「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a fuel cell having no closed space inside, a catalyst layer and/or a diffusion layer having high gas permeability and high conductivity.例文帳に追加

内部に閉鎖空間を有することなく、かつ、ガス透過性及び導電性に優れる触媒層及び／又は拡散層を有する燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for applying a silicide layer to a diffusion layer on a semiconductor substrate in a semiconductor integrated-circuit device having a logic and DRAMs.例文帳に追加

ロジックとＤＲＡＭとを備えた半導体集積回路装置において、半導体基板の拡散層にシリサイド層を適用することのできる技術を提供する。 - 特許庁

The anode gas flow passages 8, 11 are arranged at an opposite side of the rib part 20 with an electrolyte film 1, a catalyst layer 2, and a gas diffusion layer in between.例文帳に追加

そして、アノードガス流路８、１１が電解質膜１、触媒層２及びガス拡散層３を挟んでリブ部２０の反対側に配置される。 - 特許庁

The oxidant electrode gas diffusion layer 17 includes a carbon paper 20 serving as a porous base material and a carbon porous layer 21 formed on a surface of the carbon paper.例文帳に追加

酸化剤極ガス拡散層１７は、多孔質基材であるカーボンペーパー２０と、その表面に形成されたカーボン多孔質層２１とを備える。 - 特許庁

Since diffusion does not advance to the second piezoelectric layer 3B far from the diaphragm 2, the optimum composition is maintained in the second piezoelectric layer 3B.例文帳に追加

一方、振動板２から遠い第２の圧電層３Ｂまでは拡散が進行しないため、この第２の圧電層３Ｂについては最適組成が維持される。 - 特許庁

An element isolation region is formed on a semiconductor substrate 10, on which a high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1 and a semiconductor active layer 2 are laminated.例文帳に追加

高濃度不純物拡散半導体層１、半導体活性層２が積層された半導体基板１０に素子分離領域が形成されている。 - 特許庁

A catalyst layer 2 constituted by containing Pt, Pd and Rh which are catalytic noble metals is formed on an outer surface 171 of the diffusion resistance layer 17.例文帳に追加

拡散抵抗層１７の外表面１７１には、触媒貴金属であるＰｔ、Ｐｄ及びＲｈを含有してなる触媒層２が形成されている。 - 特許庁

The aluminum nitride layer 6 is formed, in such a thickness, as to delay the time for starting the diffusion of gallium and indium from the reaction source supplying layer 7.例文帳に追加

そして、窒化アルミニウム層６は、反応源供給層７から拡散されるガリウム及びインジウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成されている。 - 特許庁

The membrane electrode structure is provided with a cathode electrode catalyst layer 3, and an anode electrode catalyst layer 4 and gas diffusion layers 5, 6 installed on the surface of a solid polymer electrolyte membrane 2.例文帳に追加

固体高分子電解質膜２の面上に設けられたカソード電極触媒層３、アノード電極触媒層４と、ガス拡散層５，６とを備える。 - 特許庁

In addition, since the diffusion of the Au layer into the contact layer side can be nearly completely suppressed, the characteristic of the electrode can be prevented from being deteriorated with time.例文帳に追加

また、Ａｕ層のコンタクト層側への拡散をほぼ完全に抑止することができて、電極の特性が経時的に劣化するのが防止される。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage MOS transistor including a field relaxing layer which is composed of a lightly doped diffusion layer overlapped with a gate electrode, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート電極にオーバーラップした低濃度拡散層からなる電界緩和層を有する高耐圧ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A metal plate 11 for thermal diffusion is placed on an intermediate layer of the wiring board 10, and a protrusion type terminal 12 is, further, placed on an layer identical to the metal plate.例文帳に追加

配線基板１０の中間層に熱拡散用のメタルプレート１１を設け、更に、このメタルプレートと同一の層に突起型端子１２を設ける。 - 特許庁

The multilayer light diffusion laminate board comprises: a first resin layer 1; a second resin layer 2 provided on the first resin layer; a microlens film layer 4 provided on the second resin layer; and the plurality of hollows 5 that extends in parallel to each other.例文帳に追加

