「diffusion furnace」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for reducing a carburizing gas of vacuum carburization capable of carburizing by the necessary minimum carburizing gas in the carburization by a vacuum carburization furnace having a carburization chamber or a carburization diffusion chamber.例文帳に追加

浸炭室又は浸炭拡散室を有する真空浸炭炉による浸炭において、必要最小限の浸炭ガスによる浸炭ができる真空浸炭の浸炭ガス縮減方法を提供。 - 特許庁

The diffusion of the raw material gas supplied to the reaction region 2 into the side of the temperature rising region 3 is suppressed by reducing the cross section inside the furnace while leaving a gap 8 through which the transportation belt 19 can pass, and partitioning the boundary region between the temperature rising region 3 and the reaction region 2 with the diffusion suppressors 6 and 7.例文帳に追加

拡散抑制体６、７により、搬送ベルト１９が通過可能な間隙８を残して炉内断面を縮減して昇温領域３及び反応領域２の境界領域を仕切り、反応領域２に供給された原料ガスの、昇温領域３側への拡散を抑制する。 - 特許庁

To form a bonding layer or a BSF layer in simple steps by forming the boding layer by a thermal diffusion, then switching to an oxygen atmosphere in a furnace, and annealing to form a protective film on a surface of a substrate.例文帳に追加

熱拡散による接合層の形成の後、炉内を酸素雰囲気に切り換えて徐冷を行うことで、基板表面に保護膜を形成し、これにより簡単な工程で接合層やＢＳＦ層を形成する。 - 特許庁

To provide a vertical diffusion furnace in which, even if a plurality of semiconductor substrates of orientation flat are loaded on a boat, the stream of a reactive gas is made uniform, so that an oxide film formed on a semiconductor substrate 10 becomes uniform.例文帳に追加

縦型拡散炉において、オリフラ１０ａのある複数の半導体基板１０をボ−トに積載しても反応ガスの流れを一様にし半導体基板１０に形成される酸化膜を均一にするようにする。 - 特許庁

To provide a sealed waste charging reducing furnace capable of inhibiting the diffusion of gas and dust diffused together with a gas in a charging device for treating domestic waste and industrial waste, to the atmospheric air as a damper.例文帳に追加

一般廃棄物や産業廃棄物を処理する投入装置において気体と一緒になって放散するガスやダストをダンパーという形で大気への放散を抑える密閉型廃棄物投入還元炉を提供する。 - 特許庁

The variation of a PN junction capacity caused by a thermal variation in the semiconductor wafer resulting from heat treatment in the diffusion furnace is corrected by making each area of the semiconductor region wherein the impurity is deposited different.例文帳に追加

上記拡散炉での熱処理による上記半導体ウェハの熱バラツキによるＰＮ接合容量のバラツキは、上記不純物がデポジションされら半導体領域の面積を異なせることにより補正する。 - 特許庁

The method for unified metal alloying using a diffusion furnace comprises: stacking a plurality of fusible parts on a fixture; aligning the fusible parts via pins affixed to the fixture; placing the fixture with the aligned fusible parts into a reaction chamber of the diffusion furnace; performing a first level alloying at a predefined dwell temperature for a predefined dwell time; and performing a second level alloying at a predefined brazing temperature for a predefined brazing time.例文帳に追加

複数の可溶部を固定具上に積層し、固定具に固定されたピンを介して可溶部を位置合わせし、拡散炉の反応チャンバ内に前記位置合わせされた可溶部を有する固定具を配置し、所定のドウェル時間にわたり所定のドウェル温度で第一レベルの合金化を実施し、所定のろう付け時間にわたり所定のろう付け温度で第二レベルの合金化を実施する、ことを含む、拡散炉を利用する一体化された金属合金化方法。 - 特許庁

With a vertical diffusion furnace used, a silicon wafer SW is loaded on a wafer holding boat 1 in its quartz, and a high-temperature annealing is performed with the wafer SW in a mixed atmosphere of hydrogen and argon.例文帳に追加

シリコンウェーハの熱処理方法では、縦型拡散炉を使用し、その石英製炉心管内のウェーハ保持用ボート上にシリコンウェーハを積載し、このウェーハに対して水素とアルゴンとの混合雰囲気中で高温アニールを実施する。 - 特許庁

A diffusion furnace is operated in this state to permit the wafer 9 after any impurity is doped in the polycrystalline silicon film 91 to be heat treated, while always monitoring a resistance value based on the measurement of the probe 71 with a resistance value monitor 8.例文帳に追加

この状態で、この拡散炉を稼働させて、プローブ７１の測定に基づく抵抗値を抵抗値モニタ８で常時監視しながら、多結晶シリコン膜９１に不純物をドーピングした後のウエハ９を熱処理する。 - 特許庁

