「boron ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In the case phosphorus is to be doped to the pixel part, initially phosphorus is ion implanted into all regions without any mask and subsequently boron is ion implanted into all parts except the pixel part by arranging the mask.例文帳に追加

また、画素部にリンをドープする場合には、最初マスクなしで全面にリンをイオン注入後、マスクを配置して画素部以外にボロンをイオン注入後する。 - 特許庁

In a conventional vapor phase synthesis of cubic boron nitride, the essential condition is using ion impact at not lower than 45 eV by using a negative bias on a substrate or an accelerated ion beam.例文帳に追加

従来は立方晶窒化ホウ素の気相合成では、基板負バイアスや加速したイオンビームを用いて４５ｅＶ以上のイオン衝撃を用いることが必須条件であった。 - 特許庁

This is the ion conductive boron-polymer complex electrolyte membrane constituted of organic boron compound, polyethylene oxide based oxygen atom containing organic polymer compound, alkaline metal electrolyte salt, and polyurethane.例文帳に追加

有機ホウ素化合物、ポリエチレンオキシド系の酸素原子含有有機高分子化合物、アルカリ金属電解質塩、およびポリウレタンから成るイオン伝導性ボロン‐高分子複合電解質膜。 - 特許庁

The ion conduction medium 27 contains an organic boron base polymer having a structure such that a straight carbon chain is a main chain and a boron compound is coupled with the main chain via oxygen.例文帳に追加

このイオン伝導媒体２７は、直鎖の炭素鎖を主鎖とし、この主鎖に酸素を介してホウ素化合物が結合した構造を有する有機ホウ素系高分子を含んでいる。 - 特許庁

To provide a method of efficiently processing boron-containing drainage to reduce the generation amount of sludge even when a high concentration of oxide ions exists in a reaction process, such as drainage in which boron is eluted using hydrochloric acid from an absorbent such as an ion exchange resin or ion exchange fiber in which boron is absorbed.例文帳に追加

ホウ素を吸着したイオン交換樹脂やイオン交換繊維などの吸着材から、塩酸を用いてホウ素を溶離させた排水のように、反応工程において、塩化物イオンが高濃度で存在する場合であっても、効率的で、かつ、汚泥発生量も低減することができるホウ素含有排水の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a treating method which enables a prolongation of the service life of an ion exchange resin tower by increasing an adsorption quantity of boron to the ion exchange resin and the reutilization of treated water as high-purity ion exchange water.例文帳に追加

イオン交換樹脂へのホウ素の吸着量を増加させることによりイオン交換樹脂塔の寿命を延ばし、かつ処理水を高純度のイオン交換水として再利用を行なう処理方法を提供する。 - 特許庁

Into a supporting substrate, for example Si substrate 101 to make up diamond, a high-concentration boron is diffused by using an ion- implanting technology.例文帳に追加

ダイヤモンドを形成する支持基板、たとえばＳｉ基板１０１にイオンインプラ技術を用いて高濃度のボロンを拡散する。 - 特許庁

Furthermore, by utilizing the same mask, boron ions are ion-implanted to bottoms of the grooves 21 to form a channel-stop diffusion layer 7.例文帳に追加

更に、これらをマスクとしてボロンイオンを溝２１の底部にイオン注入することにより、チャネルストップ拡散層７を形成する。 - 特許庁

Boron is ion-implanted in the polycrystalline silicon film 13 of a PchTr forming region PTR with resist 16 as a mask.例文帳に追加

その後、レジスト１６をマスクにしてＰｃｈＴｒ形成領域ＰＴＲの多結晶シリコン膜１３にボロンをイオン注入する。 - 特許庁

This water holding material for soil includes ≥50 mass.% of a water absorbing material comprising galactomannan, boron-ion and a polyvalent metal ion having three or more valence excluding the boron-ion, and has 40 times of the tare weight of the absorbing capacity of an aqueous solution of a cation having valence ≤2, gel strength ≥2×10-5 N/mm2 after water absorption.例文帳に追加

ガラクトマンナン、ホウ素イオン、及びホウ素イオン以外の三価以上の多価金属イオンから成り、二価以下のカチオン水溶液吸水能が自重の４０倍以上であり、且つ吸水後のゲル強度が２×１０^-5Ｎ／ｍｍ^2以上である吸水材を５０質量％以上含有する土壌保水材。 - 特許庁

