「active region」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor element includes an active region including source/drain and a gate, and an element isolation region defining the active region, wherein the gate is formed by a part of a fin gate, the source/drain is an epitaxial layer between gates abutting a seed layer, and the line width of the source/drain in the longitudinal direction of the gate is wider than that of the gate.例文帳に追加

半導体素子は、ソース／ドレインとゲートを含む活性領域と、活性領域を画成する素子分離領域とを含むものの、ゲートはフィンゲートの一部で形成され、ソース／ドレインはシード層に隣接したゲートの間に形成されたエピタキシャル層であり、ゲートの長手方向でソース／ドレイン線幅はゲート線幅より大きい。 - 特許庁

An integrated semiconductor light source is provided with an active region adjusting optical gains and optical outputs by electric current injection, and a passive region having a structure of single integration in the active region and moving a cavity mode by electric current injection or reverse voltage impression to lock injected light.例文帳に追加

集積型半導体光源は、電流注入によって光利得と光出力を調節する活性領域と、前記活性領域に単一集積された構造を有し、電流注入または逆電圧印加によって空洞モードを移動させて注入光をロックさせる受動領域とを備える。 - 特許庁

By performing a heat treatment in an atmosphere containing oxygen, impurity atoms are selectively diffused from the ZnO film 8 to a region including an active region 4, thereby the bandgap of the active layer 4 is selectively expanded while keeping crystallinity, and an optical non-absorptive window region 14 is formed in a resonator end face part.例文帳に追加

そして、酸素を含む雰囲気中で熱処理を行うことにより、ＺｎＯ膜８から活性層４を含む領域に不純物原子を選択的に拡散させることにより、結晶性を保ったまま活性層４のバンドギャップを選択的に拡大し、共振器端面部に光学的非吸収窓領域１４を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of avoiding the occurrence of an undesirable hump phenomenon by a response of drain current Id by gate voltage Vg by a parasitic transistor to be generated in an edge portion of an active region adjacent to an interface between an isolation region and the active region.例文帳に追加

素子分離領域と活性領域との界面に隣接した活性領域のエッジ部分に生じる寄生トランジスタによって、ゲート電圧Ｖｇによるドレイン電流Ｉｄの応答で好ましくないハンプ現象の発生を回避することができる半導体素子半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A first conductivity diffusion region 14 constituting the well contact is formed within the same active region as the diffusion regions 8, 10 and 12, and separated from the second conductivity diffusion region 12 by a separation gate 13.例文帳に追加

ウェルコンタクトを構成する第１導電型の拡散領域１４は、拡散領域８、１０、１２と同一活性領域内に形成され、且つ、第２導電型の拡散領域１２に対して、分離ゲート１３により分離されている。 - 特許庁

There is provided the hybridization agent for the in-stem beacon-type probe containing a cationic polymer as an active component, having a loop region and a stem region, and containing a fluorescent dye and a quencher dye in the stem region.例文帳に追加

カチオン性高分子を有効成分とし、ループ領域とステム領域とを有するビーコン型プローブであって、前記ステム領域内に、蛍光色素及び消光色素を有する、イン・ステムビーコン型プローブ用のハイブリダイゼーション剤とする。 - 特許庁

The metal pad is formed in a pad region on a substrate partitioned into an active region and the pad region, and then a protective film is formed all over the surface of the substrate containing the metal pad, and then the protective film is selectively removed to open up the metal pad.例文帳に追加

アクティブ領域とパッド領域とに区分される基板上のパッド領域に金属パッドを形成し、、金属パッドを含む基板の全面に保護膜を形成し、保護膜を選択的に除去して金属パッドを開放する。 - 特許庁

Using the semiconductor film 265a in the approximately single crystal state in the active layer of the semiconductor device (source region, drain region and channel region), the excellent semiconductor device is formed with a small off-current value and large mobility.例文帳に追加

この略単結晶状態の半導体膜２６５ａを半導体装置の能動層（ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域）に用いることで、オフ電流値が小さく移動度の大きな優良な半導体装置を形成する。 - 特許庁

The occurrence of dislocation due to the influence of strain originating from the SOG film 6 on an active region 2 is suppressed.例文帳に追加

ＳＯＧ膜６による引張応力がイオン注入した活性領域２に作用して転位が発生するのを抑制する。 - 特許庁

To keep wiring resistance outside a display region low and to reduce the degradation of display luminance in an active-type EL display device.例文帳に追加

