「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

On a semiconductor substrate 100 where a memory cell transistor and an impurity diffusion layer 111 are formed, a first inter-layer insulation film 112 provided with a first plug 113 connected to the memory cell transistor and a second plug 114 connected to the impurity diffusion layer 111 is formed.例文帳に追加

メモリセルトランジスタと不純物拡散層１１１とが形成された半導体基板１００の上に、メモリセルトランジスタと接続する第１のプラグ１１３及び不純物拡散層１１１と接続する第２のプラグ１１４を有する第１の層間絶縁膜１１２を形成する。 - 特許庁

When a base diffusion layer 12 for a bipolar type transistor 10 formed to the semiconductor device 1 is formed, acceleration energy and a dosage are changed to a prearranged region as a base diffusion layer 12 for an n-type epitaxial layer 13, and impurity ions are implanted at a plurality of times.例文帳に追加

半導体装置１に備わるバイポーラ型トランジスタ１０のベース拡散層１２を形成する際に、Ｎ型エピタキシャル層１３のベース拡散層１２となるべく予め定められる領域に対して、加速エネルギとドーズ量とを変化させ、複数回に分けて不純物イオンを注入する。 - 特許庁

Furthermore, in the top layer of the semiconductor substrate 2, an N-type second impurity diffusion area 4 is formed while being spaced apart from the first impurity diffusion area 3 at one side of a predetermined direction with respect to the first impurity diffusion area 3.例文帳に追加

また、半導体基板２の表層部には、第１不純物拡散領域３に対して所定方向の一方側に、第１不純物拡散領域３と間隔を空けて、Ｎ型の第２不純物拡散領域４が形成されている。 - 特許庁

In manufacturing the fuel cell, first gas diffusion members 33 and 35, out of a plurality of gas diffusion members having gas permeability and constituting a gas diffusion layer, to be arranged so as to adjoin separators 24 and 25 are first jointed to the separators 24 and 25.例文帳に追加

燃料電池を製造する際に、まず、ガス透過性を有してガス拡散層を構成する複数のガス拡散部材のうち、セパレータ２４，２５に隣接するように配設すべき第１のガス拡散部材３３，３５と、セパレータ２４，２５とを接合する。 - 特許庁

The member 10 for the gas diffusion layer is installed with the gas diffusion electrode 11 on both faces of the separator plate 12, and together with a resin frame 13 which covers the surroundings of the gas diffusion electrode 11 and the separator plate 12 in the integrally installed state.例文帳に追加

ガス拡散層用部材１０は、セパレータ板１２の両面に各１枚のガス拡散電極１１が配置されていて、これらガス拡散電極１１およびセパレータ板１２の周囲を覆う樹脂枠１３が一体に設けられている構成とする。 - 特許庁

The catalyst layer retaining diffusion layers 44, 45 for a fuel cell has the gas diffusion layers 10, 11 with gas permeability, and catalyst layers 22, 23 with a thickness of 30 micrometers or more laminated on the membrane facing surfaces 10i, 11i of the gas diffusion layers 10, 11.例文帳に追加

燃料電池用触媒層保有拡散層４４，４５は、ガス透過性をもつガス拡散層１０，１１と、ガス拡散層１０，１１の膜対向面１０ｉ，１１ｉに積層された厚みが３０マイクロメートル以上の触媒層２２，２３とを備えている。 - 特許庁

The first fluorine diffusion layer (108) is formed in a channel region between the first extension diffusion layers (106), and it is formed so that it extends from the sides of the first extension diffusion layers (106) and overlaps in the region directly under the first gate electrode (104).例文帳に追加

第１のフッ素拡散層(108)は、第１のエクステンション拡散層(106)によって挟まれたチャネル領域に形成されており、第１のエクステンション拡散層(106)側から伸びて第１のゲート電極(104)の直下の領域でオーバーラップするように形成されている。 - 特許庁

