「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

To move water generated in an electrochemical reaction of hydrogen and oxygen, from a catalyst layer to a desired position on the surface of a gas diffusion layer in a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池において、水素と酸素との電気化学反応によって生成された生成水を、触媒層からガス拡散層の表面上の所望の位置に移動させる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a cell module capable of efficiently forming a catalyst layer and a gas diffusion layer on the inner surface of a hollow electrolyte membrane and enhancing productivity.例文帳に追加

中空状電解質膜の内面側に触媒層及びガス拡散層を効率よく形成することができ、生産性が高いセルモジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁

The aluminum nitride layer 7 is formed with such a thickness as can retard the timing for starting diffusion of gallium and indium from the reaction source supply layer 8 to the silicon substrate 5.例文帳に追加

そして、窒化アルミニウム層７は、反応源供給層８からシリコン基板５に拡散されるガリウム及びインジウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成されている。 - 特許庁

Counter diffusion of a metal element is produced on an interface between the Ni-P plating layer 32 and the Cr plating layer 33 to generate a liquid phase of an eutectic composition (Step S3).例文帳に追加

Ｎｉ−Ｐめっき層３２とＣｒめっき層３３の界面に金属元素の相互拡散を発生させ、共晶組成の液相を生成する（ステップＳ３）。 - 特許庁

The manufacturing method of a membrane electrode assembly for a fuel cell with a catalyst layer arranged between an electrolyte membrane and a gas diffusion layer, includes (a) a process preparing catalyst powder for forming the catalyst layer, and (b) a process forming the catalyst layer by unevenly depositing the catalyst powder on at least either the electrolyte membrane or the gas diffusion layer.例文帳に追加

電解質膜とガス拡散層との間に触媒層が配置された、燃料電池用の膜電極接合体の製造方法であって、（ａ）触媒層を形成するための触媒粉体を用意する工程と、（ｂ）前記触媒粉体を、電解質膜とガス拡散層とのうち、少なくとも一方に、不均一となるように堆積させることで前記触媒層を形成する工程と、を備えている。 - 特許庁

The electrode 10 for the fuel cell arranged between an electrolyte membrane 2 of a unit cell 1 of the fuel cell and a gas passage 22 comprises a catalyst layer 11 arranged in contact with the electrode membrane 2, a diffusion layer 13 located on the gas passage side, and a carbon layer 12 located between the catalyst layer 11 and the diffusion layer 13, containing particles 12a of boronated carbon black.例文帳に追加

燃料電池の電極１０は、燃料電池の単セル１の電解質膜２とガス流路２２との間に配置される電極であって、電解質膜２に接触して配置される触媒層１１と、ガス流路側に位置する拡散層１３と、触媒層１１と拡散層１３との間に位置しホウ素化カーボンブラックの粒子１２ａを含有するカーボン層１２とを備える。 - 特許庁

The gas diffusion layer and the electrode layer on one surface side are arranged on the surface of the electrolyte membrane so that the whole peripheral edge of the gas diffusion layer falls in the range of the peripheral edge of the electrolyte membrane, and a surface region of the electrolyte membrane is left between the peripheral edge of the electrode layer and the peripheral edge of the electrolyte membrane over the overall peripheral edge of the electrode layer.例文帳に追加

片面側のガス拡散層および電極層は、ガス拡散層の外周縁全体が電解質膜の外周縁の範囲内に収まると共に電極層の外周縁全周に亘って電極層の外周縁と電解質膜の外周縁との間に電解質膜の表面領域が残るように電解質膜の表面上に配置されている。 - 特許庁

The optical member has a transparent substrate with a barrier layer, a low refractive index layer, and a light diffusion layer in this order, and the light diffusion layer has light scattering particles dispersed in a matrix material containing at least a binder resin, and the thickness of the low refractive index layer is 1.2 μm or more, and the optical member is used for the organic electroluminescent display device.例文帳に追加

