「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(91ページ目) - Weblio英語例文検索

In the objective planographic printing material having at least a silver halide emulsion layer and a physical developing nucleus layer on the base and applying a silver complex salt diffusion transfer process, a water-soluble synthetic polymer having a weight average molecular weight of ≥1,000,000 is contained in the physical developing nucleus layer.例文帳に追加

支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷材料に於て、物理現像核層に重量平均分子量が１００万以上の水溶性合成高分子を含む事を特徴とする平版印刷材料。 - 特許庁

More specifically, the wound dressing material has a wound-facing layer and an outer layer layered on an intermediate layer having the three-dimensional network structure obtained by dissolving the bubble forming material in the solvent and extracting and removing the bubble forming material from the molded body of the diffusion solution including polyurethane resin and the bubble forming material.例文帳に追加

この創傷被覆材は、より具体的には、ポリウレタン樹脂と気泡形成材とを含む分散液の成形体から、前記気泡形成材を溶媒に溶解させて抽出除去して得られる３次元連続網状構造を有する中間層に、対傷面層と外層とが積層されたものである。 - 特許庁

To provide an electrode catalytic layer for a fuel cell, in which the electrode catalytic layer is provided with a water-retaining distribution to improve output performance while securing sufficient proton conductivity and gas diffusion; to provide a membrane electrode assembly for a fuel cell comprising the electrode catalytic layer; to provide a fuel cell comprising the membrane electrode assembly; and to provide a method of manufacturing the electrode catalytic layer for the fuel cell.例文帳に追加

十分なプロトン伝導性およびガス拡散性を確保しながら、電極触媒層に含水性分布を持たせ、出力性能を向上させた燃料電池用電極触媒層、この電極触媒層を備えた燃料電池用膜電極接合体、この膜電極接合体を備えた燃料電池および燃料電池用電極触媒層の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a solid polymer type liquid cell provided with an electrode having a diffusion layer and a catalytic layer and a solid polymer electrolytic membrane in which the electrodes are bonded to the both sides through the catalytic layer, the solid polymer type liquid cell is provided with a nonaqueous solvent that has non-erodibility against a solid polymer electrolyte and that is impregnated with the catalytic layer and the solid polymer electrolytic membrane.例文帳に追加

拡散層と触媒層とを備えた電極と、その両面に触媒層を介して電極が接合された固体高分子電解質膜とを備えた固体高分子型燃料電池において、固体高分子電解質に対して非侵食性を備えた非水溶液を触媒層及び固体高分子電解質膜に含浸した固体高分子型燃料電池とする。 - 特許庁

A first insulation layer 1 contg. no rubber grains is formed, a second insulation layer 2 contg. rubber grains for roughening the surface is formed thereon, and a cross link layer 4 is formed by the cross link reaction due to diffusion of acid components from the first insulation layer 1.例文帳に追加

ゴム粒子を含まない第１の絶縁層１を形成し、その上に、粗面化のためのゴム粒子を含んだ第２の絶縁層２を形成し、第１絶縁層１からの酸成分の拡散による架橋反応によって架橋層４をすることにより、第１の絶縁層１に形成されたパターン１ａのサイズを縮小して微細化すると伴に、架橋層４のゴム成分を溶解して粗面化する。 - 特許庁

The reflective metal layer 10c is bonded to an element substrate 7 through bonding metal layers 10a and 10b, and a layer 10f for blocking diffusion of metal components from the bonding metal layers 10a and 10b to the reflective metal layer 10c side is inserted between the reflective metal layer 10c and the bonding metal layers 10a and 10b.例文帳に追加

そして、該反射金属層１０ｃが結合用金属層１０ａ，１０ｂを介して素子基板７に結合されるとともに、反射金属層１０ｃと結合用金属層１０ａ，１０ｂとの間に、該結合用金属層１０ａ，１０ｂの金属成分が反射金属層１０ｃ側に拡散することを阻止する反射金属層側拡散阻止層１０ｆが介挿されてなる。 - 特許庁

The fuel cell includes a plurality of membrane-electrode assemblies 200 including an electrolyte layer and an electrode layer arranged on both faces of the electrolyte layer, and including a diffusion layer 230 which is arranged on one prescribed face of each of the plurality of membrane-electrode assemblies and which supplies gas to the membrane-electrode assemblies while circulating gas used for power generation in the membrane-electrode assemblies inside.例文帳に追加

