「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(95ページ目) - Weblio英語例文検索

The oxygen-gas diffusion cathode 1 for use in the brine electrolysis has a catalyst layer 2 comprising silver and palladium formed so as to cover a porous and electroconductive substrate 3 made from silver, a hydrophobic material and a carbon material.例文帳に追加

銀、疎水性材料及び炭素材料からなる多孔性の導電性基体３の上に、銀及びパラジウムを触媒層２として被覆形成させた食塩電解用酸素ガス拡散陰極１。 - 特許庁

To provide a carbon fiber sheet for a polymer electrolyte gas diffusion layer which prevents the oxidation degradation of a polymer electrolyte membrane and the performance drop of a battery, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

高分子電解質型ガス拡散層用炭素繊維シートであって、高分子電解質膜の酸化劣化を防止でき、電池性能低下を防止できる炭素繊維シート及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A sensor layer 3 detects the biological effect of a diffusion- control matrix and a substance comprising sensors 7 suspended in the matrix.例文帳に追加

センサー層３が拡散−制御マトリックスおよびその中に懸濁するセンサー７よりなる物質の生物学的効果を検出するためのセンサー層、並びに、その使用による生物学的効果の検出方法。 - 特許庁

A p-type InP region 14 (a second conductive type semiconductor region) is formed on a portion of the upper surface of the n-type InP layer 13 by selectively performing impurity diffusion and ion implantation.例文帳に追加

選択的に不純物拡散やイオン注入を行うことで、ｎ型ＩｎＰ層１３の上面の一部にｐ型ＩｎＰ領域１４（２導電型半導体領域）が形成されている。 - 特許庁

In the case that copper based material is selected as a wiring layer, copper diffusion preventing performance is sufficient and permittivity is lower as compared with aryl ether having no substituting groups, so that suitable usage is available.例文帳に追加

配線層に銅系材料を選んだ場合にも、銅拡散防止性能が十分でありかつ置換基のないアリールエーテルに比べても誘電率がより低いため、好ましく用いることができる。 - 特許庁

The first conductive barrier layer includes a substance that suppresses the diffusion of the first metal from the first metal region to the outside, and the second metal region includes a catalytic metal internally.例文帳に追加

前記第１導電性バリア層は、前記第１金属領域からの前記第１金属の外部拡散を抑制する物質を含み、前記第２金属領域は、内部に触媒金属を含む。 - 特許庁

The field effect transistor has a WN/Al drain electrode Schottky-joined to a GaN channel layer 104 via an n^+ region (diffusion region) 112 below the drain electrode 109.例文帳に追加

この電界効果型トランジスタによれば、ＷＮ/Ａｌドレイン電極１０９がドレイン電極１０９の下のｎ^＋型領域(拡散領域)１１２を介してＧａＮチャネル層１０４にショットキー接合されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reaction layer of a gas diffusion electrode having high oxygen reducing performance by which coagulation of colloidal catalyst fine particles is easily and surely generated and manufacturing time is reduced too.例文帳に追加

コロイド状触媒微粒子の凝集が容易、確実に生じ、製造時間も短縮され、かつ高い酸素還元性能を有するガス拡散電極の反応層の製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress color mixture accompanied with diffraction phenomenon which is caused by the reduction of width of an opening corresponding to a light receiving part formed on a diffusion preventive film in a multilayer wiring layer through high pixel.例文帳に追加

多層配線層中の拡散防止膜に形成された受光部に対応する開口が高画素化により開口幅が縮小することに起因する、回折現象に伴う混色を抑制する。 - 特許庁

The separator for the fuel cell is formed of a mixture of thermoplastic resin 50 and a conductive substance 52, by pinching an anode and a cathode arranged along an electrolyte film from both sides through a diffusion layer.例文帳に追加

燃料電池用セパレータは、熱可塑性樹脂５０および導電物５２の混合物で形成し、電解質膜に沿わせたアノードおよびカソードを、拡散層を介して両側から挟み込むものである。 - 特許庁

The second compound semiconductor layer 103 has its band gap shifted by n-type doping relatively in a valence-band direction to effectively function as a diffusion barrier for the thermally excited hole.例文帳に追加

