「boron ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the lateral extent of the implanted boron becomes broader as the range becomes longer, the concentration and width of the area 3a are made uniform in the vertical direction by controlling the width of the boron ion emitting area, so that the area becomes narrower as the acceleration energy becomes higher and the range of boron becomes longer.例文帳に追加

また、Ｐ^+型シリコンインゴットにコリメートされた中性子線を選択的に照射することにより、中性子線の入射方向に沿ってＰ^+型シリコンインゴット中に一様な幅と濃度を有するＮ^+型導電性領域を形成することにより、高精度なスーパージャンクションを備える低損失電力用半導体装置の製造方法を提供することができる。 - 特許庁

A hydroxide of an alkaline-earth metal is added to a boron-dissolved aqueous medium and furthermore a phosphate ion is preferably added thereto, which is then subjected to hydrothermal treatment under the temperature and pressure of a subcritical condition to produce an insoluble compound oxide of boron with the alkaline-earth metal, so that boron is separated/recovered as a precipitate from the produced insoluble compound oxide.例文帳に追加

ホウ素が溶存する媒体水に対して、アルカリ土類金属の水酸化物を添加し、好ましい場合には更にリン酸イオンを添加したもとで、亜臨界条件の温度下及び圧力下での水熱処理を行って、ホウ素とアルカリ土類金属との不溶性複合酸化物を生成させることにより、ホウ素を沈殿として分離・回収する - 特許庁

In this case, a dose of a boron ion required to form the type P+ type embedded layer 2 is adjusted to a range not causing the increase of the leak current between the collector and an emitter of the NPN transistor 60 in the control part.例文帳に追加

この場合、Ｐ＋型埋め込み層２形成のためのボロンイオンのドーズ量を制御部のＮＰＮトランジスタ６０のコレクタ−エミッタ間リーク電流が増大しない範囲に調節する。 - 特許庁

The boron ion flow has both a perpendicularly inclined component and a horizontally rotating component to the sidewall and/or a silicon device, thereby giving an excellent field of view direction to the sidewall.例文帳に追加

ボロンイオン流は、側壁および／またはシリコン装置に対して、垂直傾斜成分と水平回転成分の両方を有し、それによって側壁に対して良好な視野方向を与える。 - 特許庁

A boron bonding agent comprises a compound having a 2,6-bis(hydroxymethyl)-phenol structure, especially comprises fixing the compound having the 2,6-bis(hydroxymethyl)-phenol structure to an ion exchanger or the like.例文帳に追加

２，６−ビス（ヒドロキシメチル）−フェノール構造を有する化合物から成るホウ素結合剤、特に、該構造を有する化合物がイオン交換体などに固定化されているホウ素結合剤による。 - 特許庁

After a boron is ion-implanted into the SiGe layer 13 through the Si layer 14 in amorphous, the SiGe layer 13 and the Si layer 14 are patterned to form a gate electrode 15.例文帳に追加

アモルファス状態のＳｉ層１４を介してＳｉＧｅ層１３にボロンをイオン注入した後、ＳｉＧｅ層１３及びＳｉ層１４をパターン化してゲート電極１５を形成する。 - 特許庁

The pH of the seawater 25 pretreated by the strongly alkaline water is increased and adjusted to 9.0-9.5 to convert boron contained in the seawater to be treated into a form of borate ion.例文帳に追加

このとき強アルカリ水により前処理された海水２５のｐＨ値を９．０〜９．５に上昇させかつ調整して、処理する海水に含有するホウ素をホウ酸イオンの形態にする。 - 特許庁

To reduce maintenance costs by lowering the concentration of boron and reducing the regeneration frequency of an anion exchange resin or mixed bed ion exchange resin device in ultrapure water production processes.例文帳に追加

超純水製造プロセスにおいて、ホウ素イオン濃度を低くするとともに、アニオン交換樹脂又は混床式イオン交換樹脂装置の再生頻度を少なくしてメンテナンスコストを低減させること。 - 特許庁

