「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(97ページ目) - Weblio英語例文検索

The capacitor contact 152 consists of a first metal plug 150 connected electrically with the metal lower electrode 124, a first silicide layer 148 provided from the bottom of the contact, across the sidewall thereof in contact with the first metal plug 150, and a first silicon layer 146 provided at least on the bottom of the contact, while touching the first diffusion layer 108.例文帳に追加

容量コンタクト１５２は、メタル下部電極１２４と電気的に接続される第１メタルプラグ１５０と、コンタクト底部からコンタクト側壁部にわたって設けられ、第１メタルプラグ１５０と接している第１シリサイド層１４８と、少なくともコンタクト底部に設けられ、第１拡散層１０８と接している第１シリコン層１４６とからなる。 - 特許庁

The thermal energy of a thermal head in the printer is imparted to a coloring layer 6 during the slight diffusion state of the thermal energy in the multicolor thermosensitive medium 1 by an effect that the thermal energy of a thermal head in the printer is imparted from the side of an overcoat layer 9 located on the coloring layer 6 that the multicolor thermosensitive medium 1 has.例文帳に追加

印刷装置のサーマルヘッドの熱エネルギーが多色感熱媒体１が有するブラックの発色層６上にあるオーバーコート層９側から与えられることにより、多色感熱媒体１内における熱エネルギーの拡散状態が僅かなうちに、印刷装置のサーマルヘッドの熱エネルギーがブラックの発色層６に与えられる。 - 特許庁

The planographic printing plate which is composed of the aluminum sheet as its support and utilizes a silver complex salt diffusion transfer process has a specific polymer, i.e., a polymer which has a fluorine-containing aliphatic group and is insoluble in water and soluble in an alkaline in a physical development nucleus layer or between the physical development nucleus layer and a silver halide emulsion layer.例文帳に追加

アルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、物理現像核層若しくは物理現像核層とハロゲン化銀乳剤層との間に、特定の重合体、即ちフッ素脂肪族基を有し、水に不溶性で、アルカリ可溶性の重合体を含有することを特徴とする平版印刷版。 - 特許庁

In the treatment of the aluminum lithographic printing material having a physical developing nucleus layer between a silver halide emulsion layer and an aluminum support by using the silver salt diffusion transfer method to develop the printing material by a coating method, the printing material contains phosphate radicals in the silver halide emulsion layer side.例文帳に追加

ハロゲン化銀乳剤層とアルミニウム支持体の間に物理現像核層を有するアルミニウム平版印刷材料を塗布方式により現像処理する銀塩拡散転写方式を利用する平版印刷版の処理に於いて、ハロゲン化銀乳剤層側に燐酸根を含有することを特徴とするアルミニウム平版印刷材料の処理方法。 - 特許庁

When forming the MOS transistor in the LDD structure including gate sidewalls 14 at both ends of a gate electrode 12 and a salicide layer 16 on the source/drain region, thickness of the gate side walls when forming a deep diffusion layer 13b of the source/drain region is made different from thickness of the gate side walls, when forming the salicide layer 16 on the source/drain region.例文帳に追加

ゲート電極１２の両端のゲート側壁１４およびソース・ドレイン領域上のサリサイド層１６を有するＬＤＤ構造のＭＯＳトランジスタを形成する際、ソース・ドレイン領域の深い拡散層１３ｂを形成する際のゲート側壁の厚さと、ソース・ドレイン領域上にサリサイド層１６を形成する際のゲート側壁の厚さを異ならせる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that can suppress remaining of an oxide layer on a surface layer of a conductive pattern, suppresses an increase in dielectric constant of a surface layer of an insulating film, and also suppresses a decrease in adhesiveness between the insulating film and a diffusion preventive film when SiOH, SiCOH, or an organic polymer is used for the insulating film.例文帳に追加

ＳｉＯＨ、ＳｉＣＯＨ、又は有機ポリマーを絶縁膜として使用した場合に、導電パターンの表層に酸化層が残ることを抑制でき、絶縁膜の表層の比誘電率が上昇することを抑制でき、かつ絶縁膜と拡散防止膜の密着性が低下することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This electrode structure for fuel cell consists of a catalyst layer and a gas diffusion layer, and has a thin film 28 having a plurality of fine holes 27 with regularity formed in thickness direction and a catalyst substance, a proton conductive substance, and a conductive substance are carried at least inside the fine holes 27 formed in the thin film 28 to make the catalyst layer 21.例文帳に追加

