「diffusion furnace」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In the vertical furnace, a solid diffusion source 51 based on B2O3 is superposed on a supporting substrate 52 contacting the diffusion source only by an outer peripheral part, and the high-density boron is diffused thermally to the Si substrate 41 arranged opposite to the diffusion source.例文帳に追加

縦型炉によってB_2O_3を主成分とする固体の拡散源５１と、拡散源に外周部のみ接する支持基板５２を重ね、拡散源に対向して配置したＳｉ基板４１へ高濃度のボロンを熱拡散させる。 - 特許庁

To obtain a lateral type diffusion furnace for a manufacturing process of a semiconductor element which has a high yield and can carry out a diffusion process without generating a failure product; and a semiconductor element of the high yield.例文帳に追加

不良品を発生させることなく歩留まりの高い拡散処理が可能な半導体素子の製造プロセス用横型拡散炉並びに、歩留まりの高い半導体素子を得ること。 - 特許庁

An oxide film is formed on the surface of a semiconductor substrate in advance, and the semiconductor substrate is put into a diffusion furnace to diffuse impurities, thereby forming an impurity diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板表面には酸化膜をあらかじめ形成し、この半導体基板を拡散炉に収容して不純物を拡散させることにより不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

A substrate W, the alloy 110, and a diffusion stock are accommodated in a heating diffusion furnace 1, and a jig is disposed such that a bottom plate 41a of a boat 41 faces the substrate W.例文帳に追加

基板Ｗ、合金１１０、および拡散原料１２０を加熱拡散炉１に収納し、ボート４１の底板４１ａが基板Ｗと対面するように治具４０を配置する。 - 特許庁

To remove a liquid diffusion by-product generated in a furnace without fail, with a simple structure.例文帳に追加

炉心管内に生じる液体状の拡散副生成物を、簡潔な構成であるにもかかわらず、確実に除去することができる。 - 特許庁

After the heating, the lamp 10 is turned off, and a wafer temperature is made uniform due to diffusion of wafer inner heat in the hot-wall type reaction furnace body 3.例文帳に追加

加熱後、ランプ１０を消灯し、ホットウォール反応炉体３内でウェハ内熱拡散によりウェハ温度を均一化させる。 - 特許庁

An assembly 10, in which a core 11 is forcedly fitted into an outer cylinder, is set to a heat treatment jig 20 and is subjected to diffusion joining in a heating furnace.例文帳に追加

コア１１を外筒１６に圧入したアセンブリ１０を熱処理治具２０にセットして、加熱炉で拡散接合する。 - 特許庁

To provide a protector and a protection method of a vertical diffusion furnace capable of reducing a damage when an earthquake occurs, with a simple structure.例文帳に追加

簡素な構造で地震の際の被害を低減することができる縦型拡散炉の保護装置及び保護方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the temperature inside the diffusion furnace 10 at the time of thermal treatment with the semiconductor wafer 14 can be accurately measured.例文帳に追加

従って、半導体ウェハ１４の熱処理時における拡散炉１０の内部の温度を正確に測定することができる。 - 特許庁

Furthermore, the wafer 3 for measuring film thickness in the wafer buffer is taken out at a suitable time with respect to the oxide film forming process (S1) in a diffusion furnace 1, and the oxide film is removed and cleaning is carried out (S11), and the wafer 3 for measuring film thickness is supplied to the diffusion furnace 1.例文帳に追加

また、拡散炉１における酸化膜形成工程（Ｓ１）に対し適時に膜厚測定用ウエハバッファ内の膜厚測定用ウエハ３を取り出して酸化膜の除去・洗浄を行い（Ｓ１１）、拡散炉１へ膜厚測定用ウエハ３を供給する。 - 特許庁

An inverting mechanism 30 inverts the gas diffusion layer substrate 200 to which heating treatment has been applied in the first heating furnace 20 and which is carried out of the first heating furnace 20, so as to turn the surface coated with the paste downward perpendicularly, and conveys it to a second heating furnace 40.例文帳に追加

