「active region」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

An active layer 19 is provided between the first conductive type clad region 13 and the secondary diffraction grating layer 17.例文帳に追加

活性層１９は、第１導電型クラッド領域１３と二次元回折格子層１７との間に設けられる。 - 特許庁

A stress control film 5 having a tensile stress is formed on the active region 1 and the gate electrode 3.例文帳に追加

活性領域１およびゲート電極３の上には、引っ張り応力を有する応力制御膜５が形成されている。 - 特許庁

In the optical wavelength conversion device, two DBR regions 101a and 101c having different reflectances are arranged on both sides of an active region 101b.例文帳に追加

光波長変換装置は、活性領域101bの両側に、反射率分布の異なる2つのDBR領域101a、101cを配置している。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device 1 includes: a group III nitride substrate 3; an active region 5; and a III-V compound semiconductor layer 7.例文帳に追加

半導体発光素子１は、III族窒化物基板３と、活性領域５と、III−Ｖ化合物半導体層７とを備える。 - 特許庁

The integrated circuit has a shielding means 6 insulating the active region with respect to an electromagnetic field generated from the inductive element.例文帳に追加

集積回路は誘導素子は発生される電磁界に関して活性領域を絶縁する遮蔽手段（６）を有する。 - 特許庁

Semi-insulating regions 9a having a high resistance are formed between the first region 7b and the active layer 4.例文帳に追加

また、第１領域７ｂと活性層４との間には、高抵抗の半絶縁性領域９ａが形成されている。 - 特許庁

When solid-state imaging devices 10, 10A, or 10B having pixel portions separated by an element area region 13 is manufactured, a part to become an active region is patterned and ion injection using the active pattern as a mask 19 is performed on a semiconductor substrate 11 to form a part or the whole of the ion injection region as the element separation region 13.例文帳に追加

素子分離領域１３により画素部間が分離された固体撮像装置１０、１０Ａまたは１０Ｂを製造する際に、能動領域となる部分をパターニングして、このアクティブパターンをマスク１９として半導体基板１１上にイオン注入を行うことにより、イオン注入領域の一部または全域を素子分離領域１３とする。 - 特許庁

In formation of the opening in the first conductive film, a remaining part after the opening in the first conductive film is formed is connected to the second conductive film formed to be electrically connected to an active region on the active region in a semiconductor substrate positioned in a region outside the memory cell array forming region.例文帳に追加

第１の導電膜における開口部の形成は、第１の導電膜における開口部形成後の残存部分が、メモリセルアレイ形成領域の外部領域に位置する半導体基板中の活性領域上にて、活性領域と電気的に接続されるように形成された第２の導電膜と接続されるように行なわれる。 - 特許庁

An n-type MIS transistor nTr includes: an active region 1a that is surrounded by an element isolation region 32 in a semiconductor substrate 1; a gate insulator film 13a that is formed on the active region 1a and on the element isolation region 32 and includes a high dielectric constant insulator film 12a; and a gate electrode 16a formed on the gate insulator film 13a.例文帳に追加

ｎ型ＭＩＳトランジスタｎＴｒは、半導体基板１における素子分離領域３２に囲まれた活性領域１ａと、活性領域１ａ上及び素子分離領域３２上に形成され且つ高誘電率絶縁膜１２ａを有するゲート絶縁膜１３ａと、ゲート絶縁膜１３ａ上に形成されたゲート電極１６ａとを備えている。 - 特許庁

Attribute information is imparted to each pattern in a mask production data 4, the attribute information relating to whether the pattern corresponds to an active region where an electrically active region is to be formed, or corresponds to a nonactive region where an electrically nonactive region is to be formed upon fabricating on the semiconductor substrate by photolithography.例文帳に追加

マスク製造用データ４中のそれぞれのパターンには、フォトリソグラフィーによって半導体基板上に作り込まれるときに、電気的にアクティブな領域を形成するアクティブ領域対応パターンであるのか、又は、電気的にノンアクティブな領域を形成するノンアクティブ領域対応パターンであるのかに係る属性情報が付与されている。 - 特許庁

