「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(94ページ目) - Weblio英語例文検索

An ion diffusion property on the surface of a negative active material is improved, and the deposition of lithium on the surface of the negative electrode can be suppressed even when the thickness of the negative active material layer is increased.例文帳に追加

これにより、負極活物質表面でのイオン拡散性を改善し、負極活物質層の厚みを厚くした場合であっても負極表面でのリチウムの析出を抑制することができる。 - 特許庁

A connecting and conducting layer 31 bridges one of the source and drain diffusion layers 26 which are formed on the surface of the semiconductor substrate 1 and sandwich a channel region below the second gate electrode 22, and the conducting film 13.例文帳に追加

接続導電層３１は、半導体基板の表面に形成され且つ第２ゲート電極下方のチャネル領域を挟むソース／ドレイン拡散層２６の一方と導電膜との上に亘る。 - 特許庁

A second insulating film 7 whose thickness is 400 nm is formed on the substrate, and a contact hole 8 is formed through the second insulating film 7 and the first insulating film 6a, and reaches the impurity diffusion layer 5.例文帳に追加

基板上に、厚さ４００ｎｍの第２絶縁膜７を形成し、第２絶縁膜７及び第１絶縁膜６ａを貫通して不純物拡散層５に到達するコンタクトホール８を形成する。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic tunnel junction element wherein, excellent in heat-resistance and characteristics, the Mn diffusion from an antiferromagnetic layer comprising an Mn array is effectively suppressed even in a thermal process.例文帳に追加

熱処理を受けてもＭｎ系合金を含む反強磁性層からのＭｎ拡散を有効に抑制することができ、特性および耐熱性に優れた強磁性トンネル接合素子を提供する。 - 特許庁

Next, a lower electrode is formed on an upper face of the anti-diffusion layer by a sputter method (S104), and the lower electrode is heated at 500°C for 30 minutes (S105), to relieve a residual stress of the lower electrode.例文帳に追加

次に、スパッタ法により拡散防止層の上面に下部電極を形成し（Ｓ１０４）、下部電極を５００℃で３０分間加熱して（Ｓ１０５）下部電極の残留応力を緩和させる。 - 特許庁

The reflection region of the diffusion reflection electrode MT has a surface rugged shape profiling the surface rugged shape by the spherical particles PTC mixed into the organic insulating film PF of the lower layer.例文帳に追加

拡散反射電極ＭＴの反射領域は下層の有機絶縁膜ＰＦに混入された球形粒子ＰＴＣによる表面凹凸形状に倣った表面凹凸形状を有する。 - 特許庁

The third layer of material is disposed between the first and second layers and is a material which substantially prevents diffusion between the first and second layers of material.例文帳に追加

第３の材料層は、第１の材料層と第２の材料層との間に配置されかつ第１の材料層と第２の材料層の間で拡散するのを実質的に阻止する材料である。 - 特許庁

Analog signals inputted from input terminals IN1 to IN3 are supplied to diffusion layer regions 221, 223 and 225 via transistors 301 to 303, and then accumulated as electric charge.例文帳に追加

入力端子ＩＮ１乃至ＩＮ３から入力されたアナログ信号はトランジスタ３０１乃至３０３を介して拡散層領域２２１、２２３および２２５に供給され、電荷として蓄積される。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a solid state image sensor in which a diffusion layer can be formed at a light receiving part without requiring any additional fabrication step while preventing a semiconductor substrate from being cut through etching and poly-Si from being left.例文帳に追加

製造工程の追加なく、エッチングにより半導体基板が削られず、かつ多結晶Ｓｉ残りを生じず、受光部に拡散層を形成できる固体撮像装置製造法を提供する。 - 特許庁

The first adhesion part 21 has an inner peripheral part 211 of which at least a part is bonded to the second adhesion part 22, and a part outside thereof is bonded to the diffusion resistance layer 17.例文帳に追加

第１接着部２１は、その内周部２１１の少なくとも一部が第２接着部２２に接合されていると共に、それよりも外側の部分が拡散抵抗層１７に接合されている。 - 特許庁

A p type diffusion layer formation composition of this invention contains glass powder including an acceptor element and a dispersion medium, and the viscosity is equal to or more than 20 Pa s and equal to or less than 1000 Pa s at a temperature of 25°C.例文帳に追加

本発明のｐ型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有し、２５℃における粘度が２０Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下である。 - 特許庁

