「diffusion of」に関連した英語例文の一覧と使い方(108ページ目) - Weblio英語例文検索

Each through hole 13A is surrounded by a side wall 13B having a normal in an in-face direction parallel to the surface of the liquid crystal panel 20, and the side wall 13B comprises material and thickness expressing at least one function of transmission diffusion and reflection diffusion.例文帳に追加

各貫通孔１３Ａは液晶パネル２０の表面と平行な面内方向に法線を有する側壁１３Ｂで囲まれてなり、この側壁１３Ｂは透過拡散および反射拡散の少なくとも一方の機能を発現する材料および厚さにより構成されている。 - 特許庁

To provide a light emitting element which can suppress or prevent the oxidation of a light emitting layer and a current diffusion layer even if an oxide transparent conductive film is formed on the light emitting layer or the current diffusion layer formed of a compound semiconductor including an Al, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ａｌを含む化合物半導体より構成される発光層部あるいは電流拡散層上に酸化物透明導電膜を形成させる場合にも、これら発光層部や電流拡散層の酸化を抑制ないし防止できる発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a diffusion plate having both of excellent brightness and brightness uniformity in a backlight which has a desired thickness and in which the small number of point-like light sources difficult to have been achieved by a conventional technique are arranged; and also to provide a backlight device using the diffusion plate.例文帳に追加

本発明の目的は、所望のバックライト厚み、且つ従来技術では達成し得なかった少ない個数の点光源を配置したバックライトにおいて、優れた輝度及び輝度均一性の両立が可能となる拡散板、及び前記拡散板を用いたバックライト装置を提供することである。 - 特許庁

This method includes a process of adhering a film 11, containing ≥70 wt.% zinc oxide and silicon oxide onto compound semiconductor layers 2 to 8 from a diffusion source, and a process of diffusing zinc in the compound semiconductor layers 2 to 8 by heating from the diffusion source.例文帳に追加

酸化亜鉛を７０重量％以上含有する酸化亜鉛と酸化シリコンを含有する膜１１を拡散源を化合物半導体層２〜８上に被着する工程と、加熱により前記拡散源より前記化合物半導体層２〜８内に亜鉛を拡散する工程とを含む。 - 特許庁

With this, even if gas diffusion performance is interfered by water freezing at the time of starting at freezing, since hydrogen with a small molecule size and a high content is supplied at the anode side, hydrogen diffusion on the anode at the starting at freezing is further improved than in the case of air supplying.例文帳に追加

これにより、凍結起動時において水の凍結によりガス拡散性が阻害されても、アノード側では分子サイズが小さく含有率も高い水素が供給されることから、凍結起動時におけるアノードでの水素の拡散は、空気供給の場合に比して高まる。 - 特許庁

In the variable resistance element 101, a hydrogen barrier layer 26 suppressing the diffusion of hydrogen to the variable resistance layer 22, a hydrogen barrier layer 19a in a lower electrode 19, and a buried insulating layer 21 having a function of suppressing hydrogen diffusion are formed in a peripheral area surrounding the variable resistance layer 22.例文帳に追加

可変抵抗素子部１０１では、可変抵抗層２２を囲む周辺領域に、可変抵抗層２２への水素の拡散を抑制する水素バリア層２６、下部電極１９における水素バリア層１９ａ、および水素の拡散抑制機能を有する埋め込み絶縁層２１が形成されている - 特許庁

The 1st light diffusion layer 1 is made of light transmitting plastic, has 50-200 μm thickness, and contains 20-50 wt.% 1st light diffusion material 1b comprising light transmitting fine particles having a refractive index difference of 0.07-0.17 and 1-12 μm weight average particle diameter in a 1st base material 1a.例文帳に追加

第１光拡散層１は、透光性プラスチックからなる第１基材１ａ中に屈折率差０．０７〜０．１７で重量平均粒子径１〜１２μｍの透光性微粒子からなる第１光拡散材１ｂが２０〜５０重量％含有されてなり、厚さが５０〜２００μｍである。 - 特許庁

At one end of the translucent medium 1, a transmission and diffusion part 4 is formed which diffuses light and in an area where the optical fiber is not arranged at the other end of the translucent medium 1, a reflection part 5 which reflects light (or a reflection and diffusion part which reflects and diffuses light) is formed.例文帳に追加