The light diffusion film consists of: the film substrate formed of a polyester resin consisting of diol units 1-80 mol% of which are diol units having a cyclic acetal skeleton and dicarboxylic acid units; and the light diffusion layer consisting of diffusion beads and a binder resin.例文帳に追加

ジオール単位中の１〜８０モル％が環状アセタール骨格を有するジオール単位とジカルボン酸単位で構成されたポリエステル樹脂からなるフィルム基材ならびに拡散ビーズおよびバインダー樹脂からなる光拡散層で構成する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a base layer 9 formed on a silicon substrate 1, an emitter layer 12 formed in the base layer 9, and an emitter wiring layer 22 contacting to the emitter 12, where an emitter electrode layer 14 of a silicon layer is between the emitter layer 12 and the emitter wiring layer 22, and the emitter layer 12 is formed out of impurities by thermal- diffusion from the emitter electrode layer 14.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成されたベース層９と、このベース層９内に形成されたエミッタ層１２と、このエミッタ層１２にコンタクトするエミッタ配線層２２とを有する半導体装置において、前記エミッタ層１２上とエミッタ配線層２２との間にシリコン層から成るエミッタ電極層１４を介在させ、エミッタ層１２はエミッタ電極層１４から熱拡散された不純物から成る。 - 特許庁

Mutual diffusion of impurities between the high resistance buried layer 13 and the clad layer 15 is prevented, efficiency of current injection to an active layer is improved by preventing current leak path in the high resistance buried layer, and light emission efficiency is improved.例文帳に追加

高抵抗埋め込み層１３とクラッド層１５との間の不純物の相互拡散を防止し、高抵抗埋め込み層での電流リークパスを防止して活性層への電流注入の効率を改善し、発光効率を改善する。 - 特許庁

An n-type source layer 10 shallowly formed by diffusion formation is arranged at the p-type base layer 4 so that the thyristor may not be latched-up, and a cathode electrode 11 is formed in such a manner that it contacts to the p-type drain layer 9 and the n-type source layer 10, simultaneously.例文帳に追加

ｐ型ベース層４には、サイリスタがラッチアップしないように浅く拡散形成されたｎ型ソース層１０が設けられ、カソード電極１１はｐ型ドレイン層９とｎ型ソース層１０に同時にコンタクトして形成される。 - 特許庁

A conductive layer equipped with a silicide layer 103 is formed on a diffusion layer 105 in a region sandwiched in between element isolation oxide films 104 on a silicon substrate 101, and a polysilicon film 106 is formed on all the surfaces of the element isolation oxide films 104 and the silicide layer 103 (c).例文帳に追加

シリコン基板１０１上の素子分離酸化膜１０４に挟まれた領域内に、拡散層１０５上にシリサイド層１０３を有する導電性層を形成し、その上全面にポリシリコン膜１０６を形成する（ｃ）。 - 特許庁

In the p-type base layer 4, a shallow diffusion-formed n-type source layer 10 is provided to prevent the thyristor from latching up, and the p-type drain layer 9 and the n-type source layer 10 are simultaneously contacted to form a cathode electrode 11.例文帳に追加

ｐ型ベース層４には、サイリスタがラッチアップしないように浅く拡散形成されたｎ型ソース層１０が設けられ、カソード電極１１はｐ型ドレイン層９とｎ型ソース層１０に同時にコンタクトして形成される。 - 特許庁

A semiconductor crystal comprising an n-type InP buffer layer 2, an undoped GaInAs light-absorbing layer 3, an undoped InP diffusion buffer layer 4 and a p-type InP window layer 5 is successively grown on an n-type InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰバッファ層２、アンドープＧａＩｎＡｓ光吸収層３、アンドープＩｎＰ拡散バッファ層４、およびｐ型ＩｎＰ窓層５からなる半導体結晶を順に成長させた。 - 特許庁

