「charge region」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A charge storage region SR comprising a multilayer of different kinds of gate insulation film (oxide film/nitride film/oxide film; ONO film) is provided between the control gate CG and a substrate 10.例文帳に追加

コントロールゲートＣＧと基板１０の間には異なる種類のゲート絶縁膜の積層（酸化膜／窒化膜／酸化膜；ＯＮＯ膜）でなる電荷蓄積領域ＳＲが設けられている。 - 特許庁

The multiple-gate memory cell includes a continuous, multiple-gate channel region 58 beneath the plurality of gates 50, 51 in the series, with charge storage locations between some or all of the gates.例文帳に追加

マルチゲート型メモリセルは、直列における複数のゲート５０，５１の下の、連続したマルチゲートのチャネル領域５８を含み、電荷蓄積位置がゲートのうちのいくつかまたはすべての間にある。 - 特許庁

The region coming in contact with the electrolyte out of surfaces of the negative active material particles is covered with the oxide-containing film to increase chemical stability of the negative electrode 22 to improve charge-discharge efficiency.例文帳に追加

負極活物質粒子の表面のうち電解液に接する領域を酸化物含有膜で覆い、負極２２の化学的安定性を高めて充放電効率を向上させる。 - 特許庁

When the toner left after transfer accumulating in the upstream part of the charge nip is discharged onto a non-image-forming region, the device 7 is turned off so that the potential contrast decreases.例文帳に追加

これに対して、帯電ニップ上流部に溜まった転写残トナーを非画像形成領域へ吐き出すとき、前記電位コントラストが小さくなるように、帯電前露光装置７をオフする。 - 特許庁

With this structure, when a surge occurs between the pads 5 and the power supply, the electrical charge which may be a trigger of latching up of the outside device region 4 can be absorbed through the n-well 10.例文帳に追加

この構成によれば、パッド５と電源との間にサージが発生した場合、外側素子領域４のラッチアップのトリガとなる電荷をＮウェル１０を介して吸収できる。 - 特許庁

By this constitution, the charge time of the molded corrugating medium becomes long, and the molded corrugating medium is stably attracted to the corrugating roll over the region from the corrugating nip part to the bonding nip.例文帳に追加

これによって、段成形中芯紙の帯電時間が長くなって、段成形ニップ部から貼合ニップ部までの間安定して段成形中芯紙が段ロールに吸着される。 - 特許庁

To reduce the variation in gain between units of a multi-port and charge-multiplying solid-state imaging device in which signals based on charges from an imaging region are output from the plurality of units.例文帳に追加

撮像領域からの電荷に基づく信号を複数のユニットから出力するマルチポート型且つ電荷増倍型の固体撮像装置のユニット間のゲインのバラツキを低減する。 - 特許庁

By turning on a transistor T12 in an active region in a standby state, an auxiliary voltage Vc2 to be supplied from a charge pump circuit 24 to a node N11 is kept at about 4V.例文帳に追加

スタンバイ状態において、トランジスタＴ１２を活性領域でオン動作させることにより、チャージポンプ回路２４からノードＮ１１に与えられる補助電圧Ｖc2が約４Ｖに維持される。 - 特許庁

The semiconductor storage device further comprises a refresh controlling circuit executing refresh operation for preventing loss of the retention data of the plurality of memory cells caused by the charge accumulated in the body region of the MOS transistor.例文帳に追加

さらに、ＭＯＳトランジスタのボディ領域に蓄積された電荷により生じる複数のメモリセルの保持データの消失を防ぐリフレッシュ動作を実行するリフレッシュ制御回路を備える。 - 特許庁

By making the electrons emitted to the space 30 collide with the n^+-type impurity region 2b of the p-type silicon substrate 1, the number of electrons can be increased which constitute signal charge.例文帳に追加

そして、空間部３０に放出された電子をｐ型シリコン基板１のｎ^＋型不純物領域２ｂに衝突させることにより信号電荷を構成する電子数を増加させる。 - 特許庁

Charge is accelerated in the vertical direction to the substrate such as substrate hot electron, secondary collision ionized hot electron, or the like, or a step 1b is made at the surface of the channel formation region 1a.例文帳に追加