第２の化合物半導体層１０３は、ｎ型ドーピングによりそのバンドギャップが相対的に価電子帯方向へシフトしており、熱励起された正孔の拡散障壁としてより効果的に機能する。 - 特許庁

Thereafter, mechanical working such as peening and rolling is performed to establish a residual stress region 24 that extends through the metallic layer 16, the diffusion region, and at least partially into the titanium substrate 14.例文帳に追加

その後、ピーニングや圧延などの機械加工によって、金属層１６、拡散領域さらには少なくとも部分的にチタン基材１４の内部まで延びるような残留応力領域２４をつくる。 - 特許庁

In this semiconductor integrated circuit device 1, n-type embedded diffusion regions 29 are formed between a substrate 4 and an epitaxial layer 5 in island regions 8 and 9 constituting a small signal section 2.例文帳に追加

本発明の半導体集積回路装置１では、小信号部２を構成する島領域８、９では、基板４とエピタキシャル層５との間にＮ型の埋込拡散領域２９を形成する。 - 特許庁

An n type diffusion layer formation composition contains glass powder including a donor element and a dispersion medium and is formed so that the viscosity is equal to or more than 20 Pa s or equal to or less than 1000 Pa s at a temperature of 25°C.例文帳に追加

ｎ型拡散層形成組成物に、ドナー元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有せしめ、２５℃における粘度が２０Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下となるように構成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a light diffusion sheet whereby an opening of accurate shape free from any residue of unnecessary constituent can be formed even if the pattern of a light shield layer has a complex structure.例文帳に追加

複雑な構造を持つ遮光層パターンであっても、不要な成分の残差が無く正確な形状を持つ開口部を形成できる光拡散シートの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The constituting member for the fuel cell is installed between a polymer electrolyte membrane and an electrode, the conductive part of the constituting member for the fuel cell is used as the diffusion layer part, and the insulating part is used as the seal part.例文帳に追加

前記燃料電池用構成部材が高分子電解質膜と電極の間に設けられ、前記燃料電池用構成部材の導電部が拡散層部、絶縁部がシール部として用いられる。 - 特許庁

To provide a fuel cell capable of improving a gas flow coming round to a portion directly under the projecting part of a diffusion layer, and capable of maintaining a gas flow velocity in the straight portion or the bent portion of a passage.例文帳に追加

拡散層の凸部直下部分へのガスの回り込み性を良くするとともに、流路のストレート部または屈曲部におけるガス流速を維持することができる、燃料電池の提供。 - 特許庁

To prevent unnecessary charges from flowing into a photoelectric conversion part in a charge accumulation period when driving a CMOS solid-state image pickup device wherein an element isolation means comprises a diffusion layer and an insulating film thereon.例文帳に追加

素子分離手段を拡散層とその上の絶縁膜で構成したＣＭＯＳ固体撮像素子の駆動において、電荷蓄積期間の光電変換部に不要な電荷が流れ込まないようにする。 - 特許庁

The outer peripheral surface of the tooth part forming side ring 12 is aluminized to form a diffusion coating layer or aluminum, and then the gear body side ring 11 is cast-inserted to integrate both rings.例文帳に追加

歯部形成側リング１２の外周面をアルミナイジングして、アルミニウムの拡散被覆層１５を形成した後に、これを歯車本体側リング１１によって鋳ぐるむことにより、これらが一体化されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which, related to an MOS field effect transistor comprising a gate sidewall structure, a source/drain diffusion layer is formed very thin to suppress short- channel effect.例文帳に追加

ゲート側壁構造を有するＭＯＳ電界効果トランジスタにおいて、ソース−ドレイン拡散層を極めて浅く形成しショートチャネル効果を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In particular, the average particle size of the Cu-Sn diffusion layer seeing from the vertical direction with respect to a plate surface is 0.5 to 10μm and oxidation film thickness of the uppermost surface is ≤30 nm.例文帳に追加

板表面に対して垂直方向から見たＣｕ−Ｓｎ拡散層の平均粒径が０.５〜１０μｍであり、最表面の酸化膜厚が３０ｎｍ以下であるものが特に好適な対象となる。 - 特許庁

To provide an electrode for a fuel cell preventing peeling off of the electrode in a manufacturing process, reducing the cost, and enhancing discharging performance, by optimizing a water repellent material to be added to a gas diffusion layer.例文帳に追加