An n-AlGaInP clad layer 204, an active layer 206, a p-AlGaInP clad layer 208 and a p-AlGaAs current diffusion layer 210 are sequentially laminated on an n-GaAs substrate 202 so as to have a current constriction mesa structure.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板２０２上に、順次、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０４、活性層２０６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０８、ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０が電流狭窄メサ構造に積層される。 - 特許庁

A second conductivity-type breakdown strength layer 13 is formed on a first conductivity-type drain layer 12, and a first conductivity-type conductive region 42 is formed partially into the breakdown strength layer 13 by diffusion from the surface of the breakdown strength layer 13.例文帳に追加

第１の導電型のドレイン層１２上に第２の導電型の耐圧層１３を形成し、耐圧層１３内に、耐圧層１３表面からの拡散によって、部分的に第１の導電型の導電領域４２を形成する。 - 特許庁

A layer p11 being a second conductivity type semiconductor layer is formed in the vicinity of an end of a transfer gate TG of a layer n2 being a first conductivity type semiconductor layer forming floating diffusion FD in an imaging element comprising a CMOS.例文帳に追加

CMOSからなる撮像素子における、フローティングディフュージョンＦＤを形成する第１導電型半導体層である層ｎ２の転送ゲートＴＧの端部付近に、第２導電型半導体層である層ｐ１１を形成する。 - 特許庁

Subsequently, the metal film 8 is removed while leaving the solid solution layer 9 without performing heating and the solid solution layer 9 is heat treated thus forming a metal silicide layer above the gate electrode 4 and the diffusion layer 7.例文帳に追加

続いて、加熱を行わずに固溶体層９を残して金属膜８を除去した後、固溶体層９に加熱処理を施すことによって、ゲート電極４および拡散層７の上部に金属シリサイド層を形成する。 - 特許庁

The fuel cell comprises a catalyst layer, a gas diffusion layer, and a protective film for an electrolyte membrane which covers such region of the electrolyte membrane as no catalyst layer is stacked and comprises an overlap part for overlapping with the catalyst layer, and a separator.例文帳に追加

燃料電池は、触媒層と、ガス拡散層と、電解質膜のうち触媒層が積層されていない領域を覆うと共に触媒層と重なる重なり部を有する電解質膜用の保護フィルムと、セパレータと、を備えている。 - 特許庁

The diffusion layer 11b of brazing filler metal 8 into a secondary plating 11 layer is made ≥1 μm, and the thickness of a layer 11a into which the component of the brazing filler metal 8 in the second plating 11 layer is not diffused is made ≥1 μm.例文帳に追加

２次メッキ１１層中へのロウ材８の拡散層１１ｂが１μｍ以上でかつ前記２次メッキ１１層におけるロウ材８成分の拡散していない層１１ａの厚みが表面から１μｍ以上とする。 - 特許庁

By adding a GDL (Gas Diffusion Layer) before the presser plate of the second time is press-inserted, a five-layer type MEA of GDL, catalyst electrode layer, PEM, the second catalyst electrode layer, and GDL' is obtained.例文帳に追加

また、２回の押え板を押し入れる前、気体拡散層（Ｇａｓ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ、ＧＤＬ）を追加すると、ＧＤＬ＋触媒電極層＋ＰＥＭ＋第２の触媒電極層＋ＧＤＬ’の五層式ＭＥＡが得られる。 - 特許庁

The side not having the first catalyst layer 20 of the electrolyte membrane 10 on which the first catalyst layer 20 is formed is joined with the side having the second catalyst layer 40 of the first gas diffusion layer 30.例文帳に追加

そして、第１の触媒層２０が形成された電解質膜１０の第１の触媒層２０が形成されていない側と、第１のガス拡散層３０の第２の触媒層４０が形成されている側と、を接合する。 - 特許庁

An SiGe alloy layer 4 serving as a base layer and an n-type diffusion layer 5 serving as the emitter layer are provided on the active region 2a, and a groove 60 is formed on the surface of the region 2a between the SiGe alloy layer 4 and the element isolation film 3.例文帳に追加

