「current region」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

Also, the map-drawing section 14 secures a string of region where no map images are displayed between the upper and lower regions, and arranges information (current time, direction, and the like) for changing the display position arbitrarily at the strip of region.例文帳に追加

また地図描画部１４は、下側領域と上側領域の間に、地図画像を表示しない帯状領域を確保しており、表示位置を任意に変更可能な情報（現在時刻や方角等）をこの帯状領域に配置する。 - 特許庁

To provide an optical sensor circuit capable of widely utilizing a dynamic range of a linear region of an input output characteristic curve of a CMOS inverter by effectively using the linear region in the optical sensor circuit for using the CMOS inverter to amplify an optical current.例文帳に追加

ＣＭＯＳインバータで光電流を増幅する光センサ回路でＣＭＯＳインバータの入出力特性曲線の線形領域を有効に使用し、線形領域のダイナミックレンジを広く利用できる光センサ回路を提供する。 - 特許庁

In the element 31, quantity of current flowing from one source/drain diffusion region to the other source/drain diffusion region upon application of a voltage to the gate electrode 3 can be varied depending on the quantity of charges held in the charge holding section 10.例文帳に追加

素子３１では、電荷保持部１０に保持された電荷の多寡により、ゲート電極３に電圧を印加した際の一方のソース／ドレイン拡散領域から他方のソース／ドレイン拡散領域に流れる電流量を変化させ得る。 - 特許庁

To provide a light-emitting element capable of taking out light from a visible region to an ultraviolet region from the side of substrate by employing a Ga_2O_3 substrate and reducing an increase in current density, and excellent in the take-out efficiency of light from the side of the substrate.例文帳に追加

Ｇａ_２Ｏ_３基板を用いて可視領域から紫外領域の光を基板側からも取り出すことが可能で、電流密度の増加が少なく、基板側からの光の取り出し効率に優れた発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a superjunction Schottky barrier diode including a parallel p-n layer where a first-conductivity region and a second-conductivity region are alternately arranged, the Schottky barrier diode relaxing a surface electric field and reducing a leakage current.例文帳に追加

第一導電型領域と第二導電型領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を備える超接合ショットキーバリアダイオードにおいて、表面電界を緩和し、漏れ電流の低減するショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser element 10 includes an n-type semiconductor region 12, an un-doped semiconductor layer 14 containing an active layer 44, a current constricting layer 16 having an opening 16a extending in a predetermine direction, and a p-type semiconductor region 18.例文帳に追加

半導体レーザ素子１０は、ｎ型半導体領域１２と、活性層４４を含むアンドープ半導体層１４と、所定方向に延びる開口１６ａを有する電流狭窄層１６と、ｐ型半導体領域１８とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents increases of parasitic transistor performance, a leak current, and a capacity between a gate electrode and a source region and a drain region, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、寄生トランジスタ動作、ゲート電極とソース領域及びドレイン領域との間のリーク電流及び容量の増大を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Accordingly, the excessive injection of the free carrier (positive hole) from the gate region 9 is inhibited, and a large number of free carriers (electrons) can be injected from the source region 4, thus easily obtaining a desired DC signal current amplification factor.例文帳に追加

その結果、ゲート領域９からの自由キャリア（正孔）の過剰な注入を抑止し、ソース領域４から多量の自由キャリア（電子）を注入することができ、所望の直流信号電流増幅率を容易に得ることができる。 - 特許庁

To provide a nitride compound semiconductor light emitting element of a constitution in which occurrence of a leakage current is suppressed by utilizing the quality of a semiconductor substrate periodically having a high density fault region in a low density fault region.例文帳に追加

低密度欠陥領域内に高密度欠陥領域を周期的に有するという半導体基板の特質を利用して、リーク電流の発生を抑制した構成の窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Since the vicinity of the contact plane with the second oxide semiconductor satisfying the above condition serves as a region with extremely low carrier concentration (pre-I type region), the off current can be reduced by using that part as a channel.例文帳に追加

上記の条件を満たす第２の酸化物半導体との接触面近傍においては、極めてキャリア濃度の低い領域（準Ｉ型領域）となるので、その部分をチャネルとすることにより、オフ電流が低減できる。 - 特許庁