本発明の光学部材は、バリア層付き透明基板と、低屈折率層と、光拡散層と、をこの順で有し、前記光拡散層は、バインダー樹脂を少なくとも含むマトリックス材中に、光散乱粒子が分散されてなり、前記低屈折率層の厚みが１．２μｍ以上であり、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に用いられることを特徴とする。 - 特許庁

A charge accumulation layer 20 for capacity coupling to the active region is formed on the active region through a first gate insulating film 18, a control gate 24 for capacity coupling to the charge accumulation layer 20 is formed on the charge accumulation layer 20 through a second gate insulating film 22, and a source diffusion layer 8 is formed on the opposite side of the drain diffusion layer to the control gate 24.例文帳に追加

活性領域上には第１のゲート絶縁膜１８を介して活性領域に容量結合する電荷蓄積層２０が形成され、電荷蓄積層２０上には第２のゲート絶縁膜２２を介して電荷蓄積層２０に容量結合する制御ゲート２４が形成され、制御ゲート２４に対してドレイン拡散層の反対側にはソース拡散層８が形成される。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer for a fuel cell arranged between a catalyst layer and a separator of the fuel cell, capable of suppressing deformation due to unevenness or the like of a separator surface even in a state where large pressure is applied in the thickness direction of the gas diffusion layer, and of surely executing gas supply to the catalyst layer and drainage of produced water from the catalyst layer.例文帳に追加

燃料電池の触媒層とセパレータとの間に配置される燃料電池用ガス拡散層であって、ガス拡散層の厚さ方向に大きな圧力が加わった状態においても、セパレータ表面の凹凸などによる変形を抑制でき、触媒層へのガス供給および触媒層からの生成水排出をより確実に行える燃料電池用ガス拡散層を提供する。 - 特許庁

Of the electroluminescent element comprising a luminous layer, a pair of electrodes composed of a reflective electrode and a transparent electrode pinching the luminous layer, and a light diffusion layer fitted on the way before light emitted from the luminous layer is irradiated toward an observer through the transparent electrode, the total light transmittance of the light diffusion layer is to be 55% or more and 85% or less.例文帳に追加

発光層、当該発光層を挟持する反射性電極および透明電極とからなる一対の電極、並びに発光層からの発光光が透明電極を介して観測者側に出射されるまでの間に設けられた光拡散層からなるエレクトロルミネッセンス素子において、光拡散層の全光線透過率が５５％以上８５％以下であること。 - 特許庁

The transparent electrode for the gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device comprises: a contact metal layer formed on a p-type semiconductor layer by the ohmic contact; a current diffusion layer which is formed on the contact metal layer and has a lower resistance value per unit distance on an electrode plane than a contact metal; and the bonding pad formed on the current diffusion layer.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、ｐ型半導体層上にオーミック接触により形成されたコンタクトメタル層と、該コンタクトメタル層上に形成され、コンタクトメタルよりも電極平面での単位距離あたりの抵抗値が低い電流拡散層と、該電流拡散層上に形成されたボンディングパッドと、からなる透光性電極。 - 特許庁

The method for jointing the gas diffusion electrodes comprises arranging a joint piece having a perfluorosulfonic acid layer, a perfluorosulfonyl fluoride layer or an alkyl perfluorocarboxylate layer on at least one face, so that each surface of perfluorocompound layers faces both of the adjacent gas diffusion electrodes, and heating and fusion bonding each of the gas diffusion electrodes with the joint piece.例文帳に追加

ガス拡散電極の接合方法において、少なくとも一方の面に、パーフルオロスルホン酸層、パーフルオロスルホニルフルオリド層、あるいはパーフルオロカルボン酸アルキルエステル層を有する接合片のそれぞれの該パーフルオロ化合物層面を、隣接するガス拡散電極の両者に面して配置し、それぞれのガス拡散電極と接合片とを加熱融着するガス拡散電極の接合方法。 - 特許庁