複数層からなる光拡散積層板であって、その構造は第一樹脂層１、該第一樹脂層上に第二樹脂層２、第二樹脂層上にマイクロレンズフィルム層４、及び複数個の互いに平行に延在する中空部５からなる。 - 特許庁

By forming the catalyst layer 31 on the gas diffusion layer 32 with the small arithmetic mean roughness Ra, namely, a smooth layer, the reaction gas is distributed to a whole part of the thin and uniform catalyst layer 31, and the utilization rate of the catalyst layer 31 is enhanced.例文帳に追加

算術平均粗さＲａが小さい、即ち、平滑なガス拡散層３２上に触媒層３１を形成することにより、薄く均一な触媒層３１全体に反応ガスが行き渡り、触媒層３１の利用率が向上する。 - 特許庁

On the surface of the epitaxial layer 2, a high-concentration diffusion layer 13 made of an N-type impurity and an electrode extraction layer 14 are so formed between a low-concentration drain layer 9 and the insulating isolation layer 12 as to be adjacent to the layers 9 and 12.例文帳に追加

そして、エピタキシャル層２の表面であって、低濃度のドレイン層９と絶縁分離層１２との間に、それらの層に隣接してＮ型不純物から成る高濃度拡散層１３及び電極取り出し層１４が形成されている。 - 特許庁

In the first electrode layer 20, an outer peripheral end of a catalyst layer 21 is located on the inside of the outer peripheral end of the electrolyte membrane layer 10, and an outer peripheral end of a gas diffusion layer 22 is located on the inside of the outer peripheral end of the catalyst layer 21.例文帳に追加

第１の電極層２０は、触媒層２１の外周端が電解質膜層１０の外周端より内側に位置するとともに、ガス拡散層２２の外周端が触媒層２１の外周端より内側に位置している。 - 特許庁

A transparent dielectric film 3, a readout layer 4, a readout assisting layer 5, a nonmagnetic layer 6, a recording layer 7, a transparent dielectric film 8 and a thermal diffusion layer 9 are successively stacked on one principal surface of a discoid substrate 2 to obtain the objective magneto- optical disk 1.例文帳に追加

ディスク状の基板２の一主面上に、順次、透明誘電体膜３、読み出し層４、読み出し補助層５、非磁性層６、記録層７、透明誘電体膜８および熱拡散層９を積層して光磁気ディスク１を構成する。 - 特許庁

The semiconductor device generates a laser beam from an active layer 2 and has a ridge-shaped mesa 5 including an active layer 2, a current block layer 6 formed to fill both sides of the mesa 5, a diffusion stopping layer 10 formed to continue to the mesa 5 and the current block layer 6 and a p-InP clad layer 7 which is formed on the diffusion stopping layer 10 and contains prescribed impurities.例文帳に追加

活性層２からレーザ光を発生させる半導体装置であって、活性層２を含むリッジ状のメサ５と、メサ５の両側を埋め込むように形成された電流ブロック層６と、メサ５及び電流ブロック層６上に連なるように形成された拡散阻止層１０と、拡散阻止層１０上に形成され、所定の不純物を含有したｐ−ＩｎＰクラッド層７とを備える。 - 特許庁

A semiconductor device includes a substrate in which the diffusion layer is formed, a gate electrode formed on the substrate, a first insulating layer formed on the substrate up to a position higher than the gate electrode, a first contact electrically connected to the diffusion layer and penetrating the first insulating layer, a second contact electrically connected to the gate electrode, and a second insulating layer formed on the first insulating layer.例文帳に追加

半導体装置は、拡散層が形成された基板と、基板上に形成されたゲート電極と、基板上にゲート電極よりも高い位置まで形成された第１絶縁層と、拡散層に電気的に接続され、第１絶縁層を貫通する第１コンタクトと、ゲート電極と電気的に接続された第２コンタクトと、第１絶縁層の上に形成された第２絶縁層とを備える。 - 特許庁

In the membrane electrode assembly 110, an anode side catalyst layer 114a and a cathode side catalyst layer 114c are joined respectively to both faces of an electrolyte membrane 112, and furthermore, an anode side gas diffusion layer 116a and a cathode side gas diffusion layer 116c are joined respectively to surfaces of the anode side catalyst layer 114a and the cathode side catalyst layer 114c.例文帳に追加