To provide a method of treating a boron eluent containing acid group regenerated from boron adsorbed to an ion-exchange resin by passing an acid solution to obtain a high purity boric acid solution, and provide a treating equipment therefor and a method for producing high purity boric acid using those means.例文帳に追加

イオン交換樹脂に吸着するホウ素を酸を通液して再生した酸根を含むホウ素溶離液を処理して高純度のホウ酸溶液を得るための処理方法およびそのための処理装置さらにはそれら手段により高純度のホウ酸を製造する方法を提案する。 - 特許庁

A thienyl-containing boron-dipyrin compound represented by formula (1), a production method of the compound and a chemical sensor containing a thienyl-containing boron-dipyrin compound, expressing color change and fluorescence change by reacting the compound of formula (1) with a metal ion, are provided.例文帳に追加

本発明は、式（１）で表されるチエニルを包含するボロン-ジピリン化合物、この化合物の製造方法、及び式（１）の化合物が金属イオンと反応して色相変化と蛍光変化を表すことのできるチエニルを包含するボロン-ジピリン化合物が包含された化学センサーによって課題を達成する。 - 特許庁

The boron nitride cluster solution which is prepared by dissolving a boron nitride cluster in a polar organic solvent, shows in a mass spectrometer analysis a peak intensity of not lower than 10 counts when it is measured with a drawing voltage of 20 kV, in linear flight mode, and by positive ion detection.例文帳に追加

前記極性有機溶媒に窒化ほう素クラスターを溶解させた窒化ほう素クラスター溶液は、引き出し電圧２０ｋＶ、Ｌｉｎｅａｒ飛行モード、正イオン検出で測定した時、質量分析において１０カウント以上のピーク強度が得られることを特徴とする。 - 特許庁

To enable to reduce an operating loss caused by replacement of a deteriorated filament 15, by prolonging life through restraint of deterioration of the filament 15, in producing boron ion by making thermal electron released from the filament 15 collide with molecules of material gas containing boron atoms.例文帳に追加

フィラメント１５から放出された熱電子を、ボロン元素を含有する材料ガスの分子に衝突させてボロンイオンを生成する際に、フィラメント１５の劣化を抑制して寿命を長くし、劣化したフィラメント１５の交換に起因する稼働ロスを低減できるようにする。 - 特許庁

This is a negative electrode active material for lithium ion secondary battery as well as a lithium ion secondary battery using the same that is characterized in that the negative electrode active material contains silicic particles having a compound made of silicon and boron dispersed minutely at least in the particles.例文帳に追加

本発明は、負極活物質が、ケイ素とホウ素からなる化合物を少なくとも粒子内に微細に分散したケイ素質粒子を含んでなることを特徴とするリチウムイオン二次電池用負極活物質で及び、これを用いたリチウムイオン二次電池である。 - 特許庁

In the ultrapure water producing apparatus provided with a regenerating type ion exchange apparatus and a regenerant supply line for supplying the regenerant to the regenerating type ion exchange apparatus, the regenerant supply line is provided with the boron removal means.例文帳に追加

再生型イオン交換装置と、該再生型イオン交換装置に再生剤を供給する再生剤供給ラインとを有する超純水製造装置において、該再生剤供給ラインにホウ素除去手段が設けられていることを特徴とする超純水製造装置。 - 特許庁

The negative electrode for lithium ion secondary battery and the lithium ion secondary battery using the same are characterized in that the negative electrode active material contains a silicic particle that contains a compound made from silicon, carbon and boron dispersed minutely at least in the particle.例文帳に追加

本発明は、負極活物質が、ケイ素と炭素とホウ素からなる化合物を少なくとも粒子内に微細に分散したケイ素質粒子を含んでなることを特徴とするリチウムイオン二次電池用負極活物質及び、これを用いたリチウムイオン二次電池である。 - 特許庁

The automatic analysis apparatus includes a sampling apparatus 100 for sampling a sample for diluting to an appropriate magnification, an ion chromatographic apparatus 200 for analyzing boron and an SO_4^2- ion by an ion chromatographic analysis, and a data-processing apparatus 300 for controlling sampling time and dilution rate and for automatically calibrating the apparatus and for performing data processing by incorporated data processing software.例文帳に追加

