| 意味 | 例文 (999件) |
diffusion-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5831件
A dummy resistance for adjustment with the direction <100> as a longitudinal direction is connected in series to an impurity diffused resistor diffusion layer in parallel with the longitudinal direction of the rotating shaft in an impurity diffusion layer constituting the built-in bridge circuit of the strain sensor chip.例文帳に追加
ひずみセンサチップの内蔵ブリッジ回路を構成する不純物拡散層のうち、回転軸の長手方向と平行となる不純物拡散抵抗拡散層に＜100＞方向を長手方向とする調整用のダミー抵抗を直列に接続する。 - 特許庁
By diffusing the jet layer A from the gas guide face 3 through the edge line part 5 with the jet layer A contacted with the gas diffusion face 4, a negative pressure is generated from the edge line part 5 to the gas diffusion face 4 to retain the work W in a non-contact state.例文帳に追加
噴流層Ａを、気体案内面３から稜線部５を経由し、気体拡散面４に付着した状態で拡散させることにより、稜線部５から気体拡散面４にかけて負圧を発生させてワークＷを非接触に保持する。 - 特許庁
In the fuel cell, the gas diffusion layer of MEA is made to protrude in the gas passage of the separator plate and the gas passage in the separator plate has sufficient width and depth for the gas diffusion layer to protrude, and the width of the ribs between the gas passages is made narrow.例文帳に追加
セパレータ板のガス流路内にＭＥＡのガス拡散層が突出した状態とし、かつセパレータ板のガス流路が、ガス拡散層が突出するのに十分な幅と深さを有し、ガス流路間のリブの幅を狭くした燃料電池。 - 特許庁
A diffusion layer 3 is provided to an edge of an embedded oxide layer 8, that is, a region including a border edge 6 between a SOI region 1 and a non SOI region 5.例文帳に追加
埋め込み酸化物層８の縁部、即ちＳＯＩ領域１と非ＳＯＩ領域５との境界端６を含む領域に拡散層３が設けられている。 - 特許庁
Furthermore, as the barrier layer 3 for suppressing the diffusion of 1A base elements, SiON is used and the deterioration of device characteristics with the passage of time can be suppressed by said barrier layer 3.例文帳に追加
また、１Ａ族元素の拡散を抑制するバリア層３としてＳｉＯＮを用いており、このバリア層３により素子特性の経時的劣化を抑制することができる。 - 特許庁
A part of the protective film 6 formed on the current diffusion layer 5 is eliminated, a p-side electrode 8 is formed as the outermost layer of an element, and the surface is made a bonding pad.例文帳に追加
電流拡散層５上に設けた保護膜６の一部を取除き、そこにｐ側電極８を素子の最外層として設け、表面をボンディングパッドとする。 - 特許庁
At least a part of the impurity diffusion layer 104 and at least a part of the recording layer PC are formed in a region surrounded by the side wall insulating film 106.例文帳に追加
不純物拡散層１０４の少なくとも一部及び記録層ＰＣの少なくとも一部は、サイドウォール絶縁膜１０６に囲まれた領域内に形成されている。 - 特許庁
A plurality of light diffusion dots 5a are printed on a reflection surface 102 of a light guide layer 10, and a reflection layer 20 is formed on the above surface by using a light reflective material.例文帳に追加
導光層１０の反射面１０２に複数の光拡散ドット５ａを印刷し、この表面に光反射性材料を用いて反射層２０を形成する。 - 特許庁
The semiconductor device is provided with an n-type first diffusion layer which extends on a semiconductor substrate including the lower layer of a plurality of bonding pads (hereafter referred to as pads) mounted on the semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板上に設置された複数のボンディングパッド（以下パッド）下層を含む上記半導体基板上に延在するＮ型の第１拡散層を備える。 - 特許庁
To provide a fuel cell diagnostic device and method to detect water content status inside a fuel cell, in particular, in a gas diffusion layer and in a minute pore of a catalyst layer.例文帳に追加
燃料電池内部の特にガス拡散層や触媒層微細空孔中の含水状態を検出する燃料電池診断装置及び方法を提供する。 - 特許庁
An LED light source module has no transparent resin mold, and is set up to be a module for mounting a semiconductor light-emitting device with a semiconductor light-emitting layer and a diffusion layer.例文帳に追加
ＬＥＤ光源モジュールを透明樹脂モールドを有さず、半導体発光層および拡散層を有する半導体発光装置を搭載したモジュールとする。 - 特許庁
