例文 (999件) |
diffusion ofの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 12851件
The semiconductor device is formed on a semiconductor substrate; and comprises the semiconductor substrate, an impurity diffusion layer formed on one main surface of the semiconductor substrate, an insulating film formed on the impurity diffusion layer, and a silicon nitride film which is formed on the insulating film and in which the amount of positive charges is changed by a given heat treatment to control impurity concentration near the surface of the impurity diffusion layer.例文帳に追加
半導体基板上に形成される半導体素子であって、半導体基板と、半導体基板の一主面に形成される不純物拡散層と、不純物拡散層上に形成される絶縁膜と、絶縁膜上に形成され所定の熱処理により正電荷の量が変動して不純物拡散層の表面近傍の不純物濃度を制御するシリコン窒化膜と、を備えることを特徴とする半導体素子。 - 特許庁
Grossman and Helpman (1991) offered a theoretical explanation on how international trade leads to economic growth through such means as the imitation and international diffusion of technology.例文帳に追加
Grossman and Helpman(1991)は、技術の国際的伝播や模倣等を通じて、国際貿易が経済成長をもたらすことを理論的に説明した。 - 経済産業省
(1) The fuel cell has diffusion layers 13, 16, which contain a plurality of hollow fibers 40 each having holes 41 on its side wall 42.例文帳に追加
(1)ガス拡散層13、16を有し、ガス拡散層は側壁52に孔51を有する複数の中空糸40を含む燃料電池。 - 特許庁
Firstly, the surface of a structure 1 consisting of iridium or an iridium based alloy is provided with an intermediate diffusion layer 2 consisting of a ternary alloy of platinum, rhodium and iridium, strengthening the joinability of a surface layer 3 consisting of platinum or a platinum alloy, and further attaining its chemical and physical stability in a high temperature region, and the surface of the intermediate diffusion layer 2 is coated with the above surface layer 3.例文帳に追加
第1に、イリジウム又はイリジウム基合金からなる構造体1の表面に、表面層3の接合性を強化すると共に高温域での化学的、物理的な安定性を図る白金、ロジウムとイリジウムとの三元系合金からなる中間拡散層2を設け、この中間拡散層2の表面を白金又は白金合金からなる前記表面層3にて被覆する。 - 特許庁
In the forming method of a fuel cell electrolyte membrane aggregate 6, composed of a high polymer electrolyte membrane 1, gas diffusion layers 2 formed on the both faces of the polymer electrolyte membrane 1, at least one preliminary test compression of performing loading and unloading of compression load is carried out on the gas diffusion layers 2 prior to assembling to the polymer electrolyte membrane 1.例文帳に追加
高分子電解膜1、前記高分子電解膜1の両面に配設されるガス拡散層2等で構成される燃料電池の電解膜集合体6の整形方法において、前記ガス拡散層2に対して、前記高分子電解膜1に組み付ける前に少なくとも1回は圧縮荷重の負荷、解除を行う予備圧縮を実施する。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser element capable of solving such problems as an increase in an operating current of an infrared laser, the occurrence of defects in an AlGaAs active layer by an n-type clad layer, and furthermore the diffusion of In from the clad layer to the active layer at forming a window region by solid-phase diffusion of Zn, and provide its manufacturing method.例文帳に追加
赤外レーザの動作電流の増大、n型クラッド層によるAlGaAs活性層の欠陥の発生、さらに、Znの固相拡散による窓領域形成時のクラッド層から活性層へのIn拡散などの問題を解消することができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁
The surface of a current collecting substrate 201 containing Cr is covered with a dense Cr-diffusion preventing layer 202 made of an oxide, the surface of the Cr diffusion preventing layer 202 is covered with a conductive covering layer 203 made of an oxide, and the thickness of the covering layer 203 in the plane part is made thicker than that at the corner part.例文帳に追加
Crを含有する集電基材201の表面を酸化物からなる緻密なCr拡散防止層202で被覆し、該Cr拡散防止層202の表面を酸化物からなる導電性の被覆層203で被覆してなるとともに、被覆層203の厚みが集電基材201の平面部よりも角部の方が厚いことを特徴とする。 - 特許庁