試料を採取して該試料を適切な倍率に希釈するためのサンプリング装置１００と、イオンクロマトグラフ分析によりほう素及びＳＯ_4^2-イオンを分析するイオンクロマトグラフ装置２００と、サンプリング時間及び希釈率を制御し、内蔵するデータ処理ソフトウエアにより装置の自動校正及びデータ処理をするデータ処理装置３００とを含むこととした。 - 特許庁

A carbon material for lithium ion secondary batteries is composed of a mixture obtained by mixing (A) a carbon material containing boron atoms and oxygen atoms and (B) a carbon material containing nitrogen atoms and oxygen atoms.例文帳に追加

イ）ホウ素原子と酸素原子を含む炭素材料と、ロ）窒素原子と酸素原子を含む炭素材料を混合した混合物からなるリチウムイオン二次電池用炭素材料により課題を解決する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which improves reverse short channel effect by terminating Frenkel crystal defects formed during impurity ion implantation, and suppressing enhanced diffusion of boron.例文帳に追加

不純物イオン注入時に形成されたフレンケル型結晶欠陥を終端させ、ボロンの増速拡散を抑制することで、逆短チャンネル効果を改善した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a boron nitride film which has satisfactory adhesion, comprises c-BN at a high ratio and has extremely excellent practicality even in the case a PVD process such as a sputtering process and an arc ion plating process is used.例文帳に追加

スパッタリング法やアークイオンプレーティング法等のＰＶＤ法を用いた場合でも密着性が良好でｃ−ＢＮを高い割合で有する極めて実用性に秀れた窒化ホウ素膜の提供。 - 特許庁

To provide a PN junction interface that prevents enhanced diffusion caused by an uneven stress during high temperature annealing for recovering from implantation damage after boron ion implantation into a wafer and achieves a superior flatness.例文帳に追加

ウェーハへのボロンのイオン注入後における、注入損傷回復の高温アニールにおいて、応力の不均一から生ずる増速拡散を防止し、平坦性の良いＰＮ接合界面の提供。 - 特許庁

The detergent composition of an aqueous liquid type or gel type comprises boric acid or a boron compound, a polyhydroxy compound and a calcium ion having comparatively high consistency, to stabilize the carefully selected α-amylase enzyme.例文帳に追加

水性の液体型又はゲル型の洗剤組成物が、ホウ酸又はホウ素化合物、ポリヒドロキシ化合物、及び比較的高い濃度のカルシウムイオンを含んで、精選されたα−アミラーゼ酵素を安定化する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, where a thin-film polysilicon resistance element of zero or small temperature coefficient and a thin-film polysilicon resistance element of high resistance are formed through ion implantation of boron ions, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ボロンイオンをイオン注入して、温度係数ゼロまたは小さな薄膜ポリシリコン抵抗体や高抵抗の薄膜ポリシリコン抵抗体を形成する半導体装置およびその製造方提供すること。 - 特許庁

The sodium hydroxide solution of a high concentration of 20% or higher by weight wherein 10 ppb or more of boron as an alkali metal ion is dissolved is employed as an alkali etching solution, and a silicon wafer is etched using the alkali etching solution.例文帳に追加

アルカリ金属イオンであるボロンが１０ｐｐｂ以上溶解された２０重量％以上の高濃度の水酸化ナトリウム溶液をアルカリ性エッチング液として、シリコンウェーハをアルカリエッチングする。 - 特許庁

After the pre-amorphous step, at least one of the steps of performing an ion implantation of boron into the amorphous region or of converting the amorphous region to a silicide region is performed.例文帳に追加

プレアモルファス工程の後に、前記アモルファス領域にボロンのイオン注入を行なう工程，又は前記アモルファス領域をシリサイド化する工程のうち少なくともいずれか一方の工程を行なう。 - 特許庁

The lithium ion conductive solid electrolyte has constituents of lithium (Li), boron (B), sulfur (S) and oxygen (O), and the ratio (O/S) of oxygen to sulfur is 0.01 to 1.43.例文帳に追加

