「current region」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

The impurity concentration of a source region 17 and a drain region 18 of a TFT 10 is set between 2×10^18 cm^-3 and 2×10^19 cm^-3, whereby off-leak current of the TFT 10 can be sufficiently reduced even in a single gate structure.例文帳に追加

ＴＦＴ１０のソース領域１７及びドレイン領域１８の不純物濃度を２×１０^１８［ｃｍ^−３］以上かつ２×１０^１９［ｃｍ^−３］以下とすることにより、シングルゲート構造でもＴＦＴ１０のオフリーク電流を十分に低減できる。 - 特許庁

The raising bas current Iqupo is set to a setting value Iqo within the range of a motor electrical angle θme corresponding to a rotational angle calculation disabled region in which a rotational angle cannot be calculated by a second resolver and is set to zero in the other region.例文帳に追加

このかさ上げ基本電流Ｉｑupｏは、第２レゾルバで回転角を演算できない回転角演算不能領域に対応したモータ電気角θｍｅの範囲において設定値Ｉｑｏに設定され、それ以外の範囲においてゼロに設定される。 - 特許庁

By thus forming a deep source region and a deep drain region, current flow that would otherwise concentrate on a shallow part in the gate electrode becomes uniform throughout the trench portion to widen an effective gate width because of the concave and convex portions formed in the well.例文帳に追加

このように、ソース領域とドレイン領域を深く形成することで、ゲート電極部位で浅い部分に集中して流れていた電流がトレンチ部の全体に一様に流れるようになり、ウェルに形成された凹凸によって実効的なゲート幅が広がる。 - 特許庁

A detection object region generation part 172 acquires offset quantity for area designation for the current tracking point or cursor position in a picked-up image, and generates a detection object region with predetermined size in a user designation direction on the basis of the offset quantity.例文帳に追加

検出対象領域生成部１７２は、撮像された画像中の現在の追尾点またはカーソル位置に対する領域指定用のオフセット量を取得し、そのオフセット量に基づいて、ユーザ指定方向の所定の大きさの検出対象領域を生成する。 - 特許庁

The DC unit 33 determines a time for starting the printing operations, in accordance with a printing starting moving distance and acceleration region driving current value data stored in a programmable read-only memory (PROM) 34, so that a printing operation starting position can be executed in an acceleration region of the CR motor 17.例文帳に追加

ＤＣユニット３３は、印字動作開始位置がＣＲモータ１７の加速領域で実行されるように、印字開始移動距離とＰＲＯＭ３４に記憶された加速領域駆動電流値データに基づいて印字動作を開始する時刻を決定する。 - 特許庁

The semiconductor device is characterized in that the insulation region in the internal section of the second well, coupled with the first conductivity-type diffusion region of the first well, makes up a bipolar junction transistor which blocks an electric current from flowing from the first well to the third well.例文帳に追加

前記第２ウェルの内部の前記絶縁領域は、前記第１ウェルの前記第１導電型拡散領域と共にバイポーラジャンクショントランジスタを形成して前記第１ウェルから前記第３ウェルに流れる電流を遮断することを特徴とする。 - 特許庁

A second semiconductor laser element 20 via an electrode 8 for a wiring and a metallic wire 35, or the like, via a pad electrode 6 are jointed on the surface of the current blocking layer 5 (a region 5b) that corresponds to the region, forming at least the adherence layer 30.例文帳に追加

そして、少なくとも密着層３０が形成された領域に対応する電流ブロック層５（領域５ｂ）の表面上に、配線用電極８を介して第２半導体レーザ素子２０や、パッド電極６を介して金属線３５などが接合される。 - 特許庁

In the semiconductor laser in which a distribution Bragg reflection region is integrated, an active layer of a waveguide of the semiconductor laser has a thin line structure, and the output of the semiconductor laser is monitored by an absorption current in the distribution Bragg reflection region.例文帳に追加

分布ブラッグ反射領域が集積された半導体レーザにおいて、前記半導体レーザの導波路の活性層が細線構造を有し、前記分布ブラッグ反射領域の吸収電流により前記半導体レーザの出力をモニタすることとした。 - 特許庁

To increase speed of amplification operation of a sense amplifier without flowing an unnecessary current in a diode formed by a P type region and N type region even if a normal semiconductor substrate is used or a SOI substrate is used, in a semiconductor integrated circuit incorporating a memory.例文帳に追加

