「vacuum reaction」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

This device for producing the ozonized oil is provided by having a reaction vessel (30) being connected to a vacuum pump (8), sucked to vacuum, being injected with the vapor of an oil (50) and ozone, and performing the ozonization reaction by mixing the oil vapor with ozone.例文帳に追加

オゾン化オイル製造装置は、真空ポンプ（８）に接続されて真空に吸引されるとともに、オイル（５０）の蒸気とオゾンとが注入され、オイルの蒸気とオゾンとを混合させてオゾン化反応をさせる反応容器（３０）を有する。 - 特許庁

Before cleaning the vacuum pump pipe 4 by detaching it from a vacuum pump P, water is directly supplied to the vacuum pump pipe 4 from the water supply port 61, and after removing explosiveness of siloxane by reaction of the supply water with siloxane in the inside of the vacuum pump pipe 4, the vacuum pump pipe 4 is cleaned by detaching it.例文帳に追加

真空ポンプ配管４を真空ポンプＰから取り外して洗浄する前に、給水ポート６１から真空ポンプ配管４へ直接水を供給し、この供給水と真空ポンプ配管４内部のシロキサンとの反応によりシロキサンの爆破性を除去した後、真空ポンプ配管４を取り外し洗浄する。 - 特許庁

The reaction sample is freeze-dried to remove water and volatile organic materials and is heated under an vacuum atmosphere.例文帳に追加

次いで、前記反応試料を凍結乾燥させて、水及び揮発性有機物を除去し、真空雰囲気中で加熱する。 - 特許庁

The film deposition system comprises a screw 51, disposed in exhaust piping 5 between a reaction chamber 1 and a vacuum pump 6.例文帳に追加

本発明の成膜装置は、反応室１と真空ポンプ６との間の排気配管５内にスクリュー５１を設置する。 - 特許庁

To process a sample with superior stability and reproductivity by a method, wherein reaction sub-product formation in a vacuum container is prevented.例文帳に追加

真空容器内に反応副生成物が形成されることを防止して安定かつ再現性よく試料を加工する。 - 特許庁

A reaction between a heated sample and various gas is observed by replacing gases inside the sample chamber 22 under a low-vacuum atmosphere.例文帳に追加

試料室２２内を低真空雰囲気下でガス置換することで、加熱した試料と各種ガスとの反応を観察する。 - 特許庁

A susceptor 11 is provided to the bottom of a reaction chamber 10, and a vacuum bellows 12 is placed around the susceptor 11.例文帳に追加

反応室１０の底部にはサセプタ１１が設けられ、該サセプタ１１の周囲には真空ベローズ１２が配置されている。 - 特許庁

The reaction chip 50 is provided with a vacuum heat-shielding layer 62 at the boundaries for separating each of the temperature regions.例文帳に追加

反応チップ５０は各温度領域を区分するようにその境界部分に真空断熱層６２を設けている。 - 特許庁

The pressure in the reaction chamber 14 becomes high at the time of growth of the membrane and becomes low at the time of vacuum exhaustion of the residual gas.例文帳に追加

反応室１４内の圧力は、薄膜成長時には大きく、残留ガスの真空排気時には小さくなる。 - 特許庁

To provide an exhaust pipe which is disposed in a vacuum apparatus having a double structure, absorbs the thermal expansion/contraction caused by the change in temperature of a vacuum reaction furnace, and has a structure of excellent heat radiation.例文帳に追加

本発明は、２重構造の真空装置に配置され、真空反応炉の温度変化にともなう熱伸縮を吸収でき、かつ放熱性のよい構造を備える排気管に関する。 - 特許庁

The vacuum heavy oil fractionated by the vacuum distillation column 18 is introduced into a solvent hydrogenation reaction column 20, hydrogenated with hydrogen and circulated as a hydrogenated heavy solvent.例文帳に追加