The portable disposable bag consists of a water absorbent material, a bag-shaped impervious product, and an adhesive tape, each of which has a biodegradable nature, and the water absorbent material comprises galactomannan, boron ion, and a multivalent metal ion of trivalent or more other than boron ion.例文帳に追加

吸水材、不透水性袋状物品、及び粘着性テープから構成され、前記吸水材、不透水性袋状物品、及び粘着性テープが生分解性を有し、前記吸水材が、ガラクトマンナン、ホウ素イオン、及びホウ素イオン以外の三価以上の多価金属イオンから成る吸水材である携帯用汚物処理袋。 - 特許庁

Disclosed is a water-absorbing material consisting of a galactomannan, boron ion and a trivalent or more polyvalent metal ion except the boron ion, containing 50 mass % or more unmodified galactomannan based on the whole galactomannan, capable of absorbing 40 times or more aqueous solution containing the divalent or less cation based on the self-weight and having gel strength of 2×10-5 N/mm2 or more after water absorption.例文帳に追加

ガラクトマンナン、ホウ素イオン、及びホウ素イオン以外の三価以上の多価金属イオンから構成され、未修飾ガラクトマンナンが全ガラクトマンナンの５０質量％以上であり、二価以下のカチオン水溶液を自重の４０倍以上吸収し、且つ吸水後のゲル強度が２×１０^-5Ｎ／ｍｍ^2以上である吸水材。 - 特許庁

When an ion beam 4 is extracted from an ion source 2 by using a gas containing boron trifluoride for an ion source gas 50 supplied into a plasma chamber vessel 20 of the ion source 2, a bias voltage V_B of a plasma electrode 31 to the plasma chamber vessel 20 of the ion source 2 is set at a positive voltage by a bias circuit 64.例文帳に追加

イオン源２のプラズマ室容器２０内に供給するイオン源ガス５０として三フッ化ホウ素を含むガスを用いてイオン源２からイオンビーム４を引き出すときに、バイアス回路６４によって、イオン源２のプラズマ室容器２０に対するプラズマ電極３１のバイアス電圧Ｖ_B を正電圧にする。 - 特許庁

After a semiconductor film having a crystal structure is obtained, a material layer is formed thereon and loaded with boron ions with BF_3 (boron trifluoride gas) as a doping gas using an ion doping device.例文帳に追加

本発明は、結晶構造を有する半導体膜を得た後、その上に材料層を形成し、イオンドーピング装置を用いてＢＦ_3（三フッ化ホウ素ガス）をドーピング用ガスとしてボロンイオンを添加する。 - 特許庁

A cluster ion beam 20 containing boron and germanium is radiated onto the silicon substrate 1 at a bottom part of the contact hole 10, and a silicon layer 11 containing the boron and germanium is formed in the silicon substrate 1.例文帳に追加

次に、コンタクトホール１０の底部にあるシリコン基板１に、ホウ素とゲルマニウムを含むクラスターイオンビーム２０を照射して、シリコン基板１中にホウ素とゲルマニウムとを含むシリコン層１１を形成する。 - 特許庁

To provide an ion conductive boron-polymer complex electrolyte membrane in which known compounds are used as the raw material, and to provide a lithium ion polymer battery that uses it.例文帳に追加

原料化合物としていずれも公知のものを使用したイオン伝導性に優れた、ボロン‐高分子複合電解質膜およびそれを使用したリチウムイオンポリマー電池を提供すること。 - 特許庁

Calcium, aluminum ion, and sulphate ion are respectively mixed at 5 moles or more, 1 mole or more, and 3 moles or more per one mole of the boron contained in the waste or soil.例文帳に追加

カルシウム、アルミニウムイオンおよび硫酸イオンは、廃棄物または土壌に含まれるホウ素１モルに対して、それぞれ５モル以上、１モル以上、３モル以上になるように混合する。 - 特許庁

Further, the polycrystalline silicon film 3 is patterned like a gate electrode, and impurities (boron) are applied to the entire surface through ion implantation, and it is heat-treated thereafter.例文帳に追加