The diffusion furnace includes a cylindrical heat-insulating cylinder 21 and heating wire 22 that is spirally arranged on the inner circumferential surface of the heat-insulating cylinder 21, and the heating wire 22 is fixed at a movable type separator 23B that can be moved in the direction of outside diameter of the heat-insulating cylinder 21.例文帳に追加

拡散炉は、円筒状の断熱筒２１と、断熱筒２１の内周面に螺旋状に配置される電熱線２２とを備え、断熱筒２１の径外方向に移動可能な移動式セパレーター２３Ｂに電熱線２２を固定する。 - 特許庁

The P wave analyzer 52, upon being informed of arrival of P waves from the P wave detector 51, predicts seismic intensity in the district where the vertical diffusion furnace 54 is installed at the time when S waves arrives in the future based on the waveform, amplitude of the arriving P waves, or the like.例文帳に追加

Ｐ波解析部５２は、Ｐ波検知部５１からＰ波が到来したことを知らされると、到来したＰ波の波形及び振幅等からその後にＳ波が到来した時の、縦型拡散炉５４が設置されている地域の震度を予測する。 - 特許庁

This super-high temperature incineration thermal decomposition furnace of PCB comprises the incinerator 3, a rotary fire stand 4, a diffusion type super-high temperature thermal decomposition fire blast nozzle 1, a super-high temperature after burner 2, a heating air rotation guiding injection device 20 and the like as internal structures.例文帳に追加

該焼却炉のアフターバーナーの前面に連結した焼却炉を損なわず、焼却炉内の難燃性廃棄物を１２００℃〜１５００℃に加熱し、廃熱と熱交換して１５００℃〜１８００℃で瞬時に超高温熱分解しダイオキシンを発生させない。 - 特許庁

To provide a thermal ring closure for microwave curing that is capable of enabling the curing temperature to become a low temperature range of less than 250°C and in which the membrane properties of the resulting cured membrane has no difference from the physical properties of the cured membrane obtained from the high temperature treatment using a thermal diffusion furnace.例文帳に追加

マイクロ波照射による硬化温度を２５０℃未満に低温度化することが可能で、得られる硬化膜の膜特性が熱拡散炉を用いた高温処理で得られる硬化膜の物性と差がないマイクロ波硬化用熱閉環硬化型樹脂を提供する。 - 特許庁

When fluorite is manufactured, the diffusion or adsorption of moisture to carbon in a furnace where adsorbed moisture is held up to 800°C can be prevented by that fluorite is chemically changed to an inert oxide gradually at a temperature range (up to about 300°C) where the majority of adsorbed moisture is desorbed.例文帳に追加

蛍石製造にあたり、大部分の吸着水分が脱離を起こす温度範囲（約300℃まで）において逐次これを不活性な酸化物へ化学変化させることで、800℃まで吸着水分を保持してしまう炉内カーボンへの水分の拡散・吸着を防ぐことができる。 - 特許庁

In this processing, the PH3 gas jetted out of a gas diffusion hole 12a of the nozzle 12 is allowed to reflect at the inner wall of the reaction furnace 1, and the gas stream is directed at an angle of 45° to 90°, preferably at an angle vertical or approximately vertical to the surface of the substrate 11.例文帳に追加

このとき、石英ガスノズル１２のガス拡散穴１２ａから吹き出されるＰＨ_3 ガスを反応炉１の内壁で反射させ、そのガス流の方向を半導体基板１１の表面に対して、４５°〜９０°の角度、好適には、垂直か垂直に近い角度になるようにする。 - 特許庁

To provide a method for producing a high purity silicon carbide tube having high purity, excellent in denseness corrosion resistance, strength characteristics or the like and suitably usable as various members for a heat treating apparatus such as a liner tube and a process tube used for a diffusion furnace for semiconductor fabrication.例文帳に追加

高純度で緻密性、耐蝕性、強度特性などに優れ、熱処理装置用の各種部材、例えば半導体製造用の拡散炉に用いられるライナーチューブ、プロセスチューブなどの熱処理部材として好適に用いられる高純度炭化珪素チューブの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for continuous carburization which can be efficiently adapted to the change in the carburizing depth over an extensive carburizing temperature range and which has increased flexibility in a continuous vacuum carburizing furnace including a heating-up chamber, a carburizing chamber, a diffusion chamber, a cooling-down and holding chamber and a cooling chamber.例文帳に追加

昇温室、浸炭室、拡散室、降温・保持室及び冷却室を含む連続真空浸炭炉において、広い範囲の浸炭温度領域にわたって浸炭深さの変化に効率的に対応しフレキシビリティを増した連続浸炭方法及び装置を提供。 - 特許庁

The wall in the flow direction in the furnace body comprises a base side wall part 30a to prevent the diffusion of the air from the axial flow fan, and a forward end side wall part 30b which is recessed from the base side wall part to openly diffuse the air flow regulated by the base side wall part.例文帳に追加

