例文 (999件) |
diffusion ofの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 12851件
One cell of the fuel cell is comprised of a membrane-electrode assembly (MEA) 20 formed by arranging catalyst electrode layers on both sides of an electrolyte layer of a solid polymer membrane, gas diffusion layers (GDLs) 21, 22, and reaction gas supply separators 23, 24 arranged on the outside of each of the GDLs 21, 22.例文帳に追加
燃料電池の1セルは、固体高分子膜の電解質層の両面に触媒電極層を配置してなる膜・電極接合体(MEA)20と、このMEA20の両面に配置したガス拡散層(GDL)21、22と、各GDL21、22の外側に配置した反応ガス供給セパレータ23、24とから構成される。 - 特許庁
Although tensile stress is applied to the SOG film 4b at a point in time of activation treatment of impurity ions introduced to the source/drain region 2c, generation of crystal defects in impurity diffusion regions 2a, 2b can be suppressed because of interposition of the O_3-TEOS film 4c, thus suppressing the occurrence of dislocation.例文帳に追加
ソース/ドレイン領域2cに導入された不純物イオンの活性化の処理の時点でSOG膜4bに引っ張り応力が発生するものの、O_3−TEOS膜4cが介在しているため結晶欠陥が不純物拡散領域2a、2bに発生することを抑制でき転位の発生を抑制できる。 - 特許庁
The diffusion layer 7 is located in a region defined by a straight line L extending from an intersection point of the boundary line B of the drift region 2 and a base region part 5A of the base region 5 with the side of a trench 15 to the bottom of the drift region 2 immediately beneath the base region part 5A of the base region 5 and the boundary line B.例文帳に追加
拡散層7は、ドリフト領域2およびベース領域5のベース領域部5Aの境界線Bと溝15の側面との交点から、ベース領域5のベース領域部5Aの直下のドリフト領域2の底面に向かって延びる直線Lと、境界線Bとで区画される領域内に形成されている。 - 特許庁
Article 1 The purpose of this Act is to provide for, and to secure protection of, the rights of authors, etc. and the rights neighboring thereto with respect [copyrightable] works as well as performances, phonograms, broadcasts and wire-broadcasts, while giving due regard to the fair exploitation of these cultural products, and by doing so, to contribute to the development of culture.#Despite the fact that "yusen hoso" is translated as "wire diffusion" in the Standard Bilingual Dictionary(March 2006 edition), for easier understanding we have translated it here as "wire-broadcast(ing)".# 例文帳に追加
第一条 この法律は、著作物並びに実演、レコード、放送及び有線放送に関し著作者の権利及びこれに隣接する権利を定め、これらの文化的所産の公正な利用に留意しつつ、著作者等の権利の保護を図り、もつて文化の発展に寄与することを目的とする。#標準辞書では「有線放送」は従来の訳例に倣いwire diffusion と訳されているが、訳語としての分かりやすさの観点から、wire-broadcast(ing)と訳した。# - 日本法令外国語訳データベースシステム
Connection wiring of the output circuit has a contact hole formed to be opened in the floating diffusion part including an end part of the gate electrode and a metallic silicide film which is formed to creep up from the floating diffusion part to the gate electrode and electrically connects the gate electrode and the floating diffusion part.例文帳に追加
信号電荷を蓄積するフローティングディフュージョン部と、前記フローティングディフュージョン部にゲート電極が電気的に接続されるトランジスタを含み、前記フローティングディフュージョン部の電位変化に応じた信号を出力する出力回路とを備え、前記出力回路の接続配線が、前記ゲート電極の端部を含み前記フローティングディフュージョン部に開口するように形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホール内で、前記フローティングディフュージョン部から前記ゲート電極に這い上がるように形成され、前記ゲート電極と前記フローティングディフュージョン部とを電気的に接続する金属シリサイド膜を備えたことを特徴とする。 - 特許庁
Wirings, an electrode, and a method for forming the same are provided which comprises removing unwanted region of the seed layer and a first metal diffusion-preventing film, and selectively forming a second metal diffusion-preventing film, by the electroless plating method so as to cover the surfaces including the side surfaces of the seed layer, the metal wiring layer and the first metal diffusion-preventing film.例文帳に追加
