「diffusion constant」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The coating 18 has each different diffusion constant to the target gas and another gas.例文帳に追加

コーティング１８は目標ガスと他のガスについて、異なる拡散定数を有している。 - 特許庁

METHOD OF FORMING SILICON-CONTAINING INSULATION FILM HAVING LOW DIELECTRIC CONSTANT AND LOW DIFFUSION COEFFICIENT例文帳に追加

低誘電率及び低拡散係数を有するシリコン含有絶縁膜を形成する方法 - 特許庁

Temperature dependence of diffusion constant is determined by calculating diffusion constant of acid for a plurality of heating temperatures following to exposure according to molecular dynamics and diffusion constant of acid at a desired temperature is determined by linear interpolation or extrapolation.例文帳に追加

分子動力学法により、複数の露光後加熱温度に対して酸の拡散定数を計算して拡散定数の温度依存性を求め、所望の温度における酸の拡散定数を線形補間または線形補外することにより求めることができる。 - 特許庁

Since a diffusion prevention film 10 for preventing diffusion of metal elements 1 in a high dielectric constant insulating film 13 to an upper layer is formed on the high dielectric constant insulating film 13, diffusion of the metal elements 1 in the high dielectric constant insulating film 13 to the upper layer is prevented.例文帳に追加

高誘電率絶縁膜１３上に、高誘電率絶縁膜１３中の金属元素１の上層への拡散を防止する拡散防止膜１０が形成されるため、高誘電率絶縁膜１３中の金属元素１の上層への拡散が防止される。 - 特許庁

A diffusion prevention film 2 is formed on a silicon substrate 1 and a low dielectric constant film 3 having a dielectric constant not larger than 3 is formed.例文帳に追加

シリコン基板１上に拡散防止膜２を形成し、その上に比誘電率が３以下の低誘電率膜３を形成する。 - 特許庁

To provide a dielectric film having a high dielectric constant in which the outward diffusion of a metal element can be suppressed easily.例文帳に追加

金属元素の外方拡散を抑制し易い高誘電率誘電体膜を提供する。 - 特許庁

To prevent the diffusion of copper ions from a copper interconnection line in an initial stage of the film formation of a low dielectric-constant interlayer insulation film having a capability of preventing the diffusion of copper ions.例文帳に追加

銅イオンの拡散防止機能を持つ低誘電率の層間絶縁膜の成膜初期における銅配線からの銅イオンの拡散を防止する。 - 特許庁

To improve interlaminar adhesive properties while maintaining a dielectric constant of a diffusion preventing film low.例文帳に追加

拡散防止膜の誘電率を低く維持しつつ、層間密着性等を改良することを目的とする。 - 特許庁

The diffusion body is mounted on the upper surface of the light pipe, and has a constant or variable angle characteristic.例文帳に追加

この拡散体は光パイプ上面に載置されるとともに一定或いは可変の角度特性を有する。 - 特許庁

Moreover, the copper diffusion preventing films 6, 9 are formed on the insulating films between low dielectric constant layers 4, 7, 22, 33.例文帳に追加

また、銅拡散防止膜６，９は、低誘電率層間絶縁膜４，７，２２，３３上に形成される。 - 特許庁

To provide a deposition method of a barrier film that effectively prevents the diffusion of copper in a low-dielectric-constant film while having high adhesion to the low-dielectric-constant film.例文帳に追加

低誘電率膜への付着性が高く、低誘電率膜中への銅の拡散を効果的に防止できるバリア膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

To raise the selecting ratio of a diffusion prevention film/low dielectric constant film when an LSI device structure having a Cu wiring and a low dielectric constant film is etched.例文帳に追加

Ｃｕ配線と低誘電率膜とで構成されるＬＳＩデバイス構造をエッチングする際、拡散防止膜／低誘電率膜の選択比を高める。 - 特許庁

A cap film 4 is formed on the low dielectric constant film 3 and a trench 5 for wiring is formed in the cap film 4, the low dielectric constant film 3 and the diffusion prevention film 2.例文帳に追加