触媒層とガス拡散層とからなる燃料電池用の電極構造であって、規則性を持った複数の微細穴２７が膜厚方向に形成された薄膜２８を備え、その薄膜２８に形成された微細穴２７の少なくとも内部に、触媒物質と、プロトン伝導物質と、導電物質とを担持させて触媒層２１とした。 - 特許庁

To obtain a highly reliable DRAM hybrid semiconductor device in which a good metal silicide layer capable of suppressing junction leak and channel leak of a transistor is formed on a lightly doped diffusion layer of the source-drain region at a DRAM part, and wiring resistance and contact resistance are reduced by increasing the area of the metal silicide layer.例文帳に追加

ＤＲＡＭ部において、接合リークおよびトランジスタのチャネルリークを抑制できる、良好な金属シリサイド層をソース・ドレイン領域の低濃度拡散層上に形成すると共に、この金属シリサイド層の面積を増大させて、配線抵抗の低減およびコンタクト抵抗の低減を図り、高速で信頼性の高いＤＲＡＭ混載半導体装置を得る。 - 特許庁

The semiconductor variable resistor 10 is provided with a substrate 1, a first conductive semiconductor layer 2 formed on the substrate 1, a plurality of second conductive diffusion resistors 3 formed in the semiconductor layer 2, an insulating film 4 formed on the semiconductor layer 2, and a control electrode 5 formed on the insulating film 4.例文帳に追加

本発明に係る半導体可変抵抗素子１０は、基板１と、基板１上に形成され第１導電型を有する半導体層２と、その半導体層２中に形成され第２導電型を有する複数の拡散抵抗３と、その半導体層２上に形成された絶縁膜４と、その絶縁膜４上に形成された制御電極５とを備える。 - 特許庁

The carbon-based composite material 2 is composed of a carbon-based base material 4, a first coating layer 8 which is formed in the base material 4 side and capable of suppressing diffusion of corrosion species, and a second coating layer 10 which is formed on the surface of the first coating layer 8 and includes crystal grains having anisotropy in thermal expansion and a glass phase being filled between the crystal grains.例文帳に追加

炭素系複合材料２を、炭素系基体４と、当該基体４側に形成され腐食種拡散抑制可能な第１の被覆層８と、この第１の被覆層８の表面に形成され、熱膨張の異方性を有する結晶粒子と当該粒子間を充填するガラス相とを有する第２の被覆層１０とする。 - 特許庁

Impurity diffusion layers 4, a buffer insulating layer 4 composed of (Ce, Zr)O2 (or CeO2), the second ferroelectric layer 5 comprising Bi3TiNbO9, the first ferroelectric layer 6 consisting of Bi4Ti3O12, and a gate electrode 7 composed of polysilicon are laminated successively in an active region surrounded by the LOCOS film 2 of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１のＬＯＣＯＳ膜２によって囲まれる活性領域には、不純物拡散層４と、（Ｃｅ，Ｚｒ）Ｏ_2 （又はＣｅＯ_2 ）からなるバッファ絶縁層４と、Ｂｉ_3 ＴｉＮｂＯ_9 からなる第２の強誘電体層５と、Ｂｉ_4 Ｔｉ_3 Ｏ__12からなる第１の強誘電体層６と、ポリシリコンからなるゲート電極７とが順に積層されている。 - 特許庁

An aperture 34a which is formed by removing a negative electrode 34 and releases the gas to a sealing atmosphere in a sealing can 50 is installed on the dark spot portion 33a, which is generated in an organic compound layer 33 by diffusion of the gas contained in the foundation layer 10 through a pinhole 21 of the gas barrier layer 20.例文帳に追加

下地層１０に含まれるガスがガスバリア層２０のピンホール２１を通して有機化合物層３３中に拡散することで有機化合物層３３に生じるダークスポット部３３ａの上に、陰極３４を除去することにより形成されたものであって上記ガスを封止缶５０内の封止雰囲気中に放出する開口部３４ａを、設けた。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which comprises a first conductive type semiconductor layer, a polysilicon resistor formed via an insulating film on the semiconductor layer, and a second conductive type impurity diffusion region formed on a position which is the principal surface of the semiconductor layer and which corresponds to a portion under the polysilicon resistor, and which amplifies an analog RGB signal.例文帳に追加