透光性媒体１の一端には、光を拡散する透過拡散部４が形成されており、透光性媒体１の他端の光ファイバの配置されていない領域には、光を反射する反射部（又は光を反射拡散する反射拡散部）５が形成されている。 - 特許庁

The nonvolatile memory element 313 has diffusion layer regions 35 and 36, a gate electrode 15 and memory function parts 25 and 26, and the quantity of current between the diffusion layer regions 35 and 36 is varied when a voltage is applied to the gate electrode 15 depending on the quantity of charges being held in the memory function parts 25 and 26.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子３１３は、拡散層領域３５，３６、ゲート電極１５、メモリ機能部２５，２６を備え、メモリ機能部２５，２６が保持する電荷の多寡により、ゲート電極１５に電圧を印加した際の拡散層領域３５，３６間の電流量を変化させる。 - 特許庁

The surface light emitting body 11 has a reflecting film 13 of which on one face a light diffusion pattern 14 with concavo-convex shape is formed and a light guide layer 12 which is formed so as to be adhered closely to the reflecting film 13 along the concavo-convex shape of the light diffusion pattern 14.例文帳に追加

本発明の面発光体１１は、片面に凹凸形状を有する光拡散パターン１４が形成された反射フィルム１３と、光拡散パターン１４の凹凸形状に沿って反射フィルム１３と密着するように形成された導光層１２とを有する。 - 特許庁

The transmission type screen comprises a Fresnel lens sheet, a lenticular lens sheet 1 provided with convex black stripes 2 on the light-exit surface side, and a diffusion sheet 4 having an uneven surface 5 on one side thereof, and the uneven surface 5 of the diffusion sheet 4 is joined to the lenticular lens sheet 1 at the top portions of black stripes 2.例文帳に追加

フレネルレンズシートと、光出射面側に凸状のブラックストライプ２が設けられたレンチキュラーレンズシート１と、片側に凹凸面５を有する拡散シート４とを備え、拡散シート４の凹凸面５とレンチキュラーレンズシート１とがブラックストライプ２の頂部で接合している。 - 特許庁

The solar cell further includes: first p-type metal electrodes 7 located above the p-type diffusion regions 3 and formed to embed the insides of the first openings 6; and first n-type metal electrodes 8 located above the n-type diffusion regions 4 and formed to embed the insides of the first openings 6.例文帳に追加

また、ｐ型拡散領域３の上方の第１開口部６の内部を埋め込むように形成された第１ｐ型金属電極７と、ｎ型拡散領域４の上方の第１開口部６の内部を埋め込むように形成された第１ｎ型金属電極８とを備えている。 - 特許庁

In the gas diffusion layer with a micro porous layer for a fuel cell, the micro porous layer is formed on one surface of a gas diffusion bas material, the micro porous layer includes conductive carbon particles, metal fibers, and a fluorocarbon resin, and an aspect ratio of the metal fiber is ≤30.例文帳に追加

本発明の燃料電池用のマイクロポーラス層付きガス拡散電極は、ガス拡散基材の片面上にマイクロポーラス層が形成されており、前記マイクロポーラス層は、導電性炭素粒子、金属繊維及びフッ素系樹脂を含有しており、前記金属繊維のアスペクト比は３０以下である。 - 特許庁

To provide a biaxially oriented polyester film roll for a liquid crystal display downward prism type diffusion plate that improves luminance of a liquid crystal display when used for the downward prism type diffusion plate while having conventional advantages of a transparent film using the biaxially oriented polyester film.例文帳に追加

二軸延伸ポリエステルフィルムを用いた透明フィルム従来の利点を有したまま、下向きプリズム方式拡散板に用いられるときの液晶ディスプレイの輝度向上を実現する液晶ディスプレイ下向きプリズム方式拡散板用二軸延伸ポリエステルフィルムロールを提供する事が課題である。 - 特許庁

The optical sheet 10 integrated with the lens sheet and the diffusion sheet is so formed that the surface on the light source side of at least either of the lens sheet 14 nearest the light source side, and the sheet on the counter light source side from the lens sheet does not have light diffusion function.例文帳に追加