メモリを内蔵した半導体集積回路において、通常の半導体基板を使用してもＳＯＩ基板を使用しても、Ｐ型領域とＮ型領域とによって形成されるダイオードに無駄な電流を流すことなく、センスアンプの増幅動作を高速化する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a first semiconductor layer 2 of a first conductivity type; an element region; a termination region; a first FLR layer 4 of a second conductivity type; a second FLR layer 5 of the second conductivity type; an insulating film 7; and a current blocking structure.例文帳に追加

実施形態の半導体装置は、第１導電形の第１の半導体層２と、素子領域と、終端領域と、第２導電形の第１のＦＬＲ層４と、第２導電形の第２のＦＬＲ層５と、絶縁膜７と、電流阻止構造体とを備える。 - 特許庁

In a region where a leak current from a pixel electrode when a power source is turned off becomes small in a pixel region because of characteristics of a manufacturing apparatus or step, a light shield film 311 is provided with an absent portion 312 nearly overlapping the outline of a channel portion of a thin-film transistor (TFT) 121.例文帳に追加

画素領域内にあって、製造装置または工程の特性上、電源を切った際の画素電極からのリーク電流が小さくなる領域にて、遮光膜311に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）121のチャネル部の輪郭とほぼ重なり合う抜き部312を設ける。 - 特許庁

To suppress an increase in junction leakage current without causing corrosion or the like in an impurity diffusion region, to completely decrease a resistance value of the impurity diffusion region, and to provide a further microscopic, highly integrated, low electric power consumption, and high speed operational semiconductor device.例文帳に追加

不純物拡散領域の侵食等を生ぜしめることなく接合リーク電流の増大を抑制して不純物拡散領域の抵抗値を十分に低減し、更なる微細化・高集積化を実現して、低消費電力で高速動作を可能とする。 - 特許庁

In order to fabricate this lithium thin film, when it is formed as the thin film on the current collector, a vapor deposition amount of Li and the vapor deposition amount of the elements to be added are adjusted so that it becomes higher in the surface side region than in the inside region in the thin film.例文帳に追加

このリチウム薄膜を作製するには、集電体上に薄膜として形成する際に、薄膜中の内部側の領域よりも表面側の領域において高くなるように、Liの蒸着量と添加元素の蒸着量とを調整する。 - 特許庁

When a current is applied to the half heater 4A, the interchangeable plate 21 at the one-side half part of the plate 5 is made the directly heated heating region Z1, while the remaining half of the plate 5 is made a heat reserving region Z2 receiving heat conduction from the one-side half part.例文帳に追加

一方、ハーフヒータ４Ａを通電すると、プレート５の片面側半分にあるきせかえプレート２１が直接加熱される加熱領域Ｚ１となる一方で、プレート５の残り半分は、片側半分からの熱伝導を受ける保温領域Ｚ２となる。 - 特許庁

Noise can be reduced by reducing an amount of impurities which reaches the ionizing current detecting region since a part of impurities which are contaminated in He or released from an inner surface of a cylinder 3 adjacent to the plasma generating region is also discharged to the outside of the tube together with He.例文帳に追加

Ｈｅに混入していた又はプラズマ生成領域付近の円筒間３内面から放出された不純物の一部もＨｅとともに管外に排出されるため、イオン化電流検出領域に達する不純物の量を減らしてノイズを低減できる。 - 特許庁

Current poured from the p-type pad 24 is conducted to flow a into pn-connection region, while detouring the resistor region 20 and light released from the light emitting layer 16 is discharged to the outside of the device through the transparent electrode 22 without being shielded by the p-type pad 24.例文帳に追加

ｐ型パッド２４から注入された電流は抵抗領域２０を迂回するようにｐｎ接合領域に流れ、発光層１６から放出された光はｐ型パッド２４に遮蔽されることなく透明電極２２を介して外部に放出される。 - 特許庁

A drive current line which supplies power to an EL element includes a branch line provided in a display region and a trunk line 26, 28 (72, 74) having a larger cross-sectional area than that of the branch line 20, provided along two or more sides of a peripheral portion of a display region.例文帳に追加

ＥＬ素子に電力を供給する駆動電流配線が、表示領域内に配置される枝配線の他に、表示領域の周辺部の２辺以上に沿って、枝配線２０よりも断面積の大きい幹配線２６，２８（７２，７４）を備える。 - 特許庁

Quantity of a current flowing from one source/drain diffusion region to the other source/drain diffusion region upon application of a voltage to the gate electrode 3 can be varied depending on the quantity of charges held in the charge holding section consisting of the charge storage film 23 and the fine particles 10.例文帳に追加

