「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(90ページ目) - Weblio英語例文検索

When a reaction product with Ni is formed on an impurity diffusion layer or a polycrystalline-Si layer formed on an Si substrate, a reaction region is defined while taking account of the diffusion coefficient of Ni in Si during reaction.例文帳に追加

STI により囲まれた素子領域にサリサイド技術を用いてシリサイド反応時におけるシリコン中の拡散係数が大きい金属を用いてシリサイドを形成した際、大きなSTI 領域中に素子領域が孤立して存在する場合でもシリサイドプロセス時に接合領域での過剰なシリサイド反応を抑制し、接合リークを伴わない低抵抗シリサイド領域を形成し得る半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate SUB containing silicon and having a main surface; impurity diffusion layers IDL1, IDL2 formed on the main surface of the semiconductor substrate SUB; metal silicide MS formed on the impurity diffusion layer IDL2; and a silicon nitride film SNF and a first inter-layer insulating film IIF1, which are successively laminated on the metal silicide MS.例文帳に追加

この半導体装置は、シリコンを含み主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、半導体基板ＳＵＢの主表面に形成された不純物拡散層ＩＤＬ１，ＩＤＬ２と、不純物拡散層ＩＤＬ２上に形成された金属シリサイドＭＳと、金属シリサイドＭＳ上に順に積層されたシリコン窒化膜ＳＮＦ、第一の層間絶縁膜ＩＩＦ１とを備える。 - 特許庁

The capacitor lower electrode 109 and an impurity diffusion layer 105 of the first FET are connected to a first contact plug 107, formed on the first protective insulating film 106, and the capacitor upper electrode 111 and an impurity diffusion layer 105 of the second FET are connected by a second contact plug 108, formed on the first protective insulating film 106.例文帳に追加

容量下部電極１０９と第１の電界効果型トランジスタの不純物拡散層１０５とは第１の保護絶縁膜１０６に形成された第１のコンタクトプラグ１０７により接続され、容量上部電極１１１と第２の電界効果型トランジスタの不純物拡散層１０５とは第１の保護絶縁膜１０６に形成された第２のコンタクトプラグ１０８により接続されている。 - 特許庁

At least one of the gas diffusion layer arranged on the anode side and the gas diffusion layer arranged on the cathode side changes its in-plane thickness such that the thermal resistance between the electrolyte membrane and the fuel gas flow path is smaller than that between the electrolyte membrane and the oxidation gas flow path in a region near an inlet where the fuel gas flows into the fuel gas flow path.例文帳に追加

アノード側に配置されたガス拡散層とカソード側に配置されたガス拡散層の少なくとも一方は、燃料ガス流路に対して燃料ガスが流入する入り口部近傍領域において、電解質膜と燃料ガス流路との間の熱抵抗が、電解質膜と酸化ガス流路との間の熱抵抗よりも小さくなるように、面内で厚さが変化している。 - 特許庁

This solar cell has a P-N junction on the light receiving face side of a semiconductor substrate 10 and a passivation film 18 on the rear surface thereof wherein a P type impurity diffusion layer 11 and a P electrode 12 connected therewith, and an N type impurity diffusion layer 13 and an N electrode 14 connected therewith are provided on the surface of the light receiving face.例文帳に追加

半導体基板１０の受光面側にＰＮ接合を有し、裏面上にパッシベーション膜１８を有する太陽電池であって、受光面の表面にＰ型不純物拡散層１１とＰ型不純物拡散層１１に接続されたＰ電極１２、Ｎ型不純物拡散層１３とＮ型不純物拡散層１３に接続されたＮ電極１４とを有している太陽電池。 - 特許庁

To provide the manufacture of a semiconductor device, which materializes one of such structures in which an F diffusion preventing film is not etched at formation of the metallic wiring of an upper layer and that an SiOF film is not polished directly by CMP method, in a semiconductor device equipped with an F diffusion preventing film for preventing the F atoms in the SiOF film from diffusing into the metallic wiring of an upper layer.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜中のＦ原子が上層の金属配線へと拡散することを防止するＦ拡散防止膜を備えた半導体装置であって、上層の金属配線の形成時にＦ拡散防止膜がエッチングされない構造のものを実現し、またＳｉＯＦ膜を直接、ＣＭＰ法により研磨することのない半導体装置の製造方法を実現する。 - 特許庁

