「charge region」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The user terminal 13 displays on a display device an outline image indicating positions of the plurality of points and a roughly calculated charge and receives input of image region determination data, on the basis of the displayed outline image and transmits the image region determination data to the satellite image distribution server device 11.例文帳に追加

利用者端末１３は、その複数地点の位置が示された概略画像と概算料金とを表示装置に表示し、その表示した概略画像に基づき、画像領域決定データの入力を受付け、その画像領域決定データを衛星画像配信サーバ装置１１へ送信する。 - 特許庁

Accordingly, a maintenance hysteresis management such as carrying-out region, date of maintenance, person in charge or the like is added to a partial carrying-out and carrying-on technique for large-scaled image data, whereby an optional region can be cut and composed, and the maintenance work of image data can be smoothly, quickly and economically executed.例文帳に追加

本発明によれば、大規模な画像データの部分的持出・持込み技法に、持出領域・メンテ日・担当者等のメンテナンス履歴管理を付け加えることで、任意の領域の切り出し、合成が可能となり、画像データのメンテナンス作業を円滑、迅速かつ経済的に実行可能となる。 - 特許庁

Each light-receiving element 21 includes the photodiode forming region PD, where the optically-generated electric charges corresponding to incident light are generated, and a detection transistor for detecting the electric charge amount of the optically-generated electric charges and arranged at the almost center in the photodiode forming region PD.例文帳に追加

各受光素子２１は、入射光に応じた光発生電荷を生成するフォトダイオード形成領域ＰＤと、光発生電荷の電荷量を検出する検出トランジスタであって、フォトダイオード形成領域ＰＤの略中央に配置された検出トランジスタとを含む。 - 特許庁

By using the ILD layer comprising at least two insulating layers and by removing a part of the layer in the storage capacitor region, a charge area in the storage capacitor can be reduced by an increase in the capacity of the storage capacitor, and the area of the light emitting region can be increased.例文帳に追加

これにより、少なくとも２層の絶縁層からなるＩＬＤ層を使用し、かつストレージキャパシタの領域では一部層が除去されることによって、ストレージキャパシタの容量の増大によるストレージキャパシタのチャージ面積の縮小が可能であり、発光領域の面積を拡大できる。 - 特許庁

The hydrogen storage alloy satisfying the conditions has inferior service life properties in the case of being charged/discharged in the critical region of charge/discharge depth (H/M=about 0.1 to 0.8), but has excellent performance in initial activity and service life properties (cycle properties) in the case of being charged/discharged in the central region.例文帳に追加

かかる条件を満足する水素吸蔵合金は、充放電深度の限界域間（Ｈ／Ｍ＝約０．１〜約０．８）で充放電される場合には寿命特性が悪いものの、中心領域で充放電される場合には初期活性、寿命特性（サイクル特性）ともに優れた性能を発揮する。 - 特許庁

On a p silicon substrate 1131, a charge holding region 1133 consisting of a microparticle diffusion region 1133a, a gate insulation film 1137 consisting of an SiO_2 film, and an n polysilicon electrode 1138 functioning as a gate electrode are stacked sequentially from below.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１１３１上には、微粒子分散領域１１３３ａからなる電荷保持領域１１３３、ＳｉＯ_２膜からなるゲート絶縁膜１１３７及びゲート電極として機能するｎ型多結晶シリコン電極１１３８が下から順次積み上げられている。 - 特許庁

This solid state imaging apparatus is provided with a pixel region 32 in which pixels including a photoelectric conversion part PD and a conversion part which converts charge generated by the photoelectric conversion part PD into a pixel signal are arrayed, and a wiring layer 44B of the pixel region 32 is formed so as to be shaped like a cross-sectional downward convex.例文帳に追加

光電変換部ＰＤと該光電変換部ＰＤにより生成された電荷を画素信号に変換する変換部とを含む画素が配列された画素領域３２を有し、画素領域３２の配線層４４Ｂが断面下凸形状に形成されて成る。 - 特許庁

A charge-detecting part has an n+ type FD region 1, which is formed continuous to the embedded channel of a horizontal CCD transfer part, and a potential change in the FD region 1 is transmitted to a gate electrode 70 of a drive transistor of a first stage via aluminum wiring 3 and electrode wiring 71.例文帳に追加