蓄電体膜２３と微粒子１０とからなる電荷保持部に保持された電荷の多寡により、ゲート電極３に電圧を印加した際の一方のソース／ドレイン拡散領域から他方の上記ソース／ドレイン拡散領域に流れる電流量を変化させ得る。 - 特許庁

An input current command spatial vector employs an input line voltage and a zero-vector of an intermediate magnitude in a low output voltage region, and employs the input maximum line voltage and an input line voltage of an intermediate magnitude in the high output voltage region.例文帳に追加

入力電流指令空間ベクトルが低出力電圧領域では中間的な大きさの入力線間電圧と零ベクトルを用い、高出力電圧領域では入力最大線間電圧と中間的な大きさの入力線間電圧を用いる。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus and a manufacturing method of a battery electrode constituted with an inexpensive and simple continuous coating device/rolling device in a lithium ion secondary battery comprising a current collector having an electrode active material coating region and an electrode active material non-coating region.例文帳に追加

電極活物質塗工領域および非塗工領域を有する集電体からなるリチウムイオン２次電池において、安価で単純な連続塗布装置・圧延装置で構成された電池電極の製造装置および製造方法を提供すること。 - 特許庁

An energizing period for a primary current in an ignition coil 34 is set to a first energizing period and a second energizing period shorter than the first energizing period, depending on whether the operation condition of an engine 10 is in a high load region or in a low load region.例文帳に追加

エンジン１０の運転状態が高負荷領域にあるか低負荷領域にあるかに対応して点火コイル３４の１次電流の通電期間を第１の通電期間と、第１の通電期間よりも短い第２の通電期間とに設定するようにした。 - 特許庁

The capacitor 22 is charged with a low voltage about 100-200 V so as to start the current supply for the spark plug 2 after the spark discharge of the spark plug 2 is in the transition region between the glow discharge and the arc discharge or in the region of the arc discharge.例文帳に追加

このコンデンサ２２には、点火プラグ２の火花放電がグロー放電とアーク放電との間の遷移領域、若しくは、アーク放電領域に入ってから点火プラグ２への電流供給を開始するように、１００〜２００Ｖ程度の低電圧で充電しておく。 - 特許庁

The limit characteristic line Llim sets, in a high steering torque region, the relationship between the steering torque Tx and the target current value ias* by an increase ratio α higher than that of the target current ias* with respect to the increase of the steering torque Tx in assist characteristic.例文帳に追加

制限特性ラインＬlimは、アシスト特性における操舵トルクＴｘの増加に対する目標電流ｉas＊の増加率よりも高い増加率αにて操舵トルクＴｘと目標電流値ｉas＊との関係を高操舵トルク領域において設定する。 - 特許庁

If a voltage, by which a transistor is turned on, is applied to the gate electrode 143, therefore, channels are formed on both the upper and lower surfaces of the channel region 161, so that a driving current, which is larger in comparison with a current of a conventional single-gate field effect transistor, can be obtained.例文帳に追加

したがって、上記ゲート電極１４３にトランジスタをオン状態にすべき電圧を加えると、チャネル領域１６１の上下両面にチャネルが形成されるので、シングルゲート構造の電界効果トランジスタに比べて大きな駆動電流を得ることができる。 - 特許庁

To provide an electronic apparatus, wherein the power is saved by supplying a current to a predetermined region which is a part of the regions of a volatile memory and in which a program to be executed is stored, and by not supplying current to other regions.例文帳に追加

本発明は、揮発性メモリにおける一部の領域であって実行されるプログラムが記憶された所定領域に電流を供給し、他の領域には電流を供給しないことで省電力化された電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

When a voltage ϕ VPS applied to a source of the MO TR T1 is adjusted to activate the MOS TR T1 in a sub threshold region which is less than a threshold, the current flowing through the MOS TR T2 changes with the optical current natural logarithmically.例文帳に追加

このとき、ＭＯＳトランジスタＴ１のソースに印加する電圧φＶPSを調整して、ＭＯＳトランジスタＴ１が閾値以下のサブスレッショルド領域で動作するとき、ＭＯＳトランジスタＴ２を流れる電流が前記光電流に対して自然対数的に変化する。 - 特許庁

To provide a trunk line current control system for collective housing, capable of partly limiting the number of loads of dwellings without restricting the loads of all of the dwellings when a state where a trunk current reaches an overcurrent region in a trunk line breaker continues up to a predetermined limit time.例文帳に追加