活性領域２ａの上には、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５を設け、ＳｉＧｅ合金層４と素子分離膜３との間の活性領域２ａの表面に溝６０が設けられる。 - 特許庁

An NPN-HBT is provided with a collector diffusion layer 57 which is formed simultaneously with the N^+ type layer 56 of the element VAR, a collector layer 59, and an Si/SiGe layer 79 which is epitaxially grown simultaneously with the P^+ type layer 21 of the element VAR.例文帳に追加

ＮＰＮ−ＨＢＴは、可変容量素子ＶＡＲのＮ^+ 層５６と同時に形成されたコレクタ拡散層５７と、コレクタ層５９と、可変容量素子のＰ^+ 層２１と同時にエピタキシャル成長により形成されたＳｉ／ＳｉＧｅ層７９とを備えている。 - 特許庁

This illumination panel is composed by stacking a translucent first electrode layer 12, a translucent light emitting layer 13, a translucent second electrode layer 14, and a diffusion/reflection layer 15 for diffusing and reflecting light entered by passing through the second electrode layer 12 in that order.例文帳に追加

透光性の第１電極層１２と、透光性の発光層１３と、透光性の第２電極層１４と、第２電極層１２を透過して入射した光を拡散反射させる拡散反射層１５とをこの順に積層して照明パネルを構成した。 - 特許庁

The provision of the intermediate layer 6 between the work function control layer 5 and the low resistance layer 7 allows to suppress the diffusion of N etc. to the work function control layer 5 or from the work function control layer 5, and to suppress the variation of the work function.例文帳に追加

仕事関数制御層５と低抵抗層７との間に中間層６を設けたことにより、仕事関数制御層５へのあるいは仕事関数制御層５からのＮ等の拡散が抑制され、その仕事関数の変動が抑制されるようになる。 - 特許庁

By constructing a conduction band energy level of the intermediate layer 40 so as to be higher than that of the cladding layer 10 of the n-type semiconductor, the diffusion of an electron 1 from the cladding layer 10 of the n-type semiconductor to the optical waveguide layer 20 which is a non-doped layer is prevented.例文帳に追加

この中間層４０の伝導帯エネルギー準位を、ｎ型半導体のクラッド層１０よりも高くなるように構成することによって、ｎ型半導体のクラッド層１０からノンドープ層である光導波層２０への電子１の拡散が防止される。 - 特許庁

The current diffusion layer is formed by alternately laminating a first InAlGaN layer, having an electron concentration higher than the concentration of the electrons of the n-side contact layer and a second InAlGaN layer having concentration of electrons lower than the electron concentration of the n-side contact layer.例文帳に追加

上記電流拡散層は、上記ｎ側コンタクト層の電子濃度より高い電子濃度を有する第１ＩｎＡｌＧａＮ層と上記ｎ側コンタクト層の電子濃度より低い電子濃度を有する第２ＩｎＡｌＧａＮ層とが交互に積層され形成される。 - 特許庁

Then the photosensitive layer 4b is removed to expose the non-photosensitive layer 4c as a resin layer and a fine recessed part 22 or a fine projected part 21 is formed on a surface 4e of the resin layer (non-photosensitive layer) 4c by removing or remaining of the particulate 2 to obtain the light diffusion sheet master disk.例文帳に追加

そして感光層４ｂを除去して樹脂層としての非感光層４ｃを露出させ、樹脂層（非感光層）４ｃの表面４ｅに微粒子２の除去又は残留による微細な凹部２２又は凸部２１を形成させ、光拡散シート原盤を得る。 - 特許庁