燃料電池は、電解質層と電解質層の両面に配置された電極層とを含む複数の膜・電極接合体２００と、複数の膜・電極接合体のそれぞれの所定の一方の面に配置されると共に、内部において膜・電極接合体における発電に用いられるガスを流通させつつガスを膜・電極接合体に供給する拡散層２３０とを含む。 - 特許庁

The optical diffusion sheet is obtained by disposing a hard coat layer on one face of a resin sheet having a three-layer structure molded by co-extrusion, the resin sheet consists of a middle layer comprising a diffusing agent-containing resin and front and rear outer layers comprising a transparent resin and a matting agent is contained in the hard coat layer.例文帳に追加

共押出により成形されてなる３層構成の樹脂板の片面にハードコート層を設けた構成の光拡散板であって、前記３層構成の樹脂板が、拡散剤を混入した樹脂からなる中間層と、透明樹脂からなる表裏の外層からなり、かつ、前記ハードコート層にマット剤を混入したことを特徴とする光拡散板をよびそれを用いた透過型スクリーンである。 - 特許庁

A plurality of trenches 11, an N type pillar region 2 formed by diffusing N type impurities contained in a dielectric layer 12 filling the trench 11 into a P type epitaxial layer, and a P type pillar region 3 by the P type epitaxial layer remaining between the diffusion regions are provided on the P type epitaxial layer laminated on a high concentration N type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

高濃度Ｎ型の半導体基板１上に積層されたＰ型のエピタキシャル層上に、複数のトレンチ溝１１と、トレンチ溝１１内に充填された誘電体層１２に含まれるＮ型不純物が、Ｐ型のエピタキシャル層中に拡散して形成されたＮ型ピラー領域２と、拡散領域間に残ったＰ型のエピタキシャル層によるＰ型ピラー領域３とを備える。 - 特許庁

An n- type epitaxial Si layer held between trenches 3 is changed to a semiconductor structure consisting of n-type pillar layer 5/p-type pillar layer 4/n-type pillar layer 5 arranged transversely, which practically plays the same role as a super junction structure, by implanting As and B to a side surface of the trench 3 by using a rotational ion implantation method and using the difference in diffusion coefficient.例文帳に追加

回転イオン注入法を用いてＡｓおよびＢをトレンチ３の側面に注入し、拡散係数の違いを利用することによって、トレンチ３で挟まれたｎ^- 型エピタキシャルＳｉ層を、横方向に並んだｎ型ピラー層５／ｐ型ピラー層４／ｎ型ピラー層５からなる、実質的にＳｕｐｅｒ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ構造と同じ役割を果たす半導体構造に変える。 - 特許庁

The fine porous layer is formed by preparing a plurality of cerium oxides differing in particle size or specific surface area, mixing the plurality of cerium oxides at a predetermined ratio to prepare a mixed cerium oxide, manufacturing a fine porous layer formation member including the mixed cerium oxide, a water-repellent member, and a conductive member, and coating the fine porous layer formation member on the diffusion base material layer.例文帳に追加

微多孔質層は、粒子径または比表面積が異なる複数の酸化セリウムを用意し、複数の酸化セリウムを所定の割合で混合して混合酸化セリウムを作製するとともに、混合酸化セリウムと撥水性部材と導電性部材とを含む微多孔質層形成部材を作製し、微多孔質層形成部材を拡散基材層上に塗工することにより形成される。 - 特許庁

To uniformly form a brazing material layer on an outer face of a seamless pipe body, to prevent diffusion of components forming the brazing material layer to a side of the pipe body at the time of forming the brazing material layer, and to enable arbitrary addition of a necessary amount of a prescribed flux or a sacrificial corrosion prevention material to the brazing material layer.例文帳に追加

本発明は、シームレスの管体の外面にろう材層を均一に形成することができ、ろう材層形成の際のろう材層構成成分の管体側への拡散を防止できるとともに、ろう材層に所望のフラックスまたは犠牲防食用材料を必要量自由に添加することができるろう材引抜き管の製造方法と製造装置の提供を目的とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a resistance change type element X like this includes: a step of forming a laminate structure including electrodes 1 and 2, an oxide layer 3, and a non-oxidizer layer 4; and an oxidizing step of making a portion of oxygen in the oxide layer 3 reach the electrode 2 through thermal diffusion to partially oxidize an end surface of the electrode 2 on the side of the oxide layer 3.例文帳に追加