レンズシートと、拡散シートとを一体化した光学シートにおいて、最も光源側に近いレンズシート及び該レンズシートより反光源側のシートの少なくともいずれかにおける光源側の面が光拡散機能を有さないことを特徴とする光学シートである。 - 特許庁

A waveguide substrate 1 is provided with a plurality of optical diffusion plates 2 capable of controlling opacity by voltage impression to the substrate in parallel therewith and these optical diffusion plates 2 are irradiated with a laser beam 14 emitted in a direction perpendicular to the substrate 1 from the substrate by an optical switch 8.例文帳に追加

導波路基板１に平行に電圧印加により不透明度を制御することができる光拡散板２を複数設け、光スイッチ８により導波路基板１からそれに垂直方向に出射されるレーザ光１４をこれらの光拡散板２に照射する。 - 特許庁

The time to reduce the metallic element content within a metallic element diffusion treatment layer to 3-5 wt.% is predicted in a plane analysis by utilizing a behavior of an increase in the ratio of an area occupied by an island-shaped low metallic element concentration phase distributed within the metallic element diffusion treatment layer.例文帳に追加

面分析により、金属元素の拡散処理層内にて島状に分布する低金属元素濃度相が占める面積率の増加挙動を利用してこの金属元素拡散処理層内の金属元素含有率が３〜５重量％にまで低下する時期を予測する。 - 特許庁

A semiconductor device has the silicon pillar 15A, a gate electrode 20A coating the side face of the silicon pillar 15A through a gate insulating film 19A, a diffusion layer 26 arranged to the upper section of the silicon pillar 15A and a cylindrical sidewall insulating film 25 insulating the diffusion layer 26 and the gate electrode 20A.例文帳に追加

シリコンピラー１５Ａと、ゲート絶縁膜１９Ａを介してシリコンピラー１５Ａの側面を覆うゲート電極２０Ａと、シリコンピラー１５Ａの上部に配置された拡散層２６と、拡散層２６とゲート電極２０Ａとを絶縁する筒状のサイドウォール絶縁膜２５とを備える。 - 特許庁

An isolation insulating layer 6 isolates a region where the source-drain region 11 is formed from the impurity diffusion region 14 for control gate by surrounding the periphery of the impurity diffusion region 14 for control gate while reaching the buried insulating layer 2 from the surface of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

分離絶縁層６は、半導体層３の表面から埋め込み絶縁層２に達しながらコントロールゲート用不純物拡散領域１４の周囲を取り囲むことで、ソース／ドレイン領域１１が形成された領域とコントロールゲート用不純物拡散領域１４とを分け隔てている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device and the semiconductor device in which the concentration distribution of impurities in the depthwise direction of an impurity diffusion layer can be controlled, and the impurity diffusion layer displaying an approximately constant impurity concentration in the depth direction can be formed.例文帳に追加

不純物拡散層の深さ方向における不純物の濃度分布を制御することができ、深さ方向に対してほぼ一定の不純物濃度を示す不純物拡散層を形成することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing a short-channel effect and an increase in junction capacity in a diffusion layer region while miniaturizing the width of a sidewall and gate length, having low parasitic resistance in the diffusion layer region and excellent in HC (hot carrier) characteristics, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

サイドウォールの幅及びゲート長の微小化を図りつつ、短チャンネル効果及び拡散層領域における接合容量の増大が抑えられ、また、拡散層領域の寄生抵抗が小さく、ＨＣ耐性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The second conductive (p-type) diffusion region (body region) 2 is formed on the surface side of the first conductive type (n-type, for example), which is used as a drain region 1, and the first conductive type (n-type) source region 3 is formed on the surface side of the diffusion region 2.例文帳に追加

ドレイン領域１とする第１導電形（たとえばｎ形）の半導体層の表面側に第２導電形（ｐ形）の拡散領域（ボディ領域）２が形成され、その拡散領域２の表面側に第１導電形（ｎ形）のソース領域３が形成されている。 - 特許庁

A basic cell includes a capacity element which is made up of: a first well diffusion layer into which a first conductive impurity is diffused in a region from a surface of a substrate to a prescribed depth; an insulation film which is provided on the first well diffusion layer; and a first dummy pattern which is provided on the insulation film.例文帳に追加