本発明は、基板上若しくは回路素子上に設けられた第1の金属拡散防止膜上に、シード層の形成に続いて、フォトレジストマスクを用いて選択的に無電解メッキ法、又は電解メッキ法により、金属配線層を形成し、シード層及び第1の金属拡散防止膜の不要領域除去と、シード層及び金属配線層及び第1の金属拡散防止膜の側面を含む表面を覆うように無電解メッキ法による第2の金属拡散防止膜の選択的な形成と、により形成される配線及び電極及び、これらの形成方法である。 - 特許庁
The semiconductor device 20 has an internal circuit 1 including an NMOS transistor 31, and an electrostatic protection circuit including a protection element 41 having a p-type well diffusion region 11 and a pair of n-type regions 12a and 12b opposed to each other at a predetermined mutual interval in the p-type well diffusion region 11.例文帳に追加
この半導体装置20は、NMOSトランジスタ31を含む内部回路1と、p型ウェル拡散領域11と、そのp型ウェル拡散領域11内において互いに所定の間隔を隔てて対向する一対のn型領域12aおよび12bとを有する保護素子41を含む静電気保護回路2とを備えている。 - 特許庁
The semiconductor device 10 includes an impurity diffusion layer 2 formed on a semiconductor substrate 1, an inter-layer insulating film 3 formed on the upper part of the semiconductor substrate 1, and the contact plug formed by filling a contact hole penetrating the inter-layer insulating film 3 with a given material to provide an electrical contact with the impurity diffusion layer 2.例文帳に追加
本発明に係る半導体装置10は、半導体基板1上に形成された不純物拡散層2と、半導体基板の上部に形成される層間絶縁膜3と、層間絶縁膜3を貫通するコンタクトホール内に所定の材料が充填されて不純物拡散層2との電気的接続を形成するコンタクトプラグと、を有する。 - 特許庁
To provide a planographic printing plate having satisfactory printing performance as the printing plate and using a silver complex salt diffusion transfer process in which the optical reflection density of a silver printing area deposited on a physical developing nucleus layer lowers and discrimination between a printing area and non-printing area is easy in a planographic printing plate material applying a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加
本発明の目的は、銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版材料に於て、平版印刷版としての十分な印刷性能を有し、物理現像核層上に析出した銀画線部の光学反射濃度が低下し、画線部と非画線部の識別が容易な銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版を提供することである。 - 特許庁
In the inventive method for fabricating a semiconductor device provided with a cap film having a copper diffusion preventive function formed on a metallization containing copper, the cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper and the surface of the cap film is silicificated.例文帳に追加
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、銅を含む金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を備える半導体装置の製造方法であって、上記銅を含む金属配線上に上記銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成し、さらに当該キャップ膜の表面をシリサイド化することを特徴とする。 - 特許庁
The membrane-electrode assembly 1 is composed by laminating an anode electrode catalyst layer 12 on one face side of a proton conduction membrane 11 and a cathode electrode catalyst layer 13 on the other face side respectively and by laminating an anode gas diffusion layer 14 on the anode electrode catalyst layer 12 and a cathode gas diffusion layer 15 on the cathode electrode catalyst layer 13 respectively.例文帳に追加
プロトン伝導膜11の一面側にアノード電極触媒層12が、他面側にカソード電極触媒層13がそれぞれ積層され、さらにアノード電極触媒層12にアノードガス拡散層14が、カソード電極触媒層13にカソードガス拡散層15がそれぞれ積層されて、膜電極構造体1が構成されている。 - 特許庁