幹線電流が幹線ブレーカにおける過電流領域に至っている状態が規定の制限時間に達した場合に、住戸の全ての負荷を制限することなく一部に限定することができる集合住宅幹線電流制御システムを提供する。 - 特許庁

As a result, when a charged region is scanned by a primary electron beam, the absorption current is reduced, and a secondary electron detection signal is abnormally intensified, but the intensity of the secondary electron detection signal is reduced according to the small value of the absorption current.例文帳に追加

この結果、帯電した領域を一次電子ビームで走査しているときは、吸収電流が小さくなり、２次電子検出信号が異常に大きくなるが、この吸収電流の小さな値に応じて２次電子検出信号の強度が減少される。 - 特許庁

To prevent occurrence of a photoelectric current in a channel region due to illumination light from a back light source when TFT is turned off, which becomes a cause of an increase of a leaking current in an element and deterioration of picture quality, in a thin film transistor (TFT) plane display panel structure.例文帳に追加

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）平面ディスプレイパネル構造において、素子の漏電電流の増加や画質の劣化の原因となる、ＴＦＴがオフのときのバックライト光源からの照明光に起因するチャンネル領域中の光電流の発生を防止する。 - 特許庁

In the bipolar battery, the electrical resistance R3 of the current flowing in the surface direction of a region corresponding to the battery element in the positive and negative terminals is smaller than the total electrical resistance R1+R2 of the current flowing in a stacking direction between the positive and negative terminals.例文帳に追加

バイポーラ電池において、正負の端子における前記電池要素に対応する領域の面方向に流れる電流の電気抵抗Ｒ３は、正負の端子同士の間における積層方向に流れる電流の電気抵抗の総和Ｒ１＋Ｒ２よりも小さい。 - 特許庁

According to the current system pattern, a voltage-state index creation means 250 acquires the voltage of each monitoring point from the on-line database 210, retrieves the knowledge base 220 based on the current system pattern, and creates the index value data of a voltage state for indicating the voltage value of each voltage monitoring region.例文帳に追加

電圧状態指標作成手段２５０は、オンラインデータベース２１０から各監視点の電圧を取得し、該現在の系統パターンを基に、知識ベース２２０を検索して各電圧監視領域の電圧値を示す電圧状態の指標値データを作成する。 - 特許庁

The method comprises a process for permanently fitting an eddy current element (22) so that the preselected region (16) of the component (10) is covered, and a process for generating an alternate magnetic field close to the component (10) by energizing the body current element (22).例文帳に追加

この方法は、構成要素（１０）のあらかじめ選択された領域（１６）を覆うように渦電流素子（２２）を永久的に装着する工程と、渦電流素子（２２）を作動させて、構成要素（１０）に近接して交番磁界を発生する工程とを含む。 - 特許庁

To provide an inorganic phosphor particle which has a luminescence center in a red region where the luminous wavelength peak is 580 nm or more and from which sufficient luminous efficiency is obtained, and to provide an alternating current-distributed inorganic EL device and a direct current thin film-type inorganic EL device each using the same.例文帳に追加

発光波長ピークが５８０ｎｍ以上の赤色域に発光中心を有し、十分な発光効率が得られる無機蛍光体粒子、それを用いる交流分散型無機ＥＬ素子および直流薄膜型無機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

An electric supply adjusting device 18 has at least a function of varying a current amount to a robot controller 14 and adjusts the current amount to the controller 14 by a changeover switch or the like as soon as it detects that the human 20 enters a robot working region 22.例文帳に追加

給電調整器１８は、少なくともロボット制御装置１４への電流量を変化させる機能を持ち、人間２０がロボット動作領域２２に入ったことを検知したら直ちに、切替スイッチ等により制御装置１４への電流量を調整する。 - 特許庁

The LDD region 4707 for a current control TFT 4704 and a power supply control TFT is so formed as to be partially superposed on the gate electrode and has a structure of giving a priority to the prevention of hot carrier filling and the reduction of the off current value.例文帳に追加

電流制御用ＴＦＴ４７０４及び電源制御用ＴＦＴのＬＤＤ領域４７０７は、ゲート電極に一部が重なるように形成され、ホットキャリア注入の防止とオフ電流値の低減に重点をおいた構造となっている。 - 特許庁

To provide a semiconductor element operating in the normally-off mode and in a high-breakdown voltage and high-current state by forming a Schottky electrode in a source region of an FET, including an ohmic pattern electrode therein, and forming a gate electrode in a part of a source electrode region and a part of a nitride semiconductor region, and provide a manufacturing method for the same.例文帳に追加