A photovoltaic cell element 1 is formed which is provided with an n-type silicon substrate 2 and through-holes 3 penetrating the silicon substrate 2, and has a p-type diffusion layer 4 provided at least on a top surface of the silicon substrate 2.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板２と、シリコン基板２を貫通するスルーホール３を設け、シリコン基板２の少なくとも表面に設けたｐ型の拡散層４を有する光電池セル素子１を形成する。 - 特許庁

The fuel cells include a plurality of plate members 13 to 16 stacked with the fuel cell separator and are constituted so as to form the through-holes 13a on the plate member 13 in contact with the diffusion layer 11.例文帳に追加

燃料電池用セパレータを積層された複数の平板部材１３〜１６から構成し、拡散層１１に接する平板部材１３に貫通孔１３ａが形成されているようにする。 - 特許庁

To effectively prevent the contrast and the resolving power of a video from being lowered because of the reflected light of diffused light returned to a projection side from a light diffusion layer as to a transmission type projection screen.例文帳に追加

透過型映写スクリーンについて、光拡散層２から映写側への拡散光の戻り反射光Ｌａに起因する映像のコントラストおよび解像力の低下を効果的に防ぐことを目的とする。 - 特許庁

To form a semiconductor thin film of a desired crystal structure at a comparatively lower temperature not considering the expansion of an embedded layer due to thermal diffusion not depending on a kind and crystal structure of a substance of an underlayer.例文帳に追加

下地層の物質の種類、結晶構造に依存せず、埋込み層の熱拡散による拡大を考慮しないで、比較的低温度下で任意の結晶質の半導体薄膜を形成する。 - 特許庁

The dummy gate pattern 13 is cut at a predetermined position in the gate width direction in the upper part of the diffusion layer 10, and performs a high-speed operation of the MOS transistor by reducing a resistance right beneath a cut portion 13a.例文帳に追加

ダミーゲートパターン１３は、拡散層１０の上部におけるゲート幅方向の所定位置で切断され、切断部１３ａの直下で抵抗を低減して高速なＭＯＳトランジスタの動作を実現する。 - 特許庁

To prevent the generation of a carrier (electron) movement reduction phenomenon, which is generated due to the diffusion of In atoms, contained in an i-InGaAs channel layer, to the sides of n-AlGaAs carrier supply layers in a field effect transistor (FET).例文帳に追加

電界効果トランジスタにおけるｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層中のＩｎ原子がｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層側へ拡散することによるキャリア（電子）移動度低下の現象を防止する。 - 特許庁

A P-type impurity diffusion layer 103 is formed on the surface of a semiconductor substrate 100, and then a gate electrode 102 is formed on the semiconductor substrate 100 through the intermediary of a gate insulating film 101.例文帳に追加

半導体基板１００の表面部にｐ型の不純物拡散層１０３を形成した後、半導体基板１００上にゲート絶縁膜１０１を介してゲート電極１０２を形成する。 - 特許庁

The composition for forming a p-type diffusion layer is composed to contain boron nitride particles which contain a boron nitride and an oxide derived therefrom where the oxygen content is 15 mass% or lower, and a dispersion medium.例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物を、窒化ホウ素及び窒化ホウ素に由来する酸化物を含み、酸素含有率が１５質量％以下である窒化ホウ素粒子と、分散媒とを含有して構成する。 - 特許庁

To provide a fuel cell keeping or enhancing the performance of a polymer electrolyte fuel cell and at the same time, shortening working time for forming a gas diffusion layer.例文帳に追加

固体高分子形燃料電池の電池性能を維持あるいは向上させつつ、ガス拡散層を作製する作業時間の短縮化を図ることができる燃料電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

A contact hole having a larger upper opening diameter is formed through an interlayer dielectric 8A on a diffusion layer and a first film 9A having such a film thickness that the film 9A does not fill up completely the contact hole is formed in the hole.例文帳に追加

層間絶縁膜８Ａを介して拡散層上にその上部の開口径が広いコンタクト孔を形成し、当該コンタクト孔内が完全に埋まらない膜厚で第１の膜９Ａを形成する。 - 特許庁

At a logic part A2 and an I/O part A3, a high dielectric-constant film 7 on a diffusion area 12b of the MIS transistor is removed and a silicide layer 14 with low resistance is formed on its surface.例文帳に追加

論理部Ａ２およびＩ／Ｏ部Ａ３では、ＭＩＳトランジスタの拡散領域１２ｂ上の高誘電率絶縁膜７を除去して、その表面に低抵抗のシリサイド層１４を形成する。 - 特許庁

To enable to avoid the variation of a threshold voltage and the increase of an on-state resistance by a hot carrier implantation to a gate electrode even if the width of a high resistor drain layer of both drain diffusion area ends is shortened.例文帳に追加