A CoxSiy (x≥y) intermediate reaction layer is formed on a diffusion layer 6 and a gate silicon film 4 in self-aligning way, by intermittently depositing first and second Co films 7a and 7b while the silicon substrate 1 of a MOS transistor 10, in which the diffusion layer 6 constituting a source-drain region and the gate silicon film 6 constituting a gate electrode are formed is heated.例文帳に追加
ソース・ドレイン領域である拡散層6及びゲート電極であるゲートシリコン膜4が形成されたMOSトランジスタ10のシリコン基板1を加熱しながら第1Co膜7a及び第2Co膜7bを間欠的に堆積して、拡散層6及びゲートシリコン膜4上にCo_xSi_y(x≧y)の中間反応層を自己整合的に形成する。 - 特許庁
In a rainwater storage device A where a water storage tank 40, at least its bottom face is a concrete floor 32, is buried under the ground and a structure, filling members 20 are filled in the water storage tank 40, is provided, a concave groove 33 is formed in the concrete floor 32 and diffusion pipes 1 having a lot of diffusion holes 2 in the concave groove 33 is disposed.例文帳に追加
少なくとも底面がコンクリート床32とされた貯水槽40が地中に埋設されており、貯水槽40内に充填部材20が充填されている構造を備えた雨水貯留装置Aにおいて、コンクリート床32には凹溝33を形成し、該凹溝33内に多数の散気孔2を有する散気管1を配設する。 - 特許庁
The diode element 24 comprises a P-type well 21 formed in the semiconductor substrate 1, an N-type diffusion layer 8 formed on a P-type well 21 in the semiconductor substrate 1, an N-type second polysilicon film 9 formed in an upper side of the N-type diffusion layer 8 on the semiconductor substrate 1 and a nickel cilicide 12 formed on the second polysilicon film 9.例文帳に追加
ダイオード素子24は、半導体基板1に形成されたP型ウェル21と、半導体基板1におけるP型ウェル21の上に形成されたN型拡散層8と、半導体基板1上におけるN型拡散層8の上側に形成されたN型の第2のポリシリコン膜9と、第2のポリシリコン膜9の上に形成されたニッケルシリサイド12とを含む。 - 特許庁
A gas passage having a separated structure in which a gas supply passage with the downstream end closed and a gas exhaust passage with the upstream end closed are alternately arranged in the vertical direction to interpose the closed part between them is formed along the surface of the gas diffusion layer on the side coming in contact with the gas diffusion layer.例文帳に追加
少なくとも一方のガス流路形成部には、ガス拡散層に接する側に、ガス拡散層の面に沿って、その下流端が閉塞されたガス供給用流路およびその上流端が閉塞されたガス排出用流路が閉塞部を挟んで鉛直方向に交互に配列された分離構造のガス流路が形成されている。 - 特許庁
In the inventive method for fabricating a semiconductor device provided with a cap film having a copper diffusion preventive function formed on a metallization containing copper, the cap film having a copper diffusion preventive function is formed on a metallization containing copper by substituting palladium for copper on the surface of the metallization.例文帳に追加
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、銅を含む金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成する半導体装置の製造方法であって、上記銅を含む金属配線表面をパラジウムで置換して上記金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁
In this near field light probe provided with a through hole 4 having the micro-opening 3 in the photodetector including the first conductive type semiconductor layer 1 and a second conductivity type impurity diffusion layer 2, the second conductivity type impurity diffusion area 5 is provided along an inner circumference of the through-hole 4 in the first conductivity type semiconductor layer 1.例文帳に追加
第一導電型の半導体層(1)及び第二導電型の不純物拡散層(2)を含む光検出器に微小開口(3)を有する貫通孔(4)を設けた、本発明の近接場光プローブは、第一導電型の半導体層(1)に、貫通孔(4)の内周に沿って、第二導電型の不純物拡散領域(5)を設けた。 - 特許庁
Because a diffusion preventing wall 80 is formed between the sealant 71 and the liquid crystal 50 in a pixel region Ar, the sealant component 71a having diffused into the liquid crystal 50 diffuses only as far as to a position of the diffusion preventing wall 80 and does not diffuse into the liquid crystal 50 in the pixel region (the display region) Ar.例文帳に追加