低誘電率膜３上にキャップ膜４を形成し、該キャップ膜４、低誘電率膜３及び拡散防止膜２内に配線用の溝５を形成する。 - 特許庁

To provide a means for determining quantitatively an acid diffusion constant precisely, in lithography using a chemical amplification type resist.例文帳に追加

化学増幅型レジストを用いたリソグラフィにおいて、高精度の酸拡散定数の定量手段を提供する。 - 特許庁

To provide an image analysis method of RICS for mapping the number of molecules or a diffusion constant to display the same.例文帳に追加

分子数または拡散定数をマッピングして表示するＲＩＣＳの画像解析方法を提供する。 - 特許庁

A second low dielectric constant film LOWK2c, a third low dielectric constant film LOWK3c, and a film serving as a mask layer are laminated on a diffusion prevention film ADF in this order.例文帳に追加

拡散防止膜ＡＤＦ上に、第２の低誘電率膜ＬＯＷＫ２ｃ、第３の低誘電率膜ＬＯＷＫ３ｃ、マスク層となるべき膜がこの順に積層される。 - 特許庁

To provide the technology for determining a diffusion constant in a reflector region used for a two-group diffusion calculation method so that a solution close to a strict solution found in the Boltzmann transport equation can be obtained.例文帳に追加

２群拡散計算法で使用される反射体領域の拡散定数を，ボルツマン輸送方程式で得られる厳密解に近い解が得られるように決定する技術を提供する。 - 特許庁

Bar graphs 360J, K have a constant breadth ((1/128)W) regardless of diffusion code length, whereas display regions 360E, F have widths ((1/32)W, (1/4)W) corresponding to diffusion code lengths.例文帳に追加

表示領域３６０Ｅ、Ｆが拡散符号長に対応する幅（（1／32）W、（1／4）W）を有する一方で、棒グラフ３６０Ｊ、Ｋは拡散符号長にかかわらず一定の幅（（1／128）W）を有する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for depositing a low-dielectric- constant layer that is resistant to oxygen diffusion, and has low oxygen contents.例文帳に追加

酸素の拡散に抵抗し、低酸素含有量を有する低誘電率の層を堆積する方法および装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with insulating films between low dielectric constant layers 4, 7, 22, 33 and copper diffusion preventing films 6, 9.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、低誘電率層間絶縁膜４，７，２２，３３と、銅拡散防止膜６，９とを備えている。 - 特許庁

The SO_2 realizes high protection properties to the low dielectric constant film 18, and the NF_3 realizes a high etching speed to the diffusion preventive film 17.例文帳に追加

ＳＯ２は低誘電率膜１８に対し高い保護性、ＮＦ３は拡散防止膜１７に対し高いエッチング速度を実現する。 - 特許庁

To prevent a diffusion of water from an electrode pad and to cope with thinning of film and lowering of dielectric constant of an insulating film.例文帳に追加

電極パッドからの水分の拡散を防止できると共に、絶縁膜の薄膜化及び低誘電率化に対応できるようにする。 - 特許庁

In other words, the diffusion bars 52 irradiates light of a constant brightness (at brightness in accordance with the incident light) as if they were just one light source.例文帳に追加

すなわち拡散棒５２は、あたかも１つの光源のように、一定の輝度（入射された光に応じた輝度）の光を出射する。 - 特許庁

To provide an insulating film which is useful as an interlayer dielectric, etc., of a semiconductor device and has a low relative dielectric constant and a high copper diffusion barrier property.例文帳に追加

半導体装置の層間絶縁膜などに有用な比誘電率が低く、かつ銅拡散バリア性が高い絶縁膜を得る。 - 特許庁

The optical characteristics-analyzing system at least comprises a diffusion constant acquisition means 1 for calculating a diffusion constant of a component material composing the optical system, for which the diffusion constant is unknown, an optical system model generating means 2 for generating a numerical analysis model necessary for numerical analysis by a finite element method, and an optical characteristics-calculating means 3 for calculating the optical characteristics.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明に係る光学特性解析システムは、拡散定数が未知である光学系を構成する部品材料の拡散定数を算出する拡散定数取得手段１と、有限要素法による数値解析に必要な数値解析モデルを生成する光学系モデル生成手段２と、光学特性を算出する光学特性算出手段３と、を少なくとも備える。 - 特許庁