This nonvolatile semiconductor storage device is equipped with: a semiconductor area; a cell transistor formed in the semiconductor area and provided with first and second diffusion layers, a charge accumulating layer and a control gate electrode; a bit line connected to the first diffusion layer; a source line connected to the second diffusion layer; and a control circuit for controlling the semiconductor area, bit line and source line.例文帳に追加

本発明の例に係る不揮発性半導体記憶装置は、半導体領域と、半導体領域内に形成され、第１及び第２拡散層、電荷蓄積層及びコントロールゲート電極を有するセルトランジスタと、第１拡散層に接続されるビット線と、第２拡散層に接続されるソース線と、半導体領域、ビット線、及び、ソース線を制御する制御回路とを備える。 - 特許庁

A gas separator is also provided which is arranged on each gas diffusion layer, wherein a fuel gas flow path through which hydrogen-containing fuel gas flows from the upstream side to the downstream side is formed between the separator and the gas diffusion layer arranged on the anode side, and an oxidation gas flow path through which oxygen-containing oxidation gas flows is formed between the separator and the gas diffusion layer arranged on the cathode side.例文帳に追加

また、各々のガス拡散層上に配置されて、アノード側に配置されたガス拡散層との間に、水素を含有する燃料ガスが上流側から下流側へと流れる燃料ガス流路を形成すると共に、カソード側に配置されたガス拡散層との間に、酸素を含有する酸化ガスが流れる酸化ガス流路を形成するガスセパレータを備える。 - 特許庁

The ESD protection circuit 110 includes a bipolar transistor 121 comprising a first diffusion layer 115 of a first conductive type connected to a high potential power supply VDD, a second diffusion layer 114B of a second conductive type connected to a low potential power supply VSS, and a third diffusion layer 14A of the second conductive type connected to an input/output pad 101.例文帳に追加

本発明によるＥＳＤ保護回路１１０は、高電位電源ＶＤＤに接続される第１導電型の第１拡散層１１５と、低電位電源ＶＳＳに接続される第２導電型の第２拡散層１１４Ｂと、入出力パッド１０１に接続される第２導電型の第３拡散層１４Ａとによって形成されるバイポーラトランジスタ１２１を具備する。 - 特許庁

The method is for manufacturing the semiconductor device for forming a diffusion layer by diffusing the phosphorus atom on the surface of the silicon substrate with a resist coated, and has steps of forming the diffusion layer, keeping the temperature of the silicon substrate lower than the alteration temperature of the resist, and forming an oxide film by supplying a plasma excitation gas on the surface of the formed diffusion layer.例文帳に追加

レジストが塗布されたシリコン基板の表面にリン原子を拡散させて拡散層を形成する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板の温度をレジストの変質温度よりも低く保ちながら拡散層を形成する拡散層形成工程と、形成した拡散層の表面にプラズマ励起ガスを供給して酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、を有する。 - 特許庁

The light diffusion sheet 12 provided with an adhesive layer 14 is disposed in a molding die 24, and a molding resin for a base material 16 is injected to the die 24, whereby the light diffusion cover 10 having the light diffusion sheet 12 bonded to the base material 16 is manufactured.例文帳に追加

接着剤層１４を設けた光拡散シート１２を金型２４内に配置した後に、ベース材１６用の成型樹脂を金型２４内に射出することにより、光拡散シート１２がベース材１６に接合された光拡散カバー１０を製造する。 - 特許庁

Since the light reflected on the high reflection layer 22 can be introduced from any position of the light diffusion part 7, the light introduced from the light diffusion part 7 is such light as has less luminance unevenness, with the irradiance being averaged across the entire light diffusion part 7.例文帳に追加

また、高反射層２２により反射された光は、光拡散部７のあらゆる位置から導出され得るため、光拡散部７から導出される光は、光拡散部７全体に亘って放射照度が平均化された輝度むらの少ない光となる。 - 特許庁