膜電極接合体１１０は、電解質膜１１２の両面に、それぞれ、アノード側触媒層１１４ａ、および、カソード側触媒層１１４ｃが接合されており、さらに、アノード側触媒層１１４ａ、および、カソード側触媒層１１４ｃの表面には、それぞれ、アノード側ガス拡散層１１６ａ、および、カソード側ガス拡散層１１６ｃが接合されている。 - 特許庁

The membrane electrode assembly 100 is equipped with an ion conductive membrane 110; an anode catalyst layer 200 arranged on one side of the ion conductive membrane; a cathode catalyst layer 300 arranged on the other side of the ion conductive membrane 110; an anode diffusion layer 400 arranged on the outside of the anode catalyst layer; and a cathode diffusion layer 500 arranged on the outside of the cathode catalyst layer 300.例文帳に追加

膜電極接合体１００は、イオン伝導膜１１０と、イオン伝導膜の一方に配置されたアノード触媒層２００と、イオン伝導膜１１０の他方に配置されたカソード触媒層３００と、アノード触媒層の外側に配置されたアノード拡散層４００と、カソード触媒層３００の外側に配置されたカソード拡散層５００とを備える。 - 特許庁

A multilayer reflection film electrode has a reflection electrode layer 122 laminated on a p-type semiconductor later 100, an agglomeration preventing electrode layer 126 laminated on the reflection electrode layer 122 to prevent an agglomeration phenomenon of the reflection electrode layer 122, and a diffusion preventing electrode layer 124 inserted between the reflection electrode layer 122 and the agglomeration preventing electrode layer 126 to prevent the diffusion of the agglomeration preventing electrode layer 126.例文帳に追加

ｐ型半導体層１００上に積層される反射電極層１２２、反射電極層１２２の集塊現象を防止するために反射電極層１２２上に積層される集塊防止電極層１２６、及び集塊防止電極層１２６の拡散を防止するために反射電極層１２２と集塊防止電極層１２６との間に挿入された拡散防止電極層１２４を備える多層反射膜電極である。 - 特許庁

The land 26 is equipped with a nickel layer 28 on the wiring layer 16 and a gold layer 32 which comes into contact with the terminal 18, and a diffusion stop layer 30 which is formed of Pd or Pd alloy to stop Ni from being diffused into the gold layer 32 is interposed between the layer 28 and 32.例文帳に追加

このランド部２６が、配線層１６上のニッケル層２８と端子体１８に接する金層３２とを有し、両者間に、例えばＰｄ又はＰｄ合金からなり、Ｎｉが金層３２内に熱拡散するのを阻止する拡散阻止層３０が介在している。 - 特許庁

The electrode preferably has an aspect wherein the electrode layer includes an electrode material metal, an aspect having a substrate, the metal silicide-including layer and the electrode layer in this order, or an aspect having the substrate, the metal silicide-including layer, an electrode material metal diffusion prevention layer and the electrode layer in this order.例文帳に追加

電極層が電極材金属を含有する態様、基板と金属シリサイド含有層と電極層とをこの順に有する態様、基板と金属シリサイド含有層と電極材金属拡散防止層と電極層とをこの順に有する態様が好ましい。 - 特許庁

To provide a light emitting element having an element substrate bonded to an emission layer part through a contact metal layer and a reflection metal layer in which the emission layer part is insusceptible to diffusion of components from the contact metal layer even if the contact metal layer is subjected to heat treatment for alloying.例文帳に追加

コンタクト金属層及び反射用の金属層を介して素子基板を発光層部に結合した発光素子において、コンタクト金属層の合金化熱処理を行っても、該コンタクト金属層からの成分拡散の影響が発光層部に及びにくい発光素子を提供する。 - 特許庁

Between the catalyst layer 23 and the diffusion layer 21, an auxiliary catalyst layer 22 having Pt-supported carbon black and an electrolyte, having platinum supported thereto at a rate of content lower than that of the catalyst layer 23, thicker than the catalyst layer 23 and having an integrated pore volume greater than that of the catalyst layer 23 is arranged.例文帳に追加

