「diffusion of」に関連した英語例文の一覧と使い方(181ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device includes: a semiconductor region 12 formed on a semiconductor substrate 11; an element separation region 13 for separating the semiconductor region 12 from another region; a diffusion layer 14 formed in the upper part of the semiconductor region 12 and forming PN junction on a boundary with the semiconductor region 12; and a silicide layer 15 formed in the upper part of the diffusion layer 14.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１に形成された半導体領域１２と、半導体領域１２を他の領域から分離する素子分離領域１３と、半導体領域１２の上部に形成され、半導体領域１２との界面においてＰＮ接合を形成する拡散層１４と、拡散層１４の上部に形成されたシリサイド層１５とを備えている。 - 特許庁

The first MIS transistor Trl includes: a first pocket region 9A of a second conductivity type formed below a first extension region 8A of a first conductivity type in a first active region 1a; and a first diffusion suppression region 7A containing a diffusion suppression impurity and formed below the first pocket region 9A in the first active region 1a.例文帳に追加

第１のＭＩＳトランジスタＴｒｌは、第１の活性領域１ａにおける第１導電型の第１のエクステンション領域８Ａの下に形成された第２導電型の第１のポケット領域９Ａと、第１の活性領域１ａにおける第１のポケット領域９Ａの下に形成された拡散抑制不純物を含む第１の拡散抑制領域７Ａとを備えている。 - 特許庁

In the semiconductor device including complementary field effect transistors, a p-type impurity diffusion region 5a to become an emitter electrode of a parasitically formed bipolar transistor and an n-type impurity diffusion region 3 electrically connected to a power supply line 14 are connected by connection wiring 40 formed of a high-melting point metal silicide having n-type impurities.例文帳に追加

相補型電界効果型トランジスタを含む半導体装置において、寄生的に形成されるバイポーラトランジスタのエミッタ電極となるｐ型不純物拡散領域５ａと、電源供給線１４と電気的に接続されているｎ型不純物拡散領域３とを、ｎ型不純物を有する高融点金属シリサイドからなる接続配線４０により接続する。 - 特許庁

In a form of embodiment, the dual-gate semiconductor device contains a low-voltage region where a first gate dielectric are formed thereon and a diffusion barrier layer containing nitrogen and oxygen is formed on the first gate dielectric, and a high-voltage region where a second gate dielectric having a thickness thicker than that of the first gate dielectric is formed thereon and the diffusion barrier layer does not exist.例文帳に追加

１つの実施の形態では、デュアルゲート半導体装置は、上に第１のゲート誘電体が形成されており、該第１のゲート誘電体の上に窒素および酸素を含む拡散障壁層が形成されている低電圧領域と、第１のゲート誘電体より厚い厚さを有する第２のゲート誘電体が上に形成されており、前記拡散障壁層が無い高電圧領域と、を含む。 - 特許庁

To provide a gas diffusion electrode joint and a PEFC allowing the use of a perfluorosulfonic ionomer having high proton conductivity and superior performance in a gas diffusion electrode joint producing method for a polymer fuel cell, and the uniform formation of a thin polymer electrolytic membrane on a catalyst layer, having lower internal resistance, low-humidification or non-humidification operating adaptability and high output.例文帳に追加

高分子型燃料電池のガス拡散電極接合体の製造方法において、プロトン伝導度の高い性能の優れたパーフロオロスルホン酸イオノマーを使用でき、かつ膜厚の薄い高分子電解質膜を触媒層上に均一に形成でき、内部抵抗の低い、低加湿または無加湿作動に適した、高出力のガス拡散電極接合体、およびＰＥＦＣを提供する。 - 特許庁

An apparatus has an MgO source-stocker 1, piping 2 with one end connected to stocker 1, which supplies the MgO source by gravity, a casing 3 which discharges the supplied MgO source by a rotating body 4 located therein from a hole of a predetermined width formed at its bottom, and a scraper 7 on which diffusion-inhibiting plates 6 inhibiting the diffusion of the MgO source are formed at both ends.例文帳に追加