To provide a photoelectric conversion device which suppresses diffusion of oxygen from a transparent electrode layer to a microcrystalline silicon p layer, thereby having high electric power generation efficiency.例文帳に追加
透明電極層から微結晶シリコンｐ層への酸素の拡散を抑制することで、高い発電効率を有する光電変換装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
A piezoelectric layer 43 is formed by an AD method by straddling a surface of the common electrode 42 and the upper surface of the vibration plate 40 with no diffusion prevention layer 41 formed.例文帳に追加
共通電極４２の表面及び拡散防止層４１が設けられていない振動板４０の上面にまたがって、ＡＤ法により圧電層４３を形成する。 - 特許庁
The strip of light diffusion layer 18 is formed so that the layer becomes gradually thicker from both ends in width direction toward the center of the bulb, heaving up in the direction of use of light.例文帳に追加
帯状の光拡散層１８を、その幅方向両端から中央部に行く程次第に厚みを増して光の利用方向に盛上がるように形成する。 - 特許庁
PHASE-CHANGE LAYER WITH DIFFERENT CRYSTALLINE LATTICE STRUCTURE IN ONE LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT WITH TITANIUM-DIFFUSION PREVENTING MEANS AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
１層で異なる結晶格子構造を有する相変化層及びその形成方法、並びにＴｉ拡散防止手段を備える相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
On a p-type drain diffusion layer 21d, a gate lower layer 33 is formed at lower side ends on the sides of the first common gate 10G and a second gate 20G.例文帳に追加
また、ｐ型ドレイン拡散層２１ｄ上において、第１共有ゲート１０Ｇの第２共有ゲート２０Ｇ側の側端下部にはゲート下部層３３が形成されている。 - 特許庁
A gas diffusion electrode 1 is produced by providing a sheet, in which a reaction layer 2 and a gas feeding layer 3 are laminated, with dents or cuts 6, filling silver particles therein and executing hot pressing.例文帳に追加
反応層とガス供給層が積層したシートに凹み又は切れ込みを設け、その中に銀粒子を充填し、ホットプレスすることで作製されるガス拡散電極。 - 特許庁
Then, after a p^+-type diffusion layer is formed on the collector region, an SiGe or SiGeC layer 10 is grown only on the one-side wall of the collector region.例文帳に追加
次に、コレクタ領域上部にＰ^+型拡散層を形成した後、コレクタ領域の片側側壁部分にのみＳｉＧｅあるいはＳｉＧｅＣ層１０を成長させる。 - 特許庁
The surface of a diffusion layer of at least a source region is formed of a metal silicide layer in a metal oxide field effect transistor actuating the heating element.例文帳に追加
本発明は、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタの少なくともソース領域の拡散層表面を金属シリサイド層により形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device for preventing degradation of a cell current by elevation of resistance because of decrease of impurity concentration of a diffusion layer or a semiconductor layer.例文帳に追加
拡散層、または半導体層の不純物濃度の低下による抵抗の上昇によるセル電流の低下を防止することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
A first impurity diffusion region 33 is formed to the notch 19A of the narrow region 32 in a part of a layer other than the contact layer 19 of a semiconductor multilayer structure 10A.例文帳に追加
半導体積層構造１０Ａのコンタクト層１９以外の層の一部には、狭領域３２の切込み１９Ａに、第１不純物拡散領域３３を形成する。 - 特許庁
To provide an optical waveguide manufacturing method that can obtain an optical waveguide capable of satisfactorily transmitting light without causing a diffusion layer interfering transmission of light to a core layer.例文帳に追加
コア層に光の伝搬を阻害する拡散層が生じず、良好に光の伝搬が行える光導波路を得ることのできる光導波路の製法を提供する。 - 特許庁
In the backlight unit sheet of the laminating structure equipped with the reflecting function and a diffusion reflecting function, a metal base material layer 3 for heat dissipation is integrally added as an intermediate layer.例文帳に追加
反射機能及び拡散反射機能を備えた積層構造のバックライトユニット用シートに於て、中間層として一体に放熱用金属基材層３を、付加する。 - 特許庁
This light diffusion sheet 1 has an optical layer 2 including a light transmissive binder resin 4 and light transmissive resin beads 5 on a surface of a transparent basic material layer 3.例文帳に追加