このような抵抗変化型素子Ｘの製造方法は、電極１，２、酸化物層３、および非酸化性物質層４を含む積層構造を形成する工程と、酸化物層３内の酸素の一部を熱拡散によって電極２に至らしめて当該電極２における酸化物層３側の端面を部分的に酸化させる酸化工程とを含む。 - 特許庁

The method of forming a diffusion barrier used for manufacturing the semiconductor device includes a step for depositing an iridium-doped tantalum-based barrier layer on a pattern-formed intermediate dielectric (ILD) layer by a physical vapor deposition (PVD) process, and the barrier layer is deposited to form the barrier layer into amorphous structure as a result, at least 60% of an iridium concentration in terms of atomic weight.例文帳に追加

半導体デバイス製造に用いる拡散バリアを形成する方法は、物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、パターン形成された中間誘電体（ＩＬＤ）層の上に、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を堆積するステップを含み、該バリア層は、原子量で少なくとも６０％のイリジウム濃度で、バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように堆積される。 - 特許庁

The oblique ion pouring and the ion pouring for forming the well-contact layer 4 are effected, so that the profile 34 of a first conductivity impurities forming the well contact layer 4 covers the profile 33 of impurities forming the impurities diffusion layer in the profile of impurities in the well contact layer 4, when a depth is positioned in the axis of ordinates and the density of impurities is positioned in the axis of abscissas.例文帳に追加

上記斜めイオン注入と、上記ウェルコンタクト層４を形成するためのイオン注入とは、ウェルコンタクト層４の不純物プロファイルにおいて、縦軸に深さをとり、横軸に不純物濃度をとったとき、不純物拡散層を形成する不純物のプロファイル３３を、ウェルコンタクト層４を形成する第１導電型の不純物プロファイル３４が覆い被さるように行なう。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises the photodiode PD and the floating impurity diffusion area 22 which are formed on the surface layer of a pixel area of a silicon (semiconductor) substrate 1 with an interval and a transfer gate 12 formed on the silicon substrate 1 between the photodiode PD and the floating impurity diffusion area 22 through a gate insulating film 5c and having ruggedness turned to the side of the floating impurity diffusion area 22.例文帳に追加

シリコン（半導体）基板１の画素領域の表層に、互いに間を隔てて形成されたフォトダイオードPD及び浮遊不純物拡散領域２２と、フォトダイオードPDと浮遊不純物拡散領域２２との間のシリコン基板１上に、ゲート絶縁膜５ｃを介して形成され、浮遊不純物拡散領域２２側に向けて凹凸を有する転送ゲート１２とを有する固体撮像装置による。 - 特許庁

An inter-layer insulating film structure which includes at least a copper contact or copper wire line connected to the lower contact and a copper diffusion preventive film for preventing copper diffusion of the copper contact or copper wiring and having an optical element opening part for collecting light from the surface of its top part of the optical element through the copper diffusion preventive film above the optical element is formed inside on the lower insulating film.例文帳に追加

下部絶縁膜上の内部に下部コンタクトと接続する少なくとも一つの銅コンタクトまたは銅配線ラインと銅コンタクトまたは銅配線の銅拡散を防止するための銅拡散防止膜を含み、光素子上部にその最上部表面から銅拡散防止膜を通過するように光を収集するための光素子開口部を有する層間絶縁膜構造物を形成する。 - 特許庁

The thickness of the depletion layer which is formed between the n-type InP substrate 1 and the p-type diffusion layer region 7 when voltage is applied to a cathode electrode 8 and an anode electrode 9 is larger than that of a light receiver A at least in part of a region below the anode electrode 9.例文帳に追加

カソード電極８とアノード電極９に電圧を印加したときに、ｎ型ＩｎＰ基板１とｐ型拡散層領域７との間に形成される空乏層の厚さは、アノード電極９の下部領域の少なくとも一部で受光部Ａより厚くなる。 - 特許庁

To separately control a distance from a channel into optimum states under a gate electrode of a salicide layer on a source/drain region of a MOS transistor in an LDD structure, and a distance from a channel into optimum states under a gate electrode of a deep diffusion layer in the source/drain region.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域上におけるサリサイド層のゲート電極下のチャネル部からの距離と、ソース・ドレイン領域のうちの深い拡散層のゲート下電極のチャネル部からの距離を別々に最適状態に制御する。 - 特許庁