減圧蒸留塔１８で分留される減圧重質油は溶剤水素化反応塔２０へ送入され、水素で水素化されて、水素化重質溶剤として循環使用される。 - 特許庁

By making the circuit board 15 seal the top face of at least one of the vacuum suction cavities 24a-24e, the top faces of the other vacuum suction cavities are sealed by the circuit board 15 in a chain reaction.例文帳に追加

回路基板１５に少なくとも１つの真空吸着キャビティ２４ａ〜２４ｅの上面をシールさせることによって他の真空吸着キャビティの上面を連鎖的にシールさせる。 - 特許庁

This device comprises an exhaust pipe 7 for discharging vapor in a vacuum chamber 1 generating a reaction product in the inside and a vacuum pump interposed in the exhaust pipe 7 for sucking this vapor.例文帳に追加

内部で反応生成物が生成される真空室１内の蒸気を排出するための排気管７に介設されその蒸気を吸引するための真空ポンプとからなる。 - 特許庁

Onion-like carbon is synthesized by irradiating a target with carbon by using an arc plasma gum as an arc plasma generating means in a reaction chamber held at a vacuum degree equal to or in a higher vacuum degree than 10^-7 Pa.例文帳に追加

１０^−７Ｐａ以上の真空度に保持された反応室内で、アークプラズマ発生手段としてアークプラズマガンを用いてカーボンをターゲットに照射させ、オニオンライクカーボンを合成する。 - 特許庁

The layer 40 is piled up by the continuous steps of a first reaction substance is allowed to enter a vacuum chamber at a first flow rate, the inflow of the first reaction substance into the vacuum chamber is lowered to that of a second lower flow rate, the inflow of the first reaction substance into the vacuum chamber is increased in steps to a third flow rate.例文帳に追加

層４０の堆積は、（ｉ）第１流量において、第１反応物質が真空チャンバ内へと流入する段階、（ｉｉ）真空チャンバ内への第１反応物質の流入を、第２流量に低下させる段階、および（ｉｉｉ）第１反応物質の真空チャンバ内への流入を、第３流量へと増加させる段階を連続して行うことによって実施される。 - 特許庁

To provide a reaction vessel in which air leak attendant on thermal deterioration of a vacuum sealing material for sealing a junction between a main body and a cover body of a reaction vessel can be prevented and also to provide a manufacturing method of sponge titanium using the reaction vessel.例文帳に追加

反応容器の本体と蓋体との接合部をシールする真空シール材の熱による劣化に伴うエアーリークを防止できる反応容器、およびその反応容器を用いるスポンジチタンの製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the cost of equipment and to minimize the degradation in yield and operation rate without adversely affecting other reaction vessels when abnormality occurs in one reaction vessel in a vacuum treatment method and apparatus for simultaneously performing a number of vacuum treatments by using a plurality of the reaction vessels.例文帳に追加

複数の反応容器を用いて多数の真空処理を同時に実施する真空処理方法及び装置において設備の大幅なコストダウンを図り、且つ１つの反応容器で異常が発生した際に正常動作中の他の反応容器に悪影響を及ぼさず、歩留まり、及び稼働率の低下を最小限にくい止める。 - 特許庁

The apparatus for vacuum treating a substrate, which arranges the substrate in a reaction vessel capable of being vacuum airtight provided with an air exhausting means and a gas supplying means, and decomposes introduced gas in the reaction vessel into plasma, is characterized by arranging heating means so as to make the inner wall temperature in the reaction vessel uneven.例文帳に追加

排気手段とガス供給手段を備えた真空気密可能な反応容器内に基体を設置し、該反応容器中に導入したガスを分解してプラズマを形成し、該基体を処理する真空処理装置において、該反応容器内壁の温度を不均一にする加熱手段を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

The reaction chamber 14 in a vacuum tank 10 is made smaller than an evacuation chamber 16 and, when a membrane is grown, a substrate stage 13 is moved toward the reaction chamber 14 and raw material gas is introduced into the reaction chamber 14 in such a state that the exhaustion conductance of the reaction chamber 14 is made small.例文帳に追加