A semiconductor chip 1 has a semiconductor substrate 11, bumps B1 made of Au and formed on a surface of the semiconductor substrate 11, a diffusion preventing film 14 made of TiW and formed on the entire top surfaces of the bumps B1, and a junction film 15 formed on the diffusion preventing film 14 for junction with an electric connection of another device.例文帳に追加
半導体チップ1は、半導体基板11と、この半導体基板11の表面に形成され、AuからなるバンプB1と、このバンプB1の頂面の全域に形成され、TiWからなる拡散防止膜14と、この拡散防止膜14上に形成され、他の装置の電気接続部との接合のための接合膜15とを有している。 - 特許庁
The substrate transfer device having a hand for loading and holding the substrate has an air diffusion plate covering the substrate loaded in the hand portion from above, and the air diffusion plate has one end fixed to a root of the hand.例文帳に追加
基板を積載保持するハンド部を有する基板移載装置であって、ハンド部に積載した基板を上から覆う風拡散板を有し、該風拡散板は一端部がハンド部の付け根部分に固定されていることを特徴とする基板移載装置。 - 特許庁
A p-type body 5 is formed at one side of a drift region 11 formed on a semiconductor substrate 1, and an n^+-type first source diffusion region 71S and an n^+-type second source diffusion region 72S are formed on the p-type body 5.例文帳に追加
半導体基板1上に形成されたドリフト領域11の一方の側方にP型ボディ部5を形成し、このP型ボディ部5上にN^+型第1ソース拡散領域部71SおよびN^+型第2ソース拡散領域部72Sを形成する。 - 特許庁
When the correspondence is determined, the correlation value is detected at each code phase, using a spectrum back-diffusion code other than a spectrum back-diffusion code corresponding to a satellite tried to be captured, and the maximum value is found out of them (204).例文帳に追加
該当すると判定した場合は、捕捉しようとしている衛星に対応するスペクトラム逆拡散符号以外のスペクトラム逆拡散符号を用いて、かつ各コード位相にて、相関値を検出し、それらの中の最大値を求める(204)。 - 特許庁
(2) Alternatively, the method in which iron powder is coated with an iron oxide film and the surface of the iron powder coated with the iron oxide film is coated with a zinc oxide film and then the powder is treated with diffusion or oxidization/diffusion is provided.例文帳に追加
(2)鉄粉末の表面に鉄酸化膜を形成して鉄酸化膜被覆鉄粉末を作製し、この鉄酸化膜被覆鉄粉末の鉄酸化膜の表面に亜鉛酸化膜を形成し、その後さらにこれを拡散または酸化・拡散処理する方法。 - 特許庁
Moreover in the light diffusion laminate board, the first resin layer 1 has a light diffusion function; and the microlens film 4 has a light condensing function for collecting an emitted light beam to increase the amount of light to be emitted in the direction.例文帳に追加
且つ前述の第一樹脂層1は光拡散機能を有し、一方のマイクロレンズフィルム層4は出射された光線を集束させてその方向への出射光量を増加させる集光機能を有する光拡散積層板である。 - 特許庁
To provide a protective diffusion film preventing burrs from being generated in single substance processing of the protective diffusion film and being excellent in punching compatibility and further in easiness for handling in single substance manipulation and to provide a method for manufacturing the same, surface light source device and a liquid crystal display device.例文帳に追加
保護拡散フィルムの枚葉加工時のバリ発生を抑えて、打ち抜き適性に優れ、且つ枚葉取り扱い時のハンドリング性に優れた、保護拡散フィルム及びその製造方法、面光源装置及び液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁
The Zener diode 2 is formed on a diffusion region (a P-type diffusion region for forming the Zener diode 2), separated from the DMOS transistor 1, in a drain region of the DMOS transistor 1 in different density (or may be in the same density).例文帳に追加
ツェナダイオード2は、DMOSトランジスタ1のドレイン電極領域内のDMOSトランジスタ1とは異なる濃度(或いは同濃度であっても良い)で分離された拡散領域(ツェナダイオード2形成用のP型拡散領域)上に形成されて成る。 - 特許庁
A front-end heat treatment operation for reducing outward diffusion of carbon from a carbon-containing region, for example, oxidation and/or annealing process is performed at a high temperature in a short period so that carbon is remained as it is for preventing or reducing dopant diffusion.例文帳に追加