反転機構３０は、第１加熱炉２０において加熱処理が施されて、第１加熱炉２０から搬出されたガス拡散層基材２００を、ペーストの塗工面が鉛直下方を向くように反転させて、第２加熱炉４０に搬送する。 - 特許庁

To provide a vertical diffusion furnace equipped with means for removing and catching reaction products adhering to the flange of a stage automatically.例文帳に追加

ステージのフランジに付着した反応生成物等を自動的に除去し、捕集する手段を設けた縦型拡散炉装置を提供する。 - 特許庁

The wafer taken out of the thermal diffusion furnace is treated with a hydrofluoric acid for 15-30 sec, thereby removing the glass layer and the oxide film.例文帳に追加

そして、熱拡散炉から取り出したウェハをフッ酸で１５〜３０秒間処理することにより、ガラス層および酸化膜を除去する。 - 特許庁

To provide a thermal diffusion furnace of which core tube has a long service life by preventing cracking or breakage of the core tube due to crystallization of impurities.例文帳に追加

不純物の結晶化による炉心管のひびや割れを防止し、炉心管の寿命（耐用期間）の長い熱拡散炉を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing a photoelectric converter comprises the steps of forming the bonding layer by the thermal diffusion in an atmosphere containing an N-type or P-type dopant on a P-type or an N-type silicon substrate in a diffusion furnace, then switching the atmosphere in the furnace to the oxygen atmosphere, and starting annealing to form the protective film on the surface of the silicon substrate.例文帳に追加

拡散炉内で、Ｐ型またはＮ型シリコン基板に、Ｎ型またはＰ型ドーパントを含む雰囲気で熱拡散によって接合層を形成した後、その炉内の雰囲気を酸素雰囲気に切り換えるとともに、徐冷を開始して、シリコン基板表面に保護膜を形成する。 - 特許庁

The facility for producing the Ni-plated thin steel sheet where an Ni-electric plating apparatus for applying the Ni-plating on the thin steel sheet is directly connected with a continuous annealing furnace for applying a diffusion treatment to the Ni-plated steel sheet, is characterized in that the continuous annealing furnace is a horizontal type annealing furnace.例文帳に追加

薄鋼板にNiメッキを施すNi電気メッキ装置と、Niメッキの拡散処理を行う連続焼鈍炉とを直結したNiメッキ薄鋼板の製造設備であって、該連続焼鈍炉が横形焼鈍炉であることを特徴とするNiメッキ薄鋼板の製造設備。 - 特許庁

If the semiconductor substrate 1 is disposed in vertical placement so as to be subjected to thermal diffusion in a diffusion furnace, the sheet resistance of an upper side 7 of the semiconductor substrate 1 become lower than the sheet resistance of a lower side 8 so that the irregularities in the plane of sheet resistance are generated.例文帳に追加

半導体基板１を縦置きして、拡散炉で熱拡散を行うと、半導体基板１の上辺７のシート抵抗が下辺８のシート抵抗より低くなって、シート抵抗の面内ばらつきが生じる。 - 特許庁

In an antimony diffusion method for flowing a heated and sublimed antimony trioxide in a diffusion furnace and diffusing antimony on a silicon, a surface area of the antimony trioxide exposed in the sublimation atmosphere is made large.例文帳に追加

加熱して昇華させた三酸化アンチモンを拡散炉内に流通させて、シリコンにアンチモンを拡散させるアンチモン拡散方法において、昇華雰囲気に暴露される三酸化アンチモンの表面積を大きくする。 - 特許庁

At least in the initial stage of the diffusion treatment, a decarburizing gas is introduced into the furnace, and the surface layer of the work inside the furnace is subjected to decarburization treatment, so that cementite in the surface layer of the work is reduced or removed.例文帳に追加

拡散処理のうちの少なくとも初期において、脱炭性ガスを炉内に導入して炉内のワークの表面層に脱炭処理を行い、ワークの表面層のセメンタイトを減少または除去する。 - 特許庁