The display device is provided with an active matrix substrate 2, a driver IC 5 for drive active elements and an FPC substrate 6, wherein the driver IC5 is mounted on a region 2a around an area on which a plurality of active elements are formed on one main surface of the active matrix substrate 2.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板２と、アクティブ素子２を駆動するドライバＩＣ５と、ＦＰＣ基板６とを備え、ドライバＩＣ５は、アクティブマトリクス基板２の一方の主面における複数のアクティブ素子が形成された領域の周辺の領域２ａに実装されている表示装置を用いる。 - 特許庁

A small square dummy patterns in a lower layer and a higher layer Ds2 are disposed over a wide region of a space between patterns serving as elements in a product region PR and a scribe region SR (active region L1, L2, L3, gate electrode 17 and the like).例文帳に追加

また、製品領域ＰＲおよびスクライブ領域ＳＲの素子として機能するパターン（活性領域Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３、ゲート電極１７等）のパターン間スペースが広い領域に下層の小面積ダミーパターンと上層の小面積ダミーパターンＤｓ２を配置する。 - 特許庁

A stress effect relaxation region B with a width of 2 μm or more of relaxing the stress effect of affecting the operating characteristic of the element in which an element isolation region 20 is formed in each active region 11 on the periphery of a circuit forming region A.例文帳に追加

回路形成領域Ａの周囲には、素子分離領域２０が各活性領域１１に形成される素子の動作特性に影響を与える応力効果を緩和するための２μｍ以上の幅を持つ応力効果緩和領域Ｂが形成されている。 - 特許庁

A small square dummy pattern in a lower layer and a small square dummy pattern Ds2 in the higher layer are disposed over a wide region of space between patterns serving as elements in a product region PR and a scribe region SR (active region L1, L2, L3, gate electrode 17 and the like).例文帳に追加

また、製品領域ＰＲおよびスクライブ領域ＳＲの素子として機能するパターン（活性領域Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３、ゲート電極１７等）のパターン間スペースが広い領域に下層の小面積ダミーパターンと上層の小面積ダミーパターンＤｓ２を配置する。 - 特許庁

In some embodiments, a growth substrate on which an n-type region, an active region, and a p-type region grow are removed, to facilitate formation of a photonic crystal in the n-type region of the device and to facilitate forming a reflector on the surface of a p-type region underlying the photonic crystal.例文帳に追加

いくつかの実施形態では、ｎ型領域と、活性領域と、ｐ型領域とが成長する成長基板は、装置のｎ型領域に光結晶を形成することを容易にし、光結晶の下にあるｐ型領域の表面上に反射体を形成することを容易にするために除去される。 - 特許庁

The 3DPG facilitates lateral current spreading so that current is injected into the entire active region, increases the number of radiative recombination events in the active region and improves the external quantum efficiency and the power efficiency of the device.例文帳に追加

３ＤＰＧは、電流が活性領域の全体にわたって注入されるように横方向電流拡がりを容易にし、活性領域における放射再結合の事象の数を増加させ、デバイスの外部量子効率と電力効率を改善する。 - 特許庁

A gate electrode 104a is formed on an active region of a semiconductor substrate 101, and a gate interconnect line 104b, consisting of the same material as the gate electrode 104a, is formed on an element isolation insulating film 102 surrounding the active region simultaneously.例文帳に追加

半導体基板１０１の活性領域上にゲート電極１０４ａを形成すると共に、該活性領域を囲む素子分離絶縁膜１０２上に、ゲート電極１０４ａと同一材料からなるゲート配線１０４ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a recess gate of a semiconductor element, capable of preventing damage of an active region, even if a loss of a field oxide film below a path gate and overlay misalignment occur between the active region and a recess pattern in forming the recess gate.例文帳に追加

リセスゲート形成時にパスゲートの下のフィールド酸化膜の損失及び、活性領域とリセスパターンとのオーバーレイミスアライメントが発生しても、活性領域の損傷を防止できる半導体素子のリセスゲートの製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a menu display mode, an active display region 441 and non-active display region 442, which are arranged in a lateral direction, are set in a display screen 44, and the positional relationship of the regions 441 and 442 are replaced for every input of alteration request of display modes.例文帳に追加