ドーパントの拡散を防止又は軽減するために炭素がそのまま残るように、炭素含有領域から炭素の外方拡散を軽減するためにフロントエンド熱処理動作、例えば、酸化及び/又はアニールプロセスが高温で、短い期間行なわれる。 - 特許庁
A radio transmitter codes transmission signals using a time-spatial coding matrix, diffuses time-spatial coded signals at different time slots of coded time-spatial coded outputs using different diffusion codes, and transmits the diffused diffusion signals.例文帳に追加
無線送信機側において、時空符号化行列を用いて送信信号を符号化し、符号化した時空符号化出力の異なるタイムスロットの時空符号化信号を、異なる拡散符号を用いて拡散し、拡散した拡散信号を送信する。 - 特許庁
The light diffusion film 10 comprises a substrate layer 11, an antistatic layer 12 containing electrically conductive fine particles 12b and a diffusion layer 13 having a irregularly rugged surface shape, prevents electrification and prevents the sticking of dust, etc.例文帳に追加
基材層11と、導電性微粒子12bを含む帯電防止層12と、表面に不規則な凹凸形状を有する拡散層13からなる光拡散フィルム10により、静電気の帯電を防止し、粉塵等の付着を防止する。 - 特許庁
An LDMOS transistor comprises: a gate electrode formed on a semiconductor substrate via a gate insulating film; a source diffusion region and a drain diffusion region each formed in the semiconductor substrate at the both side of the gate electrode; and a field drain portion.例文帳に追加
LDMOSトランジスタは、半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート電極の両側の半導体基板中にそれぞれ形成されたソース拡散領域及びドレイン拡散領域と、フィールドドレイン部と、を備える。 - 特許庁
In the DRAM and logic circuit forming region of a semiconductor device on which a DRAM and logic circuit are mixedly mounted, contact holes 8 for diffusion layers 6 and metallic wiring M1 are formed at prescribed positions by depositing interlayer insulating films 7 on the diffusion layers 6.例文帳に追加
DRAMとロジック回路とが混載される半導体装置にあって、DRAM及びロジック回路の形成領域において、拡散層6上に層間絶縁膜7を堆積し、所定位置に拡散層6とメタル配線M1とのコンタクトホール8を形成する。 - 特許庁
The air current diffusion device (diffusion fan) is provided with an impeller comprising blade members 30, spoke members 40 and a hub member 50; a shaft member 20 constituting a rotating shaft of the impeller; and a hanging member 10 for hanging the shaft member 20 from a ceiling surface.例文帳に追加
気流拡散装置(拡散扇)は、羽根部材30とスポーク部材40とハブ部材50とからなる羽根車と、羽根車の回転軸を構成するシャフト部材20と、天井面からシャフト部材20を吊り下げる吊下部材10と、を備える。 - 特許庁
In a picture data processing device in which contrast correction calculation is executed on input brightness data and the contrast-corrected brightness data is subjected to error diffusion processing is configured, the execution/non-execution of the error diffusion processing can be set.例文帳に追加
入力された輝度データに対してのコントラスト補正演算と、コントラスト補正がされた輝度データに対しての誤差拡散処理が行われる映像データ処理装置において、誤差拡散処理の実行/不実行が設定可能とされるようにする。 - 特許庁
The source 205, where the junction has been formed, is protected from the alloy spike owing to the barrier metal 206, while in the p-type diffusion layer 301 contact resistance can be reduced because the barrier metal has been removed, to stabilize the electric potential of the p-type diffusion layer 301.例文帳に追加
接合が形成されているソース205はバリアメタル206によりアロイスパイクが抑制され、P型拡散層301ではバリアメタルが除去されているためコンタクト抵抗を下げることができ、P型拡散層301の電位が安定化される。 - 特許庁
The p-type AlGaInP diffusion layer 107 and n-type AlGaInP current blocking layer 105 are provided with a stripe-shaped window therein, and Zn having an impurity concentration of 3×10^18 cm^-3 is doped in the p-type AlGaInP diffusion layer 106.例文帳に追加
p型AlGaInP拡散層106、n型AlInP電流ブロック層105にはストライプ状の窓が形成されており、p型AlGaInP拡散層106には、不純物濃度が3×10^18cm^-3であるZnが添加されている。 - 特許庁
In this fiber-reinforced light metallic cylinder liner, matrix light metal is formed on an inner side of the cylinder liner with preliminarily fiber formed body for the particle diffusion type or particle non-diffusion type fiber-reinforced light metallic cylinder liner cast therein.例文帳に追加