A gate electrode terminal of the first MOS capacitance is equivalently connected to a diffusion layer side terminal (terminal opposite to the gate electrode terminal) of the second MOS capacitance, and a potential difference generating element 16 for generating potential difference, based on the current flowing, is connected between the diffusion layer side terminal of the first MOS capacitance and the gate electrode terminal of the second MOS capacitance.例文帳に追加

第１のＭＯＳ容量のゲート電極端子と、第２のＭＯＳ容量の拡散層側端子（ゲート電極端子とは反対の端子）が等価的に接続され、第１のＭＯＳ容量の拡散層側端子と第２のＭＯＳ容量のゲート電極端子の間に、電流が流れることにより電位差を発生する電位差発生素子１６が接続される。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises a semiconductor layer, two diffusion layers formed in the semiconductor layer and serving as the source region and the drain region respectively, a channel region defined between the two diffusion layers, a gate insulating film formed on the channel region and consisting of a silicon oxide film containing carbon atoms by 0.1-5.0 atm%, and a gate electrode formed on the gate insulating film.例文帳に追加

半導体層と、該半導体層内に形成され、ソース領域及びドレイン領域となる２つの拡散層領域と、該２つの拡散層領域間に定められるチャネル領域と、該チャネル領域上に形成され、炭素原子を０．１乃至５．０アトミックパーセント含むシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has a plurality of fuse elements which include first fuse wiring 109 having a fuse cut-off intended portion 111, second fuse wiring 110 connected to an inside circuit, a first impurity diffusion layer 104 electrically connecting the first fuse wiring 109 and the second fuse wiring 110, and a second impurity diffusion layer 105, respectively.例文帳に追加

半導体装置１００は、ヒューズ切断予定部１１１を有する第１のヒューズ配線１０９と、内部回路に接続された第２のヒューズ配線１１０と、第１のヒューズ配線１０９と第２のヒューズ配線１１０とを電気的に接続する第１の不純物拡散層１０４と、第２の不純物拡散層１０５とをそれぞれ含む複数のヒューズ素子部とを有する。 - 特許庁

To provide a fuel cell and a fuel cell system capable of efficiently generating power by distributing a fluid of a fuel gas and a liquid fuel such as an oxidizing agent and a reducing agent in a gas diffusion layer to restrain variations in output over the power generating surface, and obtaining a sufficient amount of power by surely exhausting an impurity gas staying in the gas diffusion layer.例文帳に追加

ガス拡散層内部に酸化剤や還元剤の燃料ガスや液体燃料などの流体を行き渡らせることで発電面の出力のばらつきを抑え、効率的に発電することができると共に、ガス拡散層に滞留した不純ガスを確実に排出して、十分な発電量を得ることができる燃料電池及び燃料電池装置を提供する。 - 特許庁

The NMOS transistor non-volatile semiconductor memory includes: first and second n-type diffusion layers 21, 22 formed as a source and a drain in a p-type silicon layer 20; a gate electrode 50 formed on a channel region CNL between the first and second n-type diffusion layers 21, 22 via an insulating film 30; and the charge storage layer 40 formed in the insulating film 30.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ型の不揮発性半導体メモリは、Ｐ型シリコン層２０中にソース／ドレインとして形成された第１及び第２Ｎ型拡散層２１，２２と、第１及び第２Ｎ型拡散層２１，２２に挟まれたチャネル領域ＣＮＬ上に絶縁膜３０を介して形成されたゲート電極５０と、その絶縁膜３０中に形成された電荷蓄積層４０とを備える。 - 特許庁

The photoelectric converter includes: a photo diode 5 as a photoelectric conversion part having a photoelectric conversion region and an n-type layer 3 functioning as a charge storage region wherein charges generated in the photoelectric conversion region are stored; and a transfer transistor which is disposed between the photo diode 5 and a floating diffusion region 6 and transfers signal charges stored in the n-type layer 3 to the floating diffusion region 6.例文帳に追加

光電変換領域と、前記光電変換領域で生じた電荷を蓄積する電荷蓄積領域として機能するｎ型層３と、を有する光電変換部としてのフォトダイオード５と、フォトダイオード５と浮遊拡散領域６との間に配置され、ｎ型層３に蓄積された信号電荷を浮遊拡散領域６に転送する転送トランジスタと、を備える。 - 特許庁