本発明の光拡散シート１は、透明基材層３表面に光透過性バインダー樹脂４と光透過性樹脂ビーズ５とを含む光学層２を有する。 - 特許庁
An amount of etching on the surface of the working strain layer 12 is controlled in the step of etching removal to adjust dislocation density in the non-diffusion layer 15.例文帳に追加
ここで、上記エッチング除去の工程において加工歪み層１２の表面のエッチング量を制御することにより非拡散層１５内の転位密度を調節する。 - 特許庁
The impurity layer 7 of a conduction type opposite to that of the drain diffusion layer 11b is formed on the channel region at a position apart from the region 5a by an interval T.例文帳に追加
チャンネル領域に、ドレイン拡散層１１ｂとは逆導電型の不純物層７を、低濃度不純物領域５ａから間隔Ｔをあけた位置に形成する。 - 特許庁
An N-well diffusion layer 24 as a drain is formed on a substrate 22, and a gate electrode 30 is formed on the surface of the layer 24 via a gate oxide film 28 in uniform film thickness.例文帳に追加
基板２２にドレインとなるＮウエル拡散層２４が形成され、その表面には均一な膜厚のゲート酸化膜２８を介してゲート電極３０が形成されている。 - 特許庁
Since light made incident in the panel 10 from the backlight unit 20 passes through the diffusion layer 5 before the light is made incident in a liquid crystal layer 1, an image whose luminance unevenness is suppressed is obtained.例文帳に追加
バックライトユニット２０からパネル１０に入射した光は、液晶層１に入射する前にその拡散層５を通過するので、輝度ムラの抑制された画像を得る。 - 特許庁
Convex rib arrays by cylindrical shape sections 20 are formed on the surface on the reflecting surface side of the diffusion layer 40 and t reflecting layer 30 is formed along the shapes of the convex rib arrays.例文帳に追加
基材１０の反射面側表面には、シリンドリカル形状部２０による凸条列が形成され、その凸条列の形状に沿って反射層３０が形成される。 - 特許庁
To provide a reliable laminated piezoelectric element capable of obtaining excellent piezoelectric characteristics by controlling the diffusion of a conductive layer constituent into a piezoelectric substrate layer, and to provide a method for manufacturing the laminated piezoelectric element.例文帳に追加
圧電体層中への導体層成分の拡散を制御して優れた圧電特性が得られ、信頼性に優れた積層型圧電素子およびその製法を提供する。 - 特許庁
After a diffusion layer 14 is formed on the surface side of the substrate 10 in the memory region 10, an interlayer insulating film layer (insulating film) 15 is formed to cover this.例文帳に追加
メモリ領域１０ａにおける基板１０の表面側に拡散層１４を形成した後、これらを覆う状態で層間絶縁膜層（絶縁膜）１５を形成する。 - 特許庁
The envelope comprises at least one diffusion layer (20) coupled to at least one impermeable layer (18) such that at least one chamber (22) can be defined therebetween.例文帳に追加
エンベロープは、少なくともチャンバ（２２）がそれらの間に確定されるように、少なくとも１つの不透過層（１８）とカップリングした少なくとも１つの拡散層（２０）を含む。 - 特許庁
The impurity diffusion layer 17 immediately below the dielectric film 18 is insulated from a single crystal silicon layer 13 by a field oxidized film 2 and a buried oxidized film 12.例文帳に追加
誘電体膜１８直下の不純物拡散層１７は、フィ−ルド酸化膜２、埋め込み酸化膜１２により単結晶シリコン層１３から絶縁されている。 - 特許庁
The cathode-side electrode 22 consists of: a second electrode catalyst layer 22a abutting on the other face 18b of the solid polymer electrolyte membrane 18; and a second gas diffusion layer 22b.例文帳に追加
カソード側電極２２は固体高分子電解質膜１８の他方の面１８ｂに当接する第２電極触媒層２２ａ及び第２ガス拡散層２２ｂを設ける。 - 特許庁
In order to reduce the on-resistance of the MOSFET, and at the same time, to increase the breakdown voltage of the MOSFET, a p+-type diffusion layer 13 having a cavity 14 inside is formed in an n- type epitaxial Si layer 12.例文帳に追加
低オン抵抗かつ高耐圧を実現するために、内部に空洞１４を有するｐ^+ 型拡散層１３をｎ^- 型エピタキシャルＳｉ層１２内に形成する。 - 特許庁
By these mesh-like cracks and/or fine pores present in the metal oxide support layer, effects such as greater ease of diffusion of the exhaust gas into this support layer can be obtained.例文帳に追加
これらの金属酸化物担体層に存在する網目状亀裂及び／又は細孔によって、この担体層への排ガスの拡散が容易となる等の効果が得られる。 - 特許庁