このとき、シール剤71と画素領域Arにおける液晶50との間には、拡散防止壁80が形成されていることから、液晶50内に拡散したシール剤成分71aは、拡散防止壁80の位置までしか拡散することはできず、画素領域(表示領域)Arにおける液晶50中まで拡散することはない。 - 特許庁
The oxygen side diffusion layer 12 has a first microporous layer 12b and a second microporous layer 12c containing carbon powder and water repellent resin on both surfaces of a diffusion layer substrate 12a, and a reaction layer 12d containing carbon carrying a platinum catalyst and Nafion is formed on the first microporous layer 12 side.例文帳に追加
酸素側拡散層12は、拡散層基材12aの両面に、カーボン粉末と撥水性樹脂とを含む多孔性の第1マイクロポーラス層12b及び第2マイクロポーラス層12cが形成されており、さらに第1マイクロポーラス層12b側に白金触媒が担持されたカーボンとナフィオンとを含有する反応層12dが形成されている。 - 特許庁
This is provided with the electrolyte membrane and a fuel electrode and an oxidizer electrode equipped with the catalyst layer and a porous gas diffusion layer, and the electrolyte membrane is pinched by the fuel electrode and the oxidizer electrode with the catalyst layer as a contact face, and the peripheral part of the catalyst layer and the gas diffusion layer, and the electrolyte membrane are adhered by a resin.例文帳に追加
電解質膜と、触媒層および多孔体のガス拡散層を具備する燃料電極と酸化剤電極とを備え、電解質膜が、触媒層を接触面として燃料電極と酸化剤電極とで挟持され、触媒層およびガス拡散層の周辺部と電解質膜とが樹脂で接着したものである。 - 特許庁
PN junction separation regions (regions 400) are formed in the region between the mutually adjacent bit lines 103, a region corresponding to the common source diffusion wiring 107, and the region between the region corresponding to the common source diffusion wiring 107 and the plurality of grooves 105 for element separation each, and the pn junction separation regions (regions 400) separate the mutually adjacent memory cells.例文帳に追加
また、互いに隣接するビット線103間の領域、かつ、共通ソース拡散配線107に対応する領域およびその領域と複数の素子分離用溝105との間の領域にPN接合分離領域(領域400)を夫々形成し、そのPN接合分離領域(領域400)により互いに隣接するメモリセル間を分離する。 - 特許庁
To provide a recording method utilizing the reaction diffusion, in which a phase change method and/or magneto-optical method as recorded by causing reaction diffusion of a dielectric layer and a recording layer by a laser beam, and to provide a recording medium utilizing this recording method and a recording and reproducing apparatus for recording information on the recording medium and reproducing recorded information.例文帳に追加
レーザービームによって誘電体層と記録層との反応拡散を発生させて相変化方法及び/又は光磁気方法の記録ができる反応拡散を利用する記録方法、この方法を利用する記録媒体及びこの記録媒体に情報を記録し、記録された情報を再生することができる記録再生装置を提供する。 - 特許庁
The fuel cell 1A is constituted by laminating a polymer electrolyte membrane 2, a catalyst layer 3A or 3B, a gas diffusion layer 5A or 5B, and a current collector 6A or 6B in this order, and humidity control layers 9A and 9B are arranged on the opposite sides to the gas diffusion layers 5A and 5B of the current collectors 6A and 6B.例文帳に追加
高分子電解質膜2と、触媒層3A又は3Bと、ガス拡散層5A又は5Bと、集電体6A又は6Bとがこの順に積層され、集電体6A及び6Bに対してガス拡散層5A及び5Bとは反対側に、調湿層9A及び9Bが設けられていることを特徴とする燃料電池1A。 - 特許庁
The fuel cell 10 is provided with an electrolyte membrane 110; a catalyst layer 112 in contact with the electrolyte membrane 110; a diffusion layer 120 provided on an opposite side to the electrolyte layer 110 regarding the catalyst layer 112; and a separator provided on an opposite side to the catalyst layer 112 regarding the diffusion layer 120, and composing an outer shell of a gas flow path 22.例文帳に追加