The gas diffusion layer 32 is placed thereon, the members are heated in a reflow furnace, and cooled while pressing in the vertical direction to the stacked surface of the gas diffusion layer 32 and the porous body passage 34, and thereby, the gas diffusion layer 32 and the porous body passage 34 are fixed and bonded.例文帳に追加

さらに、その上に、ガス拡散層３２を乗せ、当該部材をリフロー炉で加熱した上で、ガス拡散層３２及び多孔体流路３４の積層面に対して垂直方向にプレスしながら冷却して、ガス拡散層３２と多孔体流路３４とを固定・接着する。 - 特許庁

The atmospheric pressure control unit 53 lowers the atmospheric pressure inside the diffusion furnace when the prediction result is reported as 5 or higher of seismic intensity from the P wave analyzer 52.例文帳に追加

気圧制御部５３は、Ｐ波解析部５２から震度が５以上になるという予測結果を知らされると、拡散炉内の気圧を低下させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor treating device that can perform a uniform heat treatment on the wafers and is a vertical thermal diffusion furnace preventing metal contamination.例文帳に追加

ウエハに対して均質な熱処理を施すことが出来、かつ、金属汚染を防止した縦型熱拡散炉である半導体処理装置を提供すること。 - 特許庁

So, the atmospheric pressure in the diffusion furnace is lowered by decreasing the supplied amount of gas with no change of exhaustion level by a vacuum pump.例文帳に追加

つまり、真空ポンプによる排気の程度を変更することなく、供給されるガスの量を減少させることにより、拡散炉内の気圧を低下させる。 - 特許庁

The blast furnace gas made into turbulence is supplied with the added gas using the mixing apparatus having: an inlet through which to supply the added gas to the blast furnace gas flowing in a pipeline; a baffle plate disposed upstream of the inlet for making the blast furnace gas into turbulence; and/or a diffusion plate disposed downstream of the inlet for diffusing the added gas into the blast furnace gas.例文帳に追加

配管内を流れる高炉ガスに添加ガスを供給する吹込み口と、吹込み口の上流側に配設されて高炉ガスを乱流にするバッフルプレートおよび／または吹込み口の下流側に配設されて添加ガスを高炉ガス中に拡散させる拡散プレートとを有する混合装置を用いて、乱流にした高炉ガスに添加ガスを供給する。 - 特許庁

To provide a continuous diffusion processing apparatus that can prevent a heating furnace from increasing in size due to a factor irrelevant to the size of a processing target even by using a construction which can continuously perform diffusion processing on the processing target.例文帳に追加

被処理物の拡散処理を連続的に行うことができる構成でありながら、被処理物の大きさとは関係のない要因によって、加熱炉が大型化するのを防ぐことが可能となる連続拡散処理装置を提供する。 - 特許庁

Vacuum generators 4 are provided on an exhaust tube 2 extending from a furnace core tube 1 in this diffusion furnace, and an exhaust gas, containing phosphorus compound, which is exhausted through the exhaust tube 2, is exhausted in a pressure-reduced state utilizing the vacuum formed by the vacuum generators 4.例文帳に追加

炉芯管１から延びている排気管２にバキュームジェネレータ４を設置し、排気管２を通って排出されるリン化合物を含む排気ガスが、バキュームジェネレータ４で発生する真空を利用して減圧状態で排気される。 - 特許庁

To make thickness and concentration of a film formed on a wafer surface uniform by eliminating pressure gradient of the gas ejected from each ejecting hole of a gas feed pipe in a diffusion furnace.例文帳に追加

拡散炉において、ガス導入管の各噴出孔からの噴出ガスの圧力勾配を解消し、ウエハ表面に形成される膜厚及び濃度の均一化を図る。 - 特許庁

While the boat 2 and the semiconductor wafer 1 are being inserted in a horizontal diffusion furnace 20, the temperature profiling is conducted, and a heater 5 is controlled according to the obtained temperature profile.例文帳に追加