前記炉体流れ方向の壁は、前記軸流ファンの風の分散を防ぐ基部側壁部３０ａと、該基部側壁部よりも引っ込んでいて当該基部側壁部で規制されていた風の流れを開放して分散させる先端側壁部３０ｂとからなっている。 - 特許庁

A gaseous starting material being a gaseous mixture of hydrogen with oxygen is fed to the upper part 1st chamber 14 from a gaseous starting material feed port 4 formed on the top wall 12 of the reaction furnace main body 1 and introduced into the lower part 2nd chamber 15 while being diffused by a 1st reflection plate 3 and the diffusion filter 2.例文帳に追加

水素と酸素との混合ガスである原料ガスは、反応炉本体１の頂壁１２に形成した原料ガス供給口４３から上位の第１室１４に供給され、第１反射板３及び拡散フィルタ２により拡散されつつ、下位の第２室１５へと導入される。 - 特許庁

To perfectly prevent an inert gas, such as an SF_6 gas and the like, from leaking outside, and to prevent the diffusion of the inert gas, which is separated from an inert gas layer in a melting furnace, for a cyclical use friendly to the environment, and to reduce an operating cost and keep the thickness of the inert gas layer for fully preventing oxidation.例文帳に追加

ＳＦ_6ガス等の不活性ガスの外部漏れを完全に防止し、溶解炉内の不活性ガス層から離れた不活性ガスの拡散を防止して再利用して、地球環境に優しく、稼動コストを低減し、不活性ガス層厚さを均等に保ち十分な酸化防止を図る。 - 特許庁

To adequately adjust a carburized depth and a carbon amount on a surface while inhibiting the formation of cementite, in a continuous vacuum carburizing furnace for continuously carrying out the step of heating a treating material, subjecting the treating material to carburization/diffusion treatment in a reduced pressure, and then lowering the temperature of the treating material.例文帳に追加

処理材を加熱し、この処理材に対し減圧状態で浸炭・拡散を行った後、この処理材を降温させる工程を連続して行う連続式真空浸炭炉において、セメンタイトの生成を抑制し、浸炭深さや表面炭素量を適切に調整できるようにする。 - 特許庁

In a circulating fluidized gasification furnace 2 for thermally decomposing biomass, sewage sludge b is thermally decomposed by high-speed diffusion, while supplying air or oxygen, at an air ratio of 0.1-0.7 and at a thermally decomposition temperature in the range of 450-850°C, and a thermally decomposed gas d is obtained by separating the fluidizing medium.例文帳に追加

バイオマスを熱分解する循環流動ガス化炉２では、空気または酸素を供給しつつ高速拡散による下水汚泥ｂを、空気比０．１〜０．７、熱分解温度４５０℃〜８５０℃の温度範囲で熱分解し、流動媒体を分離して、熱分解ガスｄを得る。 - 特許庁

This decoratively working apparatus comprises: a quartz pipe 2 which accommodates a Cu-Al alloy 21 therein; a diffusion furnace 1 which heats the alloy accommodated in the quartz pipe 2 at a temperature at which Al that composes the alloy reacts but Cu does not react; and a gas pipe 6 for transporting an oxidizing gas for Al toward the quartz pipe 2.例文帳に追加

Ｃｕ−Ａｌ合金２１が収容される石英管２と、石英管２に収容された合金を構成するＡｌを反応させ且つＣｕを反応させない温度で加熱する拡散炉１と、石英管２に向けてＡｌに対する酸化性ガスを搬送するガス配管６とを備える。 - 特許庁

To provide a SiC formed material having an electrical resistivity suitable as a shielding body for a heat treatment device of a semiconductor production apparatus, a heat-resistant member such as a soaking ring and a member such as a dummy wafer or a susceptor used in a diffusion furnace device, an etching device, a CVD device or the like.例文帳に追加

半導体製造装置の熱処理装置用遮蔽体、均熱リングなどの耐熱部材、拡散炉装置、エッチング装置、ＣＶＤ装置などに用いられるダミーウエハやサセプターなどの部材として好適な電気抵抗率を有するＳｉＣ成形体を提供する。 - 特許庁

The method for carburizing workpieces having edge parts includes: a plasma carburizing treatment (a carburizing treatment step) of storing workpieces having edge parts into a vacuum furnace, feeding a carburizing gas into the vacuum furnace and performing glow discharge; and the subsequent step (a diffusion step) of diffusing carbon in the surface layers of the workpieces into the workpieces by a neutral or reducing gas plasma treatment including an inert gas represented by argon.例文帳に追加

