「deposition processes」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The seals of this process are applicable to any application or industry where a large quantity of high vacuum/high purity seals are required and where traditional electro-deposition processes would not yield a sufficient quantity of finished parts or would not produce them at an acceptable cost.例文帳に追加

この方法のシールは、多数の高真空／高清浄シールが必要とされ、従来の電着方法十分な数の完成品を生産できない、あるいは許容できるコストで生産できないあらゆる用途や産業に適用可能である。 - 特許庁

After having passed through vapor deposition processes (c) to (f) to vapor-deposit the organic layer and electrode, a test process (g) to perform a predetermined test to the vapor-deposited organic layer and electrode is equipped, and a sealing process (h) is performed after the test process.例文帳に追加

基板に有機層及び電極を蒸着する蒸着工程（ｃ）〜（ｆ）を経た後に、この蒸着された有機層及び電極に対して所定の検査を行う検査工程（ｇ）を備え、該検査工程の後に封止工程（ｈ）を行う。 - 特許庁

To provide a high-quality pneumatic radial tire excellent in flexibility of a carcass cord and adhesiveness of the carcass cord and rubber, while being excellent in light weight property, durability, and passing processes, even if a deposition amount of composition of adhesion treating agent.例文帳に追加

接着処理剤組成物の付着量を減少させても、カーカスコードの柔軟性と、カーカスコードとゴムとの接着性がすぐれ、しかも軽量性、耐久性および工程通過性がすぐれた高品位の空気入りラジアルタイヤを提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a semiconductor device that allows preventing occurrence of steps on an interlayer dielectric film due to the pattern difference in the underlying structure, by forming the interlayer dielectric film through many-time simultaneous vapor deposition and etching processes.例文帳に追加

多数回の同時蒸着及びエッチング工程によって層間絶縁膜を形成することにより、下部構造物のパターン差による層間絶縁膜の段差発生を防止することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of preparing an ultra-pure organometallic compound comprises using a microchannel device for synthesis in reacting a metal halide with an alkylating agent to produce the ultra-pure alkylmetal compound for processes such as chemical vapor deposition.例文帳に追加

例えば化学蒸着のようなプロセス用の超純粋アルキル金属化合物を製造するため金属ハロゲン化物をアルキル化剤反応させる合成のためのマイクロチャンネルデバイスを使用することを含む超純粋有機金属化合物の調製方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus which utilizes plasma and is adaptable to plasma etching, physical or chemical vapor deposition, photoresist stripping and the like to be used for semiconductor wafers, flat-panel displays, printed circuit boards, and a variety of thin-film work processes.例文帳に追加

半導体ウェーハ、平板画面、印刷回路基板及び多様な薄膜加工工程で使用されるプラズマエッチングと物理的または化学的蒸気蒸着法、フォトレジストストリッピング等に適用されるプラズマを利用した半導体製造装置を提供する 。 - 特許庁

The method for manufacturing a photomask material includes processes of producing plasma delivering powder containing silicon dioxide to the plasma to produce silica particles and depositing the silica particles on the deposition face to form the quartz glass.例文帳に追加

石英ガラスの作成方法において：プラズマを発生させ；二酸化ケイ素を含有する粉末をプラズマに送り込んで、シリカ粒子をつくり、前記シリカ粒子を堆積面に堆積させて、ガラスを形成する；各工程を含むフォトマスク材を製造する方法。 - 特許庁

To provide an apparatus for depositing an organic material and a depositing method thereof, wherein a deposition process is performed with respect to a second substrate while transfer and alignment processes are performed with respect to a first substrate in a chamber, so that loss of an organic material wasted in the transfer and alignment processes of the substrate can be reduced, thereby maximizing material efficiency and minimizing a processing tack time.例文帳に追加

チャンバ内で第１基板に対する基板の移送及びアライン工程の実行と同時に、第２基板に対する蒸着工程を行えるようにすることで、基板の移送及びアライン工程時に消耗する有機物質材料の損失を減らして材料効率を最大化し、工程のタックタイムを最小化できる有機物蒸着装置及び蒸着方法を提供する。 - 特許庁

The method of preparing an ultra-pure metal amidinate compound includes using a microchannel device for synthesis in reacting a metal halide solution with a lithium amidinate solution to produce an ultra-pure alkylmetal compound for processes such as chemical vapor deposition.例文帳に追加

金属ハロゲン化物溶液とリチウムアミジナート溶液との反応における合成のためにマイクロチャネルデバイスを使用して、化学蒸着のようなプロセスのための超純粋アルキル金属化合物を製造することを含む、超純粋金属アミジナート化合物を製造する方法。 - 特許庁