粒子分散型または粒子非分散型繊維強化軽金属製シリンダライナ用の繊維予備成形体を鋳込んでマトリックス軽金属がシリンダライナの内側に形成されて鋳造されたことを特徴とする繊維強化軽金属製シリンダライナである。 - 特許庁
In this lighting system, a cutout 10 is formed in a side face of a frame 1 storing a light guide plate 4, a light source 3, a light reflection plate 5 and a light diffusion plate 6, while projecting parts 16, 17 locked to the cutout 10 are formed in the light diffusion plate 6 and a prism sheet 7.例文帳に追加
本発明による照明装置は、導光板、光源、光反射体及び光拡散板を収容するフレームの側面に切り欠きを設け、光拡散板やプリズムシートに、前記切り欠きに係止される突部を設けてなる。 - 特許庁
Moreover, a N-type buried diffusion (BDN) layer and a P-type buried diffusion (BDP) layer are adopted to replace the contacts in the layout of conventional decoder, such that the layout can be simplified and the bump pad pitch thereof can be decreased.例文帳に追加
また、N型埋込拡散(BDN)層及びP型埋込拡散(BDP)層を採用して従来のデコーダのレイアウトにおけるコンタクトを置換しているので、レイアウトを簡素化できるとともにそのバンプパッドのピッチを減少させることができる。 - 特許庁
Each of the pixel circuits 111 has a photodiode PD1 for storing a signal charge, floating diffusion FD1, a transfer transistor NM1 connected between the photodiode PD1 and the floating diffusion FD1, and an amplification transistor NM3.例文帳に追加
複数の画素回路111の各々は、信号電荷を蓄積するフォトダイオードPD1と、フローティングディフュージョンFD1と、フォトダイオードPD1とフローティングディフュージョンFD1との間に接続された転送トランジスタNM1と、増幅トランジスタNM3とを備える。 - 特許庁
A mask blank 10 comprises a glass substrate 1 containing an alkali metal, a diffusion prevention layer 2 formed on a surface of the glass substrate, a light-shielding layer 3 formed on the diffusion prevention layer 2, and an antireflection layer 4 formed on the light-shielding layer 3.例文帳に追加
マスクブランクス10は、アルカリ金属を含有するガラス基板1、このガラス基板の表面上に形成された拡散防止層2、拡散防止層2上に形成された遮光層3、遮光層3上に形成された反射防止層4を備える。 - 特許庁
In the high silicon steel sheet obtained by subjecting a steel sheet containing ≤4 wt% Si to heating treatment, siliconizing treatment, diffusion soaking treatment and cooling treatment in succession, the average concentration of C in the steel sheet after the diffusion soaking treatment is ≤90 ppm.例文帳に追加
Si:4wt%以下を含む鋼板に、加熱処理、浸珪処理、拡散均熱処理及び冷却処理を順次施すことにより得られる高けい素鋼板において、前記拡散均熱処理後の鋼板平均C濃度が90ppm以下である高けい素鋼板。 - 特許庁
A first p-type diffusion layer 101 and a p-type semiconductor layer 102 are arranged on a silicon substrate 100, two n-type diffusion layers 103, 103 are arranged on a surface part of the p-type semiconductor layer 102, and two light receiving parts are constituted.例文帳に追加
シリコン基板100上に、第1P型拡散層101とP型半導体層102とを備え、このP型半導体層102の表面部分に2つのN型拡散層103,103を設けて2つの受光部を構成する。 - 特許庁
The optically functional sheet is constituted by alternately arranging a light diffusion phase and a transparent phase in the sheet surface direction and, further, the light diffusion phase has at least two kinds of thickness in the sheet thickness direction.例文帳に追加
光拡散相と透明相とがシート面方向に交互配列してなる光学機能性シートであって、シート面垂直方向断面において、光拡散相がシートの厚さ方向に少なくとも2種類以上の厚みを有している光学機能性シート。 - 特許庁
A controller 24 is connected to an activated sludge densitometer 27, an air supply valve 38, and an ozone supply valve 40, and switching of the diffusion through the fine bubble diffusion pipe 18 is controlled from the measured values sent from the activated sludge densitometer 27.例文帳に追加
コントローラ24は活性汚泥濃度計27、エア供給弁38、及びオゾンガス供給弁40と接続し、活性汚泥濃度計27から送信された測定値を基にして、微細気泡散気管18の散気の切り替えが制御される。 - 特許庁