ガス拡散層に添加される撥水材を最適化することによって、製造工程での電極剥がれを防止し、低コストで高い放電性能を持つ燃料電池用電極を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a gas diffusion layer advantageous for setting a relatively more carrying volume of a fluid matter at a first exposed surface side of a base material and relatively less at a second exposed surface side.例文帳に追加

流動物の担持量を基材の第１表出面側で相対的に多く、基材の第２表出面側で相対的に少なく設定させるのに有利なガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a plurality of end plates for independently giving fastening force are arranged, surface pressures of a gas sealing region in the periphery of the stack and a gas diffusion layer region in the center can be controlled easily so as to become optimum values.例文帳に追加

独立して締結力を付与する複数の端板を設けたことにより、スタック外周のガスシール領域と中央のガス拡散層領域の面圧を容易に最適値に調整することができる。 - 特許庁

After forming a channel diffusion layer 11 self-alignedly with respect to the field relaxation oxide film 17 (e), an anti-oxidation film 53 is formed and then heat treatment is conducted to form a field oxide film 7 (f).例文帳に追加

電界緩和用酸化膜１７に対して自己整合的にチャネル拡散層１１を形成した後（ｅ）、耐酸化膜５３を形成し、熱処理を施してフィールド酸化膜７を形成する（ｆ）。 - 特許庁

Alternatively, in a procedure, the gate voltage Vmg of the memory transistor is changed and the diffusion layer voltage Vs on the memory transistor side is changed after the Vmg exceeds the specified value Vmgx of an intermediate stage.例文帳に追加

或いは、メモリトランジスタのゲート電圧Ｖｍｇを変化させ、Ｖｍｇがある中間段階の値Ｖｍｇｘを過ぎた後にメモリトランジスタ側の拡散層電圧Ｖｓを変化させる手順とする。 - 特許庁

Next, a jointed body 80 is removed from the case 50 (step S250), and is sliced in a given thickness in the vertical direction with respect to the depth direction (step S250) to form a diffusion layer member 90.例文帳に追加

次に、接合体８０をケース５０から取り出し（ステップＳ２４０）、ケース５０の深さ方向に対して、垂直方向に、所定の厚さにスライスし（ステップＳ２５０）、拡散層部材９０を作製する。 - 特許庁

The method for forming the optical diffusion layer removes transfer material (a) from the base substance, by melting or decomposing the transfer material (a), after press-bonding the transfer material (a) having a rugged shape and the base substance (b).例文帳に追加

凹凸形状を有する転写材（ａ）と基材（ｂ）とを圧着した後、転写材（ａ）を溶解もしくは分解して基材から除去することを特徴とする光拡散層の形成方法。 - 特許庁

The resistive element is formed by stacking a first plate made of Cu-Ni-based alloy and a second plate made of Ni-Cr-based alloy, and has a diffusion layer 11c, in which the metal materials thereof are diffused, formed between the first plate 11a and second plate 11b, and the diffusion layer occupies 10% or more of the overall thickness of the resistive element.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｎｉ系合金からなる第１の板材と、Ｎｉ−Ｃｒ系合金からなる第２の板材とを積層することにより形成される抵抗体であって、第１の板材１１ａと第２の板材１１ｂとの間に、それぞれの金属材料が拡散した拡散層１１ｃが形成されており、前記拡散層は、前記抵抗体の全体厚みに占める割合が１０％以上である。 - 特許庁

The semiconductor module for power conversion comprises an insulating substrate (10), an electrode wiring layer (11A) provided on one major surface thereof, and a switching element (12) and a circulation diode (13) mounted on the electrode wiring layer wherein thermal resistance against diffusion of heat generated from the circulation diode is lower than thermal resistance against diffusion of heat generated from the switching element.例文帳に追加

絶縁基板（１０）と、その一方の主面上に設けられた電極配線層（１１Ａ）と、その電極配線層の上にマウントされたスイッチング素子（１２）及び還流ダイオード（１３）と、を備えた電力変換用の半導体モジュールであって、還流ダイオードにおいて生じた熱の拡散に対する熱抵抗が、スイッチング素子において生じた熱の拡散に対する熱抵抗よりも小さいものとする。 - 特許庁