ドレイン拡散領域両端の高抵抗ドレイン層の幅が短くされていても、ゲート電極へのホットキャリア注入によるしきい値電圧の変動やオン抵抗の増大を回避できる。 - 特許庁

A flat surface 9 is formed by applying heat only to a part corresponding to a metal-like image figure 5 of a light diffusion shape 7 formed on the surface of a transparent resin layer 4 by means of a thermal head 8.例文帳に追加

透明樹脂層４の表面に形成された光拡散形状７の金属調描画図５に対応する部分だけに、サーマルヘッド８により熱を加えて平滑面９を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the SiO2 films are formed thick in this region, by which a capacitance of a floating diffusion layer, a capacity of an output electrode, and a parasitic capacitance of a reset electrode are lessened.例文帳に追加

さらにこの部分のＳｉＯ_２膜を厚くすることで、浮遊拡散層からなる容量と出力電極、または浮遊拡散層からなる容量とリセット電極の寄生容量を低減する。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor device, a light-emitting element 12, which forms a p electrode 13 and a low-melt-point metal diffusion prevention layer 14 on the upper surface and comprises a plurality of group III nitride semiconductors, is formed on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

ｐ電極１３および低融点金属拡散防止層１４が上面に形成された、複数のIII 族窒化物半導体からなる発光素子１２を、サファイア基板１０上に形成する。 - 特許庁

The raw material formed by forging are subjected to a high-concentration carburizing treatment of ≥1.1% in carbon potential in forming the hard carbide layer on the surface of the raw material, and is then subjected to a diffusion coating treatment.例文帳に追加

鍛造成形した素材の表面に硬質炭化物層を形成するにあたり、上記素材にカーボンポテンシャルが１．１％以上の高濃度浸炭処理を行い、次いで拡散浸透処理を行う。 - 特許庁

In such a structure, hydrogen-containing fuel can be easily moved to a gas diffusion layer of the anode electrode, and water can be easily moved from the cathode electrode to the other face of the bipolar plate.例文帳に追加

かかる構成により、水素含有燃料をアノード電極の気体拡散層に容易に移動させることができ、水をカソード電極からバイポーラプレートの他面に容易に移動することができる。 - 特許庁

The nickel alloy sputtering target for forming the barrier layer is a Ni-Sn alloy sputtering target capable of inhibiting the diffusion of Sn between the undercoat or the pad and the Sn-Pb solder bump.例文帳に追加

Ｎｉ−Ｓｎ合金スパッタリングターゲットであって、下地層又はパッドとＳｎ−Ｐｂ系ハンダバンプとの間におけるＳｎ拡散を抑制することを特徴とするバリヤー層形成用ニッケル合金スパッタリングターゲット。 - 特許庁

In addition, the potential barrier has dopant formed by high-energy ion implantation, and also has dopant formed by ion implantation or diffusion during the epitaxial growth of p-type epitaxial layer.例文帳に追加

また、前記ポテンシャル障壁は、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記Ｐ型エピタキシャル層のエピタキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。 - 特許庁

To prevent reduction in carrier (electron) mobility, due to diffusion of In atoms in an i-InGaAs channel layer into n-AlGaAs carrier source layers, in a field effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタにおけるｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層中のＩｎ原子がｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層側へ拡散することによるキャリア（電子）移動度低下の現象を防止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a porous carbon electrode base material which can efficiently distribute a reaction gas to a fuel cell electrode reaction section if the porous carbon electrode base material is used in a gas diffusion layer for a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池用のガス拡散層に用いた場合、燃料電池電極反応部に反応ガスを効率よく分配することができる多孔質炭素電極基材の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a heat treatment process after the storage node 151 is formed, diffusion of N-type impurities in the storage node 151 is restrained by oxygen in the layer 151a containing oxygen, and junction leakage is prevented.例文帳に追加

ストレージノード１５１の形成後の熱処理工程で、ストレージノード１５１中のＮ型不純物の拡散が酸素含有層１５１ａ中の酸素により抑制され、ジャンクションリークが防止される。 - 特許庁

A mesh 32 of an expanded metal 30 is composed of a pentagonal mesh formed by combining a hexagonal pattern on the side coming in contact with the separator 18 and a rhombus on the side coming in contact with the gas diffusion layer 14.例文帳に追加