基板の表面から所定の深さまでの領域に第１の導電性不純物が拡散された第１のウェル拡散層と、第１のウェル拡散層の上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられた第１のダミーパターンとからなる容量素子を有する。 - 特許庁

A region on a P-type substrate 3, corresponding to a lateral PNP transistor 1b, is etched to form a trench part 20 and the N+ type embedded diffusion layer 12 of the lateral PNP transistor 1b is formed at a position deeper than the N+ type embedded diffusion layer 4 of a lateral PNP transistor 1a.例文帳に追加

Ｐ型基板３上の縦型ＰＮＰトランジスタ１ｂに対応する領域をエッチングして堀り込み部２０を設け、縦型ＰＮＰトランジスタ１ｂのＮ＋型埋め込み拡散層１２を縦型ＮＰＮトランジスタ１ａのＮ＋型埋め込み拡散層４より深い位置に形成する。 - 特許庁

The light diffusion sheet for the liquid crystal display device is equipped with a transparent base material layer and a light diffusion layer layered on a surface side of the base material layer and contains a near-infrared light absorbent and has a near-infrared light transmittance of 50% or less.例文帳に追加

本発明は、透明な基材層とこの基材層の表面側に積層される光拡散層とを備える液晶表示装置用光拡散シートであって、近赤外線吸収剤を含有し、近赤外線透過率が５０％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

Light GL other than the light flooded and projected as the spot light SL in the predetermined direction from a light-flooding aperture 6 of a lamp cover 4 is diffusion-reflected and attenuated by the light diffusion element group 7 on the inner surface of the lamp chamber 5.例文帳に追加

この結果、ＬＥＤ２からの光のうち、ランプカバー４の投光用開口孔６から所定の方向にスポット光ＳＬとして投光照射される光以外の光ＧＬを、灯室５の内面の光拡散素子群７において拡散反射させて減衰させることができる。 - 特許庁

At the time of connecting an n-type polycrystalline silicon film(storage node electrode) 12 through an n-type polycrystalline silicon film 15 to an n-type source/drain diffusion layer 23 of an MOS transistor, a WSiN layer 14 is interposed between the n-type polycrystalline silicon film 15 and the n-type source/drain diffusion layer 23.例文帳に追加

ｎ型多結晶シリコン膜（ストレージノード電極）１２をｎ型多結晶シリコン膜１５を介してＭＯＳトランジスタのｎ型ソース／ドレイン拡散層２３に接続させる際に、ｎ型多結晶シリコン膜１５とｎ型ソース／ドレイン拡散層２３との間にＷＳｉＮ層１４を介在させる。 - 特許庁

Impurity concentration at a part adjacent to the pn junction side of diffusion layers (p-type diffusion separation walls) 14, 14a, 14b for electrically dividing the inside of a substrate through a pn junction is enhanced selectively near the substrate surface, where high-concentration regions (n^+-layer) 15a-15c are formed.例文帳に追加

ｐｎ接合を通じて基板内部を電気的に区画する拡散層（Ｐ型拡散分離壁）１４および１４ａおよび１４ｂのｐｎ接合側に近接する部分の不純物濃度を基板表面の近傍にて選択的に高めて、そこに高濃度領域（Ｎ^+層）１５ａ〜１５ｃを形成する。 - 特許庁

A recessed part and a trench are formed on the main surface of a monocrystal silicon substrate 101, an n+ diffusion layer 117 as a pair of counter electrodes is formed in the substrate surface direction with the trench between, and an n+ diffusion layer 117 is also formed in a direction orthogonal to the substrate surface direction.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１０１の主表面に凹部，トレンチを形成し、基板面方向にトレンチを挟んで一対の対向電極としてのｎ＋拡散層１１７を形成するとともに、基板面方向に直交する方向にｎ＋拡散層１１７を形成する。 - 特許庁

Stiffening members 10 preventing a fibrous material contained in the diffusion layer 5 from penetrating is arranged in a side of the two opposing sides of a side where a region where the diffusion layer 5 is located outside beyond the catalyst layer 4 in the electrolyte film 2 is located.例文帳に追加

そして、電解質膜２における拡散層５が触媒層４を越えて外側に位置する領域が位置する側の対向する２辺側には拡散層５に含まれる繊維状物質が通過するのを阻止することのできる補強材料１０が配置されている。 - 特許庁