真空炉内に、エッジ部を有するワークを収容し、該真空炉内に浸炭性ガスを供給してグロー放電するプラズマ浸炭処理（浸炭処理工程）を施した後、引き続きアルゴンに代表される不活性ガスを含む中性あるいは還元性のガスプラズマ処理によりワーク表面層の炭素をワーク内部に拡散させる工程（拡散工程）を有することを特徴とする、エッジ部を有するワークの浸炭方法。 - 特許庁

The vertical diffusion furnace has structure similar to that of a conventional one except that it is equipped with (1) nozzles for jetting nitrogen gas toward the flange surface of a stage coupled with the furnace body, (2) a dust collector for collecting generated powdery dust, and (3) a controller performing automatic sequence control of nitrogen gas jet and dust collection.例文帳に追加

本縦型拡散炉装置は、（１）縦型拡散炉本体と結合するステージのフランジ面に向けて窒素ガスを噴出するように、窒素ガス噴出ノズルを備えること、及び（２）発生する粉塵を集塵する集塵装置を備えること、（３）窒素ガスの噴出及び集塵をシーケンス制御により自動的に行う制御装置を備えることを除いて、従来の縦型拡散炉装置と同じ構成を備える。 - 特許庁

The method including injecting a gas at a workpiece center location 20 and applying heat comprises the steps of: cleaning a furnace to be used during the heat treatment method and diffusion heat treating the at least one workpiece in a gas atmosphere with gas being injected at the work piece center location 20.例文帳に追加

方法は、ワークピース中心位置２０においてガスを注入しかつ熱を加えることを含む清浄化方法で、熱処理方法の間に使用される炉を清浄化し、ワークピース中心位置２０において注入されるガスのガス雰囲気内で少なくとも１つのワークピースを拡散熱処理することを含む。 - 特許庁

To reduce damage to an Si substrate by uniforming thermal diffusion of boron during boron doping in a vertical furnace and to realize formation of an insulating film with high insulation withstand pressure on a surface of the Si substrate, when an ink-jet head is formed with use of anisotropic etching and a high-density boron etching stop to the Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板の異方性エッチングおよび高濃度ボロンエッチングストップを利用して形成されるインクジェットヘッドにおいて、縦型炉にてボロンドープを行う場合、ボロンの熱拡散を均一することでＳｉ基板へのダメージを軽減し、Ｓｉ基板表面に高絶縁耐圧の絶縁膜を形成することを可能とする。 - 特許庁

To provide a thermal treatment method of a semiconductor substrate for stably manufacturing the semiconductor substrate in which the in-plane variation of the distribution of a dopant diffused in the semiconductor substrate is suppressed, when the thermal processing is performed to diffuse a diffusate in the semiconductor substrate using a horizontal diffusion furnace.例文帳に追加

横型拡散炉を用いて半導体基板に拡散物質を拡散する熱処理を行う場合に、半導体基板に拡散したドーパントの分布の面内におけるばらつきが抑えられた半導体基板を安定して製造するための半導体基板の熱処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The multi-floor base-isolating equipment 300 comprises: an upper floor 310 for installing a diffusion furnace 200; a lower floor 320 which is installed below the upper floor 310; a column 330 for connecting the upper and lower floors 310 and 320 together; and a base-isolating unit 340 which is installed in the lower section of the lower floor 320.例文帳に追加

多層床免震装置３００は、拡散炉２００を設置するための上方床３１０と、上方床３２０よりも下方に設けられた下方床３２０と、上方床３１０及び下方床３２０を連結する柱３３０と、下方床３２０の下部に設けられた免震ユニット３４０とを備える。 - 特許庁

The high temperature diffusion furnace employed for a low particle atmosphere is provided with a frame, having at least a part consisting of stainless steel for improving the uniformity of the surface of the same, a plurality of panels connected to the frame and having at least a part consisting of aluminum and polyethylene, and a plurality of heating modules matching with the panel and positioned in the frame.例文帳に追加

本発明は、低粒子雰囲気環境で用いるための高温拡散炉であって、表面均一性を向上させるステンレス鋼からなる少なくとも部分を有するフレームと、フレームに連結され、アルミニウムおよびポリエチレンからなる少なくとも部分を有する複数のパネルと、パネルと一致して、フレーム内に位置決めされた複数の加熱モジュールとを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an uneven film without necessitating large scale equipment such as a coating machine, a drying furnace and the like and possession and the like of a plurality of uneven rolls and belts, in high productivity without causing problems in removing foreign substances at a melting stage and to provide a diffusion film, a surface anti-reflection film and a polarizer protective film each being made by this method.例文帳に追加

塗工装置や乾燥炉等の大掛かりな付帯設備の導入、複数個の凹凸ロールやベルトの保有等を要することなく、生産性の高い、又、溶融段階での異物除去に支障が生じない凹凸フィルムの製造方法、及び本方法により得られた凹凸フィルムからなる拡散フィルムや表面反射防止フィルム、偏光子保護フィルムを提供しようとする。 - 特許庁