第１導電型の半導体層と、前記半導体層上に絶縁膜を介して形成されたポリシリコン抵抗と、前記半導体層の主表面であって前記ポリシリコン抵抗の下部に対応する位置に形成された第２導電型の不純物拡散領域とを有する、アナログのＲＧＢ信号を増幅する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The electrode for the fuel cell is equipped with a metallic catalyst, a carrier supporting the metallic catalyst, a cation conductor made of a metal phosphate, a catalyst layer containing a binder, and a gas diffusion layer made of a conductive substrate and laminated with the catalyst layer, and the manufacturing method of the electrode for the fuel cell and the fuel cell are also provided.例文帳に追加

本発明によれば，金属触媒と，上記金属触媒を支持する担体と，金属フォスフェイトからなる陽イオン伝導体と，バインダーとを含有する触媒層と，導電性の基材から形成され，上記触媒層が積層されるガス拡散層とを備える燃料電池用の電極とその製造方法，および燃料電池が提供される。 - 特許庁

The diffusively reflective member 100 includes a flexible base film 110, a light reflection layer 120 which is arranged on the surface of the base film and reflects the first light made incident from the outside and a light diffusion layer 130 which is arranged on the surface of the light reflection layer, changes the first light to the partially diffused second light and emits the light to the outside.例文帳に追加

拡散−反射部材１００は、フレキシブルなベースフィルム１１０、 ベースフィルムの表面に配置され、外部から入射した第１光を反射させるための光反射層１２０及び光反射層の表面に配置され、第１光を部分拡散された第２光に変更させて外部に出射するための光拡散層１３０を含む。 - 特許庁

A thick via 51 is formed on the upper face of an upper electrode 35 of a capacitor formed in a predetermined wiring layer, and a via 60a thinner than the thick via 51 and copper wiring 61a arranged in a wiring layer formed at the upper part of the predetermined wiring layer are successively formed through the diffusion stopper film of copper at the upper part of the via 51.例文帳に追加

所定の配線層中に形成されたキャパシタの上部電極３５上面に太いビア５１が形成され、このビア５１上方には銅の拡散ストッパ膜を介し、前記所定の配線層の上部に形成された配線層に配置され太いビア５１より細いビア６０ａおよび銅配線６１ａが順次形成される。 - 特許庁

An LCD driver IC 14 (semiconductor device) comprises: a transistor element 31; an STI separation layer 32 for separating the transistor element 31 electrically; gate wiring 34 formed over the STI separation layer 32 and the diffusion region 43; and an insulation film 41 formed between the gate wiring 34 and the STI separation layer 32.例文帳に追加

ＬＣＤドライバＩＣ１４（半導体装置）は、トランジスタ素子３１と、トランジスタ素子３１を電気的に分離するためのＳＴＩ分離層３２と、ＳＴＩ分離層３２及び拡散領域４３上に跨って形成されたゲート配線３４と、ゲート配線３４とＳＴＩ分離層３２との間に形成された絶縁膜４１とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of mitigating compression stress in a diffusion preventing film without neither changing the dielectric constant, etc., of an inter-layer insulation film with embedded wiring formed therein, nor giving damage to the inter-layer insulation film, and increasing hardness and elastic modulus in the inter-layer insulation film.例文帳に追加

本発明は、埋め込み配線が形成されている層間絶縁膜の誘電率等を変化させること無く、また当該層間絶縁膜にダメージを与えること無く、拡散防止膜の圧縮応力を緩和することができ、さらには、当該層間絶縁膜の硬度および弾性率を増加させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the target of an X-ray tube where a graphite base material and a Mo base material or a Mo alloy base material are jointed with each other via a connection layer, when a composition ratio of the connection layer by an EPMA is detected, the connection layer has a diffusion phase of MoTaTi, a TaTi alloy phase, a Ta-rich phase, and a ZrTa alloy phase.例文帳に追加

グラファイト基材と、Ｍｏ基材もしくはＭｏ合金基材とを接合層を介して接合したＸ線管用ターゲットにおいて、前記接合層についてＥＰＭＡにより組成比を検出したとき、前記接合層はＭｏＴａＴｉの拡散相、ＴａＴｉ合金相、Ｔａリッチ相、ＺｒＴａ合金相を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes an n-type semiconductor substrate 1, in which a p-type collector layer 2 is formed on the second principal plane, a trench 13 is formed on the outer edge so as to reach from the first principal plane to the collector layer 2 to surround the inside, and a p-type isolation region 14 coupled to the collector layer 2 is formed with the sidewall by diffusion.例文帳に追加