エキスパンドメタル３０のメッシュ３２が、セパレータ１８に接する側は亀甲形を、ガス拡散層１４に接する側は菱形を組み合わせた、五角形のメッシュにより構成されているものである。 - 特許庁

In the manufacturing method of the gas diffusion electrode, a catalyst layer is formed of a metal oxide by using a solvent containing ions of Zr, Ti, Nb, and Ta by a sol-gel method such as a dipping coating method.例文帳に追加

ガス拡散電極の製造方法では、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａのイオンを含む溶液を用い、ディップコート法などのゾルゲル法により金属酸化物からなる触媒層を形成する。 - 特許庁

The carrier capture region formed in the high power supply voltage circuit section is formed by the same diffusion layer as the source or drain of the MOS-type transistor formed at the high supply voltage circuit section.例文帳に追加

また、高電源電圧回路部内に形成されたキャリア捕獲領域は、高電源電圧回路部に形成されたＭＯＳ型トランジスタのソースあるいはドレイン領域と同一の拡散層にて形成した。 - 特許庁

To provide a forming method for forming a metallic gas diffusion layer for fuel cell capable of supplying gas efficiently and superbly by reducing pressure loss at the time of gas supply.例文帳に追加

ガス供給時の圧力損失を低減して、ガスを効率よく良好に供給することができる金属製の燃料電池用ガス拡散層を成形するための成形方法を提供すること。 - 特許庁

Additionally, in a gate implantation, although not only the channel of the transistor, but also a region where the diffusion layer is formed in the periphery of the channel is ion-implanted, the effect of its ion implantation is not considered at all.例文帳に追加

また、ゲート注入では、トランジスタのチャネルだけでなく、その周囲の拡散層が形成される予定の領域にもイオンが注入されるが、そのイオン注入の影響が全く考慮されていない。 - 特許庁

To provide a device and method for forming the gas diffusion layer of a fuel cell, wherein the gas is supplied efficiently and successfully by reducing the pressure loss during gas supply.例文帳に追加

ガス供給時の圧力損失を低減して、ガスを効率よく良好に供給することができる燃料電池のガス拡散層を成形する成形装置および成形方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly enhancing gas diffusion property and drainage property of an electrode catalyst layer and a method for manufacturing the same, and to provide a polymer electrolyte fuel cell including the membrane electrode assembly.例文帳に追加

電極触媒層のガス拡散性・排水性が向上する膜電極接合体とその製造方法、および、その膜電極接合体を備えた固体高分子形燃料電池を提供する。 - 特許庁

A sidewall insulation film 41 of first insulation film 4 is formed on the side face of the gate electrode 3, and a diffusion layer 5 is formed in the substrate 1 within the logic circuit region 12 through ion implantation.例文帳に追加

ゲート電極３側面に第１の絶縁膜４からなる側壁絶縁膜４１を形成し、ロジック回路領域１２における基板１内に拡散層５をイオン注入により形成する。 - 特許庁

A gas diffusion layer of an electrode is composed of a porous body of metal, and at least a part of the surface of the porous body is covered with conductive resin composed by electrolytic polymerization on the surface of the porous body.例文帳に追加

電極のガス拡散層を金属の多孔体で構成し，多孔体の表面の少なくとも一部が多孔体表面で電解重合させて合成された導電性樹脂で覆われている。 - 特許庁

The material of a reaction layer is filled from the metallic porous body side and hot pressing is carried out under the optimum conditions for the material to manufacture the objective gas diffusion electrode.例文帳に追加

請求項１の接合体の金属多孔体側から反応層材料を充填し、反応層材料の最適条件でホットプレスすることによって作製したことを特徴とするガス拡散電極。 - 特許庁

According to the present invention, the concentration distribution of particles can be calculated in the concentration polarized layer from experimental data of filtration flux and a concentration gradient diffusion coefficient calculated by applying numerical analysis method thereto.例文帳に追加

本発明によると、濾過フラックスの実験データと、ここに数値解法を適用して計算した濃度勾配拡散係数から濃度分極層において、粒子の濃度分布を算出することが出来る。 - 特許庁

The majority carrier capturing region and the minority carrier capturing region are formed of the same diffusion layer as that in the source or drain region of the MOS transistor formed in the high power supply voltage circuit section.例文帳に追加

また、多数キャリア捕獲領域および少数キャリア捕獲領域は、高電源電圧回路部に形成されたＭＯＳ型トランジスタのソースあるいはドレイン領域と同一の拡散層にて形成した。 - 特許庁