真空槽１０内の反応室１４を退避室１６よりも小さくし、薄膜を成長させる際には、基板ステージ１３を反応室１４側に移動させ、反応室１４の排気コンダクタンスを小さくした状態で、反応室１４内に原料ガスを導入する。 - 特許庁

During operation, a reaction disc 35 is deflected by the reaction of an output shaft 34 to thrust a pin 28 backward and the pin 28 thrusts a vacuum valve seat member 21 via an arm 25 backward.例文帳に追加

作動時に、リアクションディスク３５は出力軸３４からの反力で撓んでピン２８を後方に押圧し、ピン２８がアーム２５を介して真空弁座部材２１を後方に押圧する。 - 特許庁

Subsequent to neutralizing or acidifying the liquid reaction mixture and extracting the resulting alkoxyalkane carboxylate by mixing the reaction liquid with water and a 5-10C alkane, into the organic phase, the extracted liquid may be concentrated and distilled under vacuum.例文帳に追加

反応混合液を中和又は酸性化した後、水とＣ_５−１０アルカンとを混合して有機相に抽出し、抽出液を濃縮し、減圧蒸留してもよい。 - 特許庁

The method for producing the same liquid crystalline polyester is to perform vacuum reaction in polymerization reaction in a horizontal reactor.例文帳に追加

(1) -OC-R^1-CO-（R^1:Ｃ_6〜_18の２価の芳香族炭化水素基） (2) -OCH_2CH_2O- (3) -O-Φ-CO- （-Φ-:1,4-フェニレン基） (3-1) -O-Φ-CO-OCH_2CH_2O- （-Φ-:1,4-フェニレン基） （Ｉ） ０．６５≦〔３〕／（〔１〕＋〔３〕）≦０．８８ （II） 〔3〕−〔3-1〕／〔3〕＝ （ｒ×〔3〕）／（ｒ×〔3〕＋2×〔2〕） （但し、０≦ｒ ≦０．７０） - 特許庁

To provide an abnormality detection method for a power supply system of a power generating means equipped with a chemical reaction part detecting an abnormality like an adiabatic breakage of a vacuum heat insulation structure at the chemical reaction part.例文帳に追加

化学反応部を備える発電手段を有する電源システムにおいて、化学反応部における真空断熱構造部の断熱破損等の異常を検出することである。 - 特許庁

This device for vacuum treatment comprises a reaction vessel 101 capable of being depressurized, arranging several pieces of cylindrical substrates 102 which are articles to be treated, in the vessel.例文帳に追加

減圧可能な反応容器１０１内には、被処理物である円筒状の基体１０２が複数本設置される。 - 特許庁

The paste material is capable of temporarily stopping the hardening reaction by storing under vacuum condition.例文帳に追加

練状物質の製造方法は、練状物質を真空状態で保存し、固化反応を一時停止させることによって製造される。 - 特許庁

The vacuum reaction chamber includes a first electrode 11, a second electrode 12, a chamber chassis 15 and a chamber structured by above.例文帳に追加

真空反応室は第一電極１１、第二電極１２、チャンバ筐体１５、及びこれらにより構成されるチャンバを含む。 - 特許庁

To provide an operation method of a vacuum pump and a method of manufacturing a semiconductor device, which are capable of suppressing adhesion of reaction products.例文帳に追加

反応生成物の付着を抑制し得る真空ポンプの運転方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The vacuum separating time in a vacuum separating stage is defined as (t), and the time till the temperature in the central part of the material in a reaction vessel reaches the stable one from the start of the vacuum separation is defined as (to) time, t=to+15 to 35 hr is satisfied.例文帳に追加

真空分離工程における真空分離時間ｔを、真空分離開始から反応容器内の材料の中心部温度が安定温度に到達するまでの時間をｔｏ時間として、ｔ＝ｔｏ＋１５〜＋３５時間とする。 - 特許庁