Each of single cells constituting a stack of the fuel cell includes a solid polymer film 20, an anode catalyzer layer 21 and a cathode catalyzer 22 sandwiching the film, an anode gas diffusion layer 23 and a cathode gas diffusion layer 24 sandwiching the above and separators 3 sandwiching the above.例文帳に追加

燃料電池の積層体を構成する各単電池は、固体高分子膜２０と、これを挟み込むアノード触媒層２１およびカソード触媒層２２と、これらを挟み込むアノードガス拡散層２３およびカソードガス拡散層２４と、これらを挟み込むセパレータ３と、を有する。 - 特許庁

More specifically, the diffusion illumination light source consisting of a straight pipe fluorescent lamp (light source body) 21 provided along the extension direction of the test piece and the diffusion plate 22 interposed between the light source body, and the test piece and diffusing and transmitting the light emitted from the light source body is provided.例文帳に追加

具体的には試験片の伸び方向に沿って設けられた直管蛍光灯（光源体）２１と、この光源体と試験片との間に介装されて該光源体から放射された光を拡散透過する拡散板２２とからなる拡散照明光源を設ける。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device is equipped with a semiconductor substrate 2, a light emitting functional layer 3 of AlGaInP compound semiconductor, and a current diffusion layer 5a where a buffer layer 11 of GaxIn(1-x)P (x=0.7 to 0.9) is provided between the light emitting functional layer 3 and the current diffusion layer 5a.例文帳に追加

半導体基板２とＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体から成る発光機能層３と電流拡散層５ａとを有する半導体発光素子において、発光機能層３と電流拡散層５ａとの間にＧａ_xＩｎ_(1-x)Ｐ（ｘ＝０.７〜０.９）から成るバッファ層１１を形成する。 - 特許庁

The diffusion of Fe atoms in the base plate into the brazing filler metal which is melted during a brazing process is suppressed by the Fe-atom-diffusion-suppressing layer, and a proper amounts of Ni and Cr are diffused into the brazing filler metal part, thus the excellent corrosion resistance and the oxidization resistance are given to the brazing filler metal part.例文帳に追加

前記Ｆｅ原子拡散抑制層により、ろう接の際に基板中のＦｅ原子が溶融したろう材部に拡散することが抑制され、また適量のＮｉ、Ｃｒをろう材部に拡散させることができ、ろう材部に優れた耐食性、耐酸化性を付与することができる。 - 特許庁

This lighting system is provided with an LED module in which a plurality of the LEDs and a connecting terminal for power supply are formed, a diffusion guide diffusing light generated by the plurality of LEDs, and a cover in which the diffusion guide is installed and with which the LED module is connected.例文帳に追加

本発明の照明装置は、複数のＬＥＤ及び電源供給のための接続端子が形成されたＬＥＤモジュールと、前記複数のＬＥＤから発生した光を拡散させる拡散ガイド部と、前記拡散ガイド部が設置され、前記ＬＥＤモジュールが結合されるカバーとが備えられる。 - 特許庁

Then, the brightness of the just-under type liquid crystal display device 1100 can be partially adjusted by properly changing the distance(s) between the light diffusion member and the lamp(s) and thereby compensating for the brightness at both end parts of the light diffusion member to improve the display quality.例文帳に追加

この時、光拡散部材とランプ３１０との間の距離を適切に変更することにより、光拡散部材の両端部での輝度を補償して表示品質を向上させ、直下型液晶表示装置１１００の輝度を部分的に調整することができる。 - 特許庁

The surface light source device 20 includes a plurality of light sources 21 arranged in parallel each in separation, a lamp box 22 housing the light sources, a light diffusion plate 23 arranged on the lamp box, and a plurality of spacer pins 25 which are arranged in the lamp box 22 and support the light diffusion plate 23.例文帳に追加

面光源装置２０は、互いに離間して並列配置される複数の光源２１と、複数の光源を収容するランプボックス２２と、ランプボックス上に設けられる光拡散板２３と、ランプボックス２２内に設けられており光拡散板２３を支持する複数のスペーサピン２５とを備える。 - 特許庁