メニュー表示モードにおいては、横方向に並ぶアクティブ表示領域４４１及び非アクティブ表示領域４４２を表示画面４４に設定し、表示態様の変更要求入力毎に領域４４１，４４２の位置関係を入れ替える。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with wirings M1-M3 in parallel in Y-direction, the active region SDG is provided right under the wiring, and the wiring M2 is connected to the active region SDG through a first contact C1 and a second contact C2.例文帳に追加

半導体装置では、配線Ｍ１乃至Ｍ３がＹ方向に平行して設けられ、配線直下に活性領域ＳＤＧが設けられ、配線Ｍ２が第１のコンタクトＣ１及び第２のコンタクトＣ２を介して活性領域ＳＤＧと接続されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor element comprises a step of forming the thick gate oxide film 216 on a second active region II, in a state in which a field oxide film 210 is separately formed at the edge area of the STI 202 of the second active region II for forming the thick gate oxide film in a LOCOS step.例文帳に追加

厚いゲート酸化膜を形成する第２アクティブ領域IIのSTI２０２エッジ部位にＬＯＣＯＳ工程でフィールド酸化膜２１０を別途形成した状態で、厚いゲート酸化膜２１６を第２アクティブ領域IIに形成する。 - 特許庁

A nitride semiconductor device comprises: a nitride semiconductor layer laminate 102 including an active region 102A; and a finger-shaped first electrode 131 and a finger-shaped second electrode 132 that are formed apart from each other on the active region.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、活性領域１０２Ａを有する窒化物半導体層積層体１０２と、活性領域の上に互いに間隔をおいて形成されたフィンガー状の第１の電極１３１及び第２の電極１３２とを備えている。 - 特許庁

Since the active region 7b of the piezoelectric body layer 3b is set shorter than the active region 7a of the piezoelectric body layer 3a, the amounts of displacement of the outermost layers are different from each other, and the amount of displacement of the whole stacked piezoelectric element E1 can be increased.例文帳に追加

圧電体層３ｂの活性領域７ｂが圧電体層３ａの活性領域７ａよりも短くなっているので、最外層同士で変位量が異なり、積層型圧電素子Ｅ１全体の変位量を高めることができる。 - 特許庁

A gate of a PMISFET which requires a high current capacity is a high driving force gate 10ph disposed in a discontinuous active region R10p or a high driving force gate 20ph disposed in a two-input active region R20p.例文帳に追加

高い電流能力を必要とするＰＭＩＳＦＥＴのゲートは、不連続型活性領域Ｒ１０ｐ に配置された高駆動力型ゲート１０ｐｈか、２入力型活性領域Ｒ２０ｐ に配置された高駆動力型ゲート２０ｐｈである。 - 特許庁

To provide a silicon wafer that is made free from a Grown-in defect, has high gettering effect, prevents BMD from being deposited in a device active region, and is improved in thermal strength of the device active region.例文帳に追加

Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の無欠陥化や、高いゲッタリング効果を備え、かつ、デバイス活性領域におけるＢＭＤの析出を防止することができ、更に、デバイス活性領域の熱的強度を向上させることができるシリコンウェーハが提供される。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with an active region 12A, composed of GaN based semiconductor grown on a substrate 11 composed of Si, and an insulating oxide film 12B which is formed through oxidation of the GaN based semiconductor and arranged around the active region 12A.例文帳に追加

半導体装置は、ＳｉＣからなる基板１１上に成長したＧａＮ系半導体からなる活性領域１２Ａと、該活性領域１２Ａの周囲にＧａＮ系半導体が酸化されてなる絶縁酸化膜１２Ｂとを有している。 - 特許庁

The opening of the contact layer 108 is formed in a region including a region just above the active layer 103, and a distance between an end edge for normalizing the width of the opening of the contact layer 108 and the end edge of the active layer 103 is set so as to be 3 μm or less.例文帳に追加

コンタクト層１０８の開口は活性層１０３の直上の領域を含む領域に形成されており、コンタクト層１０８の開口の幅を規定する端縁と活性層１０３の端縁との距離が３μｍ以下である。 - 特許庁