構成成分として、リチウム（Ｌｉ）、ホウ素（Ｂ）、硫黄（Ｓ）及び酸素（Ｏ）元素を含有し、硫黄と酸素元素の比率（Ｏ／Ｓ）が、０．０１〜１．４３であることを特徴とするリチウムイオン伝導性固体電解質である。 - 特許庁

After an n-type epitaxial layer 13A is formed, an impurity, for instance, boron is implanted on the given area of the epitaxial layer 13A by ion implantation having a different injection energy plural times.例文帳に追加

ｎ型のエピタキシャル層１３Ａを形成した後、そのエピタキシャル層１３Ａの所定の領域へ複数回の注入エネルギの異なるイオン注入により不純物例えばボロンを注入する。 - 特許庁

This boron adsorbing ion exchanging column is packed with a I type or II type strongly alkaline anion exchange resin having a quaternary ammonium group whose actual capacity for decomposing neural salt is equal to or higher than the prescribed value.例文帳に追加

ホウ素吸着用イオン交換塔を実中性塩分解能力が所定値以上の４級アンモニウム基をもつI型又はII型強塩基性陰イオン交換樹脂が充填されているものとする。 - 特許庁

A waste liquid regenerated from a boron resin with a low hydrogen ion exponent from a smoke washing wastewater treatment facility 6 is effectively used as humidifying water at the time of the chemical agent treatment of fly ash by a chelating agent at a fly ash treatment facility 3.例文帳に追加

洗煙排水処理設備６からのｐＨの低いホウ素樹脂再生廃液を、飛灰処理設備３におけるキレート剤による飛灰の薬剤処理時の加湿水として有効利用する。 - 特許庁

To provide an ion exchanging column whose boron adsorbing capacity is managed to have the prescribed value and to provide a method for managing the ion exchanging column.例文帳に追加

４級アンモニウム基をもつI型又はII型強塩基性陰イオン交換樹脂を用いてホウ素の吸着−再生を繰り返すときに起こるイオン交換塔の管理上の問題を解決し、ホウ素吸着能力が所定値に管理されているイオン交換塔及びその管理方法を提案する。 - 特許庁

Boron ion 5 is implanted selectively to a region for isolation region formation via a thermal silicon oxide film on a P-type semiconductor substrate 1, boron 6 is added to an epitaxial layer 2, a silicon oxide film 10 of a low temperature is formed on the semiconductor substrate 1, and an isolation region 8 is formed by drive-in diffusion.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上の熱シリコン酸化膜を介して分離領域形成用の領域に選択的にボロンイオン５を注入しエピタキシャル層２にボロン６を添加し、半導体基板１上に低温のシリコン酸化膜１０を形成し、ドライブイン拡散をして分離領域８を形成する。 - 特許庁

The method of forming an oxide film pattern includes a step of forming an oxide film on a semiconductor substrate, a step of implanting boron ions of 1.0×10^16 pieces/cm^2 or more into the oxide film in a predetermined region, and a step of wet-etching a region where no boron ion is implanted in the oxide film.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、所定領域の酸化膜上に１．０×１０^１６個／ｃｍ^２以上のボロンイオンを注入する工程と、前記酸化膜における前記ボロンイオンの注入されなかった領域を湿式エッチングする工程と、を含む酸化膜パターンの形成方法とした。 - 特許庁

The method for producing borohydride (tetrahydridoborate ion) in a cathode includes using an electrolytic cell composed of a cathode which constitutes a high hydrogen overpotential electrode such as a very high surface area electrode carbon, an anode and a cation selective ion exchange membrane, and causing current to flow in a non-aqueous solution in a state that a trialkyl borate or a salt or acid of a boron-containing ion is in contact with the cathode.例文帳に追加

炭素高表面積電極などの高水素過電圧電極による陰極、陽極、および、カチオン選択性イオン交換膜からなる電解セルを用い、非水溶媒中において、トリアルキルボレートまたはホウ素含有イオンの塩または酸を陰極と接触させる状態で電流を流すことにより、陰極において水素化ホウ素（テトラヒドリドボレートイオン）を生成させる方法。 - 特許庁