燃料電池10は、電解質膜110と、電解質膜110に接している触媒層112と、触媒層112に対して電解質膜110とは逆の側に設けられた拡散層120と、拡散層120に対して触媒層112とは逆の側に設けられガス流路22の外殻を構成するセパレータと、を備える。 - 特許庁
Related to a TC parallel unit series connection type ferroelectric memory, a first contact 15 between one side source/drain diffusion layers 5 and 6 and a lower part electrode 9, and a second contact 17 between an upper part electrode 11 and the other side of source/drain diffusion layers 5 and 6, are formed from a first oxidation resistant conductive film 13 and a second oxidation resistant conductive film 16, respectively.例文帳に追加
TC並列ユニット直列接続型強誘電体メモリにおいてソース・ドレイン拡散層5、6の一方側と下部電極9との第1コンタクト部15と上部電極11とソース・ドレイン拡散層5、6の他方側との第2コンタクト部17をそれぞれ第1耐酸化性導電膜13、第2耐酸化性導電膜16で形成する。 - 特許庁
The addition element is such that the oxide forming free energy is smaller than Cu, the diffusion coefficient in Cu is larger than the self-diffusion coefficient of Cu, the percentage increase in electric resistance based on 1 at.% in Cu is not more than 5 μΩcm, and the activity coefficient γ in Cu satisfies a relationship represented by activity coefficient γ>1.例文帳に追加
この添加元素は、酸化物形成自由エネルギーがCuより小さく、Cu中における拡散係数がCuの自己拡散係数より大きく、Cu中における1at.%当たりの電気抵抗上昇率が5μΩ・cm以下であり、Cu中における活量係数γが、活量係数γ>1の関係を満足する。 - 特許庁
The drying object 5 falling onto a plate center part of the diffusing placing plate 8 from above is received on the diffusing placing plate 8, is diffused and moved from the plate center part toward a plate periphery part by a diffusion operation means 9 while forming the drying object 5 in a nearly spiral strip state by the diffusion operation means 9, and is made to fall from a peripheral part fall port 10.例文帳に追加
拡散用載せ板8上で、その板中央部に上から落下してきた被乾燥物5を受け取って、この被乾燥物5をその板中央部から板周辺部に向かって拡散操作手段9で近似渦巻き条材状に形成しながら拡散移動させて行って、外周部落下口10から落下させて行く。 - 特許庁
In a mist diffusion preventing structure 50 preventing diffusion of mist from a liquefied gas evaporator 1, the liquefied gas evaporator 1 is supported in a raised state from a reference plane 3, a lower space 5 is formed between the liquefied gas evaporator 1 and the reference plane 3 and a shield 11 erected from the reference plane 3 is provided outside the lower space 5.例文帳に追加
液化ガス蒸発器1から霧が拡散することを防止する霧拡散防止構造50において,液化ガス蒸発器1は,基準面3から持ち上げられた状態で支持し,液化ガス蒸発器1と基準面3との間に下方空間5を形成し,この下方空間5の外側に,基準面3から立設された遮蔽体11を備えた。 - 特許庁
It is also preferable that the photoelectric conversion part includes a cell body, first and second linear electrodes arranged in the cell body, separately, a light diffusion body which diffuses the light guided from the outside of the cell body in the cell body, and an electrolyte filling the cell body, and that the light diffusion body is connected with the light guide part.例文帳に追加
上記光電変換部が、セル本体と、このセル本体内にそれぞれ配置される線状の第一電極、第二電極、セル本体外から導いた光をセル本体内で出射する光拡散体、及び、セル本体内を充填する電解質とを備え、上記光拡散体が上記導光部と接続されていることも好ましい。 - 特許庁
To provide a gas diffusion electrode joining body and a solid polymer fuel cell, enabling the sue of a perfluorosulfonic ionomer having high proton conductivity and superior performance in a gas diffusion electrode joint producing method for the polymer fuel cell, having high reliability, lower internal resistance, low-humidification or non-humidification operating adaptability and high output.例文帳に追加