For an epitaxial wafer in which boron concentration in an epitaxial layer is ≤1/100 of boron concentration in a wafer substrate, a minority carrier diffusion length measuring method for forming an oxide film of 10-100nm thickness on the surface of the epitaxial layer of 1-20μm thickness and then measuring the diffusion length of minority carriers by using a surface light voltage method is used.例文帳に追加

エピタキシャル層中のホウ素濃度が、ウエハ基板中のホウ素濃度の１／１００以下であるエピタキシャルウエハにおいて、厚さが１〜２０μｍである前記エピタキシャル層表面に、厚さ１０〜１００ｎｍの酸化膜を形成した後、表面光電圧法を用いて、少数キャリア拡散長を測定することを特徴とするエピタキシャルウエハの少数キャリア拡散長の測定方法を用いる。 - 特許庁

In a form of embodiment, the dual-gate semiconductor device contains a low-voltage region where a first gate dielectric are formed thereon and a diffusion barrier layer containing nitrogen and oxygen is formed on the first gate dielectric, and a high-voltage region where a second gate dielectric having a thickness thicker than that of the first gate dielectric is formed thereon and the diffusion barrier layer does not exist.例文帳に追加

１つの実施の形態では、デュアルゲート半導体装置は、上に第１のゲート誘電体が形成されており、該第１のゲート誘電体の上に窒素および酸素を含む拡散障壁層が形成されている低電圧領域と、第１のゲート誘電体より厚い厚さを有する第２のゲート誘電体が上に形成されており、前記拡散障壁層が無い高電圧領域と、を含む。 - 特許庁

An anode side electrode 28 and a cathode side electrode 30 composing the structure 12 is provided with gas diffusion layers 32a, 32b, of which, the diffusion layer 32a is composed of a foam made from metallic material such as stainless steel, and supporting parts 36a-36d made of resin for supporting a load acting in a layer direction are installed by impregnation in the foam.例文帳に追加

電解質膜・電極構造体１２を構成するアノード側電極２８およびカソード側電極３０は、ガス拡散層３２ａ、３２ｂを設けるとともに、ガス拡散層３２ａは、ステンレス等の金属材料製の発泡体で形成されており、この発泡体内には、積層方向に作用する荷重を支持するための樹脂製支持部３６ａ〜３６ｄが含浸により組み込まれている。 - 特許庁

The separator 21 comprises a gas inlet side passage 27 communicating with a gas inlet port 25 and a gas exhaust side passage 31 communicating with a gas exhaust port 29 between respective ribs 21a, 21b, contacting the gas diffusion layer 23, and the gas inlet side passage 27 and the gas exhaust side passage 31 are separated on the gas diffusion layer 23 and do not communicate with each other.例文帳に追加

セパレータ２１は、ガス拡散層２３に接触するリブ２１ａ，２１ｂ相互間に、ガス導入口２５に連通するガス導入側流路２７および、ガス導出口２９に連通するガス導出側流路３１を備え、ガス導入側流路２７とガス導出側流路３１とが、ガス拡散層２３上で分離されて互いに連通しない構造となっている。 - 特許庁

In this surface acoustic wave element, an electrode 6 serving as an inter-digital transducer is formed on a piezoelectric substrate 1, and the electrode 6 includes the laminate structure of a conductive layer 2 made of metal, and an electronic diffusion suppressing layer 3 constituted of a semiconductor whose potential barrier should be formed on its interface with the conductive layer 2.例文帳に追加

本発明に係る弾性表面波素子は、圧電基板１上にインターディジタルトランスデューサとなる電極６が形成されており、該電極６は、金属からなる導電層２と、該導電層２との界面にポテンシャル障壁を形成すべき半導体からなる電子拡散抑制層３の積層構造を有している。 - 特許庁

A nitride layer with Hv ≥900 consisting of a compound layer and a diffusion hardening layer is formed on a surface of an anvil 40, and thus nitriding treatment allows a hardness of a surface to increase without applying plating, thereby reducing friction and abrasion on a sliding portion without using a needle roller.例文帳に追加

