「diffusion of」に関連した英語例文の一覧と使い方(99ページ目) - Weblio英語例文検索

In the mist apparatus having a plurality of nozzles, the nozzles are two or more kinds with different diffusion angles of mist to be sprayed.例文帳に追加

本発明は、複数のノズルを備えたミスト装置において、前記ノズルが、噴霧されるミストの拡散角度を異ならせた２種以上のノズルであるミスト装置である。 - 特許庁

To provide a waste water treatment device capable of treating raw water without diluting, unnecessary to exchange a diffusion pipe and using only a small quantity of diluting water after the treatment.例文帳に追加

原水を希釈せずに処理でき、散気管の交換が必要でなく、処理後の希釈水もわずかで済む廃水浄化装置を提供する。 - 特許庁

To provide a disc brake pad for bicycle capable of joining a friction member with a back plate by a diffusion joining method and relaxing restrictions on materials of the back plate.例文帳に追加

拡散接合法により摩擦部材がバックプレートに接合される自転車用ディスクブレーキパッドにおいて、バックプレートの材質の制限を緩和する。 - 特許庁

(b) Data pertaining to processing by diffusion bonding of super alloys or titanium alloys, and to the surface treatment, deformation rate, temperature or pressure of processed materials 例文帳に追加

ロ　超合金又はチタン合金の拡散接合による加工に係るものであって、加工材料の表面処理、温度又は圧力に係るもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

To form an ohm contact electrode by improving a Fermi energy level of an oddly shaped interface based on a tunnel effect of electrons and holes by an ion diffusion method.例文帳に追加

イオンの拡散方法で電子、正孔のトンネル効果により前記異形インターフェースのフェルミエネルギーレベルを改良してオーム接触電極を形成させる。 - 特許庁

Thus, the cause of an electron trap is eliminated by reducing the hydrogen (H) contained in the film, and the diffusion of the hydrogen (H) in the polymetal gate can be prevented.例文帳に追加

そのため、膜中に含まれる水素（Ｈ）を低減させて電子トラップの原因を排除し、ポリメタルゲートへの水素（Ｈ）拡散を防止することができる。 - 特許庁

To prevent re-diffusion into a chamber due to sputtering of an ion bombardment surface of an ion recovering device and/or deposited substances on the ion bombardment surface.例文帳に追加

イオン回収装置のイオン衝突面および／またはイオン衝突面に堆積した物質のスパッタリングによるチャンバ内への再拡散を防止する。 - 特許庁

The thermal spraying powder contains cobalt alloy particles containing elements having the value of the iron atom diffusion coefficient at 1,100°C being smaller than that of the cobalt element.例文帳に追加

本発明の溶射用粉末は、１１００℃における鉄原子拡散係数の値がコバルト元素に比べて小さい元素を含んだコバルト合金粒子を含有する。 - 特許庁

To provide an electrolyte tank for a redox flow battery, capable of reducing the diffusion loss of metal ions in the tank.例文帳に追加

タンク内での金属イオンの拡散現象による損失を抑えることができるレドックスフロー電池用電解液タンクを提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

By a diffusion technology a p+ type semiconductor 11 and an n+ type semiconductor 12 are formed on both end surfaces of a semiconductor wafer to make a plurality of diodes, respectively.例文帳に追加

拡散技術で、セミコンダクターウェハーの両端面に、ｐ+型コンダクター１１及びｎ+型のセミコンダクター１２を形成し、それぞれ複数のダイオードを作る。 - 特許庁

To prevent the diffusion of nickel (Ni) even under high temperature conditions, and to satisfactorily maintain the surface condition of a gold (Au) layer.例文帳に追加

高温の条件でもニッケル（Ｎｉ）の拡散を防ぎ、金（Ａｕ）層の表面状態を良好に保つことのできる金属体の表面構造を提供する。 - 特許庁

A diffusion barrier is doped by one or two or more types of ions of for example, oxygen, nitrogen, fluorine, silicon, germanium, or xenon (however not limited to these).例文帳に追加

拡散バリアは、１又は複数の種類のイオン、例えば、酸素、窒素、フッ素、シリコン、ゲルマニウム、又はキセノン・イオン（しかし、これらに限定されない）でドープされる。 - 特許庁

By controlling the flow of nitrogen gas inside the furnace, diffusion of flux inside the furnace can also be prevented, and thereby a facility operation cost for removing the flux can be reduced.例文帳に追加

また炉内の窒素ガスの流動を制御することにより、炉内のフラックスの拡散を防ぎ、フラックス除去のための設備稼働コストも低減できる。 - 特許庁

Accordingly, the oxygen is diffused from the upstream side of high density to the downstream side, and the density of oxygen supplied to the diffusion layer 23 is leveled.例文帳に追加

従って、酸素が濃度の高い上流側から下流側へと拡散していき、拡散層２３に供給される酸素濃度が均一化される。 - 特許庁

To provide a signal processor capable of rapidly executing both conversion processing and error diffusion processing of a color signal, with a small circuit configuration.例文帳に追加