基板ホットエレクトロン、２次衝突電離ホットエレクトロンなど基板と垂直方向に電荷を加速させる、あるいは、チャネル形成領域１ａの表面に段差１ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a design of a heterostructure which can increase the number of charge carriers utilizable in quantum well layers in an active region, for a group III nitride light emitting device such as a light emitting diode.例文帳に追加

本発明は、発光ダイオード等のIII族窒化物発光デバイスのための、活性領域の量子井戸層で利用可能な電荷キャリア数を増加できるヘテロ構造デザインを提供する。 - 特許庁

After an n-type semiconductor region 6 is formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1Sub, a memory gate electrode MG and the charge storage layer CSL of a split-gate type memory cell are formed thereon.例文帳に追加

半導体基板1Subの主面にｎ型の半導体領域６を形成した後、その上にスプリットゲート型のメモリセルのメモリゲート電極ＭＧおよび電荷蓄積層ＣＳＬを形成する。 - 特許庁

In the charge restriction reinforcing region 380, the charging power limit value Win-t is set smaller than the discharge power limit value Wout-t.例文帳に追加

そして、充電制限が強化される充電強制限領域３８０では、充電電力制限値Ｗｉｎ−ｔは、放電電力制限値Ｗｏｕｔ−ｔよりも小さい値とされる。 - 特許庁

The same effect is obtained in a constitution that the charge accumulation region is formed by applying a bias voltage on a second surface side (on the gate insulating layer non-forming side) of the thin film semiconductor layer 12.例文帳に追加

薄膜半導体層１２の第二面側（ゲート絶縁層非形成側）に、バイアス電圧を印加することで電荷蓄積領域を形成する構成も同様の効果を有する。 - 特許庁

In the non-volatile semiconductor memory device, a charge accumulation layer is eliminated from element isolation regions and from an insulation region between a memory transistor and a select transistor to prevent electric charges from being injected and accumulated in these regions.例文帳に追加

素子分離領域、及びメモリトランジスタと選択トランジスタとの間の絶縁領域中の電荷蓄積層をなくして同部に電荷が注入または蓄積されないようにする。 - 特許庁

Further, by embedding the gate electrode in the substrate, a barrier to dark current is arranged between a charge transmission path formed below the gate electrode and a side wall of an element isolation region 12.例文帳に追加

また、ゲート電極を基板内に埋め込むことで、ゲート電極下に形成される電荷転送路と素子分離領域１２の側壁との間に、暗電流に対する防壁を設ける。 - 特許庁

Thus, all pixels in the effective pixel region are reset at prescribed respective timing, causing no pixel where electric charge is continuously accumulated with no resetting.例文帳に追加

これにより有効画素領域内の全ての画素は、それぞれ所定のタイミングで画素リセットが行われるようにし、リセットされずに継続して電荷が蓄積される画素は発生しないようにする。 - 特許庁

In a pixel array part of a CMOS image sensor, a plurality of unit pixels 211A including a photodiode 221, a memory part 223, a floating diffusion region 225 and a charge discharging part 230 are lined.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード２２１、メモリ部２２３、浮遊拡散領域２２５、電荷排出部２３０を備える単位画素２１１Ａが複数配列されている。 - 特許庁

Being a member of Hyojosho (conference chamber) as well as Kanjo-bugyo and Machi-bugyo, Jisha-bugyo was in charge of litigation regarding not only temples and shrines, but also many territories, except for Kanhasshu (the Eight Provinces of the Kanto region). 例文帳に追加

勘定奉行・町奉行と共に評定所を構成し、寺社領のものの他に関八州以外の地における複数の知行地にまたがる訴訟を担当した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The charge storage layer is formed at the first side part of the gate of the first conductivity type substrate and between the second conductivity type drain region and the gate.例文帳に追加

１つの電荷蓄積層は、第１の１つの導電型基板の１つのゲートの第１の１つの側部に且つ第２の１つの導電型ドレイン領域と１つのゲートとの間に形成される。 - 特許庁

In the manufacturing method, after the formation of the second transfer electrode, the impurity diffusion region for charge storage is formed by self alignment by ion implantation using the second transfer electrode as a mask.例文帳に追加