触媒層２３と拡散層２１との間には、Ｐｔ担持カーボンブラックと電解質とを有し、触媒層２３よりも低い含有率で白金が担持され、触媒層２３よりも厚く、かつ触媒層２３よりも積算細孔容積が大きい副触媒層２２が設けられている。 - 特許庁

The medium is produced by successively laminating a protective layer 2, an interface layer 3, a recording layer 4 in which optical characteristics are reversibly changed by irradiation of laser light, an interface layer 5, a light-transmitting reflection layer 6 which transmits the laser light at the wavelength 1, and a thermal diffusion layer 7 on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上に、保護層２と、界面層３と、レーザー光の照射によって光学特性が可逆的に変化する記録層４と、界面層５と、波長λの前記レーザー光を透過する光透過形反射層６と、熱拡散層７とを順次積層する。 - 特許庁

A first metal layer 31a is formed on a counter insulation layer 22, a second metal layer 32a is formed on the frame body part 14 separated from the silicon wafer of a functional layer and the first metal layer 31a is bonded to the second metal layer 32a by eutectic bonding or diffusion bonding.例文帳に追加

対向絶縁層２２に第１の金属層３１ａが形成され、機能層のシリコンウエハから分離された枠体部１４に第２の金属層３２ａが形成され、第１の金属層３１ａと第２の金属層３２ａとが共晶接合または拡散接合で結合されている。 - 特許庁

The light emitting diode is equipped with: an emission section 7 having an active layer for emitting infrared light while including layered structure of a well layer and a barrier layer comprising a composition formula of (Al_XGa_1-X)As (0≤X≤1); a current diffusion layer 8 formed on the emission section 7; and a functional substrate 3 joined to the current diffusion layer 8.例文帳に追加

本発明に係る発光ダイオードは、組成式（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）Ａｓ（０≦Ｘ≦１）からなる井戸層とバリア層との積層構造を有して赤外光を発する活性層を含む発光部７と、発光部７上に形成された電流拡散層８と、電流拡散層８に接合された機能性基板３と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The electrode 10 of the fuel cell has a catalyst layer 11 arranged between an electrolyte membrane 2 of a unit cell 1 of the fuel cell and a gas passage 22 and coming in contact with the electrolyte membrane 2; a diffusion layer 13 positioned on the gas passage side; and a conductive hollow body layer 12 placed between the catalyst layer 11 and the diffusion layer 13.例文帳に追加

燃料電池の電極１０は、燃料電池の単セル１の電解質膜２とガス流路２２との間に配置され、電解質膜２に接触して配置される触媒層１１と、ガス流路側に位置する拡散層１３と、触媒層１１と拡散層１３との間に位置する導電性の中空体層１２とを備える。 - 特許庁

A carrier diffusion preventing layer 25 is provided between a charge releasing layer 20 and one or more of semiconductor layers, which are a first semiconductor layer 10 and a second semiconductor layer 30, for preventing the diffusion into the layer 20 of carriers at least from one of the layers 10, 30, which reduces the dark current attributable to the capturing level.例文帳に追加

電荷放出層２０と第１の半導体層１０及び第２の半導体層３０のうち少なくとも一方の半導体層との間に形成され、少なくとも一方の半導体層から電荷放出層２０へのキャリアの拡散を防止するキャリア拡散防止層２５を設けるようにして、捕獲準位による暗電流を小さくするようにする。 - 特許庁

The lens sheet 50 has a translucent base having a translucent resin intermediate layer on both surfaces, a lens layer formed on one surface of the translucent base, and a light diffusion layer formed on the other surface of the translucent base, wherein the resin intermediate layer on the side of the light diffusion layer is subjected to an antistatic treatment.例文帳に追加

本発明は、レンズシート５０が、透光性の樹脂中間層を両面に有する透光性基材と、透過性基材の一方の面に形成されたレンズ層と、前記透光性基材の他方の面に形成された光拡散層とを有し、前記光拡散層側の樹脂中間層は、帯電防止処理が施されていることよりなる。 - 特許庁