The storage apparatus comprises a bit line diffusion layer 2 extending in the substrate 1 in columns, an insulating film 14 formed on a region between the bit line diffusion layers 2, word lines 3 on the substrate 1 and the insulating film 14, and bit line backing wiring 7 above the bit line diffusion layers 2.例文帳に追加

基板１中に列方向に延びるビット線拡散層２、ビット線拡散層２の間の領域上に形成された絶縁膜１４、基板１及び絶縁膜１４上のワード線３、ビット線拡散層２上方のビット線裏打ち配線７を備える。 - 特許庁

A semiconductor layer 1 has a first non-diffusion region 12 and a second non-diffusion region 13 respectively in contact with one width-direction end and the other width-direction end of a diffusion region 11 involving a source region 1s, a channel region 1ch and a drain region 1d.例文帳に追加

半導体層１は、ソース領域１ｓ、チャネル領域１ｃｈおよびドレイン領域１ｄを含む拡散領域１１の幅方向の一方端および他方端にそれぞれ接する第１非拡散領域１２および第２非拡散領域１３を有する。 - 特許庁

On the surface of a terminal connection part 10, a plating film (an Ni layer 21, a Pd layer 22 and an Au layer 23) with a multilayer structure including a metal (Ni) layer preventing diffusion of a metal (Cu) included in the terminal connection part 10 to the outermost surface layer is formed, and a silicon-containing layer 24 is formed on the surface of the plating film.例文帳に追加

端子接続部１０の表面に、端子接続部１０に含まれる金属（Ｃｕ）が最表層へ拡散するのを防止する金属（Ｎｉ）層を含む多層構造のめっき膜（Ｎｉ層２１、Ｐｄ層２２、Ａｕ層２３）が形成され、このめっき膜の表面に、珪素を含む層２４が形成されている。 - 特許庁

A P-type semiconductor layer 8 is formed by thermally diffusing a P-type impurity over the surface of the layer 4, and a fourth N-type semiconductor layer 20 which is doped more heavily than the layer 4 is formed from the layer 18 having a large diffusion coefficient toward the layer 4.例文帳に追加

第２Ｎ型半導体層の表面にＰ型不純物を熱拡散してＰ型半導体層８を形成させるとともに，上記拡散係数の大きいＮ型半導体層１８から第２Ｎ型半導体層に第２Ｎ型半導体層の濃度より高い濃度の第４Ｎ型半導体層２０を形成する。 - 特許庁

A part of the compound semiconductor 60 between the contact metal layer 32 and an emission layer part 24 exhibits translucency to a light beam from the emission layer part 24 and serves as a semiconductor layer 25 for blocking diffusion of components from the contact metal layer 32 into the emission layer part 24.例文帳に追加

そして、化合物半導体層６０の、コンタクト金属層３２と発光層部２４との間に位置する部分が、発光層部２４からの発光光束に対して透光性を有し、かつ、コンタクト金属層３２から発光層部２４への成分拡散を抑制する拡散ブロック用半導体層２５とされている。 - 特許庁

A polyester film for optical film used by laminating optical functional layers selected from a hard coat layer, a prism layer, a diffusion layer, and a lens layer, includes, on the opposite face of a face on which the optical functional layer is formed, a coating layer containing particles with a pore volume of 0.5-2.0 ml/g.例文帳に追加

ハードコート層、プリズム層、拡散層、レンズ層から選ばれる光学機能層を積層して用いられる光学フィルム用ポリエステルフィルムであって、光学機能層が形成される面と反対側の面に、細孔容積が０．５〜２．０ｍｌ／ｇの粒子を含有するコーティング層を有することを特徴とする光学フィルム用ポリエステルフィルム。 - 特許庁