多結晶シリコン膜３をゲート電極形状にパターニングした後、全面に不純物（ボロン）をイオン注入し、熱処理を施す。 - 特許庁

To prolong the service life of ion exchange columns when a high purity boric acid solution is obtained by treating an acid radical-containing boron eluate produced by adsorbing boron in a boron-containing aqueous solution on an ion exchange resin and passing an acid through the resin to regenerate the resin and to reduce troublesome operations such as the separation, regeneration and mixing of cation and anion exchange resins in the regeneration operation of ion exchange resins.例文帳に追加

ホウ素含有水溶液をイオン交換樹脂に吸着するホウ素を酸を通液して再生した酸根を含むホウ素溶離液を処理して高純度のホウ酸溶液を得るに当たり、イオン交換塔の寿命の延長を図り、また、イオン交換樹脂の再生操作において陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂の分離、再生、混合という煩雑な操作の軽減が図り得る手段を提案する。 - 特許庁

P^+-Type impurities (such as boron B) are ion-implanted, and a p^+-type buried diffusion layer is formed on an n^+-type buried diffusion layer.例文帳に追加

Ｐ^＋型不純物（例えばボロンＢ）をイオン注入し、Ｎ^＋型埋め込み拡散層上にＰ^＋型埋め込み拡散層を形成する。 - 特許庁

Thereafter, boron for preventing parasitic channel is introduced into the Si layer 5 at the channel region end of the transistor by oblique ion implantation, for example.例文帳に追加

次に、例えば斜めイオン注入によって、トランジスタのチャネル領域端部のＳｉ層５に寄生チャネル防止用のボロンを導入する。 - 特許庁

Boron and the like is ion-implanted into a surface layer of an n-type SiC substrate 10 in which nitrogen is doped, to form an n-type SiC 11.例文帳に追加

窒素がドーピングされたｎ型ＳｉＣ基板１０の表層部に、ボロン等をイオン注入してｎ型ＳｉＣ１１を形成する。 - 特許庁

The method for treating the effluent containing boron removes a salt from the effluent containing boron and the sulfate group by electrodialysis, adjusts pH in the range of 6 to 12 by adding a basic compound into the residue, and treats the obtained solution with a boron selectivity ion- exchange resin.例文帳に追加

硫酸根を含むホウ素含有排水から電気透析により塩を除去し、その残液に塩基性化合物を加えることによりｐＨを６〜１２に調整し、得られた溶液をホウ素選択性イオン交換樹脂で処理することを特徴とする前記ホウ素含有排水の処理方法。 - 特許庁

The method for crystallizing boron nitride by using plasma from molecular seeds containing boron, nitrogen and fluorine comprises synthesizing boron nitride containing cubic boron nitride in a weak state of ion impact by applying a positive voltage or zero voltage to a substrate with respect to a reaction chamber or to a reference electrode, or by setting the substrate at a float potential.例文帳に追加

ホウ素、窒素、フッ素を含む分子種から、プラズマを用い窒化ホウ素を析出させる方法において、反応容器あるいは参照電極に対し、基体に正の電圧あるいは零電圧のバイアスをかけること、あるいは基体をフロート電位にすることにより、イオン衝撃の弱い状態で立方晶窒化ホウ素を含む窒化ホウ素を合成する。 - 特許庁

In the method of regenerating the ion exchange resin by bringing it into contact with a regenerant, the regenerant is treated in a boron removal means to remove boron prior to regeneration.例文帳に追加

イオン交換樹脂を再生剤と接触させて再生する方法において、再生に先立ち、該再生剤をホウ素除去手段で処理してホウ素を除去することを特徴とするイオン交換樹脂の再生方法。 - 特許庁

A vertical groove 4 is formed in a semiconductor substrate 1, and a p-type base region 6 is formed in the substrate 1 by injecting boron (B^+) into the substrate 1 through ion implantation and thermally diffusing the boron in the substrate 1 by using a resist film 5 embedded in the groove 4 as a mask.例文帳に追加

半導体基板１に垂直溝４を形成し、垂直溝４に埋め込んだレジスト膜５をマスクとして、ボロン（Ｂ^＋）をイオン注入、熱拡散して、ｐ型のベース領域６を形成する。 - 特許庁

(1) an alkali metal ion or an alkaline earth metal ion, (2) boric acid or another boron compd, (3) an acid or an alkali, (4) a specific water soluble polysaccharide which forms a gel by reaction with a curing agent.例文帳に追加