Spacers 14a and 14b are disposed between diffusion regions 11a and 11b, constituting a semiconductor element, and an element separation trench opposite the diffusion regions 11a and 11b to make constant stress from the element separation trench to the diffusion regions.例文帳に追加

半導体素子を構成する拡散領域１１ａ，１１ｂに対向して、拡散領域１１ａ，１１ｂと素子分離トレンチとの間に位置するようにスペーサ１４ａ，１４ｂを配置することにより、素子分離トレンチから拡散領域への応力を一定にするようにした。 - 特許庁

In an A1GaInP material, the degree of diffusion of dopant decreases as the Al composition increases, the dopant is trapped more at an interface as the degree of lattice mismatch increases on the interface, and diffusion from a layer having a larger lattice constant to a layer having a small lattice constant is retarded.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系材料においてはＡｌ組成が大きいほどドーパントの拡散の度合いが小さくなること、界層面における格子不整合度が大きいほどドーパントは界面にトラップされやすいこと、格子定数の大きい層から小さい層へは拡散は起こりにくい。 - 特許庁

The etching selecting ratio of the diffusion preventive film to the low dielectric constant film is set to about 5-15, and the etching speed can realize about 350 nm/min.例文帳に追加

拡散防止膜の低誘電率膜に対するエッチング選択比は５〜１５程度、エッチング速度は３５０ｎｍ／ｍｉｎ程度を実現できる。 - 特許庁

The interface layer 5, a diffusion suppressing layer 6 and a high dielectric constant insulating film 7 are sequentially formed in this order on one surface 2a of a silicon substrate 2.例文帳に追加

シリコン基板２の一つの面２ａに界面層５と拡散抑制層６と高誘電率絶縁膜７とがこの順で形成されている。 - 特許庁

Accordingly, the concentration distribution of impurities in the depthwise direction of the base diffusion layer 12 is controlled, the base diffusion layer 12 having a desired concentration distribution can be formed and the base diffusion layer 12 displaying an approximately constant impurity concentration in the depthwise direction can be formed.例文帳に追加

これによって、ベース拡散層１２の深さ方向における不純物の濃度分布を制御し、所望の濃度分布を有するベース拡散層１２を形成することができ、深さ方向に対してほぼ一定の不純物濃度を示すベース拡散層１２を形成することができる。 - 特許庁

To provide a method for preventing peeling in an interface between an insulating film layer of especially a low dielectric constant and a diffusion preventing film layer when wiring is formed on the insulating film layer of a low dielectric constant by a damascene method.例文帳に追加

低誘電率の絶縁膜層上にダマシン法によって配線を形成する際、特に低誘電率の絶縁膜層と拡散防止膜層との界面に発生する剥離を防止する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a transmission quantity measuring instrument capable of measuring a gas permeability constant, a diffusion coefficient and a solubility coefficient under humidification by a differential pressure type pressure gauge method.例文帳に追加

加湿下におけるガス透過係数、拡散係数、溶解度係数を、差圧式圧力計法により測定可能な透過量測定装置を提供する。 - 特許庁

To provide an interlayer insulating film having a copper diffusion barrier property that is a layer with good leak-current characteristics and in-plane uniformity while maintaining a low dielectric constant.例文帳に追加

比誘電率を低く維持したままで、リーク電流特性および面内均一性が良好な銅拡散バリア性を有する層間絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming composition for producing an insulating film excellent from the viewpoint of film properties such as a dielectric constant or metal diffusion barrier insulation properties.例文帳に追加

誘電率や金属拡散バリア性絶縁性の膜特性の観点において優れた絶縁膜を得るための膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain a reaction rate constant that does not include the influence of the mass diffusion time by using a microchannel, even when the time-series data of the reaction cannot be obtained.例文帳に追加