The method for manufacturing the coated article comprises: applying an aluminum-containing first layer to a substrate 20; applying a platinum-containing second layer atop the first layer; causing diffusion of aluminum from the first layer into the second layer so as to produce a PtAl_2 alloy 24, and applying a thermal barrier layer 22 atop the PtAl_2 alloy 24.例文帳に追加

方法は、アルミニウム含有の第一の層を基体２０に付与し、白金含有の第二の層を第一の層の上に付与し、ＰｔＡｌ_2合金２４を生成するように第一の層から第二の層中へのアルミニウムの拡散を生じさせ、熱障壁層２２をＰｔＡｌ_2合金２４上に付与する、ことを含む。 - 特許庁

To form a functional semiconductor layer which performs a stable functionality by controlling so as to suppress the diffusion amount of a p-type dopant to the functional semiconductor layer having predetermined functionalities, such as an activity layer, through a first dopant layer as a buffer layer from a p-type semiconductor layer doped with the p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ドーパントをドープしたｐ型半導体層から、バッファ層としての第１ドーパント層を介して活性層などの所定の機能を有する機能半導体層へのｐ型ドーパントの拡散量が抑制できるように制御し、安定した機能を実現する機能半導体層を形成すること。 - 特許庁

After a protection film 7 which suppresses the outward diffusion of impurities included in a source layer 6a and a drain layer 6b is formed on the entire face of a semiconductor substrate 1, activation annealing of impurities introduced into the source layer 6a and the drain layer 6b is performed, thereby reducing a resistance in the source layer 6a and the drain layer 6b.例文帳に追加

ソース層６ａおよびドレイン層６ｂに含まれる不純物の外方拡散を抑制する保護膜７を半導体基板１上の全面に形成してから、ソース層６ａおよびドレイン層６ｂに導入された不純物の活性化アニールを行うことにより、ソース層６ａおよびドレイン層６ｂを低抵抗化する。 - 特許庁

An insulating oxygen barrier layer 15 consisting of Al_2O_3 of about 20nm in thickness is formed on a side face of the conductive oxygen barrier layer 14, wherein the barrier layer 15 prevents diffusion of the oxygen atoms to the contact 13 from a side of the lower layer 14a of the conductive oxygen barrier layer 14.例文帳に追加

導電性酸素バリア層１４の側面上には、Ａｌ_２Ｏ_３からなり、導電性酸素バリア層１４の下部層１４ａの側方からの、すなわちコンタクト１３への側方からの酸素原子の拡散を防ぐ絶縁性酸素バリア層１５が２０ｎｍ程度の厚さに形成されている。 - 特許庁

The method further comprises a step for forming a first layer underlying film 71 between the banks B imparted with liquid repellency, a step for forming a second layer conductive film 73 on the first layer, and a step for forming a third layer diffusion prevention film 77 on the second layer.例文帳に追加

また、撥液性が付与されたバンクＢ間に、第１層目の下地膜７１を形成する工程と、第１層目の上に、第２層目の導電膜７３を形成する工程と、第２層目の上に、第３層目の拡散防止膜７７を形成する工程とを有している。 - 特許庁

Likewise, the gas diffusion layer 32 includes a first base material layer 7 with relatively large pore diameters and a second base material layer 76 with relatively small pore diameters, and a fine pore layer 72 obtained by kneading conductive powder and a water repellent is coated on the first base material layer 74.例文帳に追加

同様に、ガス拡散層３２は、細孔径が相対的に大きい第１の基材層７４と、細孔径が相対的に小さい第２の基材層７６とを含み、導電性粉末と撥水剤とを混練して得られる微細孔層７２が第１の基材層７４に塗布されている。 - 特許庁

Then, after alloying the barrier metal 13 and the impurity layers 14, 17, the embedded wiring layer consisting of a Cu seed layer 15 and a Cu plating layer 16 is formed in the groove 12, and then the thermal diffusion of the impurity element in the alloyed barrier metal layer 13 into the embedded wiring layer is carried out.例文帳に追加