A current path in the semiconductor layer 13 at the time of on operation goes through a region close to a side surface of the trench groove 30 without substantially going through a surface region of the semiconductor layer 13 between the source electrode 52 and the drain electrode 53.例文帳に追加

半導体層１３におけるオン動作時の電流経路は、ソース電極５２とドレイン電極５３の間の半導体層１３の表面領域を実質的に経由せず、上記トレンチ溝３０の側面近傍を経由する。 - 特許庁

A current passing through the P-type region 7b in the periphery of the channel is controlled by a PN junction formed by the first and second N-type regions and the P-type source region 14 so as to stabilize the characteristics of the PMOSTFT.例文帳に追加

第１および第２のＮ型領域とＰ型であるソース領域１４に形成されるＰＮ接合によってチャネル部周辺のＰ型領域７ｂを通過する電流を抑制し、ＰＭＯＳＴＦＴの特性を安定化する。 - 特許庁

To provide a method of forming periodically polarization-inverted structure for forming a polarization-inverted structure while suppressing the generation of a leak current and for uniformly forming shapes of polarization-inverted region and non-polarization-inverted region of a periodically polarization-inverted structure.例文帳に追加

リーク電流の発生を抑えて分極反転構造を形成することが可能であり、周期的分極反転構造の分極反転領域及び非分極反転領域の形状を均一に形成することが可能である。 - 特許庁

To improve the visibility, when the ratio of a determination region to a measurement region becomes smaller, in an analog meter as a means for inexpensively improving the visibility of measurement signals of length, load, voltage, current, etc.例文帳に追加

長さ・荷重・電圧・電流等の測定信号の視認性を安価に向上させる手段としてアナログメータがあるが、測定領域に対する判定領域の割合が小さくななった場合の視認性の改善が課題である。 - 特許庁

Although the current Tokaido takes a different route in some sections, its function of linking eastern Japan with western Japan (or the Kanto region with the Kansai region) has been the same since the Ritsuryo period, which means the route of the Tokaido is still indispensable for Japan today. 例文帳に追加

部分的に異なる経路を歩むが、東日本と西日本（関東地方と近畿地方）を結ぶ機能は律令時代から同じであり、現在においても東海道の径路は、日本に必要なものであることを示している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Accordingly, an abnormal resistance preventing smooth flow of current on the gate electrode 24 of the boundary line between the N-type region 14 and the P-type region 16 can be prevented without physically increasing the gate width of the gate electrode 24.例文帳に追加

したがって、ゲート電極２４のゲート幅を物理的に大きくしなくても、Ｎ型領域１４とＰ型領域１６の境界線上のゲート電極２４で電流が流れにくくなる抵抗異常の発生を抑制できる。 - 特許庁

Since a barrier, which is formed by the depletion region, enhances more the current stopping power of the P-N junction part between a body and the drain, a P-type body region can be shallow formed by a low-concentration doping, without generating the problem of punch through.例文帳に追加

空乏領域によって生成されるバリヤがボディ−ドレイン間ＰＮ接合部の電流阻止能力を一層高めるので、Ｐ型ボディ領域を、パンチスルーの問題を生じさせずに低濃度ドープで浅く作ることができる。 - 特許庁

An LDD region for a current control TFT 4804 is so formed as to be partially or wholly superposed on a gate electrode and has a structure of giving a priority to the securement of the on current value and the prevention of hot carrier injection.例文帳に追加

電流制御用ＴＦＴ４８０４のＬＤＤ領域は、その一部又は全部がゲート電極に重なるように形成されており、オン電流値の確保と、ホットキャリア注入の防止に重点を置いた構造となっている。 - 特許庁

To obtain a constant current source circuit for ensuring an output impedance of a constant current source portion even in a high-frequency region and suppressing deterioration of a common mode rejection ratio of a differential amplifier circuit, and to provide the differential amplifier device.例文帳に追加

高周波領域でも、定電流源部の出力インピーダンスを確保して、差動増幅回路の同相信号除去比の低下を抑えることができる定電流源回路及び差動増幅装置を得ることを目的とする。 - 特許庁

To reduce contact resistance of an electrode formed on the ridge stripe including a current non-injection region, to suppress discontinuous hops that appear in current-optical output characteristics, and to implement a high output operation.例文帳に追加

電流非注入領域を有するリッジストライプ上に形成される電極の接触抵抗を低減し、且つ電流−光出力特性に生じる不連続な跳びを抑制すると共に、高出力動作を行えるようにする。 - 特許庁