A color reproducing range is more improved by ≥5% by using the diffusion film containing at least dyestuff having selective absorption in a wavelength region from 440nm to 510nm and/or dyestuff having selective absorption in a wavelength region from 570nm to 605nm at least in any one of a diffusion layer, base material and a back coat layer for the liquid crystal display device.例文帳に追加

少なくとも、４４０ｎｍから５１０ｎｍの間の波長領域に選択的な吸収を有する色素、及び／または５７０ｎｍから６０５ｎｍの間の波長領域に選択的な吸収を有する色素を、拡散層、基材及びバックコート層の少なくともいずれか１つに含有させた拡散フィルムを液晶表示装置表示装置に用いることにより、色再現範囲を５％以上向上することが可能である。 - 特許庁

Further, a bonding wire for semiconductor comprises a core formed of a first metal having a conductivity or an alloy formed mainly of the first metal, an outer peripheral part formed of a second metal having a conductivity different from that of the first metal of the core or an alloy formed mainly of the second metal, and a diffusion layer disposed between the core and the outer peripheral part, the diffusion layer having a concentration gradient.例文帳に追加

また、導電性を有する第１の金属または該第１の金属を主成分とする合金からなる芯線と、前記芯線の第１の金属とは異なる導電性を有する第２の金属または該第２の金属を主成分とする合金からなる外周部、さらにその芯線と外周部の間に、拡散層を有し、前記拡散層が濃度勾配を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤである。 - 特許庁

The layer 3 is formed of W, and the layer 5 comprises a high melting point film formed of HfC, one kind of a material of melting point higher than that of a silicon, and its film thickness is set at thermal diffusion or low which is decided by a thermal conductivity, a thermal capacitance and a waveform.例文帳に追加

発熱体層３は、Ｗにより形成され、酸化防止層５は、シリコンよりも高融点の材料の一種であるＨｆＣにより形成された高融点膜からなり膜厚が熱伝導率と熱容量と上記波形とで決まる熱拡散長以下に設定されている。 - 特許庁

At a memory part A1, on the other hand, the silicide layer 14 is not formed on the diffusion area 12b, which is covered with the high dielectric-constant insulating film 7 to prevent the semiconductor substrate 1 from being damaged when a spacer 13, the silicide layer 14, and a contact hole 17 are formed.例文帳に追加

一方、メモリ部Ａ１では、ＭＩＳトランジスタの拡散領域１２ｂ上にシリサイド層１４を形成せず、それを高誘電率絶縁膜７で覆い、スペーサ１３、シリサイド層１４およびコンタクトホール１７を形成する際の半導体基板１へ及ぼすダメージを防止する。 - 特許庁

In this piston ring provided with a nitride layer on a side face of a base material, and the thermally sprayed coating at least on its outer peripheral sliding face, a porosity of the sprayed coating is 1.5% or less, and a nitride diffusion layer is formed between the sprayed coating and the base material.例文帳に追加

本発明のピストンリングは、母材の側面に窒化層が形成され、少なくとも外周摺動面に溶射皮膜が形成されているピストンリングであって、前記溶射皮膜の気孔率は1.5％以下であり、前記溶射皮膜と前記母材との間に窒化拡散層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A lens sheet 30 comprises: a sheet-like translucent substrate 33; a lens layer 32 arranged on a first face of the sheet-like translucent substrate 33 and provided with a plurality of substantially parallel lens arrays; and a light diffusion layer 34 arranged on a second face of the sheet-like translucent substrate 33.例文帳に追加

レンズシート３０は、シート状透光性基材３３と、シート状透光性基材３３の第１の面に付されており且つ略平行な複数のレンズ列を有するレンズ層３２と、シート状透光性基材３３の第２の面に付された光拡散層３４とを備える。 - 特許庁

Though the specific surface area of an electrode composed of the transparent electrode 10 and the semiconductor layer 20 can be increased by fining and lengthening the projections, and forming them densely, the space factor and the aspect ratio of the projections are set considering the problem of diffusion in the transfer layer 40, etc.例文帳に追加