ボート２および半導体ウェハ１が横型拡散炉２０に挿入された状態で温度プロファイルを取り、この温度プロファイルに基づいてヒータ５を制御する。 - 特許庁

In the partially-base-isolated building 1', a diffusion furnace 200 as a substrate treatment device is installed on the upper floor 310, and an accessory for the substrate treatment equipment is installed on the lower floor 320.例文帳に追加

部分免震建物１’においては、上方床３１０に基板処理装置である拡散炉２００が設置され、下方床３２０に基板処理装置の補機が設置される。 - 特許庁

A vertical diffusion furnace has: a cylindrical heater 11 inside a casing, and an inner tube having a boat mounted with treated substrates (works) inside the cylindrical heater 11.例文帳に追加

縦型拡散炉は、筐体の内部には筒状ヒータ１１を、筒状ヒータ１１の内部には被処理基板（ワーク）を搭載されたボートが配置される内管を有している。 - 特許庁

To enhance productivity when boron doping is performed in a vertical furnace and to lessen damage onto an Si substrate by making thermal diffusion of boron uniform.例文帳に追加

縦型炉にてボロンドープを行う場合、生産性を向上させ、さらにボロンの熱拡散を均一することでＳｉ基板へのダメージを軽減することを可能とする。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing device is constituted in a structure that a semiconductor manufacturing device main body 100 has a treating chamber 11 for using a diffusion furnace and the like, a POCl3 (phosphorus oxychloride) and the like and a liquid source of the acid series.例文帳に追加

半導体製造装置本体１００は、拡散炉等、ＰＯＣｌ3 （オキシ塩化リン）等、酸系の液体ソースを使用する処理チャンバ１１を有する。 - 特許庁

Si substrates 41 placed facing each other in the vertical direction of a diffusion source 51 of a solid principally comprising B2O3 is thermally diffused with high density boron in a vertical furnace.例文帳に追加

縦型炉によってB_2O_3を主成分とする固体の拡散源５１の上下方向に対向して配置したＳｉ基板４１へ高濃度のボロンを熱拡散させる。 - 特許庁

The thermal diffusion furnace 10 is provided with a core tube 11, a heater 12 to heat the core tube from its surrounding, and a core-tube wall protection tube 15 which is inserted into the vicinity of the furnace port 112 of the core tube 11 and protects the inner wall of the core tube 11 adjacent thereto.例文帳に追加

熱拡散炉１０は、炉心管１１と、周囲から炉心管を加熱するヒーター１２と、炉心管の炉口１１２近傍に嵌挿され炉口１１２近傍の炉心管１１の内壁を保護する炉心管壁保護管１５とを有する。 - 特許庁

This method of diffusing antimony, which makes antimony diffuse through a vapor phase into silicon single-crystal wafers, is constituted in such a way that after rinsing the surfaces of the silicon single-crystal wafers with hydrofluoric acid for removing an oxide film, the silicon single-crystal wafers are inserted into a thermal diffusion furnace to conduct the diffusion process of antimony.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハにアンチモンを気相拡散するアンチモン拡散方法において、シリコン単結晶ウェーハの表面をフッ酸で洗浄して酸化膜を除去した後、熱拡散炉にシリコン単結晶ウェーハを投入し、アンチモンの拡散処理を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a variance of sheet resistance in an impurity diffused layer can be suppressed when the impurity diffused layer is formed in a semiconductor substrate through the vapor-phase diffusion of impurities in a diffusion furnace.例文帳に追加

拡散炉において不純物を気相拡散させることにより半導体基板に不純物拡散層を形成した半導体装置の製造方法において、不純物拡散層のシート抵抗のばらつきを抑制可能とした製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a horizontal diffusion furnace capable of, without being complicated, manufacturing a diffused wafer having high in-plane uniformity of the depth of a diffusion layer across a wafer surface including a center portion and an outer peripheral portion, and a method for heat-treating a semiconductor wafer using the same.例文帳に追加

横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる横型拡散炉及びそれを用いた半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。 - 特許庁

Since the upper floor 310 is synchronized with the displacement of the lower floor 320 via the column 330, the relative displacement does not occur between the diffusion furnace 200 and the gas supply source 211.例文帳に追加