This is provided with the electrolyte membrane and a fuel electrode and an oxidizer electrode equipped with the catalyst layer and a porous gas diffusion layer, and the electrolyte membrane is pinched by the fuel electrode and the oxidizer electrode with the catalyst layer as a contact face, and the peripheral part of the catalyst layer and the gas diffusion layer, and the electrolyte membrane are adhered by a resin.例文帳に追加

電解質膜と、触媒層および多孔体のガス拡散層を具備する燃料電極と酸化剤電極とを備え、電解質膜が、触媒層を接触面として燃料電極と酸化剤電極とで挟持され、触媒層およびガス拡散層の周辺部と電解質膜とが樹脂で接着したものである。 - 特許庁

The optical film is formed by successively laminating at least a hard coat layer (5), a transparent supporting body layer (6) and the diffusion layer (7), and the diffusion layer (7) has hydroxyl group and the transparent supporting body layer (6) is treated to be easily stuck.例文帳に追加

少なくとも、ハードコート層（５）と、透明支持体層（６）と、拡散層（７）とを順次に積層してなる少なくとも、ハードコート層（５）と、透明支持体層（６）と、拡散層（７）とを順次に積層してなり、前記拡散層（７）が水酸基を有すること、また前記透明支持体層（６）が易接着処理されていることを特徴とする光学フィルムである。 - 特許庁

A first state in which light incident from the first substrate 2 side is condensed to either the light absorption layer 6 or the light diffusion layer 7, and a second state in which the light incident from the first substrate 2 side is made incident on the light absorption layer 6 and the light diffusion layer 7 are switched to each other corresponding to the voltage applied to the display medium layer 1.例文帳に追加

表示媒体層１に印加する電圧に応じて、第１基板２側から入射する光を光吸収層６または光拡散層７のいずれか一方に集光する第１状態と、第１基板２側から入射する光を光吸収層６および光拡散層７に入射させる第２状態とに切り替えることができる。 - 特許庁

To provide a p type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of a p type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the p type diffusion layer area-selectively while suppressing internal stress and warpage of each substrate without significantly lowering the life time in a manufacturing process of the solar cells using crystal silicon substrates.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、ライフタイムを大きく低下させずに、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを抑制しつつ、部位選択的にｐ型拡散層を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

This light diffusion material for illumination and an illumination appliance using it have on the surface of a transparent substrate a light diffusion layer which contains as a light diffusion agent at least one kind of powder to be selected from titanium mica having a lower-grade titanium oxide layer on the surface, titanium mica having a titanium-based composite oxide layer on the surface and a silicone resin.例文帳に追加

透明基材表面に、光拡散性剤として、表面に低次酸化チタン層を有する雲母チタン、表面にチタン系複合酸化物層を有する雲母チタン、シリコーン樹脂から選ばれる少なくとも１種の粉体を含む光拡散層を有することを特徴とする照明用光拡散素材、及びそれを用いた照明機器。 - 特許庁

Next, only the mutual diffusion of Ti atoms on the side of the barrier layer 14 and Si atoms in a substrate 11 is performed, at least one-hour diffusion thermal treatment is performed at the temperature of 400°C where silicification does not occur to sufficiently diffuse the Si atoms on the side of the barrier layer 14 and the Ti atoms in the substrate 11, respectively, thereby forming a diffusion layer 16A.例文帳に追加

次に、バリア層１４側のＴｉ原子と基板１１のＳｉ原子との互いの拡散のみを行ない、シリサイド化が生じない温度である４００℃で少なくとも１時間の拡散用熱処理を行なってシリコン原子をバリア層１４側に且つＴｉ原子を基板１１中に十分に拡散させることにより、拡散層１６Ａを形成する。 - 特許庁

When a gate width direction is set as a vertical direction, the middle point is set as an origin and a distance between a MOS transistor and a diffusion layer adjacent to the MOS transistor is set as a vertical direction adjacent diffusion layer distance, the vertical direction adjacent diffusion layer distance is specified as a function of a vertical direction distance to be changed according to a position X in the longitudinal direction of the channel.例文帳に追加