ＭｇＯソースストッカー１と、ストッカー１に一端を結合しＭｇＯソースを自重により供給する配管２と、供給されたＭｇＯソースを内部に配置した回転体４により下端部に形成した所定幅の穴部から排出するケーシング３と、ＭｇＯソースの拡散を抑制する拡散抑制板６を両端に形成したスクレッパー７とを有する。 - 特許庁

When a reaction product with Ni is formed on the impurity diffusion layer or polycrystalline Si formed on Si substrate, a reaction region is specified in consideration of the diffusion coefficient of Ni inside Si during reaction.例文帳に追加

STI により囲まれた素子領域にサリサイド技術を用いてシリサイド反応時におけるシリコン中の拡散係数が大きい金属を用いてシリサイドを形成した際、大きなSTI 領域中に素子領域が孤立して存在する場合でもシリサイドプロセス時に接合領域での過剰なシリサイド反応を抑制し、接合リークを伴わない低抵抗シリサイド領域を形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When performing depth direction analysis of at least one metal element of Ga, In, Cu, Au or Ag in a sample using monocrystal silicon as a base material by a mass spectrometry method by using oxygen as primary ion, at least a deeper domain than a domain where the sample is oxidized by oxygen as primary ion, is reformed beforehand as a diffusion suppression domain for suppressing diffusion of the metal element resulting from oxidation of the sample.例文帳に追加

一次イオンに酸素を用いて単結晶シリコンを母材とする試料中のＧａ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ａｕ或いはＡｇの少なくとも一つの金属元素の深さ方向分析を二次イオン質量分析法によって行う際に、前記試料が前記一次イオンとしての酸素により酸化される領域より少なくとも深い領域を、予め試料の酸化に伴う前記金属元素の拡散を抑制する拡散抑制領域に改質しておく。 - 特許庁

The method includes: an amorphous layer forming step of forming an amorphous layer 111 on a surface of a semiconductor substrate 100 by modifying a surface of the semiconductor substrate 100 into the amorphous layer; and a diffusion layer forming step of forming a diffusion layer 112 in the semiconductor substrate 100 by irradiating the semiconductor substrate 100 with a microwave in a dopant-containing gas atmosphere to diffuse the dopant in the amorphous layer 111 and also activating the dopant.例文帳に追加

半導体基板１００表面をアモルファス化することにより半導体基板１００表面にアモルファス層１１１を形成するアモルファス層形成工程と、ドーパントを含むガス雰囲気中で半導体基板１００にマイクロ波を照射することにより、アモルファス層１１１にドーパントを拡散させるとともにドーパントの活性化を行い、半導体基板１００に拡散層１１２を形成する拡散層形成工程と、を具備する。 - 特許庁

This fuel cell (100) includes an electrolyte membrane (12) of a solid polymer type having proton conductivity, a cathode catalyst layer (14) and an anode catalyst layer (16) to pinch the electrolyte membrane, a first gas diffusion layer (30) which is installed on the opposite side of the electrolyte membrane of the anode catalyst layer and equipped with a second gas diffusion layer (35) composed of carbon paper cloth.例文帳に追加

本発明に係る燃料電池（１００）は、プロトン伝導性を有する固体高分子型の電解質膜（１２）と、電解質膜を挟持するカソード触媒層（１４）およびアノード触媒層（１６）と、カソード触媒層の電解質膜と反対側に設けられ、カーボンペーパーからなる第１ガス拡散層（３０）と、アノード触媒層の電解質膜と反対側に設けられ、カーボンクロスからなる第２ガス拡散層（３５）と、を備えることを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a fine transistor wherein not only a vicinity region of a source-drain diffusion layer but also entire source-drain region are formed with a high concentration, and obtaining an ohmic characteristic of a contact to a gate electrode of a first layer.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層はソース・ドレインコンタクト付近に限らず、全体に渡って高濃度で形成されつつ、第１層目ゲート電極へのコンタクトのオーミック特性を得た微細なトランジスタを持つ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A prism-train shape is formed in a surface of a diffusion plate compounded with a light-diffusing agent, and shapes of protrusions and recesses in a prism train are brought into specified curved faces, to solve the problems which are mutually contrary of erasing the lamp image and bringing high luminance.例文帳に追加

