「diffusion furnace」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

DIFFUSION FURNACE DEVICE AND DIFFUSION METHOD例文帳に追加

拡散炉装置及び拡散方法 - 特許庁

VERTICAL DIFFUSION FURNACE AND DIFFUSION METHOD例文帳に追加

縦型拡散炉および拡散方法 - 特許庁

ANTIMONY DIFFUSION FURNACE AND ANTIMONY DIFFUSION METHOD例文帳に追加

アンチモン拡散炉およびアンチモン拡散方法 - 特許庁

HORIZONTAL DIFFUSION FURNACE, AND DIFFUSION LAYER FORMING METHOD例文帳に追加

横型拡散炉および拡散層形成方法 - 特許庁

HORIZONTAL DIFFUSION FURNACE AND METHOD OF MANUFACTURING DIFFUSION WAFER例文帳に追加

横型拡散炉、拡散ウェーハの製造方法 - 特許庁

DIFFUSION FURNACE TYPE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT例文帳に追加

拡散炉半導体製造装置 - 特許庁

DIFFUSION FURNACE AND CLEANING METHOD THEREFOR例文帳に追加

拡散炉及びその洗浄方法 - 特許庁

PHOSPHORUS DIFFUSION FURNACE WITH PHOSPHORUS RECOVERING FUNCTION例文帳に追加

リン回収機能付きリン拡散炉 - 特許庁

PROTECTOR AND PROTECTION METHOD OF DIFFUSION FURNACE例文帳に追加

拡散炉の保護装置及び保護方法 - 特許庁

METHOD FOR BATCH BRAZING IN DIFFUSION FURNACE例文帳に追加

拡散炉におけるバッチ式ろう付けの方法 - 特許庁

To provide a thermocouple for a diffusion furnace capable of accurately measuring the temperature inside the diffusion furnace.例文帳に追加

拡散炉の内部の温度を正確に測定することができる拡散炉用熱電対を得る。 - 特許庁

DIFFUSION FURNACE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR APPARATUS例文帳に追加

拡散炉及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

A vertical-type diffusion furnace is used as a diffusion furnace, and vapor-phase diffusion is performed while the semiconductor substrate is heated at 1,150°C or higher.例文帳に追加

拡散炉には縦型拡散炉を用い、気相拡散は半導体基板を１１５０℃以上の温度として行う。 - 特許庁

LATERAL TYPE DIFFUSION FURNACE FOR MANUFACTURING PROCESS OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体素子の製造プロセス用横型拡散炉 - 特許庁

THERMAL DIFFUSION FURNACE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR例文帳に追加

熱拡散炉及び半導体用基板の製造方法 - 特許庁

The lid of a lateral diffusion furnace is opened at the same time when the furnace is made to start dropping in temperature, and a quartz fork is inserted into the diffusion furnace to unload semiconductors wafers from the furnace.例文帳に追加

横型拡散炉内の降温を開始すると同時に、横型拡散炉の蓋体を開放し、石英フォークを横型拡散炉内に挿入して半導体ウェハの搬出を開始する。 - 特許庁

HORIZONTAL DIFFUSION FURNACE AND HEAT TREATMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER USING THE SAME例文帳に追加

横型拡散炉及びそれを用いた半導体ウェーハの熱処理方法 - 特許庁

A vertical diffusion furnace has a cylindrical heater 11 inside a casing.例文帳に追加

縦型拡散炉は、筐体の内部には筒状ヒータ１１を有している。 - 特許庁

The lateral diffusion furnace is made to start dropping in temperature at the same time when the semiconductor wafers are started to be unloaded from the furnace, by which the furnace can be improved in temperature-fall follow-up properties.例文帳に追加

横型拡散炉の降温と半導体ウェハの搬出を同時に開始することにより、降温追従性が向上する。 - 特許庁

The diffusion of an inverter gas to the furnace is eliminated and the temperature distribution is also made uniform.例文帳に追加

炉内へのバインダーガスの拡散がなく、温度分布も均一化される。 - 特許庁

Consequently the internal state of a diffusion furnace 10 at the time of temperature measurement is similar to the internal state of the diffusion furnace 10 at the time of thermal treatment with a semiconductor wafer 14.例文帳に追加