To provide a case for evaporation diffusion process for reducing generation of deposition between an R-T-B system sintered magnet and a support, and a method for manufacturing the R-T-B system sintered magnet using the case for evaporation diffusion process.例文帳に追加
R−T−B系焼結磁石と支持体との溶着の発生を減少させる蒸着拡散処理用ケース及びその蒸着拡散処置用ケースを用いたR−T−B系焼結磁石の製造方法を提供すること。 - 特許庁
A second gas diffusion layer 50 for diffusing oxidizing gas is formed on the side having the first catalyst layer 20 of the electrolyte membrane 10 before joining the electrolyte membrane 10 and the first gas diffusion layer 30 or at the same time as the joining.例文帳に追加
また、電解質膜10と、第1のガス拡散層30との接合の後に、またはその接合と同時に、電解質膜10の第1の触媒層20が形成されている側に、酸化ガスを拡散するための第2のガス拡散層50を形成する。 - 特許庁
The membrane electrode assembly includes an electrolyte membrane, a catalyst layer formed on the electrolyte membrane, a gas diffusion layer formed on the catalyst layer, and a radiating part for absorbing heat from the gas diffusion layer and discharging it to the exterior of the membrane electrode assembly.例文帳に追加
膜電極接合体は、電解質膜と、電解質膜上に形成された触媒層と、触媒層上に形成されたガス拡散層と、ガス拡散層から熱を奪って膜電極接合体の外部に放出するための放熱部と、を備える。 - 特許庁
A gas diffusion electrode is activated by conducting electrolysis with the diffusion electrode as a cathode in an electrolytic solution to generate hydrogen and infiltrate the solution easily into the hydrophilic pore in the reaction layer of the electrode.例文帳に追加
ガス拡散電極を電解液中で陰極として電解を行い、水素を発生させることにより、ガス拡散電極の反応層内部の親水性細孔に電解液を進入しやすくすることを特徴とするガス拡散電極の活性化方法。 - 特許庁
To provide a means capable of excellent diffusion combustion by quickly changing EGR gas to a proper quantity, when an operation state transfers to a diffusion combustion area from a premixed combustion area, in a diesel engine for an automobile.例文帳に追加
自動車用のディーゼルエンジンにおいて、運転状態が予混合燃焼領域から拡散燃焼領域に移行したときに、速やかにEGRガスを適正量に変更して良好な拡散燃焼を行うことを可能にする手段を提供する。 - 特許庁
The organic EL illuminating device 1 includes a flat organic EL element 2, a flat heat diffusion plate 3 arranged on one face of the organic EL element 2, and a constant current circuit element 4 arranged to contact with the heat diffusion plate 3.例文帳に追加
有機EL照明装置1は、平面状の有機EL素子2と、有機EL素子2の一方の面に設けられた平面状の熱拡散板3と、熱拡散板3と接するように設置された定電流回路素子4とを備えている。 - 特許庁
A first conductive diffusion layer 32 of an electrolyte membrane/electrode structure 24(1) and a second conductive diffusion layer 34 of another electrolyte membrane/electrode structure 24(2) are arranged so that their respective first and second ends 32a, 34a overlap each other across a solid polymer electrolyte membrane 22.例文帳に追加
電解質膜・電極構造体24(1)の第1導電性拡散層32と、電解質膜・電極構造体24(2)の第2導電性拡散層34とは、それぞれの第1および第2端部32a、34aが固体高分子電解質膜22を挟んで重なり合っている。 - 特許庁
P type buried diffusion layers 2 are formed on an element isolation area of a P type Si substrate 1 and a division part area between a photodiode II and an NPN transistor I respectively, and an N type buried diffusion layer 3 is formed in an area of an NPN transistor I.例文帳に追加
P型Si基板1の表層部の素子分離領域およびフォトダイオードIIとNPNトランジスタIとの分割部領域にP型埋め込み拡散層2をそれぞれ形成するとともに、NPNトランジスタIの領域内にN型埋め込み拡散層3を形成する。 - 特許庁
The light diffusion film is obtained by forming a light diffusion layer 5 having a surface shape in which a large number of semicylindrical protrusions 4 are arranged like a lenticular lens on a substrate film 1 by means of a metal mold using a material prepared by dispersing isotropic spherical fine particles 3 in a resin binder 2.例文帳に追加
基材フィルム1上に、樹脂バインダー2中に等方性球状微粒子3を分散させた材料を用いて、レンチキュラレンズのようにかまぼこ型の凸部4が多数配列された表面形状を有する光拡散層5を金型により形成して光拡散フィルムを得る。 - 特許庁