In the active matrix substrate integrated with the color filter, a first electrode layer ITO1 electrically connected to the driving output terminal (1) of an active element TFT is deposited in the pixel region of a first substrate SUB1, and a color filter layer CF having a hole CFH is formed in the pixel region.例文帳に追加

第１基板ＳＵＢ１の画素領域に、アクティブ素子ＴＦＴの駆動出力端子（１）に電気的に接続した第１の電極層ＩＴＯ１を設け、画素領域内に開孔部ＣＦＨを有するカラーフィルタ層ＣＦを形成する。 - 特許庁

When applying a voltage to a control gate electrode in entering or erasing operation, an electric field relatively weaker than an electric field between a central part of the active region and the floating gate is formed between the edge of the active region and the floating gate.例文帳に追加

記入または消去動作で制御ゲート電極に電圧が印加される時、活性領域の中央部分と浮遊ゲートとの間の電界に比べて相対的に弱い電界が活性領域の縁部と浮遊ゲートの間に形成される。 - 特許庁

The positive electrode side solvent has a potential window in at least a potential region where the positive active material performs oxidation reduction reaction, and the negative electrode side solvent has a potential window in at least a potential region where the negative active material performs oxidation reduction reaction.例文帳に追加

正極側溶媒は、少なくとも正極活物質が酸化還元反応を行う電位域に電位窓を有し、負極側溶媒は、少なくとも負極活物質が酸化還元反応を行う電位域に電位窓を有している。 - 特許庁

In a menu display mode, an active display region 441 and non-active display region 442, which are arranged in a lateral direction, are set in a display screen 44, and the positional relationship of the regions 441 and 442 are replaced for every input of alteration request of display modes.例文帳に追加

メニュー表示モードにおいては、横方向に並ぶアクティブ表示領域４４１及び非アクティブ表示領域４４２を表示画面４４に設定し、表示態様の変更要求の入力毎に、領域４４１，４４２の位置関係を入れ替える。 - 特許庁

The semiconductor laser device comprises a lower clad layer, a barrier layer, the active region having the quantum well layer and an upper clad layer laminated on the active region, on a GaAs substrate in such a manner that the quantum well layer is made of In_xGa_1-xAs_1-yP_y, and x is 0.69 or more.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上に、下クラッド層、バリア層と量子井戸層を有する活性領域、及び上クラッド層を積層してなる半導体レーザ装置において、前記量子井戸層がＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ_1-yＰ_yからなり、ｘが０．６９以上である。 - 特許庁

In the method of manufacturing a transistor, a trench is formed into an active region on a semiconductor substrate and a gate electrode is formed on the active region to prevent the leakage current, the gate oxide integrality(GOI) damage and the reverse narrow width effect of the transistor.例文帳に追加

半導体基板上に活性領域の溝を形成し活性領域にゲート電極を形成して漏洩電流、ジー・オー・アイ（Gate Oxide Integrality：GOI）損傷、及びトランジスタの逆狭小幅効果（reverse narrow width effect）を防ぐことを特徴とするトランジスタの製造方法。 - 特許庁

On the superlattice layer of InN and In_xGa_1-xN, the active region is disposed to relax strain generated on the active region, so that crystallinity of the quantum well is improved to enhance a recombination rate.例文帳に追加

ＩｎＮとＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮの超格子層上に活性領域が配置されることによって、活性領域に発生するストレインを緩和させることができ、量子井戸の結晶性を改善することによって再結合率を高めることができる。 - 特許庁

The method for improving percutaneous absorption of active ingredients topically applied to the human skin comprises pretreating a region of the human skin by topically applying a cationic ingredient, and topically applying a composition comprising the active ingredient to the pretreated region.例文帳に追加

カチオン性成分を局所付与することによりヒトの皮膚の領域を予備処理し、そして活性成分を含む組成物を予備処理された領域に局所付与するヒトの皮膚に局所付与された活性成分の経皮吸収を改良する方法。 - 特許庁

To provide an active damper having a new structure, capable of displaying an effective active damping effect on the vibration in plural or a wide frequency region by small supply energy.例文帳に追加