このため、温度測定時の拡散炉１０の内部状態は、半導体ウェハ１４の熱処理時の拡散炉１０の内部状態と近くなる。 - 特許庁

A furnace core tube 11 is incliningly arranged with respect to the horizontal in this lateral type diffusion furnace, and an impurity diffusion layer is formed on each silicon substrate 21 on the diffusion semiconductor boat 22 arranged in the furnace core tube 11, by introducing an impurity gas into the furnace core tube 11 from the end part on the lower side of the furnace core tube 11.例文帳に追加

炉心管１１が水平に対して傾斜状態に配置されており、炉心管１１の下側の端部から炉心管１１内に不純物ガスが導入されて加熱されることにより、炉心管１１内に配置された拡散半導体基板ボート２２上の各シリコン基板２１に不純物拡散層が形成される。 - 特許庁

To provide a diffusion furnace that suppresses performance degradation associated with long-term usage.例文帳に追加

長期使用に伴う性能劣化を抑制する拡散炉を提供すること。 - 特許庁

To provide an antimony diffusion furnace and an antimony diffusion method, with which the oxide of antimony can be suppressed from attaching.例文帳に追加

アンチモンの酸化物が付着することを抑制できるアンチモン拡散炉、およびアンチモンの拡散方法を提供する。 - 特許庁

To provide a horizontal diffusion furnace capable of manufacturing a diffusion wafer with high in-plane uniformity of a depth of a diffusion layer within a wafer surface including a center part and an outer peripheral part without complicating the horizontal diffusion furnace, and to provide a heat treatment method of a semiconductor wafer.例文帳に追加

横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる横型拡散炉、半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, the inside of the furnace is exhausted, and heating is performed in the pressure-reduced atmosphere, so that the work inside the furnace is subjected to diffusion treatment.例文帳に追加

その後、炉内を排気して減圧雰囲気において加熱することにより炉内のワークに対して拡散処理を実行する。 - 特許庁

To provide a vertical diffusion furnace which makes uniform a flow of a process gas in a heat treatment chamber.例文帳に追加

熱処理室内のプロセスガスの流れを均一にできる縦型拡散炉を提供する。 - 特許庁

The impurity deposited on the semiconductor wafer is diffused by a diffusion furnace.例文帳に追加

上記半導体ウェハの上記デポジションされた不純物は、拡散炉により拡散される。 - 特許庁

The carburizing gas introduced into the carburization diffusion chamber 3 passes through the carburization diffusion chamber 3 and passes a space 32 between the furnace shell 15 and the carburization diffusion chamber from a hole 30 of a bottom furnace wall of the carburization diffusion chamber 3 and discharged from a lower gas discharge port 31 below the furnace shell 15 together with the gas other than the carburizing gas.例文帳に追加

浸炭拡散室３内に導入された浸炭ガスは、浸炭拡散室３を通り浸炭拡散室３の底部炉壁の孔３０から炉殻１５と浸炭拡散室との間の空間３２を通り、浸炭ガス以外のガスと共に、炉殻１５下方の下方ガス排出口３１から排出される。 - 特許庁

To provide a horizontal diffusion furnace and a method of a diffusion wafer using the same which uniformly forms a diffusion layer in a plane and in a batch on the wafer surface.例文帳に追加

ウェーハ表面に拡散層を面内、及びバッチ内で均一に形成することができる横型拡散炉及びこれを用いた拡散ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer diffusion device and a method of manufacturing a semiconductor device, with which entrainment of the atmosphere into a diffusion furnace can be prevented, when a semiconductor wafer is inserted into the furnace.例文帳に追加

半導体ウエハを拡散炉内に挿入する際に、炉内に大気が巻き込まれるのを抑制できる半導体ウエハの拡散装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

SUPER-HIGH TEMPERATURE INCINERATION AND THERMAL DECOMPOSITION FURNACE OF PCB OR THE LIKE FOR DIFFUSION SPIRAL HEATING AIR MIXING METHOD例文帳に追加

拡散型螺旋加熱空気混合方法のＰＣＢ等超高温焼却熱分解炉 - 特許庁

A Si wafer 10 having the surface on which an amorphous silicon film 12 is formed is inserted into a diffusion furnace.例文帳に追加