半導体装置は、第２主面側にｐ型のコレクタ層２が形成されたｎ型の半導体基板１を有し、その周縁部に内部を取囲むように第１主面よりコレクタ層２に到達するようにトレンチ１３が形成され、その側壁より拡散にて形成されたｐ型分離領域１４がコレクタ層２と連結して設けられている。 - 特許庁

Next, ions are implanted into the structure, the ions forming defects by which mechanical decoupling is achieved at the interface or vicinity of the interface; then a heating step is performed to the structure including the implanted ions, by which mutual diffusion of Ge through the first single crystal Si layer and SiGe layer is achieved; thereby a SiGe layer that is substantially relaxed single crystal and homogenous is formed on the barrier layer.例文帳に追加

次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成することができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第１の単結晶Ｓｉ層およびＳｉＧｅ層を通るＧｅの相互拡散を可能にする加熱ステップを施して、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のＳｉＧｅ層を形成する。 - 特許庁

This 1/4 wavelength plate is used for the backlight system having the polarization reflective plate, and is constituted of a 1/4 wavelength layer and a light diffusion layer where rugged parts are formed on a nearly whole surface of its one side surface layer, and which develops light diffusiveness since the light beam transmitting the surface layer is diffracted in many directions by refractive index differences of the rugged interface.例文帳に追加

偏光反射板を有するバックライトシステムに用いるための１／４波長板であって、該１／４波長板は、１／４波長層と、（１）その一方の表層のほぼ全面に凹凸が形成されてなり、かつ（２）該表層を透過する光が該凹凸界面の屈折率差により多方向に屈折されることにより光拡散性を発現する光拡散層とからなることを特徴とする１／４波長板。 - 特許庁

The reflection sheet 1 for the back light unit for reducing the diffusion of rays is provided with a substrate sheet layer 2 made of a white synthetic resin and a flawing preventive layer 3 laminated on the surface side of the layer 2 and is characterized in that the layer 3 has a binder 4 and beads 5 dispersed in the binder 4 and that silicone rubber is used as the material of the beads 5.例文帳に追加

光線の放散を低減するバックライトユニット用の反射シート１であって、白色合成樹脂製の基材シート層２とこの基材シート層２の表面側に積層される傷付き防止層３とを備え、この傷付き防止層３がバインダー４とこのバインダー４中に分散するビーズ５とを有しており、このビーズ５の材料としてシリコーンゴムが用いられていることを特徴とするものである。 - 特許庁

Therein, the antireflection film is constituted such that the value obtained by dividing a center line average roughness Ra2 on the antistatic layer surface after applying the antistatic layer with a center line average roughness Ra1 on the light diffusion layer surface before applying the antistatic layer falls into 0.5 to 1.0.例文帳に追加

透明支持体上に、少なくとも光拡散層、帯電防止層、透明支持体よりも屈折率が低い低屈折率層をこの順に塗設した反射防止フィルムにおいて、帯電防止層を塗設する前の光拡散層表面の中心線平均粗さＲａ１で帯電防止層塗設後の帯電防止層表面の中心線平均粗さＲａ２を除した値が、０．５〜１．０であることを特徴とする反射防止フィルム。 - 特許庁

A first oxide layer 4 is provided on a substrate 1, a capacitor having a metal oxide containing capacitor material layer 32 separated on a downside electrode and upside electrodes 31, 33 is formed thereon, and the first oxide layer 4 is doped prior to forming the capacitor, and a barrier substance forming a hydrogen diffusion barrier 7A is doped in the first oxide layer under the use of a plasma doping method.例文帳に追加

サブストレート１の上に第一の酸化物層４を設け、その上に下側電極及び上側電極３１、３３及びこれらの間に析出した金属酸化物含有コンデンサー材料層３２を有するコンデンサーを形成させ、コンデンサーの形成の前に、第一の酸化物層４を、プラズマドープ法の使用下に、第一の酸化物層中で水素拡散バリア７Ａを形成するバリア物質をドープする。 - 特許庁

