例文 (78件) |
deposition processesの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 78件
The coloring matter has a high decomposition temperature, which is advantageous in various kinds of baking processes and vapor deposition processes.例文帳に追加
また分解温度が高いため、各種ベークプロセスや真空蒸着プロセスにおいて有利である。 - 特許庁
IMPURITY CONTROL IN HDP-CVD DEPOSITION/ETCHING/DEPOSITING PROCESSES例文帳に追加
HDP−CVD堆積/エッチング/堆積プロセスの不純物コントロール - 特許庁
SYSTEM AND METHOD FOR SHIELDING DURING PECVD DEPOSITION PROCESSES例文帳に追加
PECVD堆積処理中の拘束シールドのためのシステム及び方法 - 特許庁
In copper deposition processes, a sputter etching process 162 of deposited copper whose deposition is carried out in a same sputter chamber is performed following a sputter deposition process 160 of copper.例文帳に追加
同じスパッタチャンバ内で実行される堆積された銅のスパッタエッチング162が、銅のスパッタ堆積160の後に続いて実行される。 - 特許庁
When the same mask 40 for vapor deposition as that used in the preceding vapor deposition processes is used in this vapor deposition process, the vapor deposition conditions of this vapor deposition process are determined based on the measured result of the thickness of a deposited layer stuck to the mask 40 for vapor deposition in the preceding vapor deposition processes or the calculated result of the thickness of the deposited layer.例文帳に追加
前回までの蒸着工程と今回の蒸着工程とで同一の蒸着用マスク40を用いるにあたって、前回までの蒸着工程により蒸着用マスク40に付着した堆積層の厚さの測定結果、あるいは当該堆積層の厚さの算出結果に基づいて、今回行う蒸着条件を決定する。 - 特許庁
The coating is produced by physical vapor deposition processes such as cathode ray atomization.例文帳に追加
塗膜は、陰極線アトマイゼーションのような物理蒸着法により作製される。 - 特許庁
To reduce the number of deposition processes of metallic electrodes having respectively different electric characteristics.例文帳に追加
異なる電気的特性を有する金属電極の蒸着工程を低減する。 - 特許庁
It becomes possible to continue vapor deposition for a long period of time without releasing the vapor deposition chamber to the atmospheric air by repeating these processes.例文帳に追加
この工程を繰り返すことで蒸着室を大気開放することなく長期に亘り蒸着を続けることが可能になる。 - 特許庁
As a result of these processes, contamination and impurity particle formation are minimized at sputter deposition.例文帳に追加
これにより、スパッタリング堆積時に不純物および粒子の形成を最小にすることができる。 - 特許庁
To provide a method and a system for performing different deposition processes within a single chamber.例文帳に追加
シングルチャンバ内で異なる堆積プロセスを実行する方法およびシステムを提供することである。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for monitoring of plasma etching and deposition processes having a non-extended light source.例文帳に追加
非分散光源を備えるプラズマエッチングまたは堆積プロセスのモニタリング方法および装置を提供する。 - 特許庁
The metallic thin film is preferably formed by either of processes such as vapor deposition, ion plating and sputtering.例文帳に追加
金属被膜は、蒸着、イオンプレーティングおよびスパッタリングのいずれかの方法で成膜するのが好ましい。 - 特許庁
Since an organic polymer layer 402 and a bias electrode 401 are formed successively in a coating process, processes are need not to change such as a vapor deposition process-coating process-vapor deposition process to simplify the processes.例文帳に追加
有機高分子層402とバイアス電極401とを連続して塗布工程で成膜されるので、蒸着工程・塗布工程・蒸着工程というような工程を入れ替える必要が無く、工程の簡略化が図れる。 - 特許庁
Chemical vapor deposition processes produce films having low permittivity when suitable chemical precursors are utilized.例文帳に追加
化学気相成長プロセスは適当な化学前駆体が利用されると低比誘電率を有する膜を生じさせる。 - 特許庁
The zirconium precursors can be stabilized in such vapor deposition processes by thermal stabilization amine additives.例文帳に追加
ジルコニウム前駆体は、熱安定化用アミン添加剤によりそのような気相堆積プロセスにおいて安定化されうる。 - 特許庁