アンビル４０の表面には、Ｈｖ９００以上の化合物層と拡散硬化層とからなる窒化層が形成されているので、窒化処理によってメッキなどを施すことなく表面硬度を増大させることが出来、またそれによりニードルころを用いることなく摺動部の摩擦及び摩耗を軽減できる。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for compound semiconductor element provided with a nearly ideal n-type InGaAs non-alloy layer not resulting in any influence on the characteristics of transistors, by solving the problems of surface flatness, diffusion into the lower layers and memory effect resulting from an n-type dopant on the InGaAs non-alloy layer of the uppermost layer.例文帳に追加

最上層のＩｎＧａＡｓノンアロイ層へのｎ型ドーパントが及ぼす表面の平坦性、下層への拡散、及びメモリー効果といった課題を解決して、トランジスタの特性に影響が無い、理想に近いｎ型のＩｎＧａＡｓノンアロイ層を具備する化合物半導体素子用エピタキシャルウェハを提供すること。 - 特許庁

C(carbon) ions are implanted, as inert ion species, into the surface layer part of an n- epi layer 2 and B ions are implanted into a region for implanting C ions at a specified concentration ratio to C ions and then it is activated by heat treatment while suppressing diffusion of B thus forming a heavily doped deep base layer 30.例文帳に追加

ｎ^- 型エピ層２の表層部に、不活性なイオン種としてＣ（炭素）をイオン注入すると共に、このＣを注入する領域にＣに対して所定の濃度比でＢをイオン注入し、その後、熱処理によってＢの拡散を抑制しつつ活性化して、高濃度のディープベース層３０を形成する。 - 特許庁

In the exhaust gas cleaning catalyst provided with an NOx occluding catalyst bed containing an alkali or alkaline-earth metal, a barrier layer as a layer formed by depositing a noble metal and a transition metal on an inorganic oxide for suppressing the diffusion of SOx into the NOx occluding catalyst bed is provided on the surface layer of the NOx occluding catalyst bed.例文帳に追加

アルカリもしくはアルカリ土類金属を含むＮＯ_X 吸蔵型触媒層を備えた排気ガス浄化用触媒において、ＮＯ_X 吸蔵型触媒層の表層に、ＳＯ_X のＮＯ_X 吸蔵型触媒層への拡散を抑制する無機酸化物に貴金属及び遷移金属が担持された層であるバリヤ層を設ける。 - 特許庁

An insulating film composed of the silicon oxide film 111 and the silicon nitride film 112 is used as a mask, and an epitaxial layer 115 having doped boron is formed in a portion where the trench 114 is formed by a selective epitaxial growth, and simultaneously, boron is diffused through the epitaxial layer 115 to obtain a boron diffusion layer 116.例文帳に追加

シリコン酸化膜１１１およびシリコン窒化膜１１２からなる絶縁膜をマスクにして、選択エピタキシャル成長により、トレンチ１１４を形成した部分に、ボロンをドープしたエピタキシャル層１１５を形成すると同時に、エピタキシャル層１１５を通じてボロンを拡散させてボロン拡散層１１６を得る。 - 特許庁

By making an electrode catalyst layer with the use of the ionic conductivity imparting agent, a dispersion state of dispersion solution for making the electrode catalyst layer is improved, so that proton conduction, electron conduction and catalyst activity of gas diffusion electrodes 4, 5 each containing the electrode catalyst layer are superbly maintained to have an output of the fuel cell improved.例文帳に追加

該イオン伝導性付与剤を使用して、電極触媒層を作製することにより、電極触媒層を作製するための分散溶液の分散状態が向上し、電極触媒層を含むガス拡散電極４，５のプロトン伝導、電子伝導、触媒活性が良好に保たれ、燃料電池の出力が向上できる。 - 特許庁

The display apparatus 10 includes a light source 31, the designed surface S that shows light radiated from the light source 31, a metallic colored light-shielding layer 40 arranged between the light source 31 and the designed surface S, and a diffusion layer 50 that diffuses light incident on the light-shielding layer 40 from the LED 31.例文帳に追加

この表示装置１０は、光源３１と、光源３１から照射された光を映し出す意匠面Ｓと、光源３１と意匠面Ｓとの間に配置されるメタリック色の遮光性の層４０と、ＬＥＤ３１から遮光性の層４０に入射する光を拡散する拡散層５０とを備えている。 - 特許庁