光拡散剤を配合した拡散板の表面にプリズム列形状を賦形し、なおかつプリズム列の凸部凹部の形状を特定の曲面にすることでランプイメージを消しこみかつ高輝度という相反する課題を解決できる。 - 特許庁

Diffusion areas 112, 122 corresponding to the back gates of the respective MOS transistors T1, T2 formed on both a semiconductor substrate 100 and an n-well 110 are used as those having the same type of conductivity as that of the adjacent source areas 111S, 121S.例文帳に追加

半導体基板１００及びＮウェル１１０に形成される各ＭＯＳトランジスタＴ１，Ｔ２のバックゲートに相当する拡散領域１１２，１２２を、それぞれ隣接するソース領域１１１Ｓ，１２１Ｓと同一導電型の拡散領域とする。 - 特許庁

The irradiation with the exposure light in the exposure process is performed by arranging louvers between the exposure light source of the exposure light and the lenticular lens of the light transparent substrate in such a manner that the diffusion angle of the exposure light attains ≥±2 to ≤15°.例文帳に追加

本発明においては、露光工程における露光光線の照射を、露光光線の露光光源と光透過性基板のレンチキュラーレンズとの間に、露光光線の拡散角が±２°以上±１５°以下となるようにルーバーを配置して行う。 - 特許庁

To solve the problem wherein a space is necessary for sufficient diffusion between a light emitting source and a surface of a diffusing plate from which illuminating light exists, and it is difficult to shorten the space for reducing a thickness dimension of a light emitting surface of a light projecting means.例文帳に追加

発光源と拡散板の照明光の射出していく面の間には十分な拡散を得るために間隔が必要であり、この間隔を短くして投光手段発光面の厚み方向の寸法を小さくすることは難しい。 - 特許庁

The performance of the heat treatment for a short time less than or equal to 1 ms suppresses a variation in the concentration profile of the p-type impurity of the p-type extended region 7 and the p-type diffusion region 11 that are previously formed.例文帳に追加

また、Ｓｉ：Ｃ層１６を形成する際の熱処理を１ｍ秒以下の短時間で行うことにより、すでに形成されているｐ型拡張領域７およびｐ型拡散領域１１のｐ型不純物の濃度プロファイルの変化を抑える。 - 特許庁

After operation, when an air pressure acts on a ventilation port 24, by the action of the protruded part, air easily invades between the porous membrane material 30 and the ceiling face part 22 to promote the expansion deformation of the porous membrane material 30 and increase the efficiency of air diffusion from a small hole 33.例文帳に追加

作動後、通気口24に空気圧が作用したとき、凸部の作用により、多孔膜材30と天井面部22の間に空気が容易に侵入して、多孔膜材30の膨張変形が促進され、小孔33からの散気効率が高められる。 - 特許庁

The diffusion layer 12 is a layer of an oxide formed by diffusing at least a part of elements included in the ceramic element 1 therein, and is formed in a region on a surface side of the ceramic element 1 relative to internal electrode layers 21 and 22 located on the outermost side.例文帳に追加

この拡散層１２は、セラミック素体１に含まれる元素の少なくとも一部が拡散した酸化物の層であって、最外側に位置する内部電極層２１、２２よりも、セラミック素体１の表面側の領域に形成されている。 - 特許庁

To provide an optical diffusion sheet of a translucent type which can improve the illumination luminance during lighting of a back light without impairing the illumination luminance during non-lighting of the back light and a back light system using the same.例文帳に追加

半透過式液晶表示装置において、バックライト非点灯時の照明輝度を損なうことなくバックライト点灯時の照明輝度を向上させることの出来る半透過タイプの光拡散シートおよびこれを用いたバックライト装置を提供する。 - 特許庁

After an epitaxial layer 11 (n-type semiconductor layer) 11 is formed on the surface of a silicon substrate (p-type semiconductor substrate) 10, n-type diffusion regions 17 are formed on the peripheral edge sections of the substrate 10 and layer 11 and the rear surface of the substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０（ｐ型の半導体基板）表面にエピタキシャル層１１（ｎ型の半導体層）を形成し、シリコン基板１０及びエピタキシャル層１１の周縁部、並びにシリコン基板１０の裏面にｎ型拡散領域１７を形成する。 - 特許庁