表面にアモルファスシリコン膜１２が形成されたＳｉウェーハ１０を拡散炉に挿入する。 - 特許庁

An impurity diffusion device is constituted into a structure, wherein carrier gas containing impurities for diffusion, which is passed through an impurity bubbler 27, is introduced in a reaction tube 22 of a vertical type diffusion furnace 21 through a nozzle 26 provided in the upper part of the tube 22.例文帳に追加

縦型拡散炉２１の反応管２２内には、上部に設けられるノズル２６から、不純物バブラ２７を通過して拡散用の不純物を含むキャリアガスが導入される。 - 特許庁

To provide a continuous baking furnace capable of preventing diffusion of a reaction formation gas to an outlet side of a furnace body while suppressing the flow rate of an atmospheric gas.例文帳に追加

雰囲気ガスの流量を低く抑えながらも、反応生成ガスを炉体出口側に拡散させずに済む連続焼成炉を提供する。 - 特許庁

To provide an energy-saving heater for heat-treating furnace that can prevent the occurrence of outward thermal diffusion even when the working temperature of a heat-treating furnace is high.例文帳に追加

熱処理炉の使用温度が高いときでも、外部への熱放散を防ぐことができる省エネルギーな熱処理炉用ヒータを提供する。 - 特許庁

To provide a boat for a lateral diffusion furnace, which can suppress a slip of a heat-treated semiconductor wafer.例文帳に追加

熱処理される半導体ウェハへのスリップを抑制し得る横型拡散炉用ボートを提供する。 - 特許庁

A gas supply source 211 for supplying treatment gas to the diffusion furnace 200 is installed in the lower floor 320.例文帳に追加

下方床３２０には、拡散炉２００に処理ガスを供給するガス供給源２１１が設置される。 - 特許庁

To improve a lateral diffusion furnace in temperature-fall follow-up properties, to enable semiconductor wafers to have a diffusion time equally, and to manufacture the semiconductor wafers of uniform characteristics.例文帳に追加

横型拡散炉における降温追従性を向上させ、半導体ウェハの拡散時間のバラツキをなくし、特性が均一の半導体ウェハを製造する。 - 特許庁

A diffusion gas exhaust pipe 3 is mounted in a diffusion furnace 1 downward in an oblique direction so that liquefied gas 6 obtained by cooling phosphorus oxychloride can be ejected to the outside.例文帳に追加

拡散ガス排気管３を拡散炉１に斜め下向きに取り付けることにより、オキシ塩化リンが冷やされて液化した液化ガス６を外部に排出する。 - 特許庁

To suppress the generation of abnormal diffusion while preventing the reduction of the number of semiconductor substrates placeable in a diffusion furnace at once and an increase of the number of manufacturing processes.例文帳に追加

拡散炉内に一度に載置できる半導体基板数の減少と製造工程数の増大とを防ぎながら、異常拡散の発生を抑える。 - 特許庁

To provide a continuous baking furnace capable of preventing diffusion of a reaction formation gas to an outlet side of a furnace body while suppressing a flow rate of an atmospheric gas.例文帳に追加

雰囲気ガスの流量を低く抑えながらも、反応生成ガスを炉体の出口側に拡散させずに済む連続焼成炉を提供する。 - 特許庁

By controlling the flow of nitrogen gas inside the furnace, diffusion of flux inside the furnace can also be prevented, and thereby a facility operation cost for removing the flux can be reduced.例文帳に追加

また炉内の窒素ガスの流動を制御することにより、炉内のフラックスの拡散を防ぎ、フラックス除去のための設備稼働コストも低減できる。 - 特許庁

The inside of a reaction furnace main body 1 is partitioned into two of upper and lower chambers 14 and 15 by a gas permeable diffusion filter 2.例文帳に追加

反応炉本体１内はガス透過性の拡散フィルタ２により上下２室１４，１５に仕切られている。 - 特許庁

One thermocouple (internal thermocup) is provided in the core tube provided in a diffusion furnace to control the temperature of the core tube.例文帳に追加

上記熱電対により、炉心管内のガス導入側からウエハ導入側までの温度管理を行っている。 - 特許庁