A dense nitride layer comprising a compound layer having a hardness of Hv 900 or more and a diffusion cured layer is formed on at least one surface of inner side surfaces 11, 11 of the respective outwardly and inwardly directed flanges 8, 10 and an axial end surface of a cylindrical roller 5 which are abutted to each other when an axial load is supported.例文帳に追加

アキシアル荷重を支承する際に互いに当接する、上記外向、内向各鍔部８、１０の内側面１１、１１と円筒ころ５の軸方向端面とのうちの少なくとも一方の面に、硬度がHv９００以上の化合物層と拡散硬化層とから成る、緻密な窒化層を形成する。 - 特許庁

To provide a group III nitride light emitting diode with a reflection layer made of Al or Ag wherein occurrence of a problem of a deteriorated reflectance of the reflection layer caused by undesirable diffusion of a metallic component from solder or the like to the reflection layer so as to improve the luminance of emitted light.例文帳に追加

ＡｌまたはＡｇからなる反射層を有する３族窒化物系発光ダイオードにおいて、ハンダなどから反射層への望ましくない金属成分の拡散が起こることによって反射層の反射率が低下する問題の発生を防止し、その発光輝度の向上を図ることを目的とする。 - 特許庁

The photoelectric conversion device includes the semiconductor substrate 1 with a main surface, the electrode layer 4 arranged on the main surface 1a, and a porous layer 10 provided at a part of the main surface 1a, and the diffusion layer 3 with dopant diffused is formed near the main surface 1a of the semiconductor substrates 1.例文帳に追加

光電変換素子は、主表面を有する半導体基板１と、上記主表面１ａに配置された電極層４と、主表面１ａの一部に設けられた多孔質層１０とを備え、半導体基板１のうち主表面１ａの近傍には不純物が拡散された拡散層３が形成されている。 - 特許庁

In processing method of a lithographic printing plate having physical development nuclei layer as an upper layer over silver halide emulsion layer formed on a support by using a silver salt diffusion transfer method, the processing method is characterized to use treatment liquid containing polyethylene imines having average molecular weight of 200 or more after development.例文帳に追加

支持体上に設けられたハロゲン化銀乳剤層の上層に物理現像核層を有する銀塩拡散転写法を利用した平版印刷版の処理方法において、現像処理後に平均分子量が２００以上のポリエチレンイミンを含有する処理液にて処理することを特徴とする平版印刷版の処理方法。 - 特許庁

The entire side panel of opposite conductivity type resistance diffusion layer 107a provided on the surface of one conductivity type single crystal silicon layer 104 of an SOI substrate 101 are making direct contact with a dielectrically isolating region wherein an embedding insulating film 115 is filled up in a trench 113a reaching an embedding insulating layer 103.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１０１の一導電型の単結晶シリコン層１０４の表面に設けられた逆導電型の抵抗拡散層１０７ａの側面の全面は、埋め込み絶縁層１０３に達する溝１１３ａに埋め込み絶縁膜１１５が充填してなる誘電体分離領域に、直接に接触している。 - 特許庁

A diffusion layer of a second conductivity type different from the first conductivity type is provided in the semiconductor layer below the first channel region, contacts the bottom of the first channel region in a substantially perpendicular to the surface of the semiconductor layer, and forms a P-N junction with the bottom of the first channel region.例文帳に追加

第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の拡散層が、第１のチャネル領域のさらに下の半導体層に設けられ、半導体層の表面に対してほぼ垂直方向に第１のチャネル領域の底部と接し、該第１のチャネル領域の底部とＰＮ接合を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor junction layer comprises a step of coating semiconductor crystalline grain boundaries, which are exposed on the surface of a first conductive type semiconductor substrate and form the semiconductor substrate with a dopant diffusion barrier layer, and a step of forming the semiconductor junction layer of a second type dopant diffused on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１導電型半導体基板表面に露出した該半導体基板を構成する半導体の結晶粒界を、ドーパント拡散バリア層で被覆し、前記基板表面に第２導電型ドーパントを拡散させて接合層を形成することを特徴とする半導体接合層の製造方法。 - 特許庁