反応の時系列データを取得できない場合でも、マイクロ流路を用いて物質拡散時間の影響を含まない反応速度定数を求める。 - 特許庁

To provide a lighting device capable of maintaining a constant distance between light guide bodies and a diffusion plate and capable of more increasing the uniformity of brightness.例文帳に追加

導光体と拡散板との間の距離を一定に保つとともに、輝度の均一性をより向上させることのできる照明装置を実現する。 - 特許庁

To prevent the peeling-off of a low dielectric constant insulation film when etching gas and moisture, etc., fetched in the low dielectric constant insulation film are eliminated in a heating process in process even at realizing the structure, for which a diffusion preventing insulation film is directly formed on the low dielectric constant insulation film.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜上に直接に拡散防止絶縁膜を成膜した構造を実現しても、低誘電率絶縁膜中に取り込まれたエッチングガスや水分等がプロセス中の熱工程で脱離した際に低誘電率絶縁膜の剥離を防止する。 - 特許庁

The organic EL illuminating device 1 includes a flat organic EL element 2, a flat heat diffusion plate 3 arranged on one face of the organic EL element 2, and a constant current circuit element 4 arranged to contact with the heat diffusion plate 3.例文帳に追加

有機ＥＬ照明装置１は、平面状の有機ＥＬ素子２と、有機ＥＬ素子２の一方の面に設けられた平面状の熱拡散板３と、熱拡散板３と接するように設置された定電流回路素子４とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device preventing diffusion of Cu and suppressing the increase of an interlayer dielectric constant, and also to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ｃｕの拡散を防止することができ、かつ、層間の誘電率が高くなることを抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an interconnection structure of an integrated circuit having a dielectric layer with a low dielectric constant and capable of suppressing a deterioration of a mechanical strength and of improving a thermal diffusion.例文帳に追加

低い誘電率を有する誘電体層を備え機械的強度の低下をおさえると共に熱拡散を改善できる集積回路の相互接続構造を製造する。 - 特許庁

An in-core power distribution calculation means calculates the critical eigenvalue, neutron flux distribution and power distribution of in-core, based on a diffusion model by the use of a node average nuclear constant.例文帳に追加

炉内出力分布計算手段は、ノード平均核定数を用いて拡散モデルに基づき、炉心の臨界固有値、中性子束分布、出力分布を計算する。 - 特許庁

To stably and effectively obtain FM modulation output which becomes always constant ratio to a center frequency without depending on diffusion irregularity and temperature fluctuation of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路の拡散バラツキ・温度変動に依存しないで中心周波数に対して常に一定比となるＦＭ変調出力を安定に効率よく得ること。 - 特許庁

To provide a method for forming on a semiconductor substrate a silicon-containing insulation film having a dielectric constant of 2.9 or less, and a diffusion coefficient of 250 μm^2/min or less.例文帳に追加

半導体基板上に、誘電率が２.９またはそれ以下でかつ拡散係数が２５０μm^2/minまたはそれ以下のシリコン含有絶縁膜を形成する方法を与える。 - 特許庁

A method for etching the LSI device includes a step of etching a diffusion preventive film (SiC) 17 with a plasma for the low dielectric constant film (SiOC) 18 of a wafer 4 installed on a support base 5 of a plasma treating apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理装置の支持台５に載置されているウエハ４の低誘電率膜（ＳｉＯＣ）１８に対して、拡散防止膜（ＳｉＣ）１７をプラズマでエッチングする。 - 特許庁

A layer can be formed by exposing the low-dielectric-constant layer to the plasma of an inert gas to densify the low-dielectric-constant layer, by exposing the low-dielectric-constant layer to nitrating plasma to form a passivation nitride surface 236 on the layer 234 or by depositing a thin passivation layer 236 on the low-dielectric-constant layer to reduce oxygen diffusion therein.例文帳に追加

層は、低誘電率の層を不活性ガスのプラズマに暴露して低誘電率の層を高密度化するか、低誘電率の層を硝化プラズマに暴露して層２３４上にパッシベーション窒化物表面２３６を形成するか、或いは低誘電率層２３４上に薄いパッシベーション層２３６を堆積してその中の酸素拡散を低減することにより、形成可能である。 - 特許庁