本発明の製造方法では、第２転送電極を形成後、第２転送電極をマスクとしたイオン注入により、電荷蓄積用不純物拡散領域をセルフアラインで形成する。 - 特許庁

The regulator is arranged in an external input/output circuit region 2 allocated to the semiconductor chip 1 and one charge pump circuit is allocated to the plurality of output transistors.例文帳に追加

本発明のレギュレータは半導体チップ（１）に割り当てられた外部入出力回路領域（２）に配置され、複数の出力トランジスタに１個のチャージポンプ回路が割り当てられている。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device capable of prolonging the effective distance between a transfer channel region and a photodiode portion, thereby securing PD capacity, i.e. a storage amount of signal charge at the photodiode portion.例文帳に追加

転送チャネル領域とフォトダイオード部との実効距離を長くし、ＰＤ容量、つまりフォトダイオード部での信号電荷の蓄積量を確保することができる固体撮像装置を得る。 - 特許庁

The multigate memory cell is provided with a continuous multigate channel region below the plurality of continuous gates along with a charge storage position between respective gates.例文帳に追加

多重ゲートメモリセルは、いくつかの、またはすべての前記ゲートの間の電荷蓄積位置と共に、連続した前記複数のゲートの下方に、連続した多重ゲートチャネル領域を具備する。 - 特許庁

Access information such as an access date, the number of pages and the charge on main information processed by an access information processing part 34B is recorded on the second UTOC region of a disk 12.例文帳に追加

アクセス情報処理部３４Ｂによって処理された主情報に対するアクセスの日付，ページ数，料金などのアクセス情報は、ディスク１２の第２ＵＴＯＣ領域に記録される。 - 特許庁

The solid-state image-sensing device comprises a pn-junction sensor part 111, a device isolation layer for trench isolation for isolating the sensor part into pixels, and a semiconductor region formed protruding from the device isolation layer toward the sensor part and having a conductivity type opposite to that of a charge accumulation region of the sensor part.例文帳に追加

固体撮像装置は、ｐｎ接合型のセンサ部と、センサ部を画素分離するトレンチ分離による素子分離層と、素子分離層からセンサ部側に張出して形成されたセンサ部の電荷蓄積領域とは逆導電型の半導体領域とを有する。 - 特許庁

Charge is repeatedly read only from a moving object region corresponding to a moving object in an imaging element 18 in accordance with movement of the moving object region until an exposure time from the start of exposure reaches a prescribed time, so that a plurality of first images are obtained.例文帳に追加

露光開始から露光時間が所定の時間に達するまで、撮像素子１８における動体に対応する動体領域のみからの電荷の読み出しを、動体領域の移動に対応して繰り返し行うことにより複数の第１の画像を取得する。 - 特許庁

The Fermi level of the floating gate electrode 6 resides in the forbidden band of the channel region in a state that an external voltage is not applied between the channel region 4 and the control gate electrode 8 in state that an electric charge is injected in the floating gate electrode 6.例文帳に追加

フローティングゲート電極６に電荷が注入された状態において、チャネル領域４とコントロールゲート電極８との間に外部から電圧を印加しない状態のときに、フローティングゲート電極６のフェルミ準位がチャネル領域の禁制帯の中に位置する。 - 特許庁

In this case, after a revise bias voltage between the electric charge detection region and the surrounding regions therearound is greater to a degree of completely depleting the region with the lower impurity concentration between the both, the growth of the depletion layer is slow with respect to the increase in the reverse bias voltage.例文帳に追加

この場合、電荷検出領域とその周囲との間の逆バイアス電圧が、両者間の不純物濃度が低い領域を完全空乏化する程度に大きくなった後では、逆バイアス電圧の増大に対する空乏層の伸び方は緩やかになる。 - 特許庁

To keep combustion in a proper state by preventing the disruption of a balance between the strength of tumble flow and the penetration force of fuel spray in shifting from a stratified charge combustion region to a uniform combustion region, in a spark ignition type direct-injection engine for realizing stratification by using the tumble flow.例文帳に追加