To provide metal source containing precursor liquid solutions for chemical vapor deposition processes, including atomic layer deposition, for fabricating conformal metal containing films on substrates.例文帳に追加
基材上においてコンフォーマル金属含有皮膜を製作するための、原子層堆積を含む化学蒸着法用の金属源含有前駆体溶液を提供する。 - 特許庁
To provide a vacuum deposition method and a vacuum deposition apparatus that can easily obtain a thin film having desirable crystal structure and shape by simple processes and with less impurities.例文帳に追加
簡素な工程で、不純物が少なく、所望の結晶構造および形状の薄膜を容易に得ることのできる真空蒸着方法および装置を提供する。 - 特許庁
Thus, the inexpensive microwave oscillation element of the high output, and having the excellent mass productivity is materialized by using simpler working processes and film deposition processes than before.例文帳に追加
これにより、従来と比較してより簡易な加工プロセス、成膜プロセスを用いて、高出力、低コスト、及び、量産性に優れたマイクロ波発振素子を実現することができる。 - 特許庁
Film deposition time required for depositing thin films having the characteristics of the thin films deposited by thin film deposition processes for at least two or more times performed heretofore and desired characteristics based on the film deposition time required for the thin film deposition is calculated, and, in accordance with the calculated film deposition time, thin films are deposited.例文帳に追加
以前に行われた少なくとも2回以上の薄膜形成工程で形成された薄膜の特性と、その薄膜形成に要した成膜時間に基づいて所望の特性を有する薄膜を形成するために必要な成膜時間を算出し、算出された成膜時間にしたがって薄膜を形成する。 - 特許庁
The thin film type inorganic EL element is provided which has a light emitter layer formed by at least two vapor deposition processes of the vapor deposition process in which an inorganic composition is utilized as a vapor deposition source and the vapor deposition process in which a composition containing Ir element is utilized as the vapor deposition source.例文帳に追加
本発明によれば、無機組成物を蒸着源とする蒸着工程と、Ir元素を含む組成物を蒸着源とする蒸着工程との少なくとも二つの蒸着工程により形成される発光体層を有することを特徴とする薄膜型無機EL素子が提供される。 - 特許庁
Through these dry etching processes, a vapor deposition surface of a negative electrode 107 corresponding to the layer 103 was exposed.例文帳に追加
これらのドライエッチング工程で、n型半導体層103に対する負電極107の蒸着面が露出された。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for coating a substrate by both processes of arc deposition and sputtering in a single coating chamber.例文帳に追加
同一の被覆チャンバの中でアーク蒸着とスパッタリング工程の両方で基体を被覆する方法および被覆装置の提供。 - 特許庁
A helium gas is used to lower the deposition rate of plasma-enhanced silane oxide, silane oxynitride, and silane nitride processes.例文帳に追加
ヘリウムガスを用いてプラズマ励起シラン酸化物プロセス、プラズマ励起シランオキシナイトライドプロセス及びプラズマ励起シランナイトライドプロセスの堆積速度を下げる。 - 特許庁
In such a manner, it is possible to eliminate the processes of photo- resist deposition, pattern exposure, and development which have been necessary for patterning the protective insulating film in the conventional art.例文帳に追加
これにより従来保護絶縁膜のパターニングに必要としていたフォトレジスト成膜、パターン露光、現像工程を削減できる。 - 特許庁
To obtain a stable treated water quality with few processes and simultaneously generate low water content sludge by suppressing deposition of fine calcium fluoride.例文帳に追加
微細なフッ化カルシウムの析出を抑制し、少ない工程で安定した処理水質を得ると同時に含水率の低い汚泥を生成する。 - 特許庁
To provide new thin film materials that can be used to coat transparent substrates of the glass type, new deposition processes and new installations.例文帳に追加
ガラス・タイプの透明基板をコートするのに用いることができる新しい薄膜材料、新しい堆積・プロセスおよび新しい装置を提供する。 - 特許庁
To provide new processes for forming amorphous GST, GeTe, and other films in an amorphous manner, but with a relatively high deposition rate.例文帳に追加