上方床３１０は、柱３３０を介して下方床３２０の移動に連動するので拡散炉２００及びガス供給源２１１との間で相対変位が生じることがない。 - 特許庁

To form a diffusion layer of oxygen and carbon on the surface of a titanium-based material without forming a layer of titanium oxide, by a single operation, without using a plasma vacuum furnace.例文帳に追加

プラズマ真空炉を使用することなく、単一の操作により、チタン系材料の表面に、チタン酸化物の層を形成することなく、酸素及び炭素の拡散層を形成する。 - 特許庁

A light diffusion plate 32a is disposed between the upside of a substrate W held in a heat treating furnace 10 and a light irradiating light source 20 so that diffused lights irradiate the substrate surface.例文帳に追加

熱処理炉１０内に保持された基板Ｗの上面と光照射用光源２０との間に光拡散板３２ａを配設し、拡散光が基板面に照射されるようにした。 - 特許庁

A single-crystal silicon wafer is put into a thermal diffusion furnace, heated at 900-1,150°C in a mixed atmosphere of boron tribromide, nitrogen and oxygen of a p-type impurity, the boron is thermally diffused on the front surface of the wafer from the mixed atmosphere, and a boron diffusion layer is formed (boron deposition step).例文帳に追加

単結晶シリコンウェハを熱拡散炉に入れ、Ｐ形不純物である三臭化ボロンと窒素と酸素の混合雰囲気中にて９００〜１１５０℃で加熱し、その混合雰囲気からウェハ表面にボロンを熱拡散させてボロン拡散層を形成する（ボロンデポジション工程）。 - 特許庁

Then, the carbon powder is heated at 300-1,600°C in this state so that the carbon is subjected to solid solution diffusion into pure platinum, and thereafter, the pure platinum is heated at 300-1,600°C in an electrical furnace retaining an oxygen-containing atmosphere so as to remove carbon, subjected to solid solution diffusion, on the surface of the platinum.例文帳に追加

そして、この状態で３００度〜１６００度の温度下で加熱して炭素を純白金内に固溶拡散させるとともに、その後に純白金を、有酸素雰囲気を保った電気炉中で、３００度〜１６００度で加熱して、固溶拡散させた表面の炭素を取り除いた。 - 特許庁

In such the thermal diffusion furnace 10, excessive impurities in a carrier gas are deposited on the inside surface of the core-tube wall protection tube 15 in the vicinity of the furnace port 112, and they are crystallized on the surface of the core-tube wall protection tube 15, so that almost no impurity adheres to the main body of the core tube 11.例文帳に追加

このような熱拡散炉１０では、キャリアガス中の過剰不純物は炉口１１２近傍において炉心管壁保護管１５の内側表面に堆積して炉心管壁保護管１５の表面で結晶化し、炉心管１１の本体にはほとんど不純物が付着しない。 - 特許庁

In this producing method, a base metal steel sheet containing <4 wt.% Si is subjected to heating treatment, siliconizing treatment, diffusion soaking treatment and cooling treatment in succession in an atmosphere satisfying the following inequality, and the siliconizing treatment is carried out in a siliconizing treatment furnace in which the concentration of iron chloride is controlled to ≤10 mg/cm3 in terms of the volume of the furnace.例文帳に追加

Si：4wt％未満の母材鋼板に対して、下式を満足する雰囲気にて加熱処理、浸珪処理、拡散均熱処理及び冷却処理を順次行い、さらに、浸珪処理する浸珪処理炉内での塩化鉄存在量が炉容積に対して10mg/cm^3以下とする製造方法である。 - 特許庁

The core-tube wall protection tube 15 is only inserted into the core tube 11, so that it can be easily exchanged if it is broken and the productivity of the thermal diffusion furnace 10 is hard to be lowered.例文帳に追加

なお炉心管壁保護管１５は炉心管１１に嵌挿されているだけなので、破損した場合の交換も容易に行え、熱拡散炉１０における生産性を低下させることは無い。 - 特許庁