Metal foil 1 is arranged on the surface of a single side coated part of a positive current collector 2 out of the electrode body forming the outermost peripheral part of the wound body and joined and fixed to the region of the single surface coated part of the positive current collector 2.例文帳に追加

捲回体の最外周部をなす電極体のうちの、正極集電体２の片面塗布部の表面に金属箔１を配置して、その正極集電体２の片面塗布部の領域に接合固定させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a small leakage current in a current inhibition region and can perform a high-output operation and a high-temperature operation without causing difficulties in a step of fabricating the semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、電流阻止領域のリ−ク電流が小さく、高出力動作や高温動作が可能な半導体装置を、該半導体装置の作製工程に困難を生じさせることなく提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, the value of the electric current flowing through the secondary transferring device 30 is measured at a non-paper passing region during the secondary transferring operation, and whether the secondary transferring voltage value (corrected value) is further corrected or not is judged from the obtained electric current value.例文帳に追加

そして二次転写動作実行中の非通紙領域にて二次転写装置３０に流れる電流値を測定し、得られた電流値から二次転写電圧値(補正値)をさらに補正すべきか否かを判断する。 - 特許庁

To provide a navigator for constantly recognizing a current position even in a map scroll operation and for displaying an area near the current position in an extremely large screen region.例文帳に追加

地図スクロール操作時に於いても現在位置を常に認識可能とし、且つ通常の現在位置表示を行う際には現在位置付近を極力大きい画面領域で表示することが可能なナビゲーション装置を提供することにある。 - 特許庁

When an ESD phenomenon occurs, the region having the higher resistivity increases the current It2 which starts a thermal breakdown by destructive local heating by increasing the current gain of a parasitic lateral npn bipolar transistor.例文帳に追加

ＥＳＤ現象が生じた場合、抵抗率のより高いこの領域は寄生横方向ｎｐｎバイポーラトランジスタの電流利得を大きくし、よって破壊的な局部的加熱による熱ブレークダウンを開始する電流Ｉｔ２を上昇させる。 - 特許庁

In a blanking period of a video signal, an element driving transistor for controlling a driving current supplied to an EL element is operated in its saturation region, and a cathode current in setting the EL element to an emission level is detected.例文帳に追加

映像信号のブランキング期間において、ＥＬ素子に供給する駆動電流を制御するための素子駆動トランジスタをその飽和領域で動作させ、かつＥＬ素子を発光レベルとしたときのカソード電流を検出する。 - 特許庁

When the closing time of either of the switching devices is not within the current detection permission region, the phase currents of the remaining two phase coils are obtained from the stored relation, the terminal voltage obtained, the motional electromotive force obtained, and the phase current detected.例文帳に追加

何れか一方の閉じ時間が電流検出許容域にない時は、その記憶した関係と、求めた端子電圧と、求めた速度起電力と、検出相電流から、残りの２相のコイルの相電流を求める。 - 特許庁

And, after the current detection period of the predetermined number α passed, the abnormality detection part, collectively for the current value of each phase Ix_1,...,Ix_n which are stored in the storage region, carries out an abnormality determination based on a summation of three phases (U,V,W).例文帳に追加

そして、当該所定数αの電流検出周期が経過した後、まとめて、その記憶領域に記憶した各相電流値Ｉx_１，…，Ｉx_nについて、三相（Ｕ，Ｖ，Ｗ）の総和に基づく異常判定をまとめて実行する。 - 特許庁

Since the summed duty value (pwm_sum) is increased in the low current region near the switching point of step-up operation and step-down operation, the voltage value of a DC bus 19 can be kept within a certain range with excellent current response.例文帳に追加

合算デューティ値(pwm_sum)は、昇圧動作と降圧動作の切替点付近における低電流領域において増大されるため、電流応答性が良好でＤＣバス１９の電圧値を一定の範囲内に保持することができる。 - 特許庁

The display form constitution part 33 constitutes a display form corresponding to a current region of the working machine acquired from the current position determining part 32, and a display screen control part 34 displays in the display part 2 in the display form automatically.例文帳に追加

表示態様構成部３３は、現在位置判定部３２から取得された作業機の現在の地域に応じた表示態様を構成し、表示画面制御部３４は自動的に当該表示態様で表示部２に表示を行なう。 - 特許庁