タンブル流を利用して成層化を図る火花点火式直噴エンジンにおいて、成層領域から均一領域への移行時に、タンブル流の強さと燃料噴霧の貫徹力とのバランスが崩れることを防止し、燃焼状態を良好に保つ。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device of low-consumption electric power by which the photo-receiving efficiency of a photoelectric transfer part is improved by reducing the thickness of an electric charge transfer electrode region and high-speed and high-sensitivity transfer can be performed without lowering a withstand voltage between the electric charge transfer electrodes.例文帳に追加

電荷転送電極領域の厚さを薄くして、光電変換部の受光効率を向上させるとともに、電荷転送電極間の電気的耐圧を劣化させることなく、高速かつ高感度の転送が可能で低消費電力の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

In a conventional CCD solid-state imaging device, the potential of an n-type impurity zone of a vertical charge transfer (charge transfer region) is pulled up at its both sides with round shapes, which becomes a cause of deterioration of a transfer characteristic.例文帳に追加

従来のＣＣＤ固体撮像素子において、垂直電荷転送部（電荷転送領域）のｎ型不純物領域のポテンシャルは、隣接するｐ型不純物領域の影響によって両側が丸みを帯びた状態で引き上げられ、転送特性劣化の要因となる。 - 特許庁

The treatment of the livestock of the livestock waste water is performed by setting the pH of a solution containing the livestock waste water at a pH region where the surfaces of a photocatalyst takes on a positive charge in the copresence of an oxidizing agent and the photocatalyst and irradiating the solution with light including a wavelength to induce the charge separation of the photocatalyst.例文帳に追加

酸化剤と光触媒の共存下に、畜産排水を含む溶液のｐＨを該光触媒の表面が正電荷を帯びるｐＨ領域に設定し、該光触媒の電荷分離を引き起こす波長を含む光を照射して、畜産排水の処理を行う。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor manufactured by forming at least a photosensitive layer on a conductive substrate, the photosensitive layer is constituted of a structure composed of a region (charge transfer material) formed by using polysilane as a raw material and fine particles (charge generating material) consisting essentially of silicon.例文帳に追加

導電性基板上に、少なくとも感光層を形成してなる電子写真感光体において、前記感光層が、ポリシランを原料として作成される領域（電荷輸送材料）と、シリコンを主成分とする微粒子（電荷発生材料）とからなる構造によって構成されている。 - 特許庁

An output part 55 includes: a floating diffusion FD adjoiningly provided on a downstream side in the charge transfer direction of a transfer path 1; a source follower amplifier SFA outputting a signal according to a charge accumulated in the FD; and a transfer gate region 7 provided between the FD and the transfer path 1.例文帳に追加

出力部５５は、転送路１の電荷転送方向下流側の隣に設けられたフローティングディフュージョンＦＤと、ＦＤに蓄積された電荷に応じた信号を出力するソースフォロアアンプＳＦＡと、ＦＤと転送路１との間に設けられた転送ゲート領域７とを含む。 - 特許庁

When, for example, the resistance value of the load transistor 12 is varied in a state wherein an operating voltage Vin is applied to a control node which controls a channel, the detection transistor 11 varies an output line potential in timing corresponding to an accumulated charge amount in the charge accumulation region 101 according as the load resistance is varied.例文帳に追加

検出トランジスタ１１は、チャネルを制御する制御ノードに動作電圧Vinが印加された状態で、例えば負荷トランジスタ１２の抵抗値を変化させたときに、負荷抵抗の変化に従って、電荷蓄積領域１１の蓄積電荷量に応じたタイミングで出力線電位を変化させる。 - 特許庁

In the capacitor 10, when a charge is stored and when the stored charge is discharged, a current flows between the edge region 50B of a cathode land pattern 40B and the end 48b of an anode via 48, and a current also flows in a cathode electrode pattern 38B.例文帳に追加