その後、バリアメタル層１３と不純物層１４、１７とを合金化した後、溝１２内にＣｕシード層１５及びＣｕメッキ層１６からなる埋め込み配線層を形成し、然る後、合金化されたバリアメタル層１３内の不純物元素を埋め込み配線層内に熱拡散させる。 - 特許庁

The diffusion preventing layer 4, which is provided between a photoelectric conversion layer 3 and a reflective metal layer 5 and consists of a ZnO layer, is not uniform in the impurity composition but has a plurality of layer constitutions having differing impurity concentrations or consisting of different materials or has graded impurity concentration distributions.例文帳に追加

光電変換層３と反射金属層５との間に設けたＺｎＯからなる拡散防止層４は、不純物組成が均一ではなく、不純物の濃度もしくは材料が異なる複数の層構成を有するか、または、グレーデッドな不純物濃度分布を有する。 - 特許庁

An n-type InP buffer layer 22, a reflector layer 23, an i-type InGaAs photo-absorption layer 24, and an n-type InP cap layer 28 are laminated on an n-type InP substrate, and zinc(Zn) is diffused in the n-type InP cap layer 28 to form a p-type diffusion region 32 as a photo-receiving portion.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板２０上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２２，反射鏡層２３，ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４，ｎ−ＩｎＰキャップ層２８が積層され、ｎ−ＩｎＰキャップ層２８内に亜鉛（Ｚｎ）が拡散されて、受光部となるｐ型拡散領域３２が形成されている。 - 特許庁

A first metal layer 51 and a high-resistance conductive layer 60 are each connected to an input pad INP and the first N-type high-concentration diffusion layer 21, and a second metal layer 52 is connected to a reference voltage pad VSP and the second N-type high-concentration diffused layer 22.例文帳に追加

第１の金属層５１及び高抵抗導電層６０は入力パッドＩＮＰと第１のｎ型高濃度拡散層２１とを接続し、第２の金属層５２は、基準電圧Ｖ_SSを供給する基準電圧パッドＶＳＰと第２のｎ型高濃度拡散層５２とを接続している。 - 特許庁

The read durability can be improved by introducing a thermally stable diffusion prevention layer between a signal reading layer comprising Sb or Te and a protection layer to block or regulate reaction due to temperature rise in the interface between the signal reading layer and the protection layer.例文帳に追加

本願発明においては、Ｓｂ又はＴｅから成る信号再生機能層と保護層との間に、熱的に安定な拡散防止層を導入することにより、信号再生機能層と保護層界面の昇温に伴う反応を阻止または抑制し、再生耐久性を上げることができる。 - 特許庁

The gas diffusion electrode is provided with a hydrophilic porous layer having a conductive material and an ion conductive material and a catalyst layer adjoining the hydrophilic porous layer, and the water-transport resistance of the hydrophilic porous layer is smaller than the water-transport resistance of the catalyst layer.例文帳に追加

導電性材料とイオン伝導性材料とを有する親水性多孔質層と、前記親水性多孔質層に隣接する触媒層と、を備え、前記親水性多孔質層の水輸送抵抗が前記触媒層の水輸送抵抗よりも小さい、ガス拡散電極である。 - 特許庁

In this semiconductor optical element 1A, the diffusion prevention layer 42 containing the Si impurities is interposed between the active layer 30 and p-type clad layer 40a of the semiconductor mesa portion 2M, and traps Zn diffused from the p-type clad layer 40a to the active layer 30.例文帳に追加

この半導体光素子１Ａにおいては、半導体メサ部２Ｍの活性層３０とｐ型クラッド層４０ａとの間に、Ｓｉ不純物を含む拡散防止層４２が介在しており、この拡散防止層４２が、ｐ型クラッド層４０ａから活性層３０へ向かうＺｎをトラップする。 - 特許庁