In this case, in a step of growing a second semiconductor layer structure on a substrate in an area where the first layer structure 11 is etched and removed, the diffusion of an excessive material from a first area R1 to a second area R2 is reduced, thus suppressing the growth speed of the layer structure or the change of a crystal composition.例文帳に追加

このとき、第１層構造１１がエッチング除去された領域の基板１０上に第２半導体層構造を成長する工程において、第１領域Ｒ１から第２領域Ｒ２への余分な原料の拡散が低減され、層構造の成長速度の増加や結晶組成の変化の発生が抑制される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a solid polyelectrolyte membrane-assembly superior in power generation durability by improving joining strength between a catalyst layer containing a protonic acid group containing aromatic polymer which is formed on both faces of the solid polyelectrolyte membrane and a gas diffusion layer joined on the catalyst layer.例文帳に追加

固体高分子電解質膜の両面に形成されたプロトン酸基含有芳香族系ポリマーを含む触媒層と、該触媒層上に接合されたガス拡散層との間の接合強度を向上させ、発電耐久性に優れた固体高分子膜−電極接合体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The insulating layer 1012 does not cause the diffusion of silicon, a silicide generation reaction with silicon, or the generation of a low-permittivity interface layer, while being a metal oxide layer that contains La and Al having a sufficiently higher permittivity than SiO_2.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁層１０３の上の界面において、シリコンの拡散、シリコンとのシリサイド生成反応および低誘電率界面層の生成を起こすことのない、かつＳｉＯ_２と比して十分高い誘電率をもつＬａとＡｌを含む金属酸化物層である絶縁層１０１２をバリア層として具備した構造を提供する。 - 特許庁

In a planographic printing material having at least a silver halide emulsion layer and a physical developing nucleus layer in this order on a substrate and applying a silver complex salt diffusion transfer process, an acetylene glycol compound is incorporated into the physical developing nucleus layer.例文帳に追加

支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を有し、該物理現像核層がハロゲン化銀乳剤層より上層に配置された銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷材料に於て、該物理現像核層中にアセチレングリコール化合物を含有することを特徴とする平版印刷材料。 - 特許庁

The membrane electrode assembly for the fuel cell has a pair of electrodes having a gas diffusion layer and a catalyst layer installed on both sides of a solid polyelectrolyte membrane so that the catalyst layer side may contact it, and the solid polyelectrolyte membrane includes sulfonated polyarylene having a component as expressed by the following general formula (1).例文帳に追加

本発明の燃料電池用膜−電極接合体は、ガス拡散層および触媒層を有する一対の電極が固体高分子電解質膜の両面に該触媒層側が接するように設けられ、該固体高分子電解質膜が下記一般式（１）で表される構成単位を有するスルホン化ポリアリーレンを含む。 - 特許庁

To improve the metal diffusion preventing function of a nitrogen- containing layer which is used as a barrier layer between two metallic layers in a semiconductor device which is constituted in such a structure that electrodes, wiring, and bump electrodes are connected to each other, and, at the same time, to improve the closely adhering functions between the metallic layers and nitrogen-containing layer.例文帳に追加

電極、配線、バンプ電極をそれぞれ互いに接続する構造を有する半導体装置に関し、２つの金属層の間でバリア層として用いられる窒素含有層による金属拡散防止機能を高くするとともに、それらの金属層と窒素含有層との密着機能を高くすることことを目的とする。 - 特許庁

The fuel cell includes a gas diffusion layer 24 pinched by a cathode catalyst layer 22 and a cathode side separator plate 60, and the region 24A of the layer 24 confronts an oxidator channel 65 in a certain range from the inlet for oxidizing agent gas (air) is adjusted as having a higher water retaining performance than the region 24B confronting a rib 66.例文帳に追加

カソード触媒層２２とカソード側セパレータ板６０とに挟まれたガス拡散層２４において、酸化剤ガス（空気）の入口側から一定の範囲では、酸化剤チャネル６５と対向する領域２４Ａでは、リブ６６と対向する領域２４Ｂと比べて保水性が高くなるように調整されている。 - 特許庁

A black displaying state in which light incident from the first substrate 2 side is condensed to the light absorption layer 6, and a white displaying state in which the light incident from the first substrate 2 side is condensed to the light diffusion layer 7 are switched to each other corresponding to the voltage applied to the display medium layer 1.例文帳に追加

