「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

An n^+-type source/drain region 112, a p^+-type source/drain region 113, a p-type well 114, an n-type well 117, a p^+-diffusion layer 115, and an n^+-diffusion layer 116 are formed on the embedded oxide film 102.例文帳に追加

埋め込み酸化膜１０２上にｎ^+ 型ソース／ドレイン領域１１２，ｐ^+ 型ソース／ドレイン領域１１３，ｐ型ウェル１１４，ｎ型ウェル１１７，ｐ^+ 拡散層１１５，及びｎ^+ 拡散層１１６が形成されている。 - 特許庁

Each variable member 60 has a first part 61 in contact with the diffusion-layer parts 24, 25 and a second part 62 not in contact with the diffusion-layer parts 24, 25 and composed of a material softer than that of the first part 61.例文帳に追加

可変部材６０は、拡散層部２４，２５と接触する第１の部分６１と、拡散層部２４，２５と接触せず第１の部分６１よりも柔らかい素材で構成される第２の部分６２と、を有する。 - 特許庁

In this manner, by utilizing the boundary of the gate trench 104, the source/drain regions at the side of a bit line composed of the high-concentration p-type diffusion layer 108 and the high-concentration n-type diffusion layer 109 are formed in a self-alignment manner.例文帳に追加

このように、ゲートトレンチ１０４の境界を利用して、高濃度Ｐ型拡散層１０８及び高濃度Ｎ型拡散層１０９で構成されたビット線側のソース／ドレイン領域をセルフアラインにより形成する。 - 特許庁

Further, the end of the gate electrode 8 overlaps with the first diffusion layer 2 or the second diffusion layer 3, which pinching the laminated first insulation films 4, 4a, the second insulation films 5, 5a and the third insulation films 6, 6a.例文帳に追加

また、ゲート電極８の端部は、上記積層する第１絶縁膜４，４ａ、第２絶縁膜５，５ａ、第３絶縁膜６，６ａを挟んで第１拡散層２あるいは第３拡散層３とオーバラップしている。 - 特許庁

To provide a water-repellent paste for a gas diffusion layer and a method of manufacturing the same such that the water-repellent paste for the gas diffusion layer has sufficient coating strength and is manufactured without lowering gas diffusivity, producing any aggregate, nor taking trouble.例文帳に追加

ガス拡散層用撥水ペースト及びその製造方法において、十分な塗膜強度が得られるとともにガス拡散性を低下させず、凝集体も発生させず、手間を掛けることなく製造できること。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-type embedded layer 9 creeps up, a P-type diffusion layer 12 creeps down, and both the diffusion layers 9, 12 are connected, thus composing the back gate region of the MOS transistor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の埋込層９が這い上がり、Ｐ型の拡散層１２が這い下がり、両拡散層９、１２が連結することで、ＭＯＳトランジスタ３のバックゲート領域が構成される。 - 特許庁

This has an Fe-Ni diffusion layer which yields a coating amount which of 1 to 9 g/m2 as Ni on the surface to become the inner surface of the can, and a Ni plated steel sheet having numerous concaves of crack state on the surface of this Fe-Ni diffusion layer is made.例文帳に追加

缶内面になる面に付着量がＮｉとして１〜９ｇ／ｍ^2 のＦｅ−Ｎｉ拡散層を有し、このＦｅ−Ｎｉ拡散層の表面に亀裂状の凹みを多数有するＮｉメッキ鋼板とする。 - 特許庁

In the area on the lower side of the insulation film 11, a p-type channel diffusion layer 16 in which indium ions are main impurity and a second p-type channel diffusion layer 17 in which boron is a main impurity are formed.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１１の下側の領域には、インジウムイオンが主な不純物である第１のＰ型チャネル拡散層１６と、ボロンが主な不純物である第２のＰ型チャネル拡散層１７が形成されている。 - 特許庁

In a semiconductor device (an electronic device) 1, a liquid phase diffusion junction layer 56 is interposed on an electrode 110, having liquid phase diffusion metal at least on a surface layer to joint a metal bump electrode 40.例文帳に追加

