「diffusion simulation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

DIFFUSION SIMULATION METHOD AND EQUIPMENT THEREOF例文帳に追加

拡散シミュレーション方法および拡散シミュレーション装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR SETTING BUILDING DATA OF AIR DIFFUSION SIMULATION SYSTEM例文帳に追加

大気拡散シミュレーション装置の建物データ設定方法および装置 - 特許庁

SIMULATION TECHNOLOGY OF FIRE AND POISONOUS SUBSTANCE DIFFUSION IN BUILDING例文帳に追加

建造物内における火災及び有毒物質拡散のシミュレーション技術 - 特許庁

METHOD, DEVICE, AND PROGRAM FOR IMPURITY DIFFUSION SIMULATION例文帳に追加

不純物拡散シミュレーション方法、不純物拡散シミュレーション装置、及び、不純物拡散シミュレーションプログラム - 特許庁

To provide a material diffusion simulation system capable of displaying a temperature, salt-component and COD (Chemical Oxygen Demand) with contour lines in a simple manner by making diffusion simulation using a GIS (an abbreviation of Geography Information System).例文帳に追加

ＧＩＳ（Ｇｅｏｇｒａｐｈｙ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍの略：地理情報システム）を用いて拡散シミュレーションをし、簡易的に温度、塩分、ＣＯＤを等高線表示することのできる物質拡散シミュレーション・システムを提供すること。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for setting building data of an air diffusion simulation system capable of easily setting model building shape data suitable for air diffusion simulation without knowledge of air diffusion.例文帳に追加

本発明の目的は、大気拡散の知識がなくても容易に大気拡散シミュレーションに適切なモデル化した建物形状データを設定することができる大気拡散シミュレーション装置の建物データ設定方法および装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a fuel cell simulation device, capable of efficiently designing an optimal diffusion layer.例文帳に追加

最適な拡散層の設計を効率良く行うことができる燃料電池のシミュレーション装置を提供する。 - 特許庁

To set a parameter indicating a plane shape of a building appropriately and quickly in performing a contaminant diffusion simulation.例文帳に追加

汚染物質の拡散シミュレーションを行なうにあたって、建物の平面形状を示すパラメータを適切に且つ迅速に設定する。 - 特許庁

To provide a simulation process in which limitations are eliminated, the limitation being that Gaussian diffusion kernels have the same diffusion length in the different directions in calibration of a resist model used in critical dimension (CD) calculation.例文帳に追加

最小寸法（ＣＤ）の計算で使用するレジスト・モデルの較正におけるガウシアン拡散カーネルが異なる方向に同じ拡散長を有する制限をなくしたシミュレーション・プロセスの提供。 - 特許庁

To provide a simulation which can contribute to design and development that can cope with the scale down, etc., of a semiconductor, by calculating the accurate diffusion and distributions of impurities.例文帳に追加

正確な不純物の拡散分布を算出し、半導体の微細化等に対応できる設計、開発に寄与するシミュレーションを実現する。 - 特許庁

A numerical value calculation processing part 15 performs the simulation of the diffusion distribution state of the pollutants using numerical value calculation data obtained on the basis of a selected simulation model, a fixed parameter, an analyzing condition and an adjusting parameter.例文帳に追加

数値計算処理部１５は選定されたシミュレーションモデル、固定パラメータ、解析条件および調整パラメータに基づいて得られた数値計算データを用いて汚染物質の拡散分布状況のシミュレーションを実行する。 - 特許庁

To provide a method for quickly extracting suitable parameters from a diffusion model in computer simulation of semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体の製造プロセスの計算機シミュレーションでの拡散モデルのパラメータの抽出方法において、適切なパラメータを迅速に抽出することを可能にする。 - 特許庁

To provide a simulation system for analyzing a diffusion phenomenon with accuracy within a short time without using complex processing and solution of complex equation.例文帳に追加

複雑な処理や複雑な方程式の解法を用いることなく、短時間で精度良く拡散現象を解析するシミュレーションシステムを提供する。 - 特許庁

To provide an atmospheric environment simulation system capable of estimating the position of a pollutant generation source by combining the measured value (actually measured data) of an atmospheric pollutant and a calculation result obtained by the numerical simulation of the diffusion distribution state of the pollutants.例文帳に追加

大気汚染物質の測定値（実測データ）と、汚染物質の拡散分布状況を数値シミュレーションした計算結果とを組合わせて汚染物質発生源位置を推定することができる大気環境シミュレーションシステムを提供すること。 - 特許庁

To measure two-dimensional or three-dimensional extensions such as development and diffusion of local liquefaction occurring at a part of a ground to an earth's surface in a simulation of earthquake in a laboratory test.例文帳に追加

室内試験での地震のシミュレーションにおいて、地盤のある部分で発生したローカルな液状化が地表へ進展・拡散するといった、２次元的又は３次元的な広がりの計測を可能とする。 - 特許庁

According to the method, the shape of a resist pattern being formed on an wafer can be predicted by numerical simulation without requiring any preliminary measurement or experiment for predicting diffusion phenomenon of acid in the heating process of resist following to exposure.例文帳に追加

この結果、レジスト露光後加熱の工程における酸の拡散現象を予測するために予備的な実測実験を行なうことなく、ウェーハ上に形成されるレジストパターン形状を数値シミュレーションにより予測することができる。 - 特許庁

The material diffusion simulation system 20 consists essentially of a topography forming means 21, a mesh forming means 22, a water depth map forming means 23, an arithmetic data input processing means 24, a numerical value operating means 25, and an operation result display means 26.例文帳に追加

物質拡散シミュレーション・システム２０は、地形作成手段２１と、メッシュ作成手段２２と、水深マップ作成手段２３と、演算用データ入力処理手段２４と、数値演算手段２５と、演算結果表示手段２６とからなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor process simulation device which adopts an impurity diffusion model under the consideration of a dislocation loop for reducing a time and labor required for extracting the physical quantity of the dislocation loop from a transmission electron microscope picture.例文帳に追加

転位の輪を考慮に入れた不純物拡散モデルを取り入れた半導体プロセスシミュレーション装置において、転位の輪の物理量を透過電子顕微鏡写真から抽出する時間と労力を低減した半導体プロセスシミュレーション装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for simulating the shape of a resist pattern and a recording medium in which the shape of a resist pattern being formed on an wafer is predicted by numerical simulation without requiring any preliminary measurement or experiment for predicting diffusion phenomenon of acid in the heating process of resist following to exposure.例文帳に追加

レジスト露光後加熱の工程における酸の拡散現象を予測するために予備的な実測実験を行なうことなく、ウェーハ上に形成されるレジストパターン形状を数値シミュレーションにより予測するレジストパターン形状のシミュレーション装置、シミュレーション方法および記録媒体を提供する。 - 特許庁

In a simulation method of a semiconductor device containing a hetero interface in an information processing apparatus, a carrier current density in a vertical direction to the hetero interface in the vicinity of the hetero interface is calculated by weight-averaging a carrier current density represented based on a drift diffusion equation and a carrier current density represented based on a thermoelectronic emission condition or a thermoelectronic/field emission condition (S04, S05).例文帳に追加

情報処理装置におけるヘテロ界面を含む半導体デバイスのシミュレーション方法であり、ヘテロ界面近傍において、当該ヘテロ界面に垂直な方向のキャリア電流密度を、ドリフト拡散方程式に基づいて表されるキャリア電流密度と熱電子放出条件又は熱電子・電界放出条件に基づいて表されるキャリア電流密度とを加重平均したものとして演算する（Ｓ０４，Ｓ０５）。 - 特許庁