固体高分子型燃料電池のガス拡散電極接合体の製造方法において、プロトン伝導度の高い性能の優れたパーフロオロスルホン酸イオノマーを使用でき、信頼性の優れた、内部抵抗の低い、低加湿または無加湿作動に適した、高出力のガス拡散電極接合体、およびを固体高分子型燃料電池を提供する。 - 特許庁
That is, a structure where the Ni layer 14 is interposed between the base material 12 and the Al layer 16 as a barrier layer is attained, and at heat treatment for forming an Si thin film for a solar battery, for instance, mutual diffusion occurring between the Al layer 16 and the substrate 12 is prevented, and generation of a weak intermetallic compound, based on the mutual diffusion, is suppressed.例文帳に追加
即ち、基材12とAl層16との間にNi層14がバリア層として介在している構造となり、例えば太陽電池用のSi薄膜を形成する熱処理の際に、Al層16と基材12との間で生起する相互拡散を防止し、その相互拡散に基づく脆弱な金属間化合物の生成を抑制している。 - 特許庁
To provide a high sensitivity thermal negative type planographic printing plate original capable of ensuring both high adhesion of an image recording layer to a support and high stain resistance of a non-image area and capable of efficiently using energy by exposure in image formation, that is, excellent in thermal diffusion inhibiting effect.例文帳に追加
画像記録層と支持体との密着性および非画像部の耐汚れ性を高い水準で両立し、かつ、露光によるエネルギーを効率的に画像形成に用いることができ、即ち、熱拡散抑制効果に優れる、高感度のサーマルネガタイプの平版印刷版原版の提供。 - 特許庁
Since the lubricating oil 15 is guided and sprayed thereby, diffusion of the lubricating oil 15 otherwise outwardly is prevented, the friction surface of the clutch disk assembly 4 is adequately lubricated, the temperature rise of the friction surface is suppressed, and the abrasion lifetime of the clutch disk assembly 4 is prolonged.例文帳に追加
これにより、潤滑オイル15を誘導して吹き付けるので、潤滑オイル15の他の外方への拡散を防止すると共に、クラッチディスクアッセンブリ4の摩擦面の潤滑を適切に行い、摩擦面の温度上昇を抑制してクラッチディスクアッセンブリ4の摩耗寿命を延長することができる。 - 特許庁
Though the specific surface area of an electrode composed of the transparent electrode 10 and the semiconductor layer 20 can be increased by fining and lengthening the projections, and forming them densely, the space factor and the aspect ratio of the projections are set considering the problem of diffusion in the transfer layer 40, etc.例文帳に追加
透明電極10及び半導体層20からなる電極の比表面積を高めるためには、突起を細かくかつ長くし、そして密に形成すればよいが、電荷移動層40中の拡散の問題等を考慮して、突起の空間占有率及びアスペクト比を設定する。 - 特許庁
Since a heating means 45 constituted of a PTC element is directly brought into contact with a package of a packed beverage to heat the beverage, only the necessary quantity of beverages can be efficiently and quickly heated up to the temperature suitable for drinking while suppressing the diffusion of heat as much as possible.例文帳に追加
PTC素子により構成された発熱手段45と販売する容器入り飲料の容器とを直接接触して飲料を加温するものであるから、必要な本数分だけ飲み頃温度まで熱の拡散を極力抑えて効率よく短時間に加温できる。 - 特許庁
The diffusion blocking structure is formed on the first coating, and includes: a first oxidizing unit having a plurality of first oxidizing layers; and a second oxidizing unit having a plurality of second oxidizing layers, and the plurality of second oxidizing layers and the plurality of first oxidizing layers are alternately laminated.例文帳に追加
拡散ブロッキング構造は、第1のコーティングに形成され、複数の第1の酸化層を有する第1の酸化ユニットと、複数の第2の酸化層を有する第2の酸化ユニットを備え、前記複数の第2の酸化層と前記複数の第1の酸化層とは交互に積層されている。 - 特許庁
In the production method of neodymium magnet, a neodymium magnet M having a metal structure consisting of a main phase S and a grain boundary phase R, and a neodymium alloy G' composed of neodymium and a non-rare-earth metal are heat-treated under a reduced pressure atmosphere, thus causing vapor phase diffusion of a neodymium alloy G into the grain boundary phase R.例文帳に追加