表示媒体層１に印加する電圧に応じて、第１基板２側から入射する光を光吸収層６に集光して黒表示が行われる状態と、第１基板２側から入射する光を光拡散層７に集光して白表示が行われる状態とに切り替えることができる。 - 特許庁

The nickel monosilicide layer 15 containing iridium is formed by forming an impurity diffusion layer 12 on the surface of a silicon substrate 11, depositing an Ni-Ir alloy layer 13 after removing a natural oxide film on the surface, and applying a rapid thermal annealing (RTA) in a nitrogen gas atmosphere at temperature of 300°C to 500°C for example.例文帳に追加

シリコン基板１１の表面部に不純物拡散層１２を形成し、その表面の自然酸化膜を除去した後、Ｎｉ−Ｉｒ合金層１３を堆積させて、例えば３００℃〜５００℃の温度で窒素ガス雰囲気中の急速熱アニール（ＲＴＡ）を施し、イリジウム含有のニッケルモノシリサイド層１５を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing an optical sheet having a functional layer on at least one surface of a substrate and having a diffusion element on the outermost surface of the functional layer and/or in the layer, and the method for manufacturing the optical sheet to be used for the surface of a display element for controlling the manufacturing conditions to have the relationship of the following expression (I) are provided.例文帳に追加

基材の少なくとも一方の面に機能層を有し、該機能層の最表面及び／又は内部に拡散要素を有する光学シートの製造方法であって、下記式（Ｉ）の関係を有するように製造条件を制御することを特徴とする表示素子表面に用いる光学シートの製造方法である。 - 特許庁

The structure of the oxidation-resistant coating formed on the heat-resistant alloy comprises: an alloy film of the first layer for the purpose of preventing diffusion formed as needed on the surface of a substrate of the heat-resistant alloy; and a composite film of the second layer further formed on the surface, which consists of an alloy layer containing at least Al or Si and reinforced fibers dispersed therein.例文帳に追加

耐熱合金の基材表面に、必要に応じて拡散防止を目的とする第一層の合金皮膜が形成され、さらにその表面に少なくともＡｌ又はＳｉを含む合金層中に強化繊維が分散された第二相の複合皮膜が形成された耐熱合金の耐酸化被覆構造。 - 特許庁

As for the manufacturing method, a composite is constituted which is composed of laminating a boron (B) layer so as to contact a magnesium (Mg)-lithium (Li) alloy layer, and after processing this to a wire shape or a tape shape, the magnesium boride (MgB_2) superconducting layer is formed by heat-treating this at a diffusion reaction temperature of magnesium (Mg) and boron (B).例文帳に追加

製造方法は、マグネシウム（Ｍｇ）−リチウム（Ｌｉ）合金層と接触する形でボロン（Ｂ）層を積層してなる複合体を構成し、これを線状あるいはテープ状に加工した後、マグネシウム（Ｍｇ）とボロン（Ｂ）の拡散反応温度で熱処理することによって二硼化マグネシウム（ＭｇＢ２）超伝導層を生成させる。 - 特許庁

The protective film for a thin film device formed on an upper part of a substrate comprises at least a first layer as a hydrogen diffusion protecting layer formed on the side of the thin film device, and a second layer formed by a CVD method or sputtering to which hydrogen is introduced in depositing the film.例文帳に追加

基板上部に形成される薄膜素子のための保護膜であって、薄膜素子側に位置する水素拡散防止層としての第一層と、前記第一層の上部にＣＶＤ法または成膜時に水素を導入したスパッタ法により形成された第二層とを少なくとも有することを特徴とする保護膜。 - 特許庁

In the lithographic printing material applying the silver complex salt diffusion transfer method at least having a silver halide emulsion layer and a physical development nucleus layer on a support, at least one layer of the lithographic printing material contains polymer latex having a carboxyl group, urea, and a vinylsulfone-based crosslinking agent.例文帳に追加

支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷材料において、該平版印刷材料の少なくとも１層がカルボキシル基を有するポリマーラテックス、尿素及びビニルスルホン系架橋剤を含有する事を特徴とする平版印刷材料。 - 特許庁