The dust catcher includes: a dust receiving box 16 which receives the dust 15 falling from the straight pipe part of 121 of the fuel gas diffusion pipe 12; and a dust catching plate 17 which receives and catches the dust 15 on the inside of the dust receiving box 16.例文帳に追加

本発明のダストキャッチャーは、燃料ガス放散管１２の直管部１２１から落下するダスト１５を受け入れるダスト受入箱１６と、ダスト１５をダスト受入箱１６の内部で受け止めて捕捉するダスト捕捉板１７とを備えている。 - 特許庁

The diffusion plate uneven part 61 makes light irradiating the reverse surface of an LCD 5 uniform by greatly attenuating the light by forming respective peak parts of a plurality of light source elements irradiated with the most intense light thicker.例文帳に追加

この拡散板凹凸部６１は、最も強い光が照射される複数個の光源素子それぞれの直上部をより厚く形成して光を大きく減衰させることにより、ＬＣＤ５の裏面に照射される光を均等化している。 - 特許庁

To provide an electrolytic tank capable of uniformly feeding/ discharging oxygen gas to/from a gas chamber of a gas diffusion electrode by providing a gas chamber in which a large number of holes for feeding/ discharging the oxygen gas are opened in a cathode collector frame.例文帳に追加

陰極集電枠に酸素ガスの供給及び排出のための多数の孔を開設したガスチャンバーを付設することによって、ガス拡散電極のガス室への酸素ガスの均一な供給及び排出が行える電解槽を提供する。 - 特許庁

In this processing, an appropriate low density value is previously set, and when a density value of the target pixel of scan line is 0%, a density value of the target value is changed to the previously set density value, thus error diffusion processing being performed based on the changed density value.例文帳に追加

この処理において、予め適宜な低濃度値を設定し、スキャンラインの注目ピクセルの濃度値が０％の場合にその注目ピクセルの濃度値を前記設定濃度値に変更し、該変更した濃度値に基づいて誤差拡散処理を行う。 - 特許庁

To provide an automatic lid opening and closing device for a composting container which uses a shape memory alloy allowing a lid to be automatically opened or closed by an effect of an ambient atmospheric temperature so as to prevent the diffusion of generated vapor and the absorption of moisture.例文帳に追加

堆肥化容器に於いて、周辺の雰囲気温度により自動的に蓋を開閉し発生蒸気の放散と吸湿を防止する事を目的として形状記憶合金を用いた堆肥化容器の自動蓋開閉装置を提供する。 - 特許庁

The diffusion of the conditioned air c can be minimized by supplying the conditioned air c in parallel with the flow b of the air in the room flowing toward the heat generator 2 in the room, to efficiently partially condition the air of the air conditioned area.例文帳に追加

室内において発熱体２に向って流れている室内空気の気流ｂと平行に空調空気ｃを給気することにより，空調空気ｃの拡散をなるべく少なくでき，空調対象領域を効率良く局所空調できる。 - 特許庁

Next, the first spacer film is removed, impurities of the second conductivity-type are implanted into the surface layer part of the first region with use of the first gate electrode as a mask for third activation treatment and to form a third impurity diffusion region 111.例文帳に追加

次いで第１のスペーサ膜を除去し、第１のゲート電極をマスクとして第１領域の表層部に第２導電型の不純物を注入した後第３の活性化処理を行い、第３の不純物拡散領域１１１を形成する。 - 特許庁

A process for etching a silicon oxide film 8 and TEOS films 9 and 20 on the surface of a diffusion region 4 of a collector region is separated from a process for etching TEOS films 12 and 20 on the surface of a base taking-out electrode 16.例文帳に追加

本発明では、コレクタ領域の拡散領域４表面のシリコン酸化膜８、ＴＥＯＳ膜９、２０をエッチングする工程と、ベース取り出し電極１６表面のＴＥＯＳ１２、２０膜をエッチングする工程とを別工程とする。 - 特許庁

Since the call setup, such as allocation of the spectrum diffusion code, is performed in the beginning of a call from the subscriber station, the subscriber unit can quickly access to a part of the frequency spectrum required for supporting the necessary particular application.例文帳に追加