To prevent a reaction force caused by the compression of dust from exerting an adverse effect on a vacuum cleaner in the vacuum cleaner provided with a system of compressing dust in a dust collector.例文帳に追加

集塵装置内部の塵埃を圧縮する仕組みを設けた電気掃除機において、塵埃の圧縮により生じる反力が電気掃除機の機能に悪影響を及ぼさないようにする。 - 特許庁

To provide a vacuum treating system in which the service life of a member of a reaction vessel of the vacuum treating system is prolonged and a safe and secure treatment can be performed with high efficiency.例文帳に追加

真空処理装置の反応容器に用いる部材の寿命を長くし、また、安全確実な処理を可能とすることもでき、その結果、処理効率をより優れたものとされた真空処理装置の提供。 - 特許庁

A hydrophobic organic high polymer film, comprising a polyimide resin film containing a fluorine atom is formed on the surface of a member 1 exposed to vacuum in a vacuum processing chamber by deposition polymerization reaction.例文帳に追加

真空処理室の真空中に露出される部材１の表面に、フッ素原子を含有するポリイミド樹脂膜から成る疎水性有機高分子膜を蒸着重合反応により形成する。 - 特許庁

A heating furnace vacuum chamber 1 and an electromelted alumina reaction tube are connected to independent exhaust systems 5, 6 respectively, and a graphite heater 3 and a reflector 31 are arranged in the vacuum chamber.例文帳に追加

１は加熱炉真空チャンバー、２は電融アルミナ製反応管で、それぞれ独立の真空排気系５及び６、６に接続し、真空チャンバー内にグラファイトヒーター３及びレフレクター３１を配置する。 - 特許庁

To provide a vacuum pump piping structure formed so that a vacuum pump pipe can be safely cleaned by anybody, and set-up work for cleaning maintenance can be smoothly performed, by preventing explosive reaction of siloxane which may be produced when performing cleaning maintenance of the vacuum pump pipe, and a cleaning method of the vacuum pump pipe.例文帳に追加

真空ポンプ配管の洗浄メンテナンスの際に生じうるシロキサンの爆発的な反応を防止し、誰でも安全に真空ポンプ配管の洗浄を行えるようにし、また、洗浄メンテナンスの段取り作業を簡単かつスムーズに行えるようにした真空ポンプ配管構造と、その真空ポンプ配管の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

Gas plasma 19b is generated, by applying high frequency power to gas introduced to a reaction chamber 17 which is evacuated to a vacuum level.例文帳に追加

真空に排気された反応室１７に導入したガスに高周波電力を印加することでガスプラズマ１９ｂを生成する。 - 特許庁

A plurality of light-transmitting windows 16 are arranged in a row so that a portion of an upper wall 11b of a vacuum reaction chamber 11 can be configured.例文帳に追加

複数の光透過窓１６を真空反応室１１の上壁１１ｂの一部を構成するように互いに並べて設ける。 - 特許庁

In this film layer- forming process, the pressure in the reaction chamber is maintained in the range of from 1×102 to 2×104 Pa by means of a vacuum pumping system.例文帳に追加

この成膜工程では、真空排気装置により反応室の圧力を１×１０^2 〜２×１０^4 Ｐａの範囲内に維持する。 - 特許庁

A substrate 1, in which crystalline carbon is formed on a catalytic metal, is placed inside of a reaction tube 2 equipped with a vacuum pump 3 for exhaust.例文帳に追加

触媒金属上に結晶性炭素が生成された基板１を反応管２内に配置し、真空ポンプ３にて排気する。 - 特許庁

To provide a device for preventing the adhesion of reaction side products to the inside of piping which prevents the adhesion and deposition of the reaction side products to the insider of the piping for connecting a vacuum chamber and a vacuum pump for evacuating this vacuum chamber to each other and does not degrade the working rate of a semiconductor manufacturing apparatus by periodic maintenance.例文帳に追加