小さな供給エネルギによって、複数の乃至は広い周波数域の振動に対して有効な能動的制振効果を発揮し得る、新規な構造の能動型制振器を提供すること。 - 特許庁

A method of manufacturing an integrate circuit is provided, including a preparation of a hollow separation groove in a substrate and generation of an active component in and on an active region of the substrate located between grooves.例文帳に追加

基板内における中空分離溝の作成および該溝間に位置し、基板の能動領域の中および上での能動部品の生成を含む集積回路製作方法を提供する。 - 特許庁

A continuous manufacturing method has an advantage that an active region of an active semiconductor layer is not exposed to unprotected solvent and/or solvent vapor at an arbitrary time point in a manufacturing process.例文帳に追加

連続的な製造方法は、活性半導体層の活性領域が、製造プロセスの任意の時点にて未保護の溶媒、及び／又は溶媒蒸気に露出されない利点を有している。 - 特許庁

Furthermore, in the menu display mode, the display positions of function button images 2b3 for achieving prescribed functions are set around the active button images 2b1 in the active display region 441.例文帳に追加

さらにメニュー表示モードにおいては、アクティブ表示領域４４１のうちアクティブボタン画像２ｂ１の周囲に、所定の機能を果たすための機能ボタン画像２ｂ３の表示位置を設定する。 - 特許庁

Furthermore, a metal film containing the same conductivity type impurities as those of the active layer is previously bonded onto the active layer, and then the low resistance region is formed partially by heat treatment.例文帳に追加

また、前記能動層上に、予めこの能動層と同型の導電型不純物を含む金属膜を接合し、その後、熱処理して部分的に低抵抗領域を形成する。 - 特許庁

To provide a method that can displace the absorption maximum of a photovoltaic active layer to a side of longer wavelength region and/or improve the efficiency of the photovoltaic active layer.例文帳に追加

光起電活性層の最大吸収を長波長領域側に偏移させることができ、および／または光起電活性層の効率を向上させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active magnetic shield device and active magnetic shielding method for effectively canceling the magnetic noise of an important space region requiring magnetic shielding inside an electron beam drawing device.例文帳に追加

電子ビーム描画装置内における磁気シールドを必要とする重要な空間領域の磁気雑音を有効にキャンセルするアクティブ磁気シールド装置及びアクティブ磁気シールド方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, an active region formed on the semiconductor substrate 1, a field insulating film 6 that separates the active regions adjoining each other, an insulating film layer 7 formed on the semiconductor substrate 1 to cover the active region and the field insulating film 6, and an electrode pad 12 formed on the insulating layer 7.例文帳に追加

半導体基板１と、半導体基板１に形成された活性領域と、互いに隣接した活性領域を分離するフィールド絶縁膜６と、活性領域とフィールド絶縁膜６とを覆って半導体基板１上に形成された絶縁膜層７と、絶縁層７上に形成された電極パッド１２とを備える。 - 特許庁

In some embodiments, two active regions emitting the same or different colored light are separated by the polarizer oriented to pass light of a polarization of a majority of light emitted by the bottom active region, and to reflect light of a polarization of a majority of light emitted by the top active region.例文帳に追加

幾つかの実施形態においては、同一又は異なる有色光を放出する二つの活性領域は、下部活性領域によって放出された光の大部分の偏光を透過し、上部活性領域によって放出された光の大部分の偏光を反射するように配向された偏光子によって隔てられる。 - 特許庁

To provide a new structural active vibration control equipment of a fluid filled-system by which the active vibration control effectiveness by the stimulus of a elastic stimulative plate in a high frequency region is improved by increasing the stimulative amplitude of the elastic stimulative plate in a low frequenct region, while fully maintaining the active vibration control effectiveness to a great amplitude vibration in the low frequent region.例文帳に追加

低周波数域での弾性加振板の加振振幅を大きくして、低周波数域の大振幅振動に対する能動的防振効果を十分に確保しつつ、高周波数域における弾性加振板の加振による能動的防振効果を向上せしめ得た、新規な構造の能動型流体封入式防振装置を提供することを目的とする。 - 特許庁