ＦＥＴのソース領域にショットキー電極を形成し、内部にオミックパターン電極を備え、ゲート電極をソース電極の一部領域と窒化物半導体領域の一部に形成することによって、ノーマリ−オフ動作すると共に高耐圧及び高電流で動作可能な、半導体素子及び製造方法を提供する。 - 特許庁

The collision avoidance support device sets a constant-velocity change region required when the one's own vehicle changes a lane while maintaining a current velocity, an acceleration change region required when the one's own vehicle accelerates then changes a lane, and a deceleration change region required when the one's own vehicle decelerates then changes a lane (S210).例文帳に追加

衝突回避支援システムにおいては、自車両が現在の速度のまま車線変更する際に必要となる等速変更領域として設定するとともに、自車両が加速してから車線変更する際に必要となる加速変更領域、および自車両が減速してから車線変更する際に必要となる減速変更領域を設定する（Ｓ２１０）。 - 特許庁

A contacted area between a P-type silicon substrate 1 and an N-type low-concentration well region 2 is reduced by forming a trench on the silicon substrate at a charge accumulation region 6 of a MOS type capacitor, so that the MOS type capacitor with a reduced leakage current from the N-type low-concentration well region 2 to the P-type silicon substrate 1 can be obtained.例文帳に追加

ＭＯＳ型のキャパシタの電荷蓄積領域６のシリコン基板にトレンチを設けることにより、Ｐ型シリコン基板１とＮ型低濃度ウェル領域２の接触面積を減少させたから、Ｎ型低濃度ウェル領域２からＰ型シリコン基板１へのリーク電流を低減させたＭＯＳ型キャパシタを得ることが出来る。 - 特許庁

In an N-channel type thin-film transistor in the peripheral circuit, a gate electrode and a high resistance impurity region are overlapped to suppress the deterioration due to a hot carrier and increase an ON-state current.例文帳に追加

周辺回路のＮチャネル型薄膜トランジスタは、ゲート電極と高抵抗不純物領域をオーバーラップさせて、ホットキャリヤによる劣化を抑制し、オン電流を増加させる構成とする。 - 特許庁

To provide electrode manufacturing materials for solid polymer type fuel battery, which is free from a high current density region and a voltage drop in long-term power generation, and to provide a simple manufacturing method of the same.例文帳に追加

高電流密度領域や長期間発電した時の電圧低下のない固体高分子型燃料電池用電極製造材料とその簡便な製造方法を提供する。 - 特許庁

A volume difference per unit area is made between a neighborhood region 14A standing near a part connected to an output terminal 16 and other regions 14B and 14C in a current collecting plate 14.例文帳に追加

集電板１４において出力端子１６が接続された部位の近傍領域１４Ａと、他の領域１４Ｂ，１４Ｃとの間に単位面積当たりの体積差を設ける。 - 特許庁

The lower DBR 14 further comprises an oxidized layer 40 which functions to confine light, and a current route layer 60 of high impurity concentration between the oxidized layer 40 and the active region 16.例文帳に追加

下部ＤＢＲ１４はさらに、光閉じ込めとして機能する酸化層４０と、酸化層４０と活性領域１６との間に高い不純物濃度の電流経路層６０とを有する。 - 特許庁

To provide a varactor having a structure which allows an impurity distribution in a depletion layer region to be controlled accurately and is easy to reduce a leak current.例文帳に追加

空乏層領域の不純物分布を精度よく制御できる構造を持ち、しかも容易にリーク電流を削減できる構造を持ったバラクタを提供することを目的とする。 - 特許庁

Since the active region of the second element is formed by avoiding the border surface between the support substrate and the second semiconductor layer, the leak current is suppressed, thereby enhancing the characteristic of the device.例文帳に追加

上記第２の素子の活性領域を、上記支持基板と第２の半導体層との界面を避けて形成できるので、リーク電流を抑制でき、デバイスの特性を向上できる。 - 特許庁

In a method of reading the nuclear spin state, a donor arranged in a crystalline floating gate region is irradiated with monochromatic light resonating with only a specified nuclear spin state (step 3) to detect a change in a drain current.例文帳に追加

結晶性のフローティングゲート領域に配置したドナーに、特定の核スピン状態にのみ共鳴する単色光を照射し、ドレイン電流の変化を検出することで解決する。 - 特許庁