アクティブ型EL表示装置において、表示領域外における配線抵抗を低く抑え、表示輝度の低下を低減する。 - 特許庁

The battery is constructed to satisfy B/A≥0.57 when the width of the active material region is expressed as A and the width of the electrode terminal is expressed as B.例文帳に追加

活物質領域の幅をＡ、電極端子幅をＢと表したとき、Ｂ／Ａ≧０．５７を満たすように電池を構成する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer having high-quality crystallinity and high stress-resisitance property of the surface layer part which serves as a device active region.例文帳に追加

デバイス活性領域となる表層部が高品質の結晶性と高い応力耐性とを有するシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

A field effect transistor 10 comprises a source ohmic contact 12, a drain ohmic contact 14, a gate contact 16, and an active region 18.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１０は、ソースオーミックコンタクト１２と、ドレインオーミックコンタクト１４、ゲートコンタクト１６、および活性領域１８を含む。 - 特許庁

In addition, the active region including the first portion, the second portion, and the third portion is limited to the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、前記第１部分と、前記第２部分と、前記第３部分とを含む活性領域を半導体基板上に限定する。 - 特許庁

To improve vibration removing performances in a low frequency region near 1 Hz with a simple configuration in an active vibration removing device.例文帳に追加

アクティブ除振装置において、簡単な構成で、１Ｈｚ付近の低周波数域における除振性能を向上させる。 - 特許庁

On a non-volatile memory element, a semiconductor substrate 105 includes an active region 112 limited by an element isolation film 110.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子において、半導体基板１０５は、素子分離膜１１０により限定された活性領域１１２を備える。 - 特許庁

To prevent resistance of an embedded strap of a DRAM cell from changing by the overlapping manner of a deep trench and an active region.例文帳に追加

ＤＲＡＭセルの埋め込みストラップの抵抗が、深いトレンチと、能動領域との重なりかたにより、変動することを解決する。 - 特許庁

In some embodiments, the mean dislocation density of the p type layer of the active region is smaller than about 5×10^8 cm^-2.例文帳に追加

いくつかの実施形態では、活性領域のｐ型層の平均転位密度は、約５×１０^８ｃｍ^−２よりも小さい。 - 特許庁

A gate electrode 5 is arranged so that both edges in the direction of gate width project from an active region in a plan view.例文帳に追加

ゲート電極５は、そのゲート幅方向の両端部が活性領域から平面視的に突出するように配設されている。 - 特許庁

A second conductive second transistor NMOS has an active region disposed obliquely to the gate electrode 11.例文帳に追加

第２導電型の第２のトランジスタＮＭＯＳは、ゲート電極１１に対して斜めに配置された活性領域を有している。 - 特許庁

To prevent lights from being interrupted by any upper electrode by concentrating injected currents on an active layer region just under a light emitting window.例文帳に追加

発光窓直下の活性層領域に注入電流が集中し、上部電極による遮光がない構成にする。 - 特許庁

To lower reduction of film in a grooved element isolation region due to erosion within the regions, where area coefficients of active regions are different.例文帳に追加

活性領域の面積率の異なる領域におけるエロージョンによる溝型素子分離領域の膜減りを低減する。 - 特許庁

The blocking layer 11 is disposed only in a region vertically corresponding to an active layer 12a of the thin film transistor 114.例文帳に追加

遮断層１１は薄膜トランジスタ１１４の活性層１２ａと垂直的に対応する領域にのみ配置されている。 - 特許庁

A gap is formed along an interface between the element isolation insulating film and the semiconductor substrate from a circumference line of the active region.例文帳に追加

活性領域の外周線から、素子分離絶縁膜と半導体基板との界面に沿って隙間が形成されている。 - 特許庁

To provide an active material for a lithium secondary battery which can increase discharge capacity in potential region not more than 4.3V.例文帳に追加

４．３Ｖ以下の電位領域における放電容量を大きくすることのできるリチウム二次電池用活物質を提供する。 - 特許庁

The active region 21 is provided between the p-type group III-V compound semiconductor layer 15 and the AlGaInAs layer 17.例文帳に追加

活性領域２１は、ｐ型III−Ｖ化合物半導体層１５とＡｌＧａＩｎＡｓ層１７との間に設けられている。 - 特許庁

The pass transistors driven by block selection signals BLKWL different from each other can be formed on one active region.例文帳に追加

