a diester carbonate compound, a liquid-transferring pipe having heat resistance, resistance to vacuum, resistance to pressure, corrosion resistance and smooth surface, and in which the piping curvature of the curved part is more than 5 times of inner diameter of the pipe, is used.例文帳に追加

芳香族ジオール化合物と炭酸ジエステル化合物とを含む反応混合物を重縮合せしめてポリカーボネートを製造するに際して、送液配管として、耐熱性、耐真空性、耐圧性、耐食性を有し、その表面が滑らかであり、かつ、その曲管部の配管曲率が当該配管内径の５倍以上の配管を使用する。 - 特許庁

To provide an electron emitting element, capable of suppressing oxidizing reaction without providing an ultrahigh vacuum atmosphere, capable of obtaining stable electron emission with aging deterioration suppressed over a long period of time, and provided an image forming device using the same, capable of displaying a stable image, while suppressing variations and deterioration in brightness.例文帳に追加

雰囲気を超高真空にしなくとも酸化反応を抑止することができ、電子放出を長期に経時劣化を抑えて安定に得ることができ、そしてそれを用いた画像形成装置について、輝度のばらつき，劣化を抑えて画像表示を安定に行える電子放出素子及びそれを用いた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The method comprises transporting an aromatic dihydroxy compound and a diarylcarbonate which are vacuum-displaced using inert gas as the aromatic dihydroxy compound and diarylcarbonate into a tank for dissolving and mixing raw materials which is heated at 15 to 220°C, adjusting the reaction rate in the tank for dissolving and mixing raw materials in a range of 5 to 95% and then transporting them to the subsequent step for polymerization.例文帳に追加

芳香族ジヒドロキシ化合物およびジアリールカーボネートとして不活性ガスを用いて真空置換された芳香族ジヒドロキシ化合物とジアリールカーボネートを１１５〜２２０℃に加熱された原料溶解混合槽槽に移送後、該原料溶解混合槽での反応率を５〜９５％の範囲で調整した後に、後工程に移送し重合する。 - 特許庁

To provide an electron emitting element, capable of suppressing oxidizing reaction without providing an ultrahigh vacuum atmosphere, capable of obtaining stable electron emission with suppressed aged deterioration over a long period of time, and provide an image forming device using the same, capable of displaying a stable image, while suppressing variations and deterioration in brightness.例文帳に追加

雰囲気を超高真空にしなくとも酸化反応を抑止することができ、電子放出を長期に経時劣化を抑えて安定に得ることができ、そしてそれを用いた画像形成装置について、輝度のばらつき，劣化を抑えて画像表示を安定に行える電子放出素子及びそれを用いた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus having good maintainability when thin films are formed by arranging and mounting substrates in a rotating direction on a turntable in a vacuum container, forming a plurality of processing areas of reaction gas in the rotating direction of the substrates, and rotating the turntable to pass the substrates through the plurality of processing areas in order.例文帳に追加

真空容器内の回転テーブルに基板を回転方向に並べて載置し、複数の反応ガスの処理領域をこの基板の回転方向に沿って形成し、回転テーブルを回転させてこれらの複数の処理領域に基板を順番に通過させて薄膜を形成するにあたり、メンテナンス性に優れた成膜装置を提供すること。 - 特許庁

To excellently embed a thin film into a recess formed on the surface of a substrate in forming the thin film by sequentially supplying at least two kinds of reactant gases reacting with each other in a vacuum chamber to the surface of the substrate on a rotation table and executing this supply cycle to laminate layers of a reaction product.例文帳に追加

真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に回転テーブル上の基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、基板の表面に形成された凹部内に薄膜を良好に埋め込むこと。 - 特許庁

A raw material gas supply apparatus 15 has the raw material liquid container 22 and an evaporator 23 connected by a raw material liquid piping 43 and the raw material liquid 21 housed in the raw material liquid container 22 is guided to the evaporator 23 through the raw material liquid piping 43 to be evaporated in the evaporator 23 and the formed vapor is introduced into the vacuum atmosphere in a reaction tank 11.例文帳に追加

原料ガス供給装置１５は、原料液配管４３によって接続された原料液容器２２、気化器２３を有しており、原料液容器２２内に配置された原料液２１を、原料液配管４３内を通して気化器２３に導き、気化器２３内で気化させ、その蒸気を反応槽１１内の真空雰囲気中に導入できるように構成されている。 - 特許庁

The washing treatment tank 10 is held to a pressure reduced state (reduced up to 70 Pa in this embodiment) through an exhaust port 15, a filter 16 and an exhaust vacuum pump 17 and, in this state, the sectors 1 are washed while reaction gas G comprising a mixture of oxygen and carbon tetrafluoride is ejected from the shower electrode 12 to generate plasma.例文帳に追加