GST、GeTe、及び他の膜を非晶質の形態で、ただし比較的高い蒸着速度で形成する新規な方法を提供すること。 - 特許庁
After the deposition, sputter etching is performed by using a low bias, the thickness of the overhung part (111) is reduced and a seam generated in subsequent important processes is avoided.例文帳に追加
堆積後、低バイアスを用いてスパッタエッチングが行なわれ、オーバハング部分(111)の暑さを減少し、続く重点プロセスにいて生じるシームを避ける。 - 特許庁
To provide an Si substrate for magnetic recording medium, which has sufficient shock resistance, prevents machining processes and film deposition processes of a magnetic recording layer from becoming complex, has improved surface planarity, and can reduce costs.例文帳に追加
充分な耐衝撃性を有し、加工プロセスや磁気記録層の成膜プロセスを複雑なものとすることがなく、表面平坦性に優れ、しかもコストダウンを可能とする磁気記録媒体用Si基板を提供すること。 - 特許庁
To provide an inexpensive microwave oscillation element of high output and excellent in mass productivity by using simpler working processes and film deposition processes, a manufacturing method therefor, and an oscillator provided with the microwave oscillation element.例文帳に追加
より簡易な加工プロセス、成膜プロセスを用いて、高出力、低コスト、及び、量産性に優れたマイクロ波発振素子及びその製造方法、並びに該マイクロ波発振素子を備えた発振装置を提供する。 - 特許庁
To control segregation of B or P in an initial film deposition in forming processes of such as a BSG film, a PSG film or a BPSG film for semiconductor devices.例文帳に追加
半導体デバイス用のBSG膜、PSG膜あるいはBPSG膜等の形成工程において、成膜初期部分でのBあるいはPの偏析を抑制する。 - 特許庁
A substrate transport apparatus permits the movement of substrates into and out of vacuum during thin film deposition processes, while preventing the collection of coatings on the substrate transport apparatus itself.例文帳に追加
基体搬送装置により、薄膜成膜時に基体を真空に出入りさせるのが容易になり、基体搬送装置自体に被覆が生じるのを防止する。 - 特許庁
To provide a method of packaging glass substrate for information recording medium without causing deposition of a new foreign matter on the surface of a glass substrate in storage and conveyance processes.例文帳に追加
保管、搬送過程で、ガラス基板表面に新たな異物の付着が生じない、情報記録媒体用ガラス基板の梱包方法を提供する。 - 特許庁
A deposition-elution ratio of magnesium at an initial cycle exceeds 92%, and an efficiency in stable cyclic processes can be maintained at 98% or higher.例文帳に追加
初回サイクルにおいて、マグネシウムの析出−溶出率は92%を超えており、安定したサイクル過程において、効率が98%以上に維持できる。 - 特許庁
This manufacturing process of the full-color OLED display element pixel structure includes processes: (a) a black matrix manufacturing process, (b) a polysilicon island forming process, (c) a gate forming process, (d) an interlayer forming process, (e) a CCM process, and (f) an OLED implant (OLED deposition) process.例文帳に追加
本発明が提供するフルカラーOLEDディスプレイエレメント画素構造の製造プロセスには、手順:(a)ブラックマトリックス製造プロセス、(b)ポリシリコンアイランド形成プロセス、(c)ゲート形成プロセス、(d)中間層(interlayer)形成プロセス、(e)CCMプロセス、及び(f)OLEDのインプラント (OLED deposition)プロセスを含む。 - 特許庁
When CF_4 gas is added to the treatment gas (b), the amount of deposition of the deposit 310 at the mask opening when all processes of etching treatment are completed is reduced.例文帳に追加
処理ガスにCF_4ガスを添加した場合(b),エッチング処理の全工程が完了した時点でのマスク開口部における付着物310の堆積量は少ない。 - 特許庁
The first mask has a well defined thickness that is defined by deposition and which is not affected by the etching processes used to define the mask.例文帳に追加
第1のマスクは適切に画定された厚さを有し、この厚さは蒸着によって画定され、マスクを画定するのに使用されるエッチングプロセスの影響を受けない。 - 特許庁
The use of the local environmental cell 10 permits deposition of local bond coats as well as minimizes the number of steps associated with welding repair processes.例文帳に追加
この局所環境保護セル10を使用することにより、局所ボンディングコートの設置が可能になると共に溶融修復プロセスに伴う工程数が最小になる。 - 特許庁