色信号の変換処理および誤差拡散処理の双方を、小規模な回路構成で高速に実行することができる信号処理装置を提供する。 - 特許庁

To suppress lateral diffusion of impurities and permit microfabrication of a semiconductor integrated circuit when thermally diffusing impurity areas in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の中の不純物領域を熱拡散する際に、その横方向拡散を抑制して半導体集積回路の微細化を実現する。 - 特許庁

The N+ semiconductor region 12 is formed in a region from one main surface of a semiconductor layer 100 to the lower part 3a of the p-type diffusion region 3.例文帳に追加

ｎ^+半導体領域１２は半導体層１００の一方主面からｐ型拡散領域３の下部３ａに至る領域に形成する。 - 特許庁

A cooling structure of a semiconductor element includes a semiconductor element 26, a plurality of heat transfer diffusion portions 31, a radiating fin 41, and a cooling fan 51.例文帳に追加

半導体素子の冷却構造は、半導体素子２６と、複数の伝熱拡散部３１と、放熱用フィン４１と、冷却用ファン５１とを備える。 - 特許庁

A plurality of island-like back gate diffusion layers 7bs of a first conductivity type are formed in contact with the semiconductor substrate 1 inside the source 7s.例文帳に追加

ソース７ｓ内に、半導体基板１に接して形成された島状の第１導電型のバックゲート拡散層７ｂｓが複数形成されている。 - 特許庁

To provide a structure and a manufacturing method of an LED chip carrier for increasing a luminance effect in a light-emitting diode without restricting the refraction of a light source and a diffusion range.例文帳に追加

光源の屈折、拡散範囲を制限することなく、発光ダイオードの輝度効果を高めるLEDチップキャリアの構造及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid polymer electrolyte fuel cell in favor of compatibility between high gas permeability and high moisture retention of a gas diffusion electrode.例文帳に追加

ガス拡散電極における高いガス透気度と保湿性とを両立させるのに有利な固体高分子電解質膜形燃料電池を提供する。 - 特許庁

The capacitance for reducing afterimage 17 is formed between the floating diffusion 16 and the gate 37 of the selected transistor 11 of the own pixel 4.例文帳に追加

残像低減用容量１７は、自画素４１のフローティングディフュージョン１６と自画素４の選択トランジスタ１１のゲート３７との間に形成された容量である。 - 特許庁

The light reflected by the reflector 6 and the reflecting plate 7 is emitted at a rear side (base 5 side) of the bulb-type lighting device 1 with diffusion effects of a globe 3.例文帳に追加

リフレクタ６や反射板７で反射された光は、グローブ３の拡散効果により、電球型照明装置１の後方側（口金５側）に出射される。 - 特許庁

A dielectric film 5 is formed on the surface of an SOI semiconductor substrate 3 surface, including the surfaces of piezoresistance elements R1-R8 and diffusion lead wires L1-L12.例文帳に追加

ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ８と拡散リード線Ｌ１〜Ｌ１２の表面を含むＳＯＩ半導体基板３表面には絶縁膜５が形成されている。 - 特許庁

To provide an electron source that suppresses a temperature rise caused by evaporation consumption with time of a diffusion source of the electron source in order to give a stable electron beam.例文帳に追加

電子源の拡散源の経時的な蒸発消耗に起因した温度上昇を抑制し、安定した電子線を与える電子源を提供する。 - 特許庁

To increase the diffusion rate of ions in a silver salt solution and a halide solution and perform a uniform chemical reaction, and to achieve uniform nucleation and growth of silver halide.例文帳に追加

銀塩溶液とハロゲン化物溶液とのイオンの拡散速度を早めて均一な化学反応をさせて均一なハロゲン化銀の核形成と成長を図る。 - 特許庁

To provide a sterilizer for suppressing the diffusion of chlorine gas from a solid chlorine agent to suppress the corrosion/deterioration of a peripheral metal or the like caused by the chlorine gas.例文帳に追加

固形塩素剤から塩素ガスの拡散を抑制し、塩素ガスによる周囲の金属等の腐食・劣化を抑制する滅菌器を提供する。 - 特許庁

A guided diffusion duct 11 comprises a filter formed of a material leaking an air and a frame having a ventilation passage and fixedly installable on the indoor ceiling part of the building.例文帳に追加

誘導拡散ダクト１１が空気を漏出させる材質から成るフィルタと、通風路を有し建物の室内天井部に固定可能なフレームとを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can attain improvement in the reliability of copper wiring certainly by restraining interface diffusion of copper.例文帳に追加

銅の界面拡散を抑制して、銅配線の信頼度向上を確実に達成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The first fuel nozzle 41 of a diffusion combustion type supplies a fuel-air mixture directly to the gas-phase combustion chamber 20 from a nozzle tip 53 of an air blast type.例文帳に追加

拡散燃焼方式の第１燃料ノズル４１は、エアーブラスト方式のノズルチップ５３から気相燃焼室２０に直接混合気を供給する。 - 特許庁

Each of chip rate finger sections 2-a to 2-c performs inverse diffusion and symbol integration of a reception baseband digital signal from the A/D converter 1 through time-sharing.例文帳に追加