電荷検出部は、水平ＣＣＤ転送部の埋め込みチャネルに連続して形成されるｎ＋型ＦＤ領域１を有し、ＦＤ領域１の電位変化は、アルミニウム配線３、電極配線７１を介して初段ドライブトランジスタのゲート電極７０に伝えられる。 - 特許庁

The transfer control element TT comprises first and second transfer control elements Tr1 and Tr2, and electric charge holding region C1 which is provided between the first and second transfer control elements to hold electric charges.例文帳に追加

転送制御素子ＴＴは、第１及び第２の転送制御素子Ｔｒ１，Ｔｒ２と、第１及び第２の転送制御素子間に設けられた電荷を保持する電荷保持領域Ｃ１とを有する。 - 特許庁

Impurity concentration in a (p)-type impurity region 90 in a lower portion of electrode wiring 71 is set low, such that its surface becomes a depletion layer, which is depleted when operating the charge-detecting apparatus.例文帳に追加

電極配線７１下方部のｐ型不純物領域９０の不純物濃度が低く設定されるため、その表面は、電荷検出装置の動作時に空乏化する空乏化層となる。 - 特許庁

Then, a first light shielding film 41 is formed so as to cover the first transfer electrode 31 and to include a part facing the electric charge reading channel region 22 across the gate insulating film Gx.例文帳に追加

そして、第１遮光膜４１を、第１転送電極３１を被覆すると共に、電荷読出しチャネル領域２２にゲート絶縁膜Ｇｘを介して対面する部分を含むように形成する。 - 特許庁

A photoelectric conversion unit PD forms a signal charge based on incident light, where a global shutter operation exposes all pixels in a predetermined region at the same time.例文帳に追加

所定領域内の全ての画素における露光を同時に行うグローバルシャッタ動作を行うように構成された画素において、光電変換部ＰＤは、入射した光に基づく信号電荷を生成する。 - 特許庁

In an electric charge section of a solid-state imaging device, a plurality of unit pixels 131, each of which has a photodiode 141, a first CCD 142, a second CCD 143 and a floating diffusion region 145, are arranged two-dimensionally.例文帳に追加

固体撮像装置の電荷部には、フォトダイオード１４１と、第１ＣＣＤ１４２、第２ＣＣＤ１４３、浮遊拡散領域１４５とを備える複数の単位画素１３１が、２次元に配列される。 - 特許庁

To provide a back irradiation image sensor which can achieve separation of signal charge among different photoelectric conversion regions even when the depletion layer is made thick in the photoelectric conversion region.例文帳に追加

光電変換領域の空乏層を厚くした場合でも、異なる光電変換領域間での信号電荷の分離を確実に実現することが可能な裏面照射型撮像素子を提供する。 - 特許庁

An insulating layer, such as an oxide, is provided on the floating guard rings and a silicon carbide surface charge compensation region is provided between the floating guard rings and is adjacent to the insulating layer.例文帳に追加

酸化膜などの絶縁層が、これらのフローティングガードリング上に設けられ、炭化ケイ素表面電荷補償領域が、これらのフローティングガードリング間に設けられ、この絶縁層に隣接している。 - 特許庁

The range image sensor RS, which includes an imaging region that is composed of a plurality of two-dimensionally arranged units and provided on a semiconductor substrate 1, and which obtains a range image based on the charge amounts output from the units.例文帳に追加

距離画像センサＲＳは、２次元状に配置された複数のユニットからなる撮像領域を半導体基板１上に備え、ユニットから出力される電荷量に基づいて、距離画像を得る。 - 特許庁

A gate insulating film 103 made of the non-conductive charge trap layer, and a memory cell region having a memory cell made of a gate electrode and source/drain diffusion layers are formed on a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板１０１に、非導電性電荷トラップ層からなるゲート絶縁膜１０３、ゲート電極およびソース・ドレイン拡散層とからなるメモリセルを有するメモリセル領域を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a charge accumulation time of each pixel is changed for each frame, thereby effectively suppressing noise on a captured image caused by fixing a low-sensitivity pixel region on an imaging plane.例文帳に追加