主相Sと粒界相Rからなる金属組織を有するネオジム磁石Mと、ネオジムと非希土類金属からなるネオジム合金G’を減圧雰囲気下で熱処理し、該粒界相R内にネオジム合金Gを気相拡散させるネオジム磁石の製造方法である。 - 特許庁
To obtain a thick film type thermal head having the heat generating part of a heating resistor accompanied by the supply of power to electrodes on its surface side, improved in perforation characteristics by suppressing the diffusion of heat up to the perforation and heating of a master and reducing a perforation diameter, enhancing heat response and enabled in cost reduction.例文帳に追加
電極への通電に伴う発熱抵抗体の発熱部分を表面側とし、マスターの穿孔加熱までの熱拡散を抑制し、穿孔径を小さくすると共に熱応答性を向上して穿孔特性を改善した、低コスト化が可能な厚膜式サーマルヘッドを得る。 - 特許庁
The diffusion module 3 performs a linear conversion for spreading at least one bit state of an input data to a nonlinear conversion module group of the preceding step to at least one bit state of an input data to a nonlinear conversion module of the following step through plural operation routes.例文帳に追加
拡散モジュール3は、前段の非線形変換モジュール群への入力データの少なくとも1つのビットの状態を後段の非線形変換モジュール群への入力データの少なくとも1つのビットへ複数の演算経路を辿って波及させるための線形変換を行う。 - 特許庁
The ferroelectric storage element having the structure covering at least a part of the ferroelectric thin film (4) and further covering an interlayer insulation film of BPSG(boron phosphorous silicate glass) small in the diffusion coefficient of hydrogen is provided by the lamination of Ti (9), the oxidation films (8) and (8').例文帳に追加
また、水素を吸蔵するTi(9)と酸化膜(8)および(8’)の積層で強誘電体薄膜(4)の少なくとも一部を覆い、さらに水素の拡散係数が小さいBPSG(boron phosphorus silicate glass)(12)の層間絶縁膜で覆う構造を有する強誘電体記憶素子を提供する。 - 特許庁
A plurality of pattern images for calibration are formed by splitting a light, passed through a light diffusion member of a mask device for measurement, an opening pattern PHG_j for calibration formed in a mask for measurement of the mask device for measurement, and the optical system to be inspected in order, through the wave front splitting of an optical system for measurement.例文帳に追加
測定用マスク装置の光拡散部材、測定用マスク装置の測定用マスクに形成された較正用開口パターンPHC_j、及び被検光学系を順次介した光を測定用光学系により波面分割して複数の較正用パターン像が形成される。 - 特許庁
Before the communication body, a training part, based on a short code diffusion for repeating the same pattern in each symbol length is formed, and propagation of a transmission line is measured by the training part, while setting the length of the short code as a measuring section and setting the N periods of a carrier as the time resolution of measurement.例文帳に追加
通信本体に先立ち、シンボル長毎に同一パターンを繰り返すショートコード拡散によるトレーニング部を設け、トレーニング部を用いて前記ショートコードの長さを測定区間とし搬送波のN周期分を測定の時間分解能にして伝送路の伝播測定を行なう。 - 特許庁
The material of a hole injection layer constituting the organic electroluminescent device is formed of a main chain conjugated high-molecular derivative having a crosslinked mesh structure, and the organic electroluminescent device can be made longer in service life by suppressing a deterioration in the hole injection layer due to application of a current to the layer and diffusion of a decomposition product into an organic layer.例文帳に追加
有機電界発光素子を構成する正孔注入層の材料が、架橋した網目構造を有する主鎖共役系高分子誘導体からなり、正孔注入層への通電による劣化、分解物の有機層への拡散を抑止することで、長寿命化を図る。 - 特許庁