In the processing method for the optical recording medium, the recording layer with recorded information of the optical recording medium having at least the recording layer wherein the information is recorded by using holography is irradiated with processing light passed through a light diffusion member of 70 to 100% in haze value.例文帳に追加

ホログラフィを利用して情報を記録する記録層を少なくとも有する光記録媒体の情報を記録した該記録層に対し、曇価が７０〜１００％である光拡散部材を通した処理光を照射する光記録媒体の処理方法である。 - 特許庁

This conductive fine particle is composed of a fine particle of a basic material whoes surface is covered with one or more metallic layers, wherein at least one layer of the metallic layers is an alloy layer made by heat diffusion of metallic layers more than 2.例文帳に追加

基材微粒子の表面が、１層以上の金属層に覆われてなる導電性微粒子であって、前記金属層のうち、少なくとも１つの層が、２つ以上の金属層を熱拡散させることにより得られる合金層である導電性微粒子。 - 特許庁

The catalyst layers (120a, 120c) are made to have a laminate structure of a layer (122a, 122c) in which cavities are formed and a layer (121a, 121c) in which cavities are not formed, the layers (122a, 122c) being disposed on the sides of gas diffusion layers (130a, 130c).例文帳に追加

触媒層（１２０ａ、１２０ｃ）を、空隙が形成された層（１２２ａ、１２２ｃ）と空隙が形成されていない層（１２１ａ、１２１ｃ）との積層構造とし、空隙が形成された層（１２２ａ、１２２ｃ）を、ガス拡散層（１３０ａ、１３０ｃ）側に配置する。 - 特許庁

To provide an MEMS sensor, in particular, suppressing oxidation of the bonding surface of an Al layer, and appropriately subjected to eutectic bonding or diffusion bonding, in relation to a bonding structure having the Al layer between a support conduction part (anchor part) or the like and a wiring board.例文帳に追加

支持導通部（アンカ部）等と配線基板間のＡｌ層を備える接合構造に関し、特に、前記Ａｌ層の接合表面の酸化を抑制でき、適切に共晶接合又は拡散接合できるＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus capable of reducing a dark current caused by an interface state without preparing a hole accumulation layer made of an impurity diffusion layer, and thereby capable of arranging a sensor on a shallow position of a semiconductor substrate and improving charge transfer efficiency.例文帳に追加

不純物拡散層からなる正孔蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減でき、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

Further, the conductive layer including Cu is provided in such a manner that it does not overlap with the semiconductor layer in which a channel region of a TFT is formed, and is surrounded by insulating layers including silicon nitride to prevent Cu diffusion, and thus, a highly reliable semiconductor device can be manufactured.例文帳に追加

また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

The data line of this non-volatile semiconductor memory device is composed of an inversion layer formed on the main plane of the semiconductor substrate 1 to which the auxiliary gate 9 faces when a desired electric voltage is impressed to the auxiliary gate 9, and the n-type diffusion layer 3.例文帳に追加

この不揮発性半導体記憶装置のデータ線は、補助ゲート９に所望の電圧を印加した際にその補助ゲート９が対向する半導体基板１の主面部分に形成される反転層と、上記ｎ型拡散層３とで構成される。 - 特許庁

To provide a method for forming a porous carbon layer allowing catalyst to be effectively used when used particularly for a gas diffusion layer of a fuel cell without hindering a diffusive property of a fuel, by efficiently depositing carbon particles on a substrate with a simple method.例文帳に追加

簡易な方法で効率よく基板上に炭素粒子を堆積させて、特に燃料電池のガス拡散層に用いた場合に触媒を有効利用でき、かつ燃料の拡散性を阻害しない多孔質炭素層を形成させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly excellent in joining property on the interface between a catalyst layer and a diffusion layer and high in durability when an electrolyte membrane in which a contraction percentage when dried from a swelling state to a dry state is 5% or more is used.例文帳に追加

膨潤状態から乾燥状態まで乾燥したときの収縮率が５％以上である電解質膜を用いたときに、触媒層と拡散層との界面接合性が良好で、優れた耐久性を有する膜電極接合体を提供する。 - 特許庁