本発明に係るコンデンサ１０においては、電荷が蓄えられる際、及び蓄えられた電荷が放電される際に、陰極ランドパターン４０Ｂの縁領域５０Ｂと陰極ビア４８の端部４８ｂとの間に電流が流れると共に、陰極電極パターン３８Ｂ内にも電流が流れる。 - 特許庁

The memory region AR1 includes a memory columnar semiconductor layer 35 which extends in a vertical direction, a charge storage layer 34b formed surrounding a side surface thereof, and first to fourth word line conductive layers 31a to 31d formed surrounding the charge storage layer 34c.例文帳に追加

メモリ領域ＡＲ１は、垂直方向に延びるメモリ柱状半導体層３５と、その側面を取り囲むように形成された電荷蓄積層３４ｂと、電荷蓄積層３４ｃを取り囲むように形成された第１〜第４ワード線導電層３１ａ〜３１ｄとを備える。 - 特許庁

To provide a toner for electrophotographic charge image development, the toner that is less likely to cause offsets over a wide temperature range, to cause winding, that is, having high fixing characteristics at a high-temperature region, sufficient fixing strength and superior melt-sticking resistance, and to provide a method for manufacturing a toner for electrostatic charge image development that is superior in formability.例文帳に追加

広い温度範囲において、オフセット現象が起こりにくく、かつ巻付き現象が起きにくい、すなわち高温側の定着特性に優れ、十分なる定着強度を有し、かつ耐融着性にも優れた静電荷像現像用トナーを提供することにある。 - 特許庁

To provide an image sensor in which when red, green and blue lights are made to be incident into each photodiode on a semiconductor substrate, a photo-charge by the red light is properly generated in an effective depletion region of the photodiode same as the photo-charge by the green and the blue lights, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

半導体基板の各フォトダイオードに赤色光、緑色光、青色光が入射されるとき、赤色光による光電荷が、緑色光、青色光による光電荷と同様、フォトダイオードの有効空乏領域に適正に生成されるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The charge holding portions 10A, 10B change the amount of electric current depending on the amount of the charge held in the portions 10A, 10B, the current flowing from one of the regions 17, 18 to the other through a channel region when voltage is applied to the gate electrode 13.例文帳に追加

そして、電荷保持部１０Ａ，１０Ｂは、電荷保持部１０Ａ，１０Ｂに保持された電荷の多寡に応じて、ゲート電極１３に電圧を印加したときにチャネル領域を介して第１，第２の拡散層領域１７，１８の一方から他方に流れる電流量を変化させる。 - 特許庁

To enable injected fuel to be contained in a cavity even when fuel is injected at an early stage, resulting in enlargement of an operation region where stratified charge combustion can be effected, in a cylinder direct injection type engine to produce stratified charge air-fuel mixture by injecting fuel directly in a cavity.例文帳に追加

キャビティ内に燃料を噴射することで成層混合気を形成する筒内直接噴射式エンジンにおいて、燃料が早期に噴射されても噴射された燃料をキャビティ内に収めることができるようにし、これによって成層燃焼を行なうことができる運転領域を拡大する。 - 特許庁

Then chlorine is introduced into a part 14b corresponding to a region of the charge block layer 14 right below the inter-cell insulation film 16, and the dielectric constant of the part 14b is made lower than that of a part 14a of the charge block layer 14 right below the control gate electrode 15.例文帳に追加

そして、電荷ブロック層１４におけるセル間絶縁膜１６の直下域に相当する部分１４ｂに塩素を導入し、部分１４ｂの誘電率を電荷ブロック層１４における制御ゲート電極１５の直下域に相当する部分１４ａの誘電率よりも低くする。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element of low-consumption electric power by which the photo-receiving efficiency of a photoelectric transfer part is improved by reducing the thickness of an electric charge transfer electrode region and high-speed and high-sensitivity transfer can be performed without deteriorating an electric breakdown voltage between the electric charge transfer electrodes.例文帳に追加

電荷転送電極領域の厚さを薄くして、光電変換部の受光効率を向上させるとともに、電荷転送電極間の電気的耐圧を劣化させることなく、高速かつ高感度の転送が可能で低消費電力の固体撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