半導体装置（電子デバイス）１において、少なくとも表面層に液相拡散金属を有する電極１１０上に液相拡散接合層５６を介在させて金バンプ電極４０が接合されている。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a membrane electrode assembly for a fuel cell preventing the penetration of an electrolyte membrane material into an anode diffusion layer or a cathode diffusion layer and keeping the electrolyte membrane flat.例文帳に追加

アノード拡散層やカソード拡散層に電解質膜材料が侵入することを防ぎ、かつ電解質膜を平坦に確保することができる燃料電池用膜電極接合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gas diffusion layer integrated membrane electrode assembly, which effectively prevents fibers included in a gas diffusion layer substrate from damaging the membrane electrode assembly.例文帳に追加

この発明は、ガス拡散層基材に含まれる繊維が膜電極接合体を傷つけるのを効果的に防止することができるガス拡散層一体化膜電極接合体の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The hydrogen permeation member is formed by laminating the metal-made porus member and the hydrogen permeation film through a diffusion preventing layer, and metal oxide-made particles are filled in void parts of the diffusion preventing layer.例文帳に追加

金属製多孔質体と水素透過膜が拡散防止層を介して積層されている水素透過部材であって、前記拡散防止層の欠落部に金属酸化物製粒子が充填されている水素透過部材である。 - 特許庁

Reduction in the ON resistance of the pin diode 1 can be realized by forming the p+ type diffusion layer 5 and the n+ type diffusion layer 6 such that the interval W therebetween is shortened.例文帳に追加

また、ｐ^+型拡散層５とｎ^+型拡散層６との間隔Ｗが小さくなるようにｐ^+型拡散層５およびｎ^+型拡散層６を形成することによりｐｉｎダイオード１の低オン抵抗化を実現する。 - 特許庁

The light diffusion reflection sheet can convert the incident light to the diffusion light and can distribute the quantity of the light to the reflection light and the transmission light in a wider distribution range by using the light diffusion reflection sheet having a diffusion reflection layer comprising porous particles, wherein the total light transmittance is 80% or less.例文帳に追加

多孔質粒子を含有する拡散反射層を有する光拡散反射シートを用いることにより、入射光を拡散光へと変換するとともに、反射光と透過光へとより広い範囲で配分可能であって全光線透過率が８０％以下である光拡散反射シート。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 wherein the lateral pnp transistor is incorporated in the bipolar IC, a dopant used in a buried diffusion layer 8 immediately below the lateral pnp transistor B has a diffusion coefficient larger than that of a dopant used in a buried diffusion layer 5 immediately below a control circuit A.例文帳に追加

バイポーラＩＣに横型ＰＮＰトランジスタを内蔵する半導体装置１において、横型ＰＮＰトランジスタ部Ｂ直下の埋め込み拡散層８に用いる不純物は、制御回路部Ａ直下の埋め込み拡散層５に用いる不純物よりも大きい拡散係数を有するものとする。 - 特許庁

A P-type high-concentration impurity diffusion layer 130 is provided in the region jointing to the ground wiring 130 of the silicon substrate 10, and a P-type semiconductor diffusion region 160 is provided in the region between the P-type high-concentration impurity diffusion layer 140 and the P-type well region 120.例文帳に追加

シリコン基板１０のグランド配線１３０を接合する領域には、Ｐ型高濃度不純物拡散層１４０が設けられ、このＰ型高濃度不純物拡散層１４０とＰ型ウエル領域１２０との間の領域には、Ｐ型半導体拡散領域１６０が設けられている。 - 特許庁

Of a main back surface side oxide film 42 formed on the main back surface side of the diffusion wafer 7 at the end of diffusion, the remaining part 42b from which a surface layer is removed is used for the automatic doping prevention, and the silicon epitaxial layer 9 is vapor grown on the main surface of the diffusion wafer 7.例文帳に追加

拡散終了時に拡散ウェーハ７の主裏面側に形成されている主裏面側酸化膜４２のうち、表層部を除去した残りの部分４２ｂをオートドープ防止用に用いて、拡散ウェーハ７の主表面上にシリコンエピタキシャル層９を気相成長する。 - 特許庁