A hole 19 is formed at the cathode gas diffusion layer 12c, and though penetrating this hole 19, a rib 15 of the cathode separator 13c and the solid polyelectrolyte membrane 10 or the cathode catalyst layer 11c are connected, and a connecting member 17 having a capillary phenomenon is provided.例文帳に追加

カソードガス拡散層１２ｃに孔１９を設け、この孔１９を貫通して、カソードセパレータ１３ｃのリブ部１５と、固体高分子電解質膜１０またはカソード触媒層１１ｃとを接続するとともに毛細管現象を有する接続部材１７を設ける。 - 特許庁

In the fluorescent lamp type illumination lamp, a cylindrical body 10 is constructed of a cylindrical light guide tube 11 with a thickness of around 3 mm-5 mm or more made of polycarbonate resin with a light reflection layer 12 formed on the inner circumference face and a light diffusion layer 13 formed on the outer circumference face.例文帳に追加

筒状の本体１０は、内周面に光反射層１２を形成し、外周面に光拡散層１３を形成したポリカーボネート樹脂製の肉厚３ｍｍ〜５ｍｍ前後あるいはそれ以上の円筒形の導光筒１１によって構成される。 - 特許庁

Transparent base materials 12, 13 are layered on a light selection layer 11 composed of a resin layer obtained by dispersing a reflection material having a flake-like particle shape and light diffusion layers 21, 31 are formed on both the sides, i.e. the front and rear sides, of the transparent base materials 12, 13 to constitute the screen 1.例文帳に追加

フレーク状の粒子形状をした反射材を分散させた樹脂層からなる光選択層１１に透明な基材１２、１３を積層し、この表側と裏側の両方に光拡散層２１、３１を設けることによりスクリーン１を構成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises a step of forming an epitaxial layer 35a as a base layer of the bipolar transistor, in a state in which a gate electrode 31 of the insulated gate field effect transistor having at least a compound film of a high melting point metal is covered with a diffusion preventive film 57 of the high melting point metal.例文帳に追加

高融点金属の化合物膜を少なくとも含む絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極３１を高融点金属の拡散防止膜５７で覆った状態で、バイポーラトランジスタのベース層としてのエピタキシャル層３５ａを形成する。 - 特許庁

A Co2Si film 11 is formed on the surfaces of an N (P)-type gate silicon layer 5 (6) and an N (P)-type diffusion layer 8 (9) through high-temperature sputtering the Co2Si film 11 is turned into a CoSi film 12, and furthermore the CoSi film 12 is turned into a CoSi2 film 13 by a thermal treatment.例文帳に追加

そして、高温スパッタリングでＮ（Ｐ）型ゲートシリコン層５（６）、Ｎ（Ｐ）型拡散層８（９）表面にＣｏ_2 Ｓｉ膜を成膜し、熱処理でＣｏ_2 Ｓｉ膜１１をＣｏＳｉ膜１２に更にＣｏＳｉ膜１２をＣｏＳｉ_2 膜１３に変換する。 - 特許庁

A reverse breakdown voltage for the reverse blocking IGBT can be secured while an optimal value in a trade-off of an ON-state voltage and a switching loss can be selected by performing an ion implantation for forming the diffusion layer 21 within the trench and an ion implantation for forming a collector layer 22, separately.例文帳に追加

また、溝内拡散層２１を形成するイオン注入とコレクタ層２２を形成するイオン注入を分けて行うことで、逆阻止ＩＧＢＴの逆耐圧を確保しながらオン電圧とスイッチング損失のトレードオフ上の最適値を選択することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element of high luminance and high reliability by suppressing increase in a forward voltage and suppressing diffusion of additives from a current dispersion layer, even if GaP is used as the current dispersion layer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor light emitting element.例文帳に追加

電流分散層としてＧａＰを用いた場合であっても、順方向電圧の上昇を抑制し、電流分散層からの添加物の拡散を抑制し、高輝度及び高信頼性の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A nickel silicide layer 114 is formed on the gate electrode in a silicide formation region A and on the source drain diffusion layer, and the first side wall 108 has resistance to an etching material when the second side wall 109 is etched.例文帳に追加

シリサイド形成領域Ａにおけるゲート電極の上部及びソースドレイン拡散層の上部にはニッケルシリサイド層１１４が形成されており、第１のサイドウォール１０８は、第２のサイドウォール１０９をエッチングする際のエッチング材に対して耐性を有している。 - 特許庁