スペクトラム拡散符号の割当てなど呼セットアップは上記加入者局ユニットからの呼の始まりに行われるので、加入者局ユニットは所要特定用途のサポートに必要な周波数スペクトラムの一部へのアクセスを急速に達成できる。 - 特許庁

A coverage rate representing the area of a region that is the sum of an impurity diffusion layer forming region and a gate electrode forming region per given area is determined to be different between the first region A1 and the second region A2 of the semiconductor substrate.例文帳に追加

ここで、所定面積あたりの不純物拡散層の形成領域とゲート電極の形成領域の和で示される領域の面積である被覆率が、半導体基板の第１の領域と第２の領域間で異なるようにする。 - 特許庁

This structure serves as a supply suppression structure for suppressing supply of liquid fuel from the first flow passage 13 to the diffusion layer 17 of the fuel electrode 1, and a discharge acceleration structure for accelerating discharge of discharge gas from the second flow passage 15.例文帳に追加

この構造は、第１の流路１３から燃料極１の拡散層１７への液体燃料の供給を抑制する供給抑制構造と、第２の流路１５からの排出ガスの排出を促進する排出促進構造とをなす。 - 特許庁

The optical sheet is used on a surface of a display element and includes a functional layer on at least one surface of a transparent substrate and a diffusion component on an outermost surface of and/or in the functional layer.例文帳に追加

透明基材の少なくとも一方の面に機能層を有し、該機能層の最表面及び／又は内部に拡散要素を有する表示素子表面に用いる光学シートであって、下記式（Ｉ）の関係を有することを特徴とした光学シートとする。 - 特許庁

To provide the treating method of a planographic printing plate, with which lowering of ink deposition property, occurring in printing after the lapse of long time since a planographic printing plate applying a silver complex salt diffusion transfer process has been made, is improved.例文帳に追加

本発明の目的は、銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版を製版してから長時間経過した後に印刷する際、発生するインキ乗り性の低下を改善する平版印刷版の処理方法を提供することにある。 - 特許庁

Concretely speaking, the LED for composing the full-color LED is inclined to the mount plate surface, and center axes 30R, 30G, 30B of the light radiation angle of the RGB LED are allowed to cross mutually in an optical path reaching the surface of the diffusion plate 20.例文帳に追加

具体的には、フルカラーＬＥＤを構成するＬＥＤを実装プレート面に対して傾斜させ、ＲＧＢのＬＥＤの光放射角の中心軸（３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂ）が拡散板２０面に至る光路中で互いに交差させている。 - 特許庁

To provide a substrate for power module with high reliability, which can promote the diffusion of heat from a heating body such as an electronic component mounted on a first metallic plate, and suppress the generation of a crack on a ceramic substrate under the load of a thermal cycle.例文帳に追加

第一の金属板の上に搭載された電子部品等の発熱体からの熱の放散を促進することができ、かつ、熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制し、信頼性の高いパワーモジュール用基板を提供する。 - 特許庁

By performing silicidation, cobalt silicide layers 50a1, 50a2, 50b1 and 50b2 are formed on the impurity diffusion regions 7a1 and 7a2 of the DRAM formation region, on the source/drain region 9 of the logic formation region and on the doped polysilicon film 4b of the logic formation region.例文帳に追加

次に、シリサイド化を行うことにより、ＤＲＡＭ形成領域の不純物拡散領域７ａ１，７ａ２上、ロジック形成領域のソース・ドレイン領域９上、及びロジック形成領域のドープトポリシリコン膜４ｂ上に、コバルトシリサイド層５０ａ１，５０ａ２，５０ｂ１，５０ｂ２を形成する。 - 特許庁

To provide a forming technique of a catalytic electrode contributing to improvement of power generation characteristics, in a manufacturing method of a solid polymer fuel cell, where power generation is arranged by fuel gas and oxygen gas to be supplied to a catalytic electrode layer through a gas diffusion layer.例文帳に追加

ガス拡散層を通じて燃料ガス及び酸素ガスが触媒電極層に供給されて発電する固体高分子型燃料電池の製造方法において、発電特性の向上に貢献する触媒電極の成形技術を提供する。 - 特許庁