By constituting a gas diffusion layer with polyester resin, activated carbon fibers, and dimanganese trioxide (Mn_2O_3), CO in reforming gas permeating through the gas diffusion material is converted into CO_2 with a dimanganese trioxide (Mn_2O_3) to decrease CO poisoning of the catalyst of noble metal such as Pt.例文帳に追加
ガス拡散材を、ポリエステル樹脂、活性炭素繊維、三酸化二マンガン(Mn_2O_3)で構成することにより、ガス拡散材を透過する改質ガス中のCOを三酸化二マンガン(Mn_2O_3)触媒でCO_2に変化させ、Pt等の貴金属触媒のCO被毒を軽減する。 - 特許庁
The coating liquid for forming the light diffusion layer comprises a matrix-forming component, a light diffusion material and solvent, wherein the total solid content concentration of the coating liquid is 55% or more and viscosity of the coating liquid is 2,000 to 6,000 mPa s.例文帳に追加
マトリックス形成成分と光拡散材と溶剤とを含む光拡散層形成用塗布液であって、前記塗布液の全固形分濃度が55%以上であり、かつ前記塗布液の粘度が2000〜6000mPa・sであることを特徴とする光拡散層形成用塗布液。 - 特許庁
By carrying 0.1-10 wt.% dimanganese trioxide (Mn_2O_3) to the diffusion material, CO in the reforming gas permeating through the gas diffusion material is effectively converted into CO_2, and CO poisoning of the catalyst of noble metal such as Pt can effectively be decreased.例文帳に追加
三酸化二マンガン(Mn_2O_3)のガス拡散材に対する担持量を0.1〜10重量%とすることにより、ガス拡散材を透過する改質ガス中のCOを二酸化マンガン触媒でCO_2に効率良く変化させ、Pt等の貴金属触媒のCO被毒を、効率良く軽減することができる。 - 特許庁
Upon constituting a power generation body of a fuel battery, a raw material sheet wherein a water-soluble highly-rigid material 1 having rigidity higher than rigidity of a material forming a gas diffusion layer is scattered in a raw material sheet is used as a raw material sheet 2 for a gas diffusion layer used herein.例文帳に追加
燃料電池の発電体を構成するに当たり、そこで用いられるガス拡散層用の素材シート2として、ガス拡散層を構成する材料の持つ剛性よりも高い剛性を持ちかつ水溶性である高剛性材料1が素材シート中に散在しているものを用いる。 - 特許庁
At a clock timing next to a clock timing at which the error diffusion operation is executed on two pixels at every other pixel (two pixels of odd-numbered ones or even-numbered ones) designated as concerned pixels, an error diffusion result of the pixel adjoining the concerned pixel is obtained by a CWAa 707a.例文帳に追加
1画素おきの2画素(奇数番目同士の2画素または偶数番目同士の2画素)それぞれを注目画素とした誤差拡散演算を行うクロックの次のクロックにて、注目画素に相隣する画素における誤差拡散結果をCWAa707aで求める。 - 特許庁
The laminated structure includes: a backing plate; an impurity diffusion-preventive layer which comprises a thin film composed of at least one metal selected from Fe, W, Ta, Te, Nb, Mo, S and Si, and is formed of the backing plate; and an indium target formed on the impurity diffusion-preventive layer.例文帳に追加
積層構造体は、バッキングプレート、バッキングプレート上に形成されたFe,W,Ta,Te,Nb,Mo,S及びSiから選択された1種類以上の金属で構成された薄膜からなる不純物拡散防止層、及び、不純物拡散防止層上に形成されたインジウムターゲットを備える。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing light diffusion plate capable of economically molding a large-size light diffusion plate by using a mold for injection molding having a multi-pinpoint gate and capable of treating an obtained molding so that a pinpoint gate trace does not exert an optical influence on a display screen.例文帳に追加
多点ピンポイントゲートを有する射出成形用金型を用いて大型の光拡散板を経済的に成形し、得られた成形品をピンポイントゲート跡が表示画面に光学的影響を与えないように処理することができる光拡散板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a light-emitting element in which a current diffusion layer is formed by using a material capable of making the formation of the diffusion layer easier than a conventional material, so that a current supplied from an upper electrode is diffused sufficiently sideways by an easier method to improve light extraction efficiency.例文帳に追加
従来よりも実現が容易な材料を用いて電流拡散層を構成し、上部電極から注入された電流をより容易な方法で横方向へと十分に拡散させ、光取出し効率を向上させた発光素子を提供することにある。 - 特許庁
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