To provide the metal wiring formation method of a semiconductor device, for performing oxidization processes for forming a metal deposition preventing film, in a closed space that is maintained at atmospheric pressure of lower.例文帳に追加
大気圧以下に保たれる密閉空間内で金属蒸着防止膜形成のための酸化工程を行なう半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁
The device, method and system for monitoring operation of one or more mass flow controllers which supply such processes as deposition, etching and others with gases are provided.例文帳に追加
堆積、エッチング、およびその他の製造工程に気体を供給する1つまたは複数の質量流量コントローラの動作を監視する装置、方法、およびシステムが記載される。 - 特許庁
Adjacent buried-back films 42 and 43 after the patterning of the magnetic multilayer film 14 is deposited by a series of manufacturing processes comprising a deposition step of a first stage, a step for etching back the deposited film and a deposition step of a second stage.例文帳に追加
磁性多層膜14のパターン加工後の隣接する埋め戻し膜42,43の堆積を,第1段階の堆積工程と,続けて堆積した膜をエッチバックする工程と,第2段階の堆積工程からなる一連の製造プロセスによって形成する。 - 特許庁
A complex coprecipitate containing the first and second hydroxide which is obtained in a coprecipitate deposition process is subjected to filtration, drying, and burning processes, thereby obtaining an oxide.例文帳に追加
共沈殿物析出工程で得られた第1及び第2の水酸化物の共沈殿物を含む複合共沈殿物に、ろ過処理と乾燥処理と焼成処理とを施して酸化物を得る。 - 特許庁
A MOS interface of low interface state density is formed through an oxygen radical treatment, and an insulating film is consecutively formed through the deposition of SiO in an oxygen radical atmosphere, causing less damage in a series of processes, and the above processes are applied to a substrate of large area by the use of a substrate scanning-type device.例文帳に追加
酸素ラジカル処理により低界面順位密度のMOS界面を形成し、更に低ダメージなSiO蒸着による絶縁膜形成を酸素ラジカル雰囲気中で連続しておこなう一連のプロセスを、基板走査型の装置により大面積基板に適用可能ならしめる。 - 特許庁
To provide an apparatus for use with chemical vapor infiltration and deposition (CVI/CVD) processes where porous structures are rapidly and singly made dense as the cost and complexity are suppressed to the minimum.例文帳に追加
コストと複雑性を最小限に押さえた上で、急速に且つ単一に多孔質構造体を緻密化する化学浸透および析出(CVI/CVD)に使用するための装置を提供する。 - 特許庁
To perform all deposition processes from a process of a buffer layer to that of a translucent conductive layer by a liquid phase method, in the manufacturing method of a CI(G)S group photoelectric conversion element.例文帳に追加
CI(G)S系光電変換素子の製造方法において、バッファ層の成膜工程から透光性導電層の成膜工程までの全ての成膜工程を液相法により実施する。 - 特許庁
Such precursors are liquids at room temperature, and can be employed in vapor deposition processes such as ALD to form zirconium-containing films, e.g., high k dielectric films on microelectronic device substrates.例文帳に追加
そのような前駆体は、室温で液体であり、ジルコニウム含有膜、たとえば高κ誘電体膜をマイクロ電子デバイス基板上に形成するためのALDなどの気相堆積プロセスで利用されうる。 - 特許庁
A thin metallic film is formed on the upper surface of an aluminum substrate 4 by vapor deposition, printing, etc., and a wiring pattern 3 is formed from the metallic film in photolithography and etching processes.例文帳に追加
回路基板上に有機膜を形成し、RIEでパターン形成する工程において、耐RIE性に優れている金属をRIEレジストとして使用して、有機膜上にリフトオフ法によりRIEレジストパターン形成する。 - 特許庁
To provide Group 4 precursors which exhibit lower molecular weight, lower melting point (e.g., 100°C or below), and higher vapor pressure (e.g., 0.5 torr or greater) and deposition processes for fabricating conformal metal containing films on substrates.例文帳に追加
低分子量、低融点(100℃以下)、及び高蒸気圧(0.5torr以上)の性質を示す第4族前駆体、及び共形(コンフォーマル)な金属含有膜を基板上に製造するための堆積プロセスの提供。 - 特許庁
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