A method for manufacturing a photoelectric converter comprises the steps of forming the bonding layer by the thermal diffusion in an atmosphere containing an N-type or P-type dopant on a P-type or an N-type silicon substrate in a diffusion furnace, then switching the atmosphere in the furnace to the oxygen atmosphere, and starting annealing to form the protective film on the surface of the silicon substrate.例文帳に追加

拡散炉内で、Ｐ型またはＮ型シリコン基板に、Ｎ型またはＰ型ドーパントを含む雰囲気で熱拡散によって接合層を形成した後、その炉内の雰囲気を酸素雰囲気に切り換えるとともに、徐冷を開始して、シリコン基板表面に保護膜を形成する。 - 特許庁

To provide a catalyst layer retaining diffusion layer for a fuel cell, a membrane electrode assembly for a fuel cell, a manufacturing method of the catalyst layer retaining diffusion layer for a fuel cell, and a manufacturing method of the membrane electrode assembly for a fuel cell, which is advantageous to improve resistance to a cross-leak.例文帳に追加

クロスリークに対する抵抗性を高めるのに有利な燃料電池用の触媒層保有拡散層、燃料電池用の膜電極接合体、燃料電池用の触媒層保有拡散層の製造方法、燃料電池用の膜電極接合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Relating to solid-liquid separator provided with a membrane separator arranged inside a membrane separation tank and a diffusion device arranged at the lower part of the membrane separator, the diffusion device is constituted of main pipes 5, a first branch pipe 6 connected with the main pipes 5, and second branch pipes 8 connected with the first branch pipe 6.例文帳に追加

膜分離槽の内部に配設された膜分離装置と、該膜分離装置の下方に配設された散気装置とを備えた固液分離装置において、散気装置を、主管５と、主管５に接続された第一枝管６と、第一枝管６に接続された第二枝管８からなるものとする。 - 特許庁

In a pixel array part of a CMOS image sensor, a plurality of unit pixels 50 each including at least a photodiode 61, a transfer gate 64 transferring charge generated by the photodiode 61 to a floating diffusion region 65 and a reset transistor 66 discharging charge in the floating diffusion region 65, are arranged.例文帳に追加

CMOSイメージセンサの画素アレイ部には、フォトダイオード６１と、フォトダイオード６１により生成された電荷を浮遊拡散領域６５に転送する転送ゲート６４と、浮遊拡散領域６５の電荷を排出するリセットトランジスタ６６とを少なくとも備える複数の単位画素５０が配列されている。 - 特許庁

The mesh plate 26 is a flat plate in which a plurality of openings are formed, and decreases the contact pressure U between the expanded metal 20 and the gas diffusion layer 14 without obstructing giving and receiving of gas or produced water in the cell between the expanded metal 20 and the gas diffusion layer 14.例文帳に追加

メッシュプレート２６は、複数の開口が形成された平坦なプレートであり、エキスパンドメタル２０とガス拡散層１４との間での、ガスやセル内で発生する生成水の授受を阻害することなく、エキスパンドメタル２０とガス拡散層１４との接触面圧Ｕを低下させる。 - 特許庁

Since the n type impurity layer obstructs the advance of diffusion of the channel layer, the depth of the channel layer can be controlled correctly by forming the n type impurity layer in the position where the desired depth of the channel layer is obtained.例文帳に追加

ｎ型不純物層は、チャネル層の拡散の進行を阻むため、所望のチャネル層深さが得られる位置にｎ型不純物層を形成することによりチャネル層深さを正確に制御できる。 - 特許庁

To provide a water-barrier structure capable of preventing leakage of polluted water in the ground, permeation and diffusion to the periphery as well as a water-barrier structure having no fear of bursting a water-barrier sheet by oozing-out of underground water.例文帳に追加

汚染水の地下への漏洩や周囲への浸透、拡散を防止できる遮水構造や地下水の浸出によって遮水シート等が破裂する心配のない遮水構造を提供する。 - 特許庁

A water level in the hollow part a of the diaphragm wall 1 is set to be higher than the level of ground water in the subject ground b, and emission and diffusion of the contaminating substance around are prevented by use of the differential water level.例文帳に追加

この地中連続壁１の中空部ａ内の水位を対象地盤ｂの地下水位以上となるようにし、水位差を利用して周辺への汚染物質の流出拡散を防止する。 - 特許庁