透明電極１０及び半導体層２０からなる電極の比表面積を高めるためには、突起を細かくかつ長くし、そして密に形成すればよいが、電荷移動層４０中の拡散の問題等を考慮して、突起の空間占有率及びアスペクト比を設定する。 - 特許庁

A light diffusion plate 10 obtained by dispersedly mixing light scattering particles 13 into a resin 12 includes at least two layers of the first resin layer 20 having a light transmission of T1% and the second resin layer 21 having a light transmission of T2% (T1%<T2%).例文帳に追加

樹脂１２に光散乱粒子１３が分散混入されてなる光拡散板１０を、全光線透過率がＴ１％である第１樹脂層２０と全光線透過率がＴ２％（Ｔ１％＜Ｔ２％）である第２樹脂層２１との少なくとも２層から構成する。 - 特許庁

In the lithographic printing plate having at least one silver halide emulsion layer on a surface-roughened and anodically oxidized aluminum support and applying the silver complex salt diffusion transfer process, a polymeric latex having a Tg of ≥0°C is contained in the silver halide emulsion layer.例文帳に追加

粗面化され、陽極酸化されたアルミニウム支持体上に少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版に於いて、該ハロゲン化銀乳剤層にＴｇが０℃以上のポリマーラテックスを含有させることによって達成された。 - 特許庁

The semiconductor device which is provided on a common semiconductor substrate 1, with a nonvolatile memory cell having a tunnel diffusion layer 24; a MOS transistor, having a low concentration layer for the impurity concentration lower than that of the drain region on the side of a tunnel part of the drain region; and an electrostatic discharge damage countermeasure transistor is manufactured.例文帳に追加

トンネル拡散層２４を有する不揮発性メモリセルと、ドレイン領域のチャネル部側に前記ドレイン領域よりも低不純物濃度の低濃度層を有するＭＯＳトランジスタと、静電破壊対策トランジスタとを、共通の半導体基板１上に備える半導体装置が製造される。 - 特許庁

In a semiconductor device having MOS transistors that have been continuously arranged in the direction of the plane of a substrate, a gate electrode and a wiring section that connects the gate electrodes (part shown by an arrow 13 in the figure) are embedded in a layer lower than the front surface of a substrate 10 where a diffusion layer 14 is formed.例文帳に追加

基板の平面方向において連続して配置されるMOSトランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極および該ゲート電極間を接続する配線部（矢印１３で図示する箇所）が、拡散層１４が形成される基板１０の表面より下層に埋め込まれている。 - 特許庁

An application liquid containing a plurality of resins with refractive indexes different from each other is applied on the substrate 14a, dried and subsequently heated so as to make spinodal decomposition from the resin containing layer take place on the transparent substrate and the optical diffusion layer 16 having at least a co-continuous phase structure is formed.例文帳に追加

互いに屈折率の異なる複数の樹脂を含む塗布液を基板１４ａ上に塗布し、乾燥した後、加熱し、樹脂含有層からのスピノーダル分解を透明基板上で生じさせ、少なくとも共連続相構造を有する光拡散層１６を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a copper plated layer as an antenna conductor and having an integrated circuit and an antenna integrally formed, the copper plated layer having good adhesion thereto while preventing adverse effects on the electric property of a circuit element due to the diffusion of copper, the semiconductor device being free of defect with a failure in connecting the antenna to the integrated circuit.例文帳に追加

銅めっき層をアンテナの導体に用いた、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を防止するとともに、密着性の良い銅めっき層を提供することを課題とする。 - 特許庁

The screen used for the image projection system includes a directive diffusion layer configured to diffuse and transmit light made incident within a specified angle and linearly transmit light made incident from angles other than the specified angle, and a light reflection layer provided with a reflector which scatters and reflects the incident light.例文帳に追加

本発明の画像投影システムに用いるスクリーンは、特定角度範囲で入射した光を拡散透過し、それ以外の角度から入射した光を直線的に透過する指向性拡散層と、光を散乱反射する反射体が設けられた光反射層を備えている。 - 特許庁

Further, the conductive layer including Cu is provided in such a manner that it does not overlap with the oxide semiconductor layer in which a channel region of a TFT is formed, and is surrounded by insulating layers including silicon nitride to prevent Cu diffusion, and thus, a highly reliable semiconductor device can be manufactured.例文帳に追加

また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