To provide a silicon wafer etching method that effectively removes Cu together with a wafer surface layer by etching while preventing diffusion of metal impurities such as Cu or the like from the wafer surface layer to a bulk part when etching a silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハをエッチングする際に、ウェーハの表層からバルク部へのＣｕ等の金属不純物の拡散を防止しながら、ウェーハ表層と共にＣｕを効果的にエッチング除去することができるシリコンウェーハのエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The anode-side electrode 20 consists of: a first electrode catalyst layer 20a abutting on one face 18a of the solid polymer electrolyte membrane 18 and exposing the outer periphery of the solid polymer electrolyte membrane 18 in a frame shape; and a first gas diffusion layer 20b.例文帳に追加

アノード側電極２０は、固体高分子電解質膜１８の一方の面１８ａに当接し、且つ前記固体高分子電解質膜１８の外周を額縁状に露呈させる第１電極触媒層２０ａ及び第１ガス拡散層２０ｂを設ける。 - 特許庁

Over an outer surface 141 introducing measurement gas in the porous diffusion-resistant layer 14, a surface protective layer 3 is formed to have hydrophilicity at room temperature and water repellancy at a high temperature where the solid electrolyte body 11 is activated.例文帳に追加

多孔質拡散抵抗層１４における被測定ガスを導入する外表面１４１上には、常温において親水性を有し、固体電解質体１１が活性となる高温時において撥水性を有する表面保護層３が形成されている。 - 特許庁

To provide a nitride based semiconductor epitaxial substrate capable of ensuring the electric insulation between a device layer side and a GaN monocrystal substrate, and capable of restricting a diffusion of Mg for controlling the conductivity to the device layer side, its manufacturing method and a substrate for HEMT.例文帳に追加

デバイス層側とＧａＮ単結晶基板との電気絶縁性を確保でき、且つ、伝導性制御用のＭｇがデバイス層側に拡散することを抑制できる窒化物系半導体エピタキシャル基板、その製造方法、及びＨＥＭＴ用基板を提供すること。 - 特許庁

In the planographic printing plate having at least a silver halide emulsion layer and a physical developing nucleus layer on the substrate and applying a silver complex salt diffusion transfer process, a compound containing two or more mercapto groups is contained.例文帳に追加

支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版に於いて、該平版印刷版がメルカプト基を２個以上有する化合物を含有することを特徴とする平版印刷版。 - 特許庁

To provide a fuel cell system capable of keeping the water content held in a cathode catalyst layer or a cathode gas diffusion layer composing a membrane electrode assembly in an optimum range, and keeping stable output for a long time.例文帳に追加

膜電極接合体を構成するカソード触媒層やカソードガス拡散層の中に保持される水量を適切な範囲に維持することができ、長期間に亘って安定した出力を維持することができる燃料電池システムを提供することを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor device is one constituted by connecting a semiconductor element 1 to a wiring board 3 by a flip-chip bonding method and the joint of a cap 5 provided on the board 3 with the rear of the surface of the element 1 provided with an active layer, is conducted through a metal solid phase diffusion joint layer 91.例文帳に追加

半導体装置は、半導体素子１と配線板３をフリップチップ接続したもので、配線板３に設けたキャップ５と半導体素子の能動層を設けた面の裏面との接合が、金属の固相拡散接合層９１で行われている。 - 特許庁

A light diffusion/transmission layer, which enables a person to write and erase with a marker for a writing board, is provided on the surface layer of an aliphatic polyester resin made reflecting film which includes a finely-powdered filler and has voids in its inside so that a void ratio becomes ≤50%.例文帳に追加

微粉状充填剤を含有し、かつ、内部に空隙率が５０％以下となるように空隙を有する脂肪族ポリエステル系樹脂からなる反射フィルムの表層に、筆記ボード用マーカーによって筆記および消去が可能な光拡散透過層を設ける。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device having a trench-type MOSFET capable of suppressing deterioration in impurity concentration of a silicon electrode layer near a bottom portion of a trench while suppressing diffusion of impurities from a silicon electrode layer into a semiconductor substrate.例文帳に追加

シリコン電極層から半導体基板内への不純物の拡散を抑制しつつ、トレンチの底部付近におけるシリコン電極層の不純物濃度の低下を抑制可能な溝型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