１）アルカリ金属イオン又はアルカリ土類金属イオン ２）硼酸その他の硼素化合物 ３）酸又はアルカリ ４）前記水溶性多糖類と反応してゲルを形成する所定の水溶性多糖類 - 特許庁

Subsequently, P-type polysilicon films are formed by ion-implanting boron into P-channel MOS-transistor forming regions and bipolar-transistor forming regions.例文帳に追加

続いて、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ形成領域およびバイポーラトランジスタ形成領域にボロンをイオン注入してＰ型のポリシリコン膜を形成する。 - 特許庁

In the heat treatment in the device process, metal impurities (c) in the SIMOX substrate are sufficiently gettered because of boron ion-injected into a high-density boron layer 14 formed in a bulk layer 13 to a density of ≥1×10^13/cm^2 and disorder of a silicon grating at the reverse-surface side part of a silicon single-crystal substrate due to the ion injection of boron.例文帳に追加

バルク層１３に形成された高濃度ボロン層１４に１×１０^１３／ｃｍ^２以上の密度でイオン注入されたボロンと、このボロンのイオン注入に起因するシリコン単結晶基板１０の裏面側部のシリコン格子の乱れとにより、デバイス工程の熱処理時、ＳＩＭＯＸ基板２０の内部の金属不純物ｃが十分にゲッタリングされる。 - 特許庁

Ion implantation of boron is executed on one desired part of the second hard mask 40, and the first hard mask 30 is etched using the second hard mask 40 as a mask.例文帳に追加

第２ハードマスク４０の所望の一部にボロン等のイオン注入を行った後、第２ハードマスク４０をマスクとして第１ハードマスク３０をエッチングする。 - 特許庁

With a gate electrode 4 and an element isolation insulation film 2 as a mask, boron ions 5 are implanted to form a high concentration ion implanted layer 6 for extension.例文帳に追加

ゲート電極４及び素子分離絶縁膜２をマスクとして、ボロンイオン５をイオン注入して、高濃度エクステンション用イオン注入層６を形成する。 - 特許庁

Next, boron is injected onto the low-concentration N-type epitaxial layer 11 by ion injection and so on to form low-concentration P-type guard ring areas 14a.例文帳に追加

次に、イオン注入法等を用いて、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１の上にボロンを注入し、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａを形成する。 - 特許庁

After removing the nitride film 6 therefrom, boron 11 is so ion-implanted thereinto self-aligning-wise by using the oxide films 4, 9 as masks as to perform heat treatment in a nitrogen atmosphere.例文帳に追加

窒化膜６を除去した後、酸化膜４，９をマスクとして自己整合的にボロン１１をイオン注入し、窒素雰囲気中で熱処理を行なう。 - 特許庁

Boron is ion-implanted in a p-type well forming region 20 and the positioning pattern forming region 40 to form p-type wells 8a and 8b.例文帳に追加

基板１のｐ型ウェル形成領域２０と位置合わせパターン形成領域４０に硼素をイオン注入してｐ型ウェル８ａ、８ｂを形成する。 - 特許庁

After etching of a trench groove 1a, a solid diffusion source film 5 including boron is formed in the trench groove 1a instead of the conventional implantation of tilt ion.例文帳に追加

トレンチ溝１ａのエッチング後に、従来のチルトイオン注入の代わりに、ボロンを多く含む固体拡散源膜５をトレンチ溝１ａ内に成膜する。 - 特許庁

To provide an easy and efficient method for treating waste water containing fluorine and boron by efficiently decompose hardly decomposable borofluoride ion.例文帳に追加

難分解性のホウフッ化物イオンを効率的に分解することによりフッ素およびホウ素含有排水を容易かつ効率的に処理する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of regenerating an ion exchange resin and an ultrapure water producing apparatus, for stably producing ultrapure water whose boron concentration is ≤1ng/L.例文帳に追加

ホウ素濃度が１ｎｇ／Ｌ以下の超純水を安定して製造するためのイオン交換樹脂の再生方法と超純水製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element, capable of maintaining an ion implanted impurity profile, by preventing external or internal diffusion of the ion implanted impurities or particularly a boron (B) at a high-temperature annealing time.例文帳に追加