The method includes a process of forming ion associated products to allow boric acid ions (BO_3^3-) to react with organic alcohols to produce ion associated products and a process of forming precipitates to allow the ion associated products formed by the above process to react with alkaline earth metals to produce precipitates so as to fixing boron in the precipitates formed in the above process of forming precipitates.例文帳に追加

ホウ酸イオン（ＢＯ_3^3-）と有機アルコールとを反応させてイオン会合体を形成するイオン会合体形成工程と、前記工程により形成されたイオン会合体とアルカリ土類金属とを反応させることにより沈殿物を形成する沈殿物形成工程とを行うことにより、前記沈殿物形成工程において形成される沈殿物中にホウ素を固定化するようにする。 - 特許庁

Borofluoride-containing wastewater, which contains fluorine and boron, both of which partially form borofluoride, is successively passed through a first ion exchange column filled with a strong acidic cation exchange resin adjusted to an H-type, a second ion exchange column filled with a weak basic anion exchange resin adjusted to an OH-type and a third ion exchange column filled with a strong basic anion exchange resin.例文帳に追加

フッ素及びホウ素を含み、かつフッ素及びホウ素の一部がホウフッ化物を形成しているホウフッ化物含有排水を、H型に調整した強酸性陽イオン交換樹脂を充填した第１イオン交換塔、OH型に調整した弱塩基性陰イオン交換樹脂を充填した第２イオン交換塔、強塩基性陰イオン交換樹脂を充填した第３イオン交換塔に順次通水する。 - 特許庁

The, a groove 4 for separating elements is formed, boron is subjected to ion-implantation to the bottom surface of the groove 4, the inside of the groove 4 is oxidized for forming a silicon oxide film 6, and then an undoped polycrystalline silicon film 7 is formed.例文帳に追加

この多結晶シリコン膜は成長時にベース用の不純物を導入するか、無添加の場合はベース用の不純物をイオン注入した後熱拡散で素子領域に導入してベース領域を形成する。 - 特許庁

From the side, on which the diffusion preventive layer 21 is formed, at least one of boron (B) and indium (In) is subjected to ion implantation to form a p-type counter layer 6A more shallowly than the diffusion preventive layer 21.例文帳に追加

この拡散抑止層２１が形成された側から、ホウ素（Ｂ）およびインジウム（Ｉｎ）のうち、少なくともいずれか一方をイオン注入して、拡散抑止層２１よりも浅くｐ型カウンタ層６Ａを形成する。 - 特許庁

Thereafter, the first photoresist layer 6 is removed, a second photoresist layer 7 having an opening on the n-type well 3 is formed by using the n-type well mask, and the polysilicon layer 5 is set to a p-type by implanting the ion of a p-type impurity, such as the boron etc., into the layer 5 by using the second photoresist layer 7 as an ion implanting mask.例文帳に追加

次に、第１のフォトレジスト層６を除去し、Ｎウエルマスクを用いて、Ｎウエル３上に開口部を有する第２のフォトレジスト層７を形成し、この第１のフォトレジスト層６をイオン注入マスクとしてボロン等のＰ型不純物をポリシリコン層５内にイオン注入し、これをＰ型化する。 - 特許庁

Boron with a dose of 5×1014 cm-2 to 1016 cm12 is selectively ion implanted in a non-doped polysilicon wiring, p+Poly 16 (p+ polysilicon) which is p-type diode and p+ layer 15 are simultaneously formed, and a length of the polysilicon wiring in which the ion is implanted is formed 1 μm to 15 μm.例文帳に追加

ノンドープのポリシリコン配線に、ドーズ量が５×１０^14ｃｍ^^-2〜５×１０^16ｃｍ^-2のＢ（ボロン）を選択的にイオン注入して、同時にｐ^+ 層１５とｐ型ダイオードになるｐ^+ Ｐｏｌｙ１６（ｐ^+ ポリシリコン）を形成し、イオン注入する箇所のポリシリコン配線１１の長さは１μｍ〜１５μｍとする。 - 特許庁