互に異なるブロック選択信号ＢＬＫＷＬによって駆動されるパストランジスタは、１つの活性領域の上に形成され得る。 - 特許庁

Then, a second semiconductor laminate 24 including a second active layer 23 is formed on the principal surface 11a in the second region 3B.例文帳に追加

次に、第２の領域３Ｂの主面１１ａ上に、第２活性層２３を含む第２半導体積層２４を形成する。 - 特許庁

Capacity between a gate electrode 19 and a channel region 11 of an active layer 5 can be increased without thinning the gate insulating film 14.例文帳に追加

ゲート絶縁膜14を薄くすることなくゲート電極19と活性層５のチャネル領域11との間の容量を増加できる。 - 特許庁

Support patterns 107b which have undercut regions are formed on lower side walls so as to cross the upper part of the active region.例文帳に追加

両下部側壁に各々アンダーカット領域を有するサポートパターン107bを活性領域の上部を横切るように形成する。 - 特許庁

The first circuit system is a laser drive part 7 for controlling an injecting current to the active region 2 of the semiconductor laser 1.例文帳に追加

第１の回路系は、半導体レーザ１の活性領域２へ注入電流を制御するためのレーザ駆動部７である。 - 特許庁

An alignment stripe 116 is formed in the same process as forming an active layer stripe 106 of a light-emitting region 112.例文帳に追加

発光領域１１２の活性層ストライプ１０６を形成する工程と同一工程でアライメントストライプ１１６を形成する。 - 特許庁

An inner ring 16 fixed to the same potential as a source electrode 14 is formed at the peripheral edge of the active region 1.例文帳に追加

この活性領域１の周縁部には、ソース電極１４と同電位に固定された内側リング１６が形成されている。 - 特許庁

In some embodiments, the average dislocation density of the p-type layer in the active region is lower than approximately 5×10^8 cm^-2.例文帳に追加

いくつかの実施形態では、活性領域のｐ型層の平均転位密度は、約５×１０^8ｃｍ^-2よりも小さい。 - 特許庁

The semiconductor region 15 includes a first conductivity type semiconductor layer 23, an active layer 25, and a second conductivity type semiconductor layer 27.例文帳に追加

半導体領域１５は、第１導電型半導体層２３、活性層２５及び第２導電型半導体層２７を含む。 - 特許庁

A VCSEL 10 comprises a substrate 12, an n-type lower DBR 14, an active region 16, and a p-type upper DBR 18.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０は、基板１２と、ｎ型の下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ｐ型の上部ＤＢＲ１８とを含む。 - 特許庁

A mask 4 for active region formation is formed in a part on an Si layer 2 via a thermal oxide film 3.例文帳に追加

半導体領域となるＳｉ層２の上の一部に、熱酸化膜３を介して活性領域形成用マスク４を形成する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer in which a surface layer part to be a device active region has high quality crystallinity and high stress resistance.例文帳に追加

デバイス活性領域となる表層部が高品質の結晶性と高い応力耐性とを有するシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

Impurity regions (pinning regions) in stripes in the direction of the length are formed in an active region which a memory transistor has.例文帳に追加

メモリトランジスタが有する活性領域において、チャネル長方向にストライプ状の不純物領域（ピニング領域）を形成する。 - 特許庁

The guiding funnel retains the product in the active region of the apparatus and the feed screw generates a high material pressure at the center thereof.例文帳に追加

ガイド漏斗は、装置の活動領域内に製品を保持し、供給スクリューは、中心に高い材料圧力を生成する。 - 特許庁

An element separation insulating film 1 and a P-type active region 2 regulated by the film are formed on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０上に素子分離絶縁膜１および、それによって規定されるＰ型の活性領域２を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises an active region (4), clad layers (5, 7), and a saturable absorption layer (6) arranged between the clad layers.例文帳に追加

半導体デバイスは、活性領域（４）、クラッド層（５、７）、およびこのクラッド層の中に配置された可飽和吸収層（６）を備える。 - 特許庁

A through electrode 16 electrically connected to the active region extends from the top surface to the rear surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、活性領域と電気的に接続された貫通電極１６は、半導体基板の上面から裏面まで延在している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with an active region having less variation in stress distribution though having a complicated shape.例文帳に追加

複雑な形状を有しながらも応力分布のばらつきが少ない活性領域を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Then, a first semiconductor laminate 22 including a first active layer 21 is formed on the principal surface 11a in the first region 3A.例文帳に追加

次に、第1の領域３Ａの主面１１ａ上に第1活性層２１を含む第１半導体積層２２を形成する。 - 特許庁