イオン注入された不純物、特にほう素（Ｂ）の高温アニール時の外方、内方への拡散を防止し、注入された不純物プロフィルを維持できる炭化けい素半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

An amorphous silicon film 2 containing argon element or phosphorus ion and boron ion is formed on a glass substrate 1, and an amorphous silicon film 4 is formed on the amorphous silicon film 2 through an insulation film 3.例文帳に追加

ガラス基板１上に、アルゴン元素あるいは、リンイオン及びホウ素イオンを含有する非晶質シリコン膜２を形成し、この非晶質シリコン膜２上に、絶縁膜３を介して非晶質のシリコン膜４を形成する。 - 特許庁

The objective plant seed coating material comprises galactomannan, boron ion, tri- or more multivalent ions other than boron ion and includes ≥50 mass % of a water-absorbing material with the absorption power of aqueous solution of divalent or monovalent cation ≥40 times its self weight and has the gel strength of 2×10-5-1×10-3 N/mm2 after water absorption.例文帳に追加

ガラクトマンナン、ホウ素イオン、及びホウ素イオン以外の三価以上の多価金属イオンから成り、二価以下のカチオン水溶液吸水能が自重の４０倍以上であり、且つ吸水後のゲル強度が２×１０^-5〜１×１０^-3Ｎ／ｍｍ^2である吸水材を５０質量％以上含有する植物種子被覆材。 - 特許庁

In the method of manufacturing a diffusion wafer where boron ions are implanted into a principal plane of a silicon single-crystal wafer, and then drive-in oxidation is conducted on the principal plane to diffuse the boron ions into the silicon single-crystal wafer, the drive-in oxidation is conducted for 40 or longer hours, immediately after the ion implantation of boron, and then a resistance value is measured.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハの主面にボロンをイオン注入し、続いてドライブイン酸化を施してボロンをシリコン単結晶ウェーハに拡散する拡散ウェーハの製造方法において、ボロンをイオン注入した直後から４０時間以上経過後にドライブイン酸化を施し、その後に抵抗値を測定する。 - 特許庁

To solve the problem that a process for decreasing a leak current caused by an influence of defect in an implantation of a fluorine ion is required for a p-channel MOS transistor which suppresses diffusion of a boron ion to channel regions in a lateral direction by the fluorine ion to prevent an occurrence of a short channel effect.例文帳に追加

フッ素イオンによりボロンイオンのチャネル領域への横方向拡散を抑制して短チャネル効果の発生を防止するｐチャネル型ＭＯＳトランジスタには、フッ素イオン注入時の欠陥による影響起因のるリーク電流を減らすプロセスが必要となっている。 - 特許庁

Moreover, when the n-type impurity is ion-implanted at a high temperature, a region being ion-implanted is heated to 180°C or higher by substrate heating or laser irradiation, a silicon pair between boron and lattice is sufficiently disassociated and the n-type impurity is ion-implanted under existence of an even stress.例文帳に追加

また、Ｎ型不純物の添加を高温イオン注入で行う場合は、基板加熱やレーザー照射などでイオン注入する領域を１８０℃以上に加熱し、ボロン・格子間シリコンペアを十分解離させ、一様な応力が存在する状態の下で、Ｎ型不純物のイオン注入を行う。 - 特許庁

A device like this is provided by performing ion-implantation, for example of boron, with an amorphous silicon film 3, and then patterning to form island-like semiconductor films 4a and 4b, and selectively implanting, for example, boron or phosphorous into either of them.例文帳に追加

このような装置は、非結晶シリコン膜３に例えばボロンのイオン注入を行った後、パターニングして島状の半導体膜４ａ、４ｂを形成し、いずれか一方に選択的に例えばボロン又はリンを注入することで得ることができる。 - 特許庁

This feed for animal is characterized by comprising a water absorption agent which comprises galactomannan, boron and trivalent or polyvalent metal ion except boron and can absorbs 0.9 mass % of an aqueous solution of sodium chloride of ≥10 times as much as dead load.例文帳に追加

ガラクトマンナンとホウ素及びホウ素以外の三価以上の多価金属イオンから成り、０．９質量％塩化ナトリウム水溶液を自重の１０倍以上吸水することができる吸水材を含有することを特徴とする動物用飼料。 - 特許庁