The method of reducing the amount of diffusion of an aldehyde compound from a coating on forming a film comprises adding a compound (a) which adsorbs or decomposes the aldehyde compound and a curing accelerator (b) to the coating containing a resin component derived from the unsaturated fatty acid of an alkyd resin, a fatty acid-modified resin or the like.例文帳に追加
アルキド樹脂又は脂肪酸変性樹脂などの不飽和脂肪酸に由来する樹脂成分を含む塗料に、アルデヒド化合物を吸着或いは分解する化合物(a)、及び硬化促進剤(b)を添加し、成膜時における塗料からのアルデヒド化合物放散量を低減する方法。 - 特許庁
To provide a direct glued wood-based soundproof floor material and its manufacturing method wherein though plywood of an F2 level of JAS(Japan Agricultural Standard) is used for a woodbased soundproof floor material A, a diffusion amount of formalin from plywood can be controlled in the same way as a plywood of an F1 level is used.例文帳に追加
木質系防音床材AはJAS(日本農林規格)のF2レベルの合板を用いてもF1レベルの合板を用いたと同様の合板からのホルマリン放散量を抑えることができる直貼りの木質系防音床材及びその製造方法を提供するにある。 - 特許庁
To solve the problem that a process for decreasing a leak current caused by an influence of defect in an implantation of a fluorine ion is required for a p-channel MOS transistor which suppresses diffusion of a boron ion to channel regions in a lateral direction by the fluorine ion to prevent an occurrence of a short channel effect.例文帳に追加
フッ素イオンによりボロンイオンのチャネル領域への横方向拡散を抑制して短チャネル効果の発生を防止するpチャネル型MOSトランジスタには、フッ素イオン注入時の欠陥による影響起因のるリーク電流を減らすプロセスが必要となっている。 - 特許庁
In an integrated circuit, a diffusion barrier layer 18 made of a high density material for protecting a copper structure 40 from oxidation in the presence of oxygen or water being apt to bring about defects such as pin-holes is modified on site by oxidation of a material self-restrictively capable of making a protective oxide.例文帳に追加
集積回路内で、酸素または水の存在下で酸化から銅構造40を保護する高密度材料よりなる拡散バリア層18は、ピンホールのような欠陥を生じやすいが、自己制限的に保護酸化物を形成できる材料の酸化によってその場修正される。 - 特許庁
To provide rare earth-iron-nitrogen based magnet powder having excellent magnetic properties by reducing a nonmagnetic phase of reducing the magnetic properties, and reducing the strain of crystals and the remaining of α-Fe to form into the nuclei of magnetization reversal (nucleation), and to provide a method for inexpensively producing the same by a reduction diffusion process.例文帳に追加
磁気特性を低下させる非磁性相を低減させ、磁化反転(ニュークリエーション)の核になる結晶の歪みやα−Feの残留を低減させて、優れた磁気特性を有する希土類−鉄−窒素系磁石粉末、およびそれを還元拡散法で安価に製造する方法を提供。 - 特許庁
Accordingly, in the device 100, the diffusion of the hydrogen or the nitrogen to the side of the substrate 102 is suppressed or prevented by the film 126, generation of a trap-interfacial level under the sidewalls 122 is suppressed, and the hot carrier resistance of the MOSFET 110 is improved.例文帳に追加
したがって,半導体装置100では,拡散抑止膜126によりシリコン基板102側への水素や窒素の拡散が抑制ないし防止され,サイドウォール122下におけるトラップ・界面準位の発生が抑制され,MOSFET110のホットキャリア耐性が向上する。 - 特許庁
To solve the problem that waste water containing a suspension or the like backs into the interior of an air diffuser at the time of a pressure drop in an airpipe, causing the air diffuser, particularly, an air diffusion nozzle to be blocked to deteriorate an efficiency in operation of water treatment equipment in the air diffuser of the water treatment equipment.例文帳に追加
水処理装置の散気装置において、送気管内の圧力低下時に、散気装置内に懸濁物等を含む汚水が逆流し、これが原因で散気装置特に散気ノヅルが閉塞し、水処理装置の運転効率が低下する問題を解決することを目的としている。 - 特許庁
例文 (999件) |
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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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