そして、前記洗浄処理槽１０内を、排気孔１５，フィルタ１６，排気真空ポンプ１７を介して減圧状態（この実施形態では、７０Ｐａまで減圧させる）にし、この状態で、前記セクター１をプロファイル面１ａに、前記シャワー電極１２から酸素と四フッ化炭素との混合体から成る反応ガスＧを噴射させながらプラズマを発生させて洗浄させる。 - 特許庁

The processing method comprises applying powers, having two different frequencies from high-frequency power sources 6, 9 to a cathode 3 with a substrate 2 mounted thereon, monitoring the two frequencies concerning a voltage in a vacuum reaction chamber 1 during etching, using impedance probes 4, 7 and taking the time point as an etching end point, when the voltage time change ratio of the two frequencies is changed greatly.例文帳に追加

被処理基体２を載置するカソード３に二つの異なる周波数を有する電力を高周波電源６，９により印加し、エッチング時の真空反応室１内の電圧に関して上記二つの周波数についてインピーダンスプローブ４，７によりそれぞれモニタし、二つの周波数の電圧の時間変化の比が大きく変化した時点をエッチングの終点とする。 - 特許庁

The immobilization agent adopted in an immobilization process is prepared by dehumidifying the inside of the Pu immobilization device 4 filled with a parent metal UO_2 for the immobilization agent inside by a vacuum pump 5, and by circulating, in the dehumidified inside, fluorine which is a reaction fluid for preparing the parent metal into the immobilization agent through a flow rate controller 3 into the inside thereof in a dehumidified dry environment.例文帳に追加

前記固定化する過程で採用される固定化剤は、内部に固定化剤の母材ＵＯ_2 を充填したＰｕ固定化装置４のその内部を真空ポンプ５で引いて除湿し、除湿したその内部にて、母材を固定化剤に調製するための反応流体であるフッ素を流量コントローラ３を通じてその内部に流して除湿乾燥環境下で調製される。 - 特許庁

The CVD process comprises (a) providing a substrate in a vacuum chamber; (b) introducing gaseous reagent containing a fluorine supply gas, an oxygen supply gas, and at least one precursor gas selected from among a group consisting of organosilane and organosiloxane; and (c) adding energy to the gaseous reagent for making a reaction of the gaseous reagent to form a film on the substrate to occur.例文帳に追加

ＣＶＤ法は、（ａ）真空チャンバ内に基板を用意すること；（ｂ）フッ素を供給するガス、酸素を供給するガス、ならびにオルガノシランおよびオルガノシロキサンからなる群より選ばれる少なくとも１つの前駆体ガスを含むガス状試薬を真空チャンバに導入すること；ならびに（ｃ）該チャンバ内のガス状試薬にエネルギーを加えてガス状試薬の反応を引き起こさせ、そして基板上に膜を形成させること、を含む。 - 特許庁

In this case, the reaction gas G can be introduced inside the vacuum chamber 1 with a uniform distribution.例文帳に追加

被処理基板１４が取り付けられる一方の電極１３に対向する配置で真空チャンバ１の内部に設けられて、反応ガスＧをガス吹出孔３１から真空チャンバ１の内部に導入するガス供給部を兼ねる他方の電極２８に、個別のガス供給系統を介して反応ガスＧのガス供給源７に配管接続された複数のガス導入部３７〜３９を、真空チャンバ１の内部に反応ガスＧを均等な分布で導入できる配置で設ける。 - 特許庁

This dry etching method repeatedly executes a step of generating plasma in a vacuum tank to etch a substrate and a step of sputtering a sold material disposed oppositely to the substrate to form a protective film on the side wall of an etching pattern, wherein a mixed gas obtained by adding a reaction gas for forming a protective film to a noble gas is used as a sputter gas in the protective film forming step.例文帳に追加

本発明のドライエッチング方法は、真空槽内でプラズマを発生させて、基板をエッチングする工程と、基板に対向して配置された固体材料をスパッタして、エッチングパターンの側壁部に保護膜を形成する工程を、交互に繰り返して行うドライエッチング方法であって、保護膜の形成工程では、スパッタガスとして、希ガスに保護膜形成用の反応ガスを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁

If one surface 11A side of the structure 11 is made a region 12 with higher deuterium pressure by pressurization or electrolysis and the like and the other surface 11B side is made a region 13 with lower deuterium pressure by vacuum exhaust and the like, a flow 15 of deuterium is produced in the structure 11 and nuclear transformation is caused by the reaction of deuterium and the material 14 causing nuclear transformation.例文帳に追加

構造体１１の一方の表面１１Ａ側が例えば加圧或いは電気分解等により重水素の圧力が高い領域１２とされ、他方の表面１１Ｂ側が例えば真空排気等により重水素の圧力が低い領域１３とされることで構造体１１内に重水素の流れ１５が生成され、重水素と核種変換を施す物質１４とが反応することによって核種変換が行われる。 - 特許庁