The catalyst combustor for the gas fuel having the planar combustion catalyst layer on the end face of a casing comprises a plurality of laminates each consisting of a plurality of porous ceramic paper sheets laminated, arranged on the front stage of the catalyst layer in spaced relation, and diffusion layers formed between the adjacent laminates and between the laminate near the catalyst layer and the catalyst layer.例文帳に追加

ケーシングの端部面に平面状燃焼触媒層を備えたガス燃料の触媒燃焼器であって、該触媒層の前段に、複数の多孔質セラミックペーパーを積層してなる積層体の複数個を間隔を置いて配置するとともに、相隣り合う積層体の間、及び、触媒層寄りの積層体と触媒層の間に拡散層を形成してなることを特徴とするガス燃料の触媒燃焼器。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium of high density wherein adhesion of a substrate and a nano particle layer is improved and diffusion of impurities from the substrate is prevented and hard magnetic regular alloy is formed without increasing transformation temperature.例文帳に追加

支持体とナノ粒子層との密着性を改良し、かつ、支持体からの不純物拡散を阻止し変態温度を上昇させることなく硬磁性規則合金を形成した高密度の磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

A potential difference between the negative electrode of the solid electrolyte secondary cell and the diffusion layer (g) is fixed so as to be equal to or larger than a potential difference between the negative and positive electrodes of the solid electrolyte secondary cell.例文帳に追加

固体電解質二次電池の負極に対する拡散層ｇの電位差は、固体電解質二次電池の負極に対する正極の電位差と同じか、またはそれ以上の電位差で固定されている。 - 特許庁

The high concentration p-type diffusion layer 10 has a base part 10a (a cross-shaped intersecting part) positioned within a source contact part 4s and a plurality of extension parts 10b extending from the base part 10a to the outside of the source contact part 4s.例文帳に追加

上記高濃度ｐ型拡散層１０は、ソースコンタクト部４sの内側に位置する基部１０a(十字形の交差部分)と、上記基部１０aからソースコンタクト部４sの外側に延びた複数の延伸部１０bとを有する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus manufacturing method which can reduce a junction leakage current on a floating diffusion layer with a silicide formed on its surface, and control the development of a white defect etc. and a solid-state imaging apparatus.例文帳に追加

表面にシリサイドが形成された浮遊拡散層での接合リーク電流を低減し、白キズ等の発生を抑制することができる固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

A clamper 9 holding a master 7 being screen stencil paper is provided on the outer peripheral surface of the porous cylindrical substrate 5 of the plate cylinder 4 and a screen 38 being an ink diffusion layer is provided to the substrate.例文帳に追加

版胴４の多孔性円筒状の基体５の外周面には孔版原紙としてのマスタ７を挟持するクランパ９が設けられているとともに、インキ拡散層としてのスクリーン３８が設けられている。 - 特許庁

To provide the forming method of conductive film pattern, the manufacturing method of a device, an electro-optical device and an electronic instrument, in which the diffusion of a metal element is prevented by covering the film pattern by a more precise barrier metal layer.例文帳に追加

膜パターン上をより緻密なバリアメタル層で覆うことにより、金属元素が拡散することを防止した、導電膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

The diffusion of heat to the outside of the case 8 by the electric heater 13 is suppressed by heat insulation action of the heat insulation air layer 8c to heat and vaporize the pressure medium (a) efficiently and improve the response property for vehicle height adjustment.例文帳に追加

電気ヒータ１３による熱のケース８外への放散を断熱空気層８ｃによる断熱作用で抑制して、圧力媒体ａを効率よく加熱気化させ、車高調整の応答性を向上できる。 - 特許庁

In this case, the P-conductive type columns PC1-PC4 and the N-conductive type columns NC1-NC4 are formed of single crystal silicon and are isolated electrically from diffusion layers having conductivity except the column layer 10.例文帳に追加

そして、Ｐ導電型コラムＰＣ１〜ＰＣ４及びＮ導電型コラムＮＣ１〜ＮＣ４は、単結晶シリコンにて形成されており、コラム層１０以外の導電性を有する拡散層と電気的に絶縁されている。 - 特許庁

(2) The shape of the inner end of the electrolyte membrane holder 41 is made so that the distance C between the end in plane direction 43 of the diffusion layer and the electrolyte membrane holder 41 at the straight part and the corner may be approximately same.例文帳に追加