Accordingly, conductivity, gas diffusion, and the mechanical strength of the catalyst layer 16 are enhanced, and since the catalyst layer 16 also functions as a gas diffusion electrode, the gas diffusion electrode can be eliminated, the MEA can be manufactured at lower cost compared with the conventional MEA.例文帳に追加

そのため、このように触媒層１６の導電性、ガス拡散性、および機械的強度が高められることによって、その触媒層１６がガス拡散電極としても機能させられるので、ガス拡散電極を省略でき、従来のＭＥＡに比較して低コストで製造することができる。 - 特許庁

Then, a p-type conductive diffusion preventing layer 31 for preventing the diffusion of a diffusion layer 23a is configured to be formed by CB Halo Ion Implantation process using the second interlayer film 35 as a mask while a first side wall insulation film exposed within the contact hole 25a is separated.例文帳に追加

そして、コンタクト孔２５ａ内に露出する第１の側壁絶縁膜を剥離した状態で、第２の層間膜３５をマスクに、ＣＢハロー・Ｉ／Ｉにより、拡散層２３ａの拡散を防止するためのｐ導電型の拡散防止層３１を形成する構成となっている。 - 特許庁

The diffusion plate for direct type liquid crystal backlight comprises a glass substrate and a diffusion layer formed on the substrate surface, wherein the diffusion layer is formed by using a composition including spherical beads of average particle size 5μm to 40μm.例文帳に追加

ガラス製の基材と、該基材表面に形成される拡散層と、からなる直下型液晶バックライト用拡散板であって、前記拡散層は、平均粒径５μｍ〜４０μｍの球状ビーズを含んだ組成物を用いて形成されることを特徴とする直下型液晶バックライト用拡散板。 - 特許庁

The concentration of an N-type intrinsic base diffusion area 23 adjoining to the emitter diffusion area 23 of an L-PNP transistor is made higher than that of a base buried layer 3B adjoining to the collector diffusion area 16B of an L-PNP bipolar transistor.例文帳に追加

Ｌ−ＰＮＰトランジスタのエミッタ拡散領域２３に隣接するＮ型真性ベース拡散領域２２の濃度を、Ｌ−ＰＮＰバイポーラトランジスタのコレクタ拡散領域１６Ｂに隣接するベース埋め込み層３Ｂの濃度より高くする。 - 特許庁

This semiconductor device has: a first-conductivity-type well 10; a plurality of first diffusion layers 200 formed in the well 10; a plurality of second diffusion layers 300 formed in the well 10; and a diffusion resistance layer 400 formed in the well 10.例文帳に追加

第１導電型のウェル１０、ウェル１０に形成された複数の第１の拡散層２００、ウェル１０に形成された複数の第２の拡散層３００、及びウェル１０に形成された拡散抵抗層４００を有する。 - 特許庁

To provide a diffusion agent composition excellent in coating film formation properties and discharge stability and capable of being applied suitably for a spray coating method, a method of forming an impurity diffusion layer using the diffusion agent composition, and a solar battery.例文帳に追加

優れた塗膜形成性および吐出安定性を有し、スプレー塗布法に好適に採用可能な拡散剤組成物、当該拡散剤組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a light-diffusion pressure-sensitive adhesive solution capable of forming a light-diffusion pressure-sensitive adhesive layer which has excellent light-diffusion and light-transmittance and the turbidity of which is easily adjusted.例文帳に追加

本発明は、優れた光拡散性及び光透過率を有する光拡散粘着層を形成することができ、この光拡散粘着層の濁度を容易に調整することができる光拡散粘着剤溶液を提供する。 - 特許庁

The surface on the side opposite to the translucent substrate 43 of the light diffusion layer 45 is formed in an irregular shaped surface based on a part of the first translucent light diffusion material 452 and a part of the second translucent light diffusion material 452'.例文帳に追加