The method includes steps of providing a semiconductor substrate on which a gate electrode pattern is formed, implementing many-time simultaneous vapor deposition and etching processes to form an interlayer dielectric film made up of multilayer HDP oxidized films so as to embed the gate electrode pattern.例文帳に追加

ゲート電極パターンが形成された半導体基板を提供する段階と、多数回の同時蒸着及びエッチング工程を行い、前記ゲート電極パターンが埋め込まれるように多層のＨＤＰ酸化膜からなる層間絶縁膜を形成する段階とを含む。 - 特許庁

Thereby, three processes for producing an alloy, such as dispersion, diffusion and deposition, or dispersion, diffusion and transformation of the additive 10 to a desired portion of the metal base materials 1a and 1b, are attained by one method using a technique of friction stir welding.例文帳に追加

これにより、摩擦攪拌接合の手法を利用した一つの方法で、金属母材１ａ，１ｂの所望の部位に対して添加材１０の分散、拡散及び析出あるいは分散、拡散及び変態といった合金を製造する３つの過程を実現することができる。 - 特許庁

A vacuum deposition device is equipped with a wafer support substrate, a lamp heater, and a first and a second evaporation source that are all installed in the same vacuum device, and three processes of forming the barrier metal layer of the Schottky barrier diode, carrying out an annealing process, and forming a surface electrode are continuously carried out in the same vacuum device.例文帳に追加

同一真空装置内にウェハ支持基板、ランプヒーター、第１および第２の蒸発源を設置した真空蒸着装置を用い、ショットキーバリアダイオードのバリアメタル層形成、アニール処理、表面電極形成の３工程を同一真空装置内で連続して行う。 - 特許庁

The method of manufacturing the dielectric deposition 10 comprises processes of: forming a lower electrode 4 on a substrate; forming the dielectric layer 5 formed of a ferroelectric material or a piezoelectric material on the lower electrode 4; and forming a top electrode 6 on the dielectric layer 5.例文帳に追加

基体上に下部電極４を形成する工程と、下部電極４の上に、強誘電体または圧電体からなる誘電体層５を形成する工程と、誘電体層５の上に上部電極６を形成する工程と、を含む誘電体堆積体１０の製造方法である。 - 特許庁

A passivation layer is formed by using a masking deposition method with a P-CVD device and, by applying a protective layer onto local regions by using an inkjet coating method, a TFT array substrate for liquid crystal display which is super large-sized and has a wide viewing angle and ultra-high speed response can be manufactured by three times of photomask processes.例文帳に追加

パッシベーション層は、マスキングデポジッション法を用いてＰ−ＣＶＤ装置で成膜するか、インクジェット塗布法を用いて保護層を局所領域に塗布することで、３回のホトマスク工程で超大型広視野角超高速応答液晶表示用ＴＦＴアレイ基板を製造することができる。 - 特許庁

This method of manufacturing a transparent or translucent gas-barrier laminated body includes processes of: forming a base layer 12 on at least one-side surface of a plastic film base material 11 by using either a physical film formation method or a chemical vapor-phase epitaxial method, or both of them; and forming a gas barrier layer 13 on a surface of the base layer 12 by using an atomic layer deposition method.例文帳に追加

プラスチックフィルム基材１１の少なくとも一方の面に、物理成膜法もしくは化学気相成長法のいずれか、またはその両方を用いて下地層１２を形成する工程と、下地層１２の表面に、原子層堆積法を用いてガスバリア層１３を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

The method for forming the layered coating film having the metallic appearance includes processes of forming a coating film of a metallic coating material having 3 to 14% pigment mass concentration (PWC) of the glossy pigment produced by pulverizing a vapor deposition metal film into metal chips directly on the object or after a base coating film is formed, and then forming a clear overcoat layer on the metallic coating film.例文帳に追加

被塗物の上に直接又は下塗り塗膜層を形成した後に、蒸着金属膜を粉砕して金属片とした光輝性顔料の顔料質量濃度（ＰＷＣ）が３〜１４％である金属調塗料の塗膜層を形成し、形成した金属調塗膜層の上に、クリヤ上塗り塗膜層を形成する。 - 特許庁

Since the deposition or application process of the electrode films 4 and 5 and the EL emission layer 3, for forming the organic EL light source 1 and a sealing process for sealing the organic EL light source 1 in the vessel 2, can be considered as separate processes in terms of reaction and conduction, the flexibility in the sealing structure and the material are increased and a further simple method can be employed.例文帳に追加