各チップレートフィンガー部２−ａ〜２−ｃは、Ａ／Ｄコンバータ１からの受信ベースバンドデジタル信号の逆拡散及びシンボル積分を時分割で行う。 - 特許庁

COPPER DIFFUSION-PREVENTING BARRIER FILM, FORMATION METHOD OF THE SAME, FORMATION METHOD OF SEED LAYER FOR DAMASCENE COPPER WIRING, AND SEMICONDUCTOR WAFER HAVING THE DAMASCENE COPPER WIRING例文帳に追加

銅拡散防止用バリア膜、同バリア膜の形成方法、ダマシン銅配線用シード層の形成方法及びダマシン銅配線を備えた半導体ウェハー - 特許庁

The three layer polymetal gate layer 11 is not exposed but covered with an oxidation preventive film 7 composed of a material having an oxygen diffusion rate lower than that of silicon.例文帳に追加

そして、３層ポリメタルゲート１１が露出することなく、ポリシリコンより酸素の拡散速度の遅い材料からなる酸化防止膜７で覆われる。 - 特許庁

To improve a roll-off characteristic of threshold voltage and BVD_ss by relaxing gradient of LDD junction using phosphor (P) dopant diffusion in a source/drain region.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域のリン（Ｐ）ドーパント拡散を使用してＬＤＤ接合の勾配を緩和して、しきい値電圧のロールオフ特性並びにＢＶＤssを改善する。 - 特許庁

By controlling characteristics of carbon particles contained in a carbon particle containing layer formed in a gas diffusion layer, durability of PEFC is improved.例文帳に追加

ガス拡散層に形成されるカーボン粒子含有層に含まれるカーボン粒子の特性を制御することによって、ＰＥＦＣの耐久性が向上する。 - 特許庁

To prevent a short circuit between scanning lines by conduction in an undercut portion arising from reciprocal diffusion of aluminum and silicon composing a bus wiring of the scanning line.例文帳に追加

スキャン線バス配線を構成するアルミニウムとシリコンの相互拡散に起因するアンダーカット部の同通によるスキャン線間の短絡を防止する。 - 特許庁

An impurity diffusion layer 110 is formed at parts of an upper part of the AlGaN layer 104 which come into contact with at least the electrodes 107 and 108.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ層１０４の上部における少なくとも各電極１０７、１０８と接触する部分には、不純物拡散層１１０が形成されている。 - 特許庁

A three-dimensional diffusion panel 1 composed of six transparent panels is disposed on an optical path of image light from the device 2 and is periodically moved in the depth direction.例文帳に追加

この装置２からの画像光の光路上に６枚の透明パネルからなる立体拡散パネル１を配置し、奥行き方向に周期的に移動させる。 - 特許庁

The reflection polarizer 40 is arranged on the back of the liquid crystal panel 20 and a diffusion plate 30 and an illuminator 70 are arranged on the back of the polarizer 40.例文帳に追加

液晶パネル２０の背面に反射偏光子４０を配置し、その反射偏光子４０の背面に拡散板３０及び照明装置７０を配置する。 - 特許庁

When the number of channels to be demodulated is small, not all operations of a high-speed Hadamard transformation are carried out, and a specific channel is demodulated in a back diffusion.例文帳に追加

復調すべきチャネル数が少ない場合は、高速アダマール変換の全ての演算を行わなわず、特定のチャネルを逆拡散復調する。 - 特許庁

To provide a process for controlling the diffusion of dopant in a semiconductor layer at the levels of impurity concentration required, and also to provide a semiconductor layer formed thereby.例文帳に追加

半導体層中のドーパントを所望の不純物濃度に拡散制御するプロセス及びそれにより形成された半導体層を提供する。 - 特許庁

Polysilicon film 29 that becomes a gate electrode 24 and a sidewall 26 of polysilicon, which becomes a diffusion region, are formed by one pattern as a plurality of FETs.例文帳に追加

ゲート電極２４となるポリシリコン膜２９と拡散領域となるポリシリコンのサイドウォール２６とを、複数のＦＥＴ分として一つのパターンで形成する。 - 特許庁

Carbon monoxide concentration in the test gas having passed on the surface of the porous body is measured, and the gas diffusion property of the porous body is evaluated using the measurement result.例文帳に追加

そして、多孔体の表面を通過した試験ガス中の一酸化炭素濃度を計測し、その計測結果によって多孔体のガス拡散性を評価する。 - 特許庁

A diffusion coefficient of hydrogen in the electrolyte membrane is calculated as membrane state determination parameters on the basis of the current value I0 and the current value I1.例文帳に追加

膜状態判定パラメータとして、前記電流値Ｉ０および電流値Ｉ１に基づいて前記電解質膜の水素の拡散係数を算出する。 - 特許庁

Barriers 18b and 18c are provided between electrodes 17, 21 formed of copper the dielectric 20 to prevent diffusion of copper to the dielectric.例文帳に追加

銅で構成された電極１７、２１と誘電体２０との間には、該誘電体への銅の拡散を防止するための障壁１８ｂ、１８ｃが設けられている。 - 特許庁