光拡散層４５の透光性基材４３の側とは反対側の面は、第１透光性光拡散材４５２の一部及び第２透光性光拡散材４５２’の一部に基づく凹凸形状面とされている。 - 特許庁

Likewise, a second reaction layer is formed at a discharge device 120g, a second gas diffusion layer, at a discharge device 120h, and a second current-collecting layer, at a discharge device 120i.例文帳に追加

同様に、吐出装置１２０ｇにおいて第２の反応層を、吐出装置１２０ｈにおいてガス拡散層を、吐出装置１２０ｉにおいて第２の集電層を形成する。 - 特許庁

A contact layer 8a is formed on the contact section 7a, and the diffusion preventive layer 5 is configured in a thickness (approximately 0.05 nm) smaller than the thickness of the contact layer 8a.例文帳に追加

さらに、コンタクト部７ａ上にはコンタクト層８ａが形成されており、拡散抑止層５は、このコンタクト層８ａの厚みよりも小さい厚み（約０．０５ｎｍ）に構成されている。 - 特許庁

To prevent the sheet resistance from increasing due to aggregation of metal silicide layer in a high integration semiconductor device where diffusion layer resistance, and the like, are decreased by employing the metal silicide layer.例文帳に追加

金属シリサイド層の採用により、拡散層抵抗等を低減した高集積度半導体装置における、金属シリサイド層の凝集によるシート抵抗値の上昇を防止する。 - 特許庁

The plated steel sheet for producing a pipe is obtained, on the surface of a steel sheet, by forming a plating layer comprising Zn, Co and Mo, an Fe-Ni diffusion layer, and a softened Ni layer therebetween.例文帳に追加

鋼板の表面に、Ｚｎ、Ｃｏ、およびＭｏを含有するめっき層と、Ｆｅ−Ｎｉ拡散層と、その間に軟質化されたＮｉ層が形成されているパイプ製造用めっき鋼板。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar battery cell that can manufacture a solar battery having superior photoelectric conversion efficiency, by removing a dead layer of a surface layer of an impurity diffusion layer in a simple and sure way.例文帳に追加

簡便かつ確実に不純物拡散層の表層のデッド層を除去して光電変換効率に優れた太陽電池を製造可能な太陽電池セルの製造方法を得ること。 - 特許庁

A diffusion prevention layer formed of an Al thin film is formed on at least either of a lower part and an upper part of the reference layer included in a spin valve layer of the CPP magnetoresistive effect element.例文帳に追加

ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ層に含まれるリファレンス層の下部及び上部のうちの少なくとも一方にＡｌの薄膜よりなる拡散防止層を形成する。 - 特許庁

The light diffusion sheet is a multilayer sheet in which a surface layer (a) and a back layer (c) comprise the following resin composition (A) and an intermediate layer (b) comprises the following resin composition (B).例文帳に追加

多層構成の光拡散シートであって、表層ａ及び裏層ｃが下記（Ａ）に示す樹脂組成物からなり、中間層ｂが（Ｂ）に示す樹脂組成物からなる多層シート。 - 特許庁

To provide a laminated polyester film for optical use which shows successful adhesive properties with a light diffusion layer, a prism layer and a hard coat layer as well as excellent antistatic performance without impairing transparency.例文帳に追加

光拡散層、プリズム層、ハードコート層との接着性が良好で、透明性を損なうことなく、しかも帯電防止性能に優れた光学用積層ポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

The light emitting layer 24 is formed by a metal organic vapor phase epitaxy process, and the p-type current diffusion layer 7 is formed on the light emitting layer 24 by a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にｐ型の電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

When writing data in a memory 15, a selection gate 8, a drain diffused layer 2, and a source diffusion layer 13 are applied with positive bias, a source diffused layer 3 is grounded, and an erasing gate 9 is opened.例文帳に追加

メモリ１５へのデータの書込みは、選択ゲート８、ドレイン拡散層２及びソース拡散層１３に正バイアスを印加し、ソース拡散層３を接地、消去ゲート９を開放として行う。 - 特許庁

The diffusion of Ga in the active layer 15 is suppressed in the ZnO substrate to obtain a steep interface between the ZnO substrate and active layer, thus enabling the system to get excellent crystal in the active layer composed of InGaN.例文帳に追加