PMOS contact holes 20 are formed on the source/drain diffusion layer in a silicon substrate 11 of a PMOS transistor having a selective growth layer 15 formed on the surface.例文帳に追加
選択成長層１５が表面に形成されたＰＭＯＳトランジスタのシリコン基板１１内のソース／ドレイン拡散層上に、ＰＭＯＳ用コンタクトホール２０を形成する。 - 特許庁
After an annealing processing process, the vibrating plate 40, diffusion prevention layer 41, lower electrode 42, and piezoelectric layer 43 are naturally cooled down to a temperature before the annealing processing process.例文帳に追加
そして、アニール処理工程後に、振動板４０、拡散防止層４１、下部電極４２及び圧電層４３を自然冷却してアニール処理工程前の温度にする。 - 特許庁
In this structure, the first common gate 10G can electrically be connected to the p-type drain diffusion layer 21d by the bimetal layer 34 having small resistivity.例文帳に追加
この構造により、第１共有ゲート１０Ｇは、抵抗率が小さいバリアメタル層３４によって、ｐ型ドレイン拡散層２１ｄとの電気的な接続を取ることができる。 - 特許庁
A titanium film 7 is formed (C), a titanium silicide layer 9a is formed in the diffusion region 5 through a thermal treatment, and a titanium silicide layer 9b is formed in the region 3a.例文帳に追加
チタン膜７を形成した後（Ｃ）、熱処理を施して拡散領域５にチタンシリサイド層９ａを形成し、領域３ａにチタンシリサイド層９ｂを形成する。 - 特許庁
The plated film 2 may comprise the diffusion layer 5 of the above second metal and a nickel-based plated layer 6, and may have fine particles 4 of the fluorine compound exposed on the surface.例文帳に追加
メッキ皮膜２は、前記第２の金属の拡散層５とニッケル系メッキ層６とで構成してもよく、表面にフッ素化合物の微粒子４が露出していてもよい。 - 特許庁
To improve a joining strength between layers, relating to a membrane electrode assembly, in which a catalyst layer and a gas diffusion layer are jointed to both surfaces of an electrolyte membrane, respectively.例文帳に追加
電解質膜の両面にそれぞれ触媒層とガス拡散層とを接合してなる膜電極接合体において、各層間の接合力を向上させる。 - 特許庁
On a side of a trench 5a dug from a surface of an epitaxial layer 4, a trench sidewall diffusion layer 6 made of polysilicon with N-type impurities introduced is deposited.例文帳に追加
エピタキシャル層４の表面から掘り下がったトレンチ５ａの側面には、Ｎ型の不純物が導入されたポリシリコンからなるトレンチ側壁拡散層６が被着されている。 - 特許庁
A tin plating layer 15 for preventing diffusion of lead is formed on the copper foil conductor 12 of a resin substrate 11 and tin-zinc based solder alloy bumps 16 are formed on the tin plating layer 15.例文帳に追加
樹脂基板11の銅箔導体12に、亜鉛拡散防止用の錫メッキ層15を形成し、この錫メッキ層15に錫−亜鉛系はんだ合金バンプ16を形成する。 - 特許庁
The film of AlTiN is formed on the base layer 3 by the sputtering method utilizing a mixed gas formed by adding N2 gas to Ar gas to form a heat diffusion layer 4.例文帳に追加
ＡｒガスにＮ_2 ガスを添加した混合ガスを用いたスパッタリング法により、下地層３上にＡｌＴｉＮを成膜することによって熱拡散層４を形成する。 - 特許庁
When the piezoelectric layer 3 is annealed, the composition is corrected and the optimum composition is obtained by diffusing diffusion elements in the first piezoelectric layer 3A.例文帳に追加
この圧電層３に対してアニール処理を施すと、第１の圧電層３Ａにおいては拡散元素が拡散することによって、組成が修正されて最適組成となる。 - 特許庁
The first conductive layer 21 contains metal particles 22A and a metal deactivator for suppressing diffusion of a metal and metal ions contained in the first conductive layer 21.例文帳に追加
第１導電層２１は、金属粒子２２Ａと、第１導電層２１に含まれる金属および金属イオンの拡散を抑制する金属不活性剤とを含む。 - 特許庁
CATALYST LAYER FOR FUEL CELL, GAS DIFFUSION ELECTRODE FOR FUEL CELL, MEMBRANE-ELECTRODE ASSEMBLY FOR FUEL CELL, FUEL CELL, AND CATALYST LAYER FOR FUEL CELL WITH FILM BASE MATERIAL例文帳に追加
燃料電池用触媒層、燃料電池用ガス拡散電極、燃料電池用膜・電極接合体、及び燃料電池、並びにフィルム基材付き燃料電池用触媒層 - 特許庁
A membrane-electrode assembly 110 is provided with the cathode-side catalyst layer 114c and the cathode-side gas diffusion layer 116c on one face of an electrolyte membrane 112 as a cathode.例文帳に追加
膜電極接合１１０は、カソードとして、電解質膜１１２の一方の面に、カソード側触媒層１１４ｃと、カソード側ガス拡散層１１６ｃとを備える。 - 特許庁
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