そして、ゲート幅方向を縦方向とし、その中点を原点としてそのＭＯＳトランジスタとそのＭＯＳトランジスタの隣の拡散層との距離を縦方向隣接拡散層距離とするとき、その縦方向隣接拡散層距離を、そのチャネル長方向の位置Ｘに応じて変化する縦方向の距離の関数として特定する。 - 特許庁

Thus, even when forming the diffusion layer region 5 thiny, the shrinkage at both ends in the longitudinal direction of the diffusion layer region 5 is suppressed, and the increase of the contact resistance is suppressed, while securing the connection area of both ends in the longitudinal direction of the diffusion layer region 5 and a contact plug 13 embedded in a contact hole 12.例文帳に追加

これにより、拡散層領域５を細く形成する場合でも、拡散層領域５の長手方向の両端における縮みを抑制することができ、拡散層領域５の長手方向における両端と、コンタクトホール１２に埋め込まれたコンタクトプラグ１３との接続面積を確保しながら、コンタクト抵抗の上昇を抑えることが可能である。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has a DRAM section 102, including a transistor consisting of a first diffusion layer 108 formed in a silicon substrate 101, a gate electrode 118 formed on the silicon substrate 101, and a second diffusion layer 106 provided on the side opposite to the first diffusion layer 108, while holding the gate electrode 118 in between.例文帳に追加

半導体装置１００は、ＤＲＡＭ部１０２を含み、ＤＲＡＭ部１０２に、シリコン基板１０１内に形成された第１拡散層１０８と、シリコン基板１０１上に形成されたゲート電極１１８と、ゲート電極１１８を挟んで第１拡散層１０８の反対側に設けられた第２拡散層１０６とから構成されるトランジスタを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein a polycrystaline silicon electrode connected to the diffusion layer of a cell transistor and a metal electrode connected to the diffusion layer of a peripheral transistor are installed, and bonding leakage current of the diffusion layer is restrained in which the polycrystaline silicon electrode has been formed, so that good data holding characteristics is installed.例文帳に追加

セルトランジスタの拡散層に接続された多結晶シリコン電極と、周辺回路トランジスタの拡散層に接続された金属電極とを備え、多結晶シリコン電極が形成された拡散層の接合リーク電流が抑制され、これによって、良好な情報保持特性を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a second transistor 7, a control electrode and an input-side diffusion layer are connected to a diffusion layer on the output side of the first transistor 3 and the second transistor 7 is put in a continuity state under control only when the pulse wave of a clock signal generated from the first transistor 3 is entered in the control electrode and the input-side diffusion layer.例文帳に追加

第２のトランジスタ７は、第１のトランジスタ３の出力側の拡散層に対して制御電極と入力側の拡散層とが接続され、第１のトランジスタ３から出力されてくるクロック信号のパルス波が当該制御電極および当該入力側の拡散層に入力したときにのみ導通状態に制御される。 - 特許庁

To provide a fuel battery capable of effectively preventing that feathers of a diffusion layer base material stick into an electrolyte membrane upon thermocompression bonding of an MEA and a gas diffusion layer, and of improving adhesion strength of the MEA and the gas diffusion layer, and to provide a method of manufacturing an electrode body of a fuel battery cell constituting this fuel battery.例文帳に追加

ＭＥＡとガス拡散層との熱圧着の際に拡散層基材の毛羽が電解質膜に突き刺さることを効果的に防止できるとともに、ＭＥＡとガス拡散層との密着強度を高めることのできる燃料電池と、この燃料電池を構成する燃料電池セルの電極体を製造する方法を提供する。 - 特許庁

In the solar cell element having a diffusion layer 3 of the other conductivity impurities, a surface electrode 4 and multiple micro protrusions 2 on one major surface side of one conductivity semiconductor substrate 1, depth of the diffusion layer 3 at a part other than the lower part of the surface electrode 4 is made shallower than the diffusion layer 3 at the lower part of the surface electrode 4.例文帳に追加

一導電型半導体基板１の一主面側に他の導電型不純物の拡散層３と表面電極４と多数の微細な突起２を有する太陽電池素子であって、上記表面電極４の下部以外の拡散層３の深さを表面電極４の下部の拡散層３の深さよりも浅くする。 - 特許庁