真空チャンバーと該真空チャンバーを排気する真空ポンプの間を接続する配管内に反応副生成物が付着堆積することなく、定期的メンテナンスによる半導体製造装置の稼動率を低下させることのない反応副生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an exhaust of vacuum reaction treating apparatus which has a low power consumption and, moreover, efficiently prevents or restrains the attaching and deposition of reaction products over the entire exhaust pipe.例文帳に追加

電力消費が少なく、しかも、排気管全体に亘って効率良く反応生成物の付着、堆積を防止あるいは抑制可能な真空反応処理装置の排気装置を提案すること。 - 特許庁

A getter material 188 is installed between the high temperature reaction part 4 and the low temperature reaction part 6 out of the inner spaces 201 of the heat insulation package 200, and the inner space 201 is kept in a vacuum state.例文帳に追加

そして、断熱パッケージ２００の内部空間２０１のうち、高温反応部４と低温反応部６との間にゲッター材１８８が設けられ、内部空間２０１が真空状態とされている。 - 特許庁

Then, a getter material 188 is provided between the low temperature reaction part 6 and the high temperature reaction part 4 in an inner space 201 of the heat insulating package 200 wherein the inner space 201 is made a vacuum state.例文帳に追加

そして、断熱パッケージ２００の内部空間２０１のうち、高温反応部４と低温反応部６との間にゲッター材１８８が設けられ、内部空間２０１が真空状態とされている。 - 特許庁

Moreover, when the second material gas is supplied to the reaction vessel, a channel is switched by a switching means, vacuum evacuation is performed by a second vacuum evacuation means through a second vacuum evacuation passage, and the gas is sent to the gas treatment facility via a second exhaust passage.例文帳に追加

また反応容器に第２の原料ガスを供給するときには切り替え手段で流路を切り替えて第２の真空排気路を介して第２の真空排気手段により排気を行い、ガスは第２の排気通路を介してガス処理設備に送る構成とする。 - 特許庁

The method comprises a film formation process for carrying out film formation treatment by exhausting a vacuum tank while supplying reaction gas into the vacuum tank by a turbo-molecular pump and setting a cryocooling panel connected to the turbo-molecular pump at a temperature wherein reaction gas hardly liquifies.例文帳に追加

本発明では、ターボ分子ポンプによって、前記真空槽内に反応ガスを供給しつつ真空槽内を排気し、前記ターボ分子ポンプに接続されるクライオ冷却パネルを反応ガスが液化しにくい温度に設定することで成膜処理を行う成膜工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A reaction chamber is provided with at least one gas inlet for a reaction gas and at least one jet outlet (JL) communicating with a substrate chamber (VC), and the substrate chamber is provided with a pump evacuation system which keeps vacuum in the substrate chamber to be lower in pressure than the operation pressure of gas reaction in the reaction chamber.例文帳に追加

反応チャンバ（ＧＣ）は少なくとも１つの反応ガスのガス入口（ＧＬ）と基板チャンバに通じる少なくとも１つの射出出口（ＪＬ）を有し、一方で、基板チャンバ（ＶＣ）は、基板チャンバ内の真空を反応チャンバ（ＧＣ）のガス反応の動作圧力より高くない圧力に維持するポンプ排気システム（ＰＰ）を備えている。 - 特許庁

There are provided a reaction chamber the inside of which is kept vacuum, an antenna system disposed at an upper portion in the reaction chamber for inducing an electric field for ionizing reaction gas injected into the reaction chamber to produce plasma, and at least one RF power supply coupled to the antenna system for supplying RF power to the antenna system.例文帳に追加

内部が真空状態に保持される反応チャンバと、反応チャンバの上部に設けられて反応チャンバ内部に注入された反応ガスをイオン化してプラズマを生成する電場を誘導するアンテナシステムと、アンテナシステムに連結されてアンテナシステムにＲＦパワーを供給する少なくとも１つのＲＦ電源とを備える。 - 特許庁