有機ＥＬ光源１を形成する電極膜４、５およびＥＬ発光層３の蒸着または塗布工程と、有機ＥＬ光源１を容器２に密閉するための封止の工程を反応や導通の面で別の工程として考えることができるので、封止構造、材料の自由度が増し、より簡易な方法が採用できる。 - 特許庁

The method for manufacturing carbon nanotubes includes the processes of: preparing a substrate tilted in a one-dimensional or two-dimensional direction from a specified crystallographic orientation with high symmetry; vapor-depositing a catalyst metal along the atomic steps appearing on the substrate surface; and growing carbon nanotubes by chemical vapor deposition (CVD) on the catalyst metal as nuclei.例文帳に追加

特定の対称性の高い結晶方位から１次元方向又は２次元方向に傾いた基板を用意し、その基板表面に現れる原子ステップに沿って触媒金属を蒸着する工程と、その触媒金属を核としてカーボンナノチューブをケミカルベーパーデポジション（ＣＶＤ）成長させる工程を含む、カーボンナノチューブの製造方法。 - 特許庁

A second ion implanting process (c1) implants the additional function layer 4 with ions at its surface as much as the total dose in the first and second planting processes exceeding the critical dose at the same deposition depth position as that in the first ion implanting process, thus making the peel-expected ion implanted layer 3 into a peeling ion implanted layer 3'.例文帳に追加

第２のイオン注入工程（ｃ１）で、付加機能層４の表面側から第１のイオン注入工程でイオン注入されたのと同じ深さ位置となるように、第１のイオン注入工程でイオン注入されたドーズ量と合わせて臨界ドーズ量以上となるドーズ量のイオンを打ち込むことにより剥離予定イオン注入層３を剥離用イオン注入層３’とする。 - 特許庁

The PtRu-based catalyst is manufactured through manufacturing processes of primarily letting a carrier carry the PtRu-based catalyst through reduction deposition of Pt and Ru on the carrier surface by way of heating aqueous solution containing carrier material, Pt source, Ru source, complexing agent and reducing agent, and then, letting the catalyst go through heating reduction treatment in a temperature range of 50 to 250°C in an atmosphere containing hydrogen gas.例文帳に追加

本発明のＰｔＲｕ系触媒は、担体材料、Ｐｔ供給源、Ｒｕ供給源、錯化剤および還元剤を含む水溶液を加熱して、ＰｔおよびＲｕを担体表面に還元析出させてＰｔＲｕ系触媒を担体に担持させた後、前記触媒を、水素ガスを含む雰囲気中で、５０〜２５０℃で加熱還元処理する工程を経て製造される。 - 特許庁

A method and system for vapor deposition on a substrate that disposes a substrate in a process space of a processing system that is isolated from a transfer space of the processing system, processes the substrate at either of a first position or a second position in the process space while maintaining isolation from the transfer space, and deposits a material on the substrate at either the first position or the second position.例文帳に追加

基板上の蒸着のための方法およびシステムであって、処理システムの移送空間から分離（アイソレーション）された処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から分離が維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。 - 特許庁

This manufacturing method of this conical structure by plasma-enhanced chemical vapor deposition includes processes of: arranging a silicon substrate in a plasma generation region; introducing a mixture gas of methane gas and hydrogen gas in the plasma generation region; generating plasma by microwave power lower than 400 W; and applying a bias voltage of -120 to -50 V to the silicon substrate.例文帳に追加

プラズマ発生領域内にシリコン基板を配置する工程と、プラズマ発生領域内にメタンガス及び水素ガスの混合ガスを導入する工程と、４００Ｗ未満のマイクロ波電力によりプラズマを発生させる工程と、シリコン基板に—１２０Ｖを超え—５０Ｖ未満のバイアス電圧を印加する工程と、を含むプラズマ化学気相成長法による円錐状構造物の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of producing a silicon epitaxial wafer, by which the epitaxial wafer exhibiting stable IG performance without being affected by crystal heat hysteresis of a substrate for epitaxial growth and having excellent IG performance from initial stage of device processes can be produced and IG shortage in an N/N+ epitaxial wafer caused by the problem that oxygen deposition in an N+ substrate is hard to proceed can be easily solved.例文帳に追加

エピ成長用基板の結晶熱履歴に影響されることなく安定したＩＧ能力を発揮し、デバイスプロセスの初期段階から優れたＩＧ能力を有するエピタキシャルウェーハを製造することができ、特に、Ｎ^+基板の酸素析出が進行しにくいという問題点に起因するＮ／Ｎ^+エピウェーハのＩＧ不足を簡便に解消することができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