On an n-type GaAs substrate 501, an n-type GaAs collector layer 502, a p-type GaAs base layer 503, a p-type GaNAs diffusion-preventing layer 504, an n-type AlGaAs emitter layer 505, and an n-type GaAs contact layer 506 are laminated in order through crystal growth.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板５０１上に、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層５０２、ｐ型ＧａＡｓベース層５０３、ｐ型ＧａＮＡｓ拡散防止層５０４、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層５０５、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層５０６が結晶成長によって順に積層されて構成されている。 - 特許庁

The dummy word line is electrically connected to the diffusion layer of the second conductivity type via a first interconnection layer 12, and at the same time, is connected to the well 2a region of the first conductivity type or the semiconductor substrate via an interconnection layer 14 in a layer above the first interconnection layer.例文帳に追加

ここで、ダミーワード線は、第１の配線層１２を介して第２導電型拡散層と電気的に接続されるとともに、第１の配線層より上層の配線層１４を介して第１導電型ウェル２ａ領域または半導体基板に接続されている。 - 特許庁

In a semiconductor device having a PN junction part, a low concentration substrate junction of a p^+ layer and an n^- layer steep in impurity concentration gradient is formed, and a diffusion layer of a p^- layer in a low concentration is formed by making a surface concentration low and diffusing deeply so that it does not make a junction with the n^- layer of the substrate.例文帳に追加

PN接合部を有する半導体装置において、不純物濃度勾配の急峻なｐ^+層とｎ^-層の低濃度基板接合を形成し、低濃度のｐ^-層の拡散層を基板のn-層と接合ができないように表面濃度を薄く、深く拡散させて形成した。 - 特許庁

This deals with a translucent positive electrode for a compound semiconductor light-emitting element of a gallium nitride series that is composed of a contact metal layer contacting a p-type semiconductor layer, and an electric current diffusion layer provided with a bonding pad and a part of the contact metal layer whose electric conductivity is equal to or larger than that of the contact metal layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層に接するコンタクトメタル層、ボンディングパッドおよび該コンタクトメタル層上の一部に設けられ、その導電率がコンタクトメタル層以上の値である電流拡散層からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用透光性正極。 - 特許庁

Since a guard layer 4 is formed between the auxiliary recording layer 5 and the magnetic recording layer 3, when the non-magnetic section 9 of the auxiliary recording layer 5 is formed by ion implantation, the diffusion of implanted ions in the magnetic recording layer 3 is prevented and the magnetic recording medium having high recording density can be manufactured.例文帳に追加

さらに、記録補助層５と磁気記録層３の間にガード層４を設けたので、記録補助層５の非磁性部９をイオン注入により形成する際に、注入されたイオンが磁気記録層３に拡散するのを防ぎ、高記録密度の磁気記録媒体を製造することができる。 - 特許庁

The gas diffusion layer 28 includes a first base material layer 64 with relatively large pore diameters, and a second base material layer 66 with relatively small pore diameters, and a fine pore layer 62 obtained by kneading conductive powder and a water repellent is coated on the first base material layer 64.例文帳に追加

ガス拡散層２８は、細孔径が相対的に大きい第１の基材層６４と、細孔径が相対的に小さい第２の基材層６６とを含み、導電性粉末と撥水剤とを混練して得られる微細孔層６２が第１の基材層６４に塗布されている。 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes an impurity diffusion layer 2 formed on a semiconductor substrate 1, an inter-layer insulating film 3 formed on the upper part of the semiconductor substrate 1, and the contact plug formed by filling a contact hole penetrating the inter-layer insulating film 3 with a given material to provide an electrical contact with the impurity diffusion layer 2.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置１０は、半導体基板１上に形成された不純物拡散層２と、半導体基板の上部に形成される層間絶縁膜３と、層間絶縁膜３を貫通するコンタクトホール内に所定の材料が充填されて不純物拡散層２との電気的接続を形成するコンタクトプラグと、を有する。 - 特許庁