（２）電解質膜保持部４１の内側端部形状を、拡散層の面方向端部４３と電解質膜保持部４１との間の距離Ｃを、拡散層の直線部とコーナ部とで、ほぼ等しくする形状とした。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer capable of insuring proper drainage and moisture retention and stabilizing the drainage and moisture retention; and to provide a fuel cell and a method of manufacturing the fuel cell.例文帳に追加

本発明は、適切な排水性と保湿性とを確保することができ、かつ、排水性と保湿性とを安定させることができるガス拡散層、燃料電池、および燃料電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

The bit line parasitic capacitance Ck1 is the parasitic capacitance formed between the bit line BL and low voltage power supply (ground potential), and consists of a capacitance between adjacent bit lines and a diffusion layer capacitance of memory cell transistors.例文帳に追加

ビット線寄生容量Ｃｋ１は、ビット線ＢＬと低電位側電源（接地電位）の間に形成される寄生容量であり、隣接ビット線間の容量やメモリセルトランジスタの拡散層容量などから構成される。 - 特許庁

To restrict a short-channel effect and increase a drain current at the operation of a transistor without increasing a leak current when polysilicon doped with P or As is used as a contact to a diffusion layer of a MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの拡散層へのコンタクトとしてP またはAsをドープした多結晶シリコンを用いる場合に、短チヤネル効果を抑制し、リーク電流を増加させることなく、トランジスタの動作時のドレイン電流を増加させる。 - 特許庁

On a face opposed to a separator 6 in an air electrode gas diffusion layer 4, a recess part 40 is formed at a site opposed to an oxygen passage 60, and a protruding part 41 is formed at a site opposed to an air electrode rib 61.例文帳に追加

空気極ガス拡散層４におけるセパレータ６と対向する面には、酸素通路６０に対向する部位に凹部４０を形成し、空気極リブ６１に対向する部位に凸部４１を形成する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device, which is applicable to a hollow cylindrical semiconductor pillar, and provides a source drain diffusion layer having high position control in high concentration at low manufacturing costs, and also to provide a method for manufacturing the device.例文帳に追加

中空円筒型の半導体ピラーに適用でき、高濃度で位置制御性の高いソースドレイン拡散層を低製造コストで実現する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Although an extremely thin layer is included in the laminated structure (32), a high barrier action is obtained by a diffusion of copper due to high electric conductivity necessary for electroless-depositing the copper by using an external current.例文帳に追加

積層構造（３２）の中に非常に薄い層があるにもかかわらず、外部電流を用いて銅を電解析出するために必要な導電率の高さに起因した銅の拡散に対する、高い障壁作用が得られる。 - 特許庁

The gas diffusion layer is arranged in an air electrode of the fuel cell and has a stacked substrate, and wettability on the surface of the substrate in the stacking direction is varied.例文帳に追加

燃料電池の空気極に設けられ、集積された基材を有するガス拡散層であって、集積方向における前記基材の表面の濡れ性が変化していること、を特徴とするガス拡散層が提供される。 - 特許庁

To provide an epitaxial silicon wafer that has a high IG (Internet Gattering) ability and at the same time that suppresses a diffusion current flowing into the device area in an epitaxial silicon layer from a base silicon substrate where a high density deposit exists.例文帳に追加

高いＩＧ能力を有し、同時に、高密度析出物が存在する下地シリコン基板からエピタキシャルシリコン層内のデバイス領域に流れ込む拡散電流を低減したエピタキシャルシリコンウェハを提供する。 - 特許庁

Phosphor particles capable of absorbing the output light and emitting wavelength conversion light or a light diffusion agent for diffusing the output light is arranged on the light-emitting layer along the light guide direction.例文帳に追加

前記発光層では、前記出力光を吸収し波長変換光を放出可能な蛍光体粒子あるいは前記出力光を拡散させる光拡散剤が前記導光方向に沿って配置される。 - 特許庁

To provide an electrode structure for a solid polymer fuel cell capable of suppressing reduction in a power generation property of a fuel cell by suppressing deposition of a ruthenium component from an anode diffusion layer even in a high voltage operation.例文帳に追加

高電位運転においても、Ｒｕ成分のアノード拡散層での析出を抑え、燃料電池の発電性能の低下を抑制することができる固体高分子型燃料電池用電極構造体を提供する。 - 特許庁