また、フレーム毎に各画素の電荷蓄積時間を変更することで、感度の低い画素領域が撮像面上で固定されることにより発生する撮像画像上のノイズを効果的に抑制する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor capable of securing preferable charge transfer efficiency without any degradation of element uniformity by forming a double n-type ion implantation region, and provide a manufacturing method of the CMOS image sensor.例文帳に追加

ｎ型イオン注入領域を二重に形成することにより、素子の均一度の低下なく、良好な電荷移送効率を確保できるＣＭＯＳイメージ・センサー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 120 is formed on a semiconductor substrate 110 having a first refraction index, and then a plurality of transfer electrodes 130 are formed in a part over each electric charge transfer region 110b.例文帳に追加

第一の屈折率の半導体基板１１０上にゲート絶縁膜１２０を形成した後、各電荷転送領域１１０ｂの上方に当たる部分に複数の転送電極１３０を形成する。 - 特許庁

After an n-type semiconductor region 6 is formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1Sub, a memory gate electrode MG and the charge accumulation layer CSL of a split-gate type memory cell are formed thereon.例文帳に追加

半導体基板１Ｓｕｂの主面にｎ型の半導体領域６を形成した後、その上にスプリットゲート型のメモリセルのメモリゲート電極ＭＧおよび電荷蓄積層ＣＳＬを形成する。 - 特許庁

Thus, residual charge existing between the wafer W and the chuck 4 is moved toward the peripheral edge region of the wafer F, is released to a ground through a ring member 5 and accordingly can be rapidly destaticized.例文帳に追加

こうして両者の間に存在する残留電荷がウエハＷの周縁領域に向かって移動し、リング部材５を介してグランドに逃げて行くので、速やかに除電を行うことができる。 - 特許庁

When the amount of electric charges at the first and second positions X1 and X2 is added, an electric charge to be generated at a position in a width direction corresponding to one dead region can be complemented by the other.例文帳に追加

第１及び第２の位置Ｘ１，Ｘ２における電荷量を加算すると、一方の不感領域に対応する幅方向位置において発生すべき電荷は、他方で補完することができる。 - 特許庁

To provide a lithium secondary battery enhancing charge/discharge cycle characteristics by suppressing stress generating in the vicinity of a region where a current collector and an active material layer are closely contacted.例文帳に追加

集電体と活物質層とが密着している領域の近傍に発生する応力を抑制することにより、充放電サイクル特性を向上させることが可能なリチウム二次電池を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has an SOD (Spin On Dielectric) single-layer film of good quality free of an influence of fixed charge etc., and having excellent electric characteristics and also has a device isolation region for a micro-LSI process.例文帳に追加

固定電荷等の影響がなく電気的特性の優れた良質なＳＯＤ単層膜を備えた、微細ＬＳＩプロセス用の素子分離領域を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an AC type PDP (plasma display panel) in which the discharge charge amount Qd flowing by one display discharge in a unit emission region is established in an appropriate range for obtaining a high luminous efficiency.例文帳に追加

単位発光領域における一回の表示放電により流れる放電電荷量Ｑｄが、高い発光効率を得るための好適な範囲に設定されたＡＣ型ＰＤＰを提供する。 - 特許庁

To provide an alignment layer for an LCD which avoids the electro-optic defect region produced by nonuniform rubbing treatment and prevents the damage by electrostatic charge and the contamination of microparticles.例文帳に追加

不均一なラビング処理により生じる電気光学的欠陥領域を回避するとともに、静電帯電による損傷および微小粒子の汚染を防止した、ＬＣＤ用配向膜を提供する。 - 特許庁

In the nano-tube structure, in order to control the charge carriers to pass through the paths, there is a conductive band which is locally modified within the gate region doping or the like.例文帳に追加

前記ナノチューブ構造体には、前記パス内における電荷キャリアの通過を制御するために、例えばドーピングなどの手段によって前記ゲート領域内で局部的に修正された伝導帯がある。 - 特許庁

An insulation layer such as an oxide film is provided on these floating guard rings, and a silicon carbide surface charge compensation region is provided between these floating guard rings and is adjacent to the insulation layer.例文帳に追加