A transfer bias supplied to a divided region that the width-directional end of the transfer material is opposed to among a plurality of divided regions of a transfer roller 7 is brought under constant-current control to a control current value Ix satisfying equation (1) Ix=I×k+IO×(t-k).例文帳に追加

転写ローラ７の複数の分割領域のうち、転写材の幅方向端部が対向する分割領域に供給される転写バイアスは、次の（１）式を満たす制御電流値Ｉｘに定電流制御される。 - 特許庁

This light emitting diode overcomes a current concentration phenomenon, and can embody the uniform light emission of high illuminance by assuring a wide light emitting area while incorporating uniform current density in the entire light emitting region.例文帳に追加

本発明は電流集中現象を克服し全発光領域において均一な電流密度を有するようにさせながら広い発光面積を確保することにより均一且つ高輝度の発光を具現することができる。 - 特許庁

To effectively suppress a high frequency current and to prevent the temperature rise caused by the high frequency current, in the catheter used in the imaging region of a magnetic resonance imaging apparatus.例文帳に追加

本発明の目的は、磁気共鳴映像装置の撮像領域内で使われる磁気共鳴映像装置用カテーテルにおいて、効果的に高周波電流を抑圧し、そしてそれに起因していた温度上昇を防止することにある。 - 特許庁

Ion current values during fuel supply under various operated conditions are detected (S101) and ion current values learned during fuel cut are read out of a region of a learned value table corresponding to the operated conditions (S102).例文帳に追加

種々の運転状態下における燃料供給時のイオン電流値を検出し（Ｓ１０１）、学習値テーブルの該当運転状態に対応する領域から燃料カット時に学習したイオン電流値を読み出す（Ｓ１０２）。 - 特許庁

To provide a protection circuit for superconducting magnet equipment, by which the quench of a superconducting magnet 10 can be avoided even when current-feed stopping due to an interruption of power supply occurs in superconducting magnet equipment where a current is supplied via current leads 6A, 6B made of oxide superconductors from a power 1 for excitation arranged in a room temperature region to the superconducting magnet 10 arranged in a cold temperature region 9.例文帳に追加

室温領域に配置された励磁用電源１から、低温領域９に配置された超電導マグネット１０に酸化物超電導体製電流リード６Ａ，６Ｂを介して電流を供給する超電導マグネット装置において、停電による電流供給停止が発生した場合でも超電導マグネット１０のクエンチを回避できるようにした、超電導マグネット装置の保護回路を提供すること。 - 特許庁

The uncooled infrared image sensor has a heat-sensitive pixel region including heat-sensitive pixels arranged in matrix on a semiconductor substrate and having the current characteristics which change depending on the amount of infrared rays received, and a device region having at least one of a drive circuit for driving the pixel region and a read circuit for detecting a signal from the pixel region.例文帳に追加

実施形態の非冷却赤外線撮像素子は、半導体基板上にマトリクス状に配列され、赤外線の受光量に応じて電流特性が変化する感熱画素を含む感熱画素領域と、少なくとも、当該画素領域を駆動する駆動回路および当該画素領域からの信号を検出する読み出し回路のうちの一方を有するデバイス領域と、を有している。 - 特許庁

To enhance breakdown voltage and avalanche resistance by preventing concentration of avalanche current to a corner of the channel region of cell structure of an FET having a square second conductivity channel region in the surface layer of a first conductivity semiconductor substrate, a heavily doped well region in the central part thereof, a first conductivity source region in the surface layer, and an MOS structure on the surface.例文帳に追加

第一導電型の半導体基板の表面層に、方形の第二導電型チャネル領域、その中央部に高不純物濃度のウェル領域、表面層に第一導電型ソース領域、さらに表面上のＭＯＳ構造を備えたＦＥＴのセル構造のチャネル領域の角部へのアバランシェ電流の集中を防ぎ、耐圧、アバランシェ耐量を向上させる。 - 特許庁

As a constitution of the solid-state imaging element provided with an optical black region 1 including a pixel unit for compensating for dark current and an imaging region 2 including the pixel unit which is effective for extraction of images, level difference in the optical black is reduced by giving difference between the charge voltage converting efficiencies of the pixel units of the optical black region and imaging region.例文帳に追加