To suppress increases in proton transfer resistance from an electrolyte membrane to a catalyst layer, contact resistance between the electrolyte membrane and the catalyst layer, and contact resistance between the catalyst layer and a gas diffusion layer, while suppressing the elution of platinum ions from the catalyst layer, in a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池において、触媒層からの白金イオンの溶出を抑制するとともに、電解質膜から触媒層へのプロトン移動抵抗、電解質膜と触媒層との接触抵抗、触媒層とガス拡散層との接触抵抗の増加を抑制する。 - 特許庁

The first diffusion layer of the transistor is connected to the bit line of the storage device through the bottom side of the second word line.例文帳に追加

トランジスタの第１の拡散層は、第２ワード線の下方を通って、半導体記憶装置のビット線に接続される。 - 特許庁

To provide the baking method of a diffusion layer-forming material having short baking time compared with the conventional method and high energy efficiency.例文帳に追加

従来に比べて焼成時間が短く、エネルギ効率の良い拡散層形成材の焼成方法を提供する。 - 特許庁

The diffusion layer 23 and layers 24-1 to 24-4 form PN junction parts 31 to 34.例文帳に追加

拡散層２３とこれに接合された拡散層２４−１〜２４−４とによりＰＮ接合部３１〜３４が形成されている。 - 特許庁

Accordingly, the concentration of the N^+-type impurity in the N^+-type embedded diffusion layer 11 can be freely controlled.例文帳に追加

これにより、Ｎ^+型埋め込み拡散層１１におけるＮ^＋型不純物の濃度を自在に制御することができる。 - 特許庁

To provide a method for uniformly and easily depositing a film having a diffusion-blocking layer on an interface with a base material at low cost.例文帳に追加

基材との界面に拡散防止層を有する皮膜を、均一、容易且つ低コストに形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel cell capable of shortening the working time for forming a gas diffusion layer.例文帳に追加

ガス拡散層を作製する作業時間の短縮化を図ることができる燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the appropriate diffusion method for composing the layered structure of the Galvanic cell, the layer can be composed porous or impermeable.例文帳に追加

ガルバーニ電池の積層構成のための適切な拡散法であり、層は多孔質または不浸透性に構成できる。 - 特許庁

The thermal diffusion bodies 17, 18 achieve homogenization on the protective layer 19 of heat generated from the exothermic resistors 12, 13.例文帳に追加

熱拡散体１７，１８は、発熱抵抗体１２，１３から発生する熱の保護層１９上での均一化を図る。 - 特許庁

SOLID POLYMER FUEL CELL, COMPONENT FOR GAS DIFFUSION LAYER FOR SOLID POLYMER FUEL CELL, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

固体高分子型燃料電池、固体高分子型燃料電池用のガス拡散層用部材およびその製造方法 - 特許庁

Also, the number of transistors included in the diffusion layer resistance model is smaller than the number of resistances arranged in the direction of gate width.例文帳に追加

また、拡散層抵抗モデルに含まれるトランジスタ数は、ゲート幅方向に配置された抵抗の数より少ない。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer for a fuel cell and its manufacturing method, which provide both high conductivity and a low cost.例文帳に追加

高導電性と低コストとを共に実現する燃料電池用ガス拡散層及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which current capacity can be enhanced through an arrangement provided with no buried diffusion layer.例文帳に追加

埋め込み拡散層を設けない構成で電流能力を向上させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To enable to convey a base material (base material for MEA) constituting the MEA such as a gas diffusion layer one by one surely.例文帳に追加

ガス拡散層のようなＭＥＡを構成する基材（ＭＥＡ用基材）を確実に１枚ずつ搬送可能にする。 - 特許庁

The light reflectivity of the diffusion reflective layer 112a is 30% or more and the light transmittance thereof is 50% or less.例文帳に追加

拡散反射層１１２ａは、光の反射率が３０％以上であり、かつ、光の透過率が５０％以下である。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer of a fuel cell capable of maintaining water repellency for a long time, while securing conductivity.例文帳に追加

導電性を確保しつつ、長期にわたり撥水性を維持することが可能な燃料電池の拡散層を提供する。 - 特許庁