ZnO基板中に活性層１５のGaが拡散するのが抑制され、ZnO基板と活性層の間の急峻な界面が得られ、InGaNからなる活性層の良好な結晶が得られる。 - 特許庁

The electrode for fuel cell is made of a catalyst layer having carbon particles carrying a catalyst metal on the surface and an electrolyte, and formed between an electrolyte layer and a gas diffusion layer.例文帳に追加

発明の燃料電池用電極は、表面に触媒金属を担持したカーボン粒子と、電解質と、を備える触媒層から成り、電解質層とガス拡散層との間に形成される。 - 特許庁

CATALYST LAYER FOR POLYMER ELECTROLYTE FUEL CELL ON SUBSTRATE MATERIAL, INK FOR MANUFACTURING THE CATALYST LAYER, MANUFACTURE OF THE CATALYST LAYER, GAS DIFFUSION ELECTRODE, FILM CATALYST ASSEMBLY AND FILM ELECTRODE ASSEMBLY例文帳に追加

基板材料上の高分子電解質燃料電池用触媒層、該触媒層を製造するためのインキ、触媒層の製造方法、ガス拡散電極、膜触媒アセンブリ—、膜電極アセンブリ— - 特許庁

The fuel cell has a power generation body having an electrolyte layer and a gas diffusion electrode layer arranged on both sides of the electrolyte layer and a separator arranged on both sides of the power generation body.例文帳に追加

燃料電池は、電解質層と電解質層の両面に配置されたガス拡散電極層とを有する発電体と、発電体の両面に配置されたセパレータとを備える。 - 特許庁

Then, a fixing die 12 having a layer is formed by supplying gaseous hydrogen, gaseous oxygen and gaseous hydrogen sulfide and forming a mixture layer 34 containing only iron oxide and iron sulfide on the nitrogen diffusion layer.例文帳に追加

次に、水素ガス、酸素ガスおよび硫化水素ガスを供給し、酸化鉄と硫化鉄のみを含有する混合物層３４を窒素拡散層上に形成して、固定型１２とする。 - 特許庁

To control external diffusion from a semiconductor layer of impurity implanted and surface oxidation of semiconductor layer, when the impurity implanted to the semiconductor layer is activated.例文帳に追加

半導体層に注入された不純物を活性化する際に、注入された不純物の半導体層からの外方拡散と半導体層の表面酸化とを抑止できるようにする。 - 特許庁

The barrier layer is chemically inert with respect to the substrate and the thick film dielectric layer, and the barrier layer inhibits diffusion of at least one chemical species therethrough.例文帳に追加

このバリア層は、基板及び厚膜誘電体層に関して化学的に不活性であり、少なくとも一種の化学種がこのバリア層を通って拡散することを抑制している。 - 特許庁

To prevent charge capture density from decreasing as much as possible by suppressing nitriding of an insulating layer as a lower layer and suppressing diffusion of oxygen from an insulating film as an upper layer.例文帳に追加

下層の絶縁膜が窒化するのを抑制するとともに上層の絶縁膜からの酸素の拡散を抑制して電荷捕獲密度の低下を可及的に防止することを可能にする。 - 特許庁

The anode electrode 20a has an anode catalyst layer 40a arranged so as to contact the electrolyte film 30, and an anode diffusion layer 50a arranged so as to contact the anode catalyst layer 40a.例文帳に追加

アノード電極２０ａは、電解質膜３０に接して設けられたアノード触媒層４０ａと、アノード触媒層４０ａに接して設けられたアノード拡散層５０ａとを有する。 - 特許庁

The cathode electrode 20c has a catalyst layer 40c arranged so as to contact the electrolyte film 30, and a cathode diffusion layer 50c arranged so as to contact an anode catalyst layer 40c.例文帳に追加

カソード電極２０ｃは、電解質膜３０に接して設けられたカソード触媒層４０ｃと、カソード触媒層４０ｃに接して設けられたカソード拡散層５０ｃとを有する。 - 特許庁