酸化膜などの絶縁層が、これらのフローティングガードリング上に設けられ、炭化ケイ素表面電荷補償領域が、これらのフローティングガードリング間に設けられ、この絶縁層に隣接している。 - 特許庁

The distance image sensor RS1 includes an imaging region comprising a plurality of units disposed one-dimensionally on a semiconductor substrate 1 and obtains a distance image based on the amount of charge output from the units.例文帳に追加

距離画像センサＲＳ１は、一次元状に配置された複数のユニットからなる撮像領域を半導体基板１上に備え、ユニットから出力される電荷量に基づいて、距離画像を得る。 - 特許庁

Each pixel comprises, at the surface of a semiconductor active layer 12, a photodiode region (PHD), a charge storage node 18 and a transfer structure for transferring charges from the photodiode to the storage node.例文帳に追加

各ピクセルは、半導体能動層１２の表面に、フォトダイオード領域（ＰＨＤ）、電荷蓄積ノード１８、およびフォトダイオードから蓄積ノードに電荷を転送するための転送構造を含んでいる。 - 特許庁

The taxi ticket 21 has entry columns for riding section and riding charge and a signature column for a taxi user and is provided with a truth display region 33 made of a magnetic body in a part of the ticket.例文帳に追加

タクシーチケット２１は、乗車区間や乗車料金等の記入欄や、タクシー利用者の署名欄を設けられており、その一部には磁性体からなる真正表示領域３３が設けられている。 - 特許庁

To obtain a process for fabricating a solid state imaging device in which the charge collecting region of a photodiode can be formed precisely such that projection below a transfer gate falls within a predetermined range.例文帳に追加

転送ゲート下部へのフォトダイオードの電荷収集領域の突き出し量が一定範囲内に収まるように、精度よく形成することができる、固体撮像装置の製造方法を実現する。 - 特許庁

A plurality of charge accumulating regions are formed in the form of a matrix with each column provided adjacent to one vertical transfer channel to the region defined in the more opposite direction to the first direction than the drain.例文帳に追加

ドレインよりも第１方向と反対方向側に画定された領域に、複数の電荷蓄積領域を行列状に、かつ各列が垂直転送チャネルの１本に近接するように形成する。 - 特許庁

When the defective part is a defective part generating a point defect by charge interference with a pixel electrode 20 in an adjacent pixel region, the defective part is further electrically cut from the drain wiring 5.例文帳に追加

不良箇所が隣接する画素領域の画素電極２０と電荷干渉して点欠陥を生じる不良箇所である場合には、さらに不良箇所をドレイン配線５から電気的に切断する。 - 特許庁

The integrated circuit device 1 includes a power source circuit block PB which generates a power source voltage by boosting the voltage by a charge pump using a capacitor for boosting, and a pad arrangement region arranged with pads.例文帳に追加

集積回路装置は、昇圧用キャパシタを用いたチャージポンプにより電圧を昇圧して、電源電圧を生成する電源回路ブロックＰＢと、パッドが配置されるパッド配置領域とを含む。 - 特許庁

Meanwhile, when the wiring length exceeds the standard wiring length because of a change in layout, the wiring is connected to the n-type diffusing layer region 32 to enable the discharge of the accumulated charge.例文帳に追加

一方、レイアウトの変更により配線の長さが標準配線長を超えることとなる場合には、当該配線をｎ型拡散層領域３２に接続し、蓄積電荷の放電を可能とする。 - 特許庁

In a display element which is equipped with a driver (transistor) and a display (liquid crystal panel), the driver is constituted of a memory transistor 20, which has an accumulation region 16 capable of charge accumulation.例文帳に追加

１の下地部１０上に駆動部（トランジスタ）および表示部（液晶パネル）を備える表示素子において、電荷を蓄積可能な蓄積領域１６を有するメモリトランジスタ２０により駆動部を構成する。 - 特許庁

To enlarge a stratified charge combustion operation region while reducing the exhaust of unburned HC by performing the stratification of an air-fuel mixture in low and medium load operation regions of an engine satisfactorily.例文帳に追加