The method comprises a step for providing a semiconductor substrate wherein a prescribed process is carried out for forming a semiconductor element and a step for forming an ion implantation layer 105 by injecting trivalent impurities having a larger atomic weight than that of boron and consisting of a single atom to a prescribed depth of the semiconductor substrate by an ion implantation process.例文帳に追加

半導体素子を形成するための所定の工程が行われた半導体基板を提供する段階と、前記半導体基板の所定深さに、ホウ素より大きい原子量を有し且つ単原子からなる３価不純物をイオン注入工程によって注入してイオン注入層１０５を形成する段階を含む。 - 特許庁

A boron compound (for example, boron trichloride) and an ammonium derivative having a halogenide ion as a counter anion are mixed in xylol; then, a trialkylsilyl cyanide is added and reacted; the reaction system is subjected to a treatment with hydrogen peroxide, and an extraction treatment with butyl acetate; and butyl acetate is distilled out to obtain a tetracyanoborate compound represented by formula (VI) wherein [Kt]m+ is an ammonium cation; and m=1.例文帳に追加

ホウ素化合物（例えば：三塩化ホウ素）と、ハロゲン化物イオンを対アニオンとするアンモニウム誘導体とをキシロール中混合し、次いで、トリアルキルシリルシアニドを添加して反応させ、過酸化水素で処理後酢酸ブチルで抽出し、酢酸ブチルを留去することにより式(VI)における［Ｋｔ］m+がアンモニウムカチオンでｍ＝1であるテトラシアノボレート化合物を得る。 - 特許庁

The electroconductive resin composition and the electroconductive resin molded item comprise a thermoplastic resin, an ultraviolet-curable resin, a rubber or an adhesive agent and, incorporated therewith, an ion electroconductive agent composed of a salt of a boron compound substituted with fluorine or a fluoroalkyl group.例文帳に追加

フッ素又はフルオロアルキル基で置換されたホウ素化合物塩からなるイオン導電剤が熱可塑性樹脂、紫外線硬化樹脂、ゴム又は粘着剤に含有されてなる導電性樹脂組成物及び導電性樹脂成型体。 - 特許庁

At ion-implantation for forming source/drain regions 9 and 59, a dopant is implanted even into the silicon layers 3 and 53 so that a boron distribution layer 3B or phosphorus distribution layer 53P is formed in a region deeper than the nitrogen distribution layers 3N and 53N.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域９，５９の形成のためのイオン注入時にシリコン層３，５３中へもドーパントが注入されて、窒素分布層３Ｎ，５３Ｎよりも深い領域にホウ素分布層３Ｂ又はリン分布層５３Ｐが形成される。 - 特許庁

Further, a cap film 18 as a silicon carbide film is formed thereon, boron ions are implanted from its upper surface by an ion implanting method to increase bonding strength between the Cu-buried wiring 22 and the insulating film.例文帳に追加

さらに、この膜面にシリコン炭化膜からなるキャップ膜１８を形成して、その上面からホウ素をイオン注入法により注入し、Ｃｕの埋め込み配線２２とその周囲の絶縁膜との密着強度を強化する。 - 特許庁

To provide techniques to separate and recover boron included in seawater or concentrated seawater effluent as a byproduct of desalination of seawater without clogging an ion-exchange resin due to precipitating salts included in the seawater.例文帳に追加

海水又は海水淡水化などに際して副生する濃縮された海水排水に含まれるホウ素を、海水中に含まれる析出型の塩によるイオン交換樹脂の閉塞を起すことなく、分離回収する技術を開発する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of easily preparing a shallow p-type impurity doped area on a IV group semiconductor substrate with regard to a method of shallow ion implantion of boron into a IV group semiconductor.例文帳に追加

ＩＶ族半導体にボロンを浅くイオン注入する方法に関し、ＩＶ族半導体基板に浅いｐ型不純物ドープ領域を容易に作成することができる半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