暗電流補正用の画素部を有するオプティカルブラック領域１と、画像の取り込みに有効な画素部を有する撮像領域２とを備える固体撮像素子の構成として、オプティカルブラック領域の画素部の電荷電圧変換効率と、撮像領域の画素部の電荷電圧変換効率とに差を持たせることにより、オプティカルブラック段差を低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce the collector resistance of a bipolar transistor having an intrinsic emitter region, intrinsic base region and intrinsic collector region arranged in the vertical direction in a thin SOI layer of several tens to several hundreds of nanometers, and avoid deteriorating characteristics due to current concentration on the intrinsic collector region.例文帳に追加

本発明は、厚さ数１０ｎｍ〜数１００ｎｍ程度の薄膜ＳＯＩ層中に、トランジスタの真性エミッタ領域、真性ベース領域及び真性コレクタ領域が垂直方向に配列しているバイポーラ・トランジスタのコレクタ抵抗の低減と、この真性コレクタ領域での電流の集中による特性劣化を防ぐことができる半導体装置を提供することである。 - 特許庁

A cell includes a current source including: a transistor M1-1 arranged in a region 10-1 and connected to either a power source or ground; a transistor M2-1 arranged in a region 20-1 and directly or indirectly cascode-connected to the transistor M1-1; and metal wiring L-1 for electrically connecting the region 10-1 and the region 20-1.例文帳に追加

セルは、領域１０−１に配置され電源及びグランドのいずれか一方に接続されるトランジスタＭ１−１と、領域２０−１に配置されトランジスタＭ１−１と直接的または間接的にカスコード接続されるトランジスタＭ２−１と、領域１０−１と領域２０−１とを電気的に接続する金属配線Ｌ−１とを含む電流源を含む。 - 特許庁

The optical waveguide is divided into three areas, and each area consists of a gain region 101 including an active layer 113 performing radiative recombination, a phase control region 102 for controlling the phase of a waveguide light, and a DBR region 103 having a diffraction grating layer 115a for generating a change in refractive index by applying a current, and a DBR region having a function of selecting an oscillation frequency.例文帳に追加

光導波路は３領域に分割され、発光再結合する活性層１１３を含む利得領域１０１、導波光の位相を制御する位相制御領域１０２、電流注入により屈折率変化を生じる回折格子層１１５ａを有し、発振波長を選択する機能を持つＤＢＲ領域１０３から構成されている。 - 特許庁

A region whose electric characteristics in a sample are to be measured is set to be a blanking region, the number of direct irradiation of charged particles is set to one or none, and the current position of a probe tip is calculated from an image obtained in the past or an image at a peripheral region, thus bringing the probe into contact with a target location.例文帳に追加

試料の電気特性測定対象領域をブランキング領域とし、直接荷電粒子を照射する回数を１回ないし皆無にした上で、過去に得られた画像あるいは周辺領域の画像から探針先端の現在位置を演算することで探針を目的の場所に接触させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of avoiding the occurrence of an undesirable hump phenomenon by a response of drain current Id by gate voltage Vg by a parasitic transistor to be generated in an edge portion of an active region adjacent to an interface between an isolation region and the active region.例文帳に追加

素子分離領域と活性領域との界面に隣接した活性領域のエッジ部分に生じる寄生トランジスタによって、ゲート電圧Ｖｇによるドレイン電流Ｉｄの応答で好ましくないハンプ現象の発生を回避することができる半導体素子半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The air-fuel ratio learning value is set for each region of air-fuel ratio learning divided according to the engine load, and when the feedback correction factor converges into the specified range within the air-fuel ratio learning region corresponding to the current engine load, learning of the air-fuel ratio learning value in the applicable air-fuel ratio learning region is completed.例文帳に追加

この空燃比学習値は、機関負荷に応じて区分される空燃比学習領域毎にそれぞれ設定され、現在の機関負荷に対応した空燃比学習領域にてフィードバック補正係数が上記所定範囲内に収束したとき、同空燃比学習領域での空燃比学習値の学習が完了する。 - 特許庁

As described above, electron mobility of a channel region can be improved by applying different stresses to both FET element regions 30a, 30b in order to improve drain current.例文帳に追加

こうして、互いに異なる応力を両ＦＥＴ素子領域３０a,３０bに作用させてチャネル領域の電子移動度を向上させ、ドレイン電流を向上させる。 - 特許庁