機関の低，中負荷運転領域における混合気の成層化を良好に行わせることにより、未燃ＨＣの排出を低減させながら成層燃焼運転領域を拡大させることである。 - 特許庁

In the laminated electrophotographic photoreceptor having a charge generating layer and a charge transfer layer successively formed directly on a conductive supporting body or formed with an intermediate layer interposed, the electrophotographic photoreceptor is irradiated with semiconductor laser light having 400 to 450 nm wavelength as the addressing light, and the charge transfer layer contains at least a polymer type charge transfer material and transmits monochromatic light in 390 to 460 nm wavelength region.例文帳に追加

導電性支持体上に直接または中間層を介して電荷発生層、電荷輸送層を順次設けた積層型電子写真感光体において、該電子写真感光体が書込光として４００〜４５０ｎｍの波長を有する半導体レーザー光を照射され、且つ該電荷輸送層が少なくとも高分子型電荷輸送材料を含有し、且つ３９０〜４６０ｎｍ波長領域の単色光を透過することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The MONOS type memory cell of the nonvolatile semiconductor memory device includes a tunnel insulating film formed on the active region of a semiconductor substrate, a charge storage film formed continuously on the active region and an element isolation insulating film and having a function of storing electric charges, a block insulating film formed on the charge storage film, and a control gate electrode formed on the block insulating film.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のＭＯＮＯＳ型メモリセルは、半導体基板の活性領域上に形成されるトンネル絶縁膜と、活性領域上及び素子分離絶縁膜上に連続的に形成される電荷を蓄積する機能を有する電荷蓄積膜と、電荷蓄積膜上に形成されたブロック絶縁膜と、ブロック絶縁膜上に形成されるコントロールゲート電極とを備える。 - 特許庁

In a solid-state image pickup element 1, a PD impurity region 33, a charge multiplication region 35 and an output impurity region 37 are arranged in parallel on the lower side of a gate oxide film 39 along the lower face thereof, and a multiplication gate electrode 41 and a transfer gate electrode 43 are arranged in parallel on the upper side of the gate oxide film 39 along the upper face thereof.例文帳に追加

固体撮像素子１では、ゲート酸化膜３９の下面側に、その下面に沿って、ＰＤ不純物領域３３と電荷増倍領域３５と出力用不純物領域３７とを並列に配置するとともに、ゲート酸化膜３９の上面側に、その上面に沿って、増倍ゲート電極４１と転送ゲート電極４３とを並列に配置したものである。 - 特許庁

To provide a device that makes a driver bodily sense a charge state of a battery, and does not cause change of the charge state of the battery to cahnge a distance adjustment feeling of the driver and the acceleration performance of the vehicle, by an accelerator operation, in a case of a region of a low or high accelerator opening.例文帳に追加

運転者にバッテリの充電状態を体感させるとともに、アクセル開度が低い領域又は高い領域である場合においては、バッテリの充電状態の変化によって、アクセル操作による運転者の距離調整の感覚及び車両の加速性能を変化させない装置を提供する。 - 特許庁

A laminated insulation film B includes at least the tunnel insulation film 3 and the charge trap film 4 as its composition, with the tunnel insulation film 3 formed along the inner face of the element separating groove 2 and the charge trap film 4 laminated along the top face of the tunnel insulation film 3, and is embedded in the entire internal region of the element separating groove 2.例文帳に追加

積層絶縁膜Ｂは、トンネル絶縁膜３および電荷トラップ膜４を少なくとも含んで構成され、トンネル絶縁膜３が素子分離溝２の内面に沿って形成されると共に電荷トラップ膜４がトンネル絶縁膜３の上面に沿って積層されており、素子分離溝２内の全領域に埋込まれている。 - 特許庁

A light reception part includes a first light reception part, and a second light reception part arranged at a position deeper than that of the first light reception part based on a semiconductor substrate back face, wherein the first light reception part includes a first conductivity type first semiconductor region wherein charge generated by photoelectric conversion is collected as signal charge.例文帳に追加

受光部は、第１受光部と、半導体基板裏面を基準として前記第１受光部より深い位置に配された第２受光部とを含み、第１受光部は、光電変換によって発生した電荷が、信号電荷として収集される第１導電型の第１半導体領域を含む。 - 特許庁