The diffusion furnace includes a cylindrical heat-insulating cylinder 21 and heating wire 22 that is spirally arranged on the inner circumferential surface of the heat-insulating cylinder 21, and the heating wire 22 is fixed at a movable type separator 23B that can be moved in the direction of outside diameter of the heat-insulating cylinder 21.例文帳に追加

拡散炉は、円筒状の断熱筒２１と、断熱筒２１の内周面に螺旋状に配置される電熱線２２とを備え、断熱筒２１の径外方向に移動可能な移動式セパレーター２３Ｂに電熱線２２を固定する。 - 特許庁

To provide an illuminator capable of illuminating a desired part of a translucent light diffusion sheet with a clear contour by suppressing the interference of light emitted from light sources disposed in mutually adjacent recesses in a light reflecting member.例文帳に追加

本発明は、光反射部材における互いに隣接する凹部内に配設された光源から放射される光の干渉を抑制し、光透過性光拡散シートの所望個所を鮮明な輪郭でもって照明することができる照明体を提供する。 - 特許庁

To provide a micro countercurrent liquid feeder which can perform a mixing of fluids utilizing a molecular diffusion and shear with the ratio of each effect held constant, and at the same time, can control the reaction time of the mixing, and a micro countercurrent liquid-feeding method.例文帳に追加

分子拡散とせん断を利用した流体の混合をそれぞれ効果の比率を一定に行うことができるとともに、混合の反応時間を制御することができるマイクロ向流送液装置及びマイクロ向流送液方法を提供する。 - 特許庁

It is thereby possible that the ink applied on the printing medium 9 is cured, an influence of a temperature difference to diffusion characteristics of the ink is suppressed by pre-heating the preceding irradiation region 921, and the generation of unevenness in the image is suppressed.例文帳に追加

これにより、印刷媒体９上に付与されたインクを硬化させるとともに、先行照射領域９２１を予熱してインクの拡散特性に対する温度差の影響を抑制し、画像におけるムラの発生を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a groundwater remediation method which enables the decomposition of contaminants using microorganisms, and diffusion injected substances, such as oxygen, nutritive substances, and the like, promotion of the growth of the microorganisms to far from an injection point in an injection well.例文帳に追加

微生物を用いて汚染物質を分解する地下水汚染修復方法において、微生物の増殖を促す酸素や栄養物質等の注入物質を、注入井戸内の注入地点から遠距離へ拡散させる方法を提供する。 - 特許庁

To improve the receiving quality of a retransmission packet by performing the control to change at least one parameter among the puncturing pattern, diffusion ratio, frequency bandwidth, frequency allocation position and transmitting power of the retransmission packet from a parameter of a transmission packet.例文帳に追加

再送パケットのパンクチャリングパターン、拡散率、周波数帯域幅、周波数割り当て位置、及び送信電力のうち少なくとも１つのパラメータを送信パケットのパラメータから変更する制御を行い、再送パケットの受信品質を向上させる。 - 特許庁

Laser beams LB1 and LB2 emitted from laser diodes LD1 and LD2 are collimated to luminous flux width being wider than the surface width of the deflection surfaces M1-M12 of a polygon mirror from a diffusion state in common by the collimator lens 63A of the 1st optical system 6A.例文帳に追加

第１光学系６Ａのコリメータレンズ６３Ａは、レーザダイオードＬＤ１，ＬＤ２から射出されたレーザビームＬＢ１，ＬＢ２を共通に拡散状態からポリゴンミラー４の偏向面Ｍ１〜Ｍ１２の面幅より幅広な光束幅にコリメートする。 - 特許庁

To provide a Pb-free solder alloy low in the residual stress upon solidification, having a high bonding strength and high reliability, and capable of suppressing the reaction of Ni with Bi and diffusion of Ni when bonding an electronic component or a substrate each including Ni.例文帳に追加

凝固時の残留応力が小さく、高い接合強度と高い信頼性とを有し、Ｎｉを含む電子部品や基板を接合する際にＮｉ−Ｂｉの反応やＮｉ拡散を抑制できる高温用Ｐｂフリーはんだ合金を提供する。 - 特許庁