「etch on」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method of etching on a processing platform (e.g. a cluster tool) in which robust pre-etch and post-etch data may be obtained in-situ.例文帳に追加

本発明は、粗いエッチング前及びエッチング後のデータがその場所で得られる処理台(例えば、クラスターツール)においてエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

A half etch 12a parallel to the major axis direction of the ferrule 2 is formed in the ferrule mounting part 12 of a lead frame 1, and the ferrule 2 is arranged on the half etch 12a.例文帳に追加

リードフレーム１のフェルール搭載部１２に、フェルール２の長軸方向と平行なハーフエッチ１２ａを形成し、フェルール２をハーフエッチ１２ａ上に配置する。 - 特許庁

Depending on the etch selectivity, a lens shape is formed with sloped sidewalls.例文帳に追加

エッチングの選択性に依存して、勾配のある側壁を有するレンズ形が形成される。 - 特許庁

Consequently, the semiconductor layer of the sample 10 is etched and etch pits are produced on the surface of the semiconductor layer.例文帳に追加

これにより、試料１０の半導体層はエッチングされ、その表面にエッチピットが出る。 - 特許庁

Next, first side walls 35 are formed on the side walls of the support holes by using an etch back method.例文帳に追加

次に、エッチバック法を用いて、支持体穴の側壁に第１サイドウォール３５を形成する。 - 特許庁

Then, etch back is performed and the interlayer insulation film 7 is allowed to remain only on the surface of the gate electrode 5.例文帳に追加

ついで、エッチバックを行い、ゲート電極５の表面にのみ層間絶縁膜７を残す。 - 特許庁

The flattening processing is performed by using resist etch-back, the application of spin-on glass and chemical mechanical grinding, etc.例文帳に追加

平坦化処理は、レジストエッチバック、スピンオンガラスの塗布、化学機械研磨などを用いて行う。 - 特許庁

In this manufacture, Si3N4 2 is grown on an Si substrate 1, and a mask Si3N4 2 is left behind, so as to plasma-etch it.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉ_3Ｎ_4２を成長させ、マスクＳｉ_3Ｎ_4２を残し、プラズマエッチングする。 - 特許庁

The polysilicon film 15 existing on the outside of the contact hole 4 is then removed by etch back (Fig.(b)).例文帳に追加

次に、エッチバックにより、コンタクトホール４外に存在するポリシリコン膜１５が除去される（図２（ｂ））。 - 特許庁

An etch stop layer 16 and silicon wafers 10, 12 forming an epitaxial layer 18 on it are provided.例文帳に追加

エッチストップ層１６と、その上にエピタキシャル層１８を作成したシリコンウエハ１０，１２を準備する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE HAVING ETCH RESISTANT LINER ON TRANSISTOR GATE STRUCTURE AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

トランジスタ・ゲート構造上にエッチ耐性ライナを有する半導体デバイス構造およびその形成方法 - 特許庁

A channel layer 3 and an etch stop layer 8 at least are sequentially formed on a semiconductor substrate 1, and InGaP having an In composition ratio of 0.66-0.9 is used as the etch stop layer 8 of the field effect compound semiconductor device where a gate electrode 10, which is in Schottky contact with the etch stop layer 8, is formed on the etch stop layer 8.例文帳に追加

半導体基板１上に、少なくとも、チャネル層３及びエッチングストッパ層８が順次設けるとともに、、前記エッチングストッパ層８上に該エッチングストッパ層８とショットキー接触するゲート電極１０を設けた電界効果型化合物半導体装置の前記エッチングストッパ層８としてＩｎ組成比が０．６６〜０．９のＩｎＧａＰを用いる。 - 特許庁

In a pre-metal process, an ozone TEOS film is once etched back so that an etch stop film on a gate structure is exposed after the ozone TEOS film is formed on an etch stop film.例文帳に追加

しかし、コンタクト・ホール形成プロセスにおいて、プリ・メタル層間絶縁膜中のクラックがコンタクト・ホール内に露出し、そこにバリア・メタルが入り込み、ショート不良の原因となることが明らかとなった。 - 特許庁

On the main surface of the semiconductor substrate 1S which is exposed by the etch-back, a tunnel insulating film 15 is formed.例文帳に追加

エッチバックで露出した半導体基板１Ｓの主面上にトンネル絶縁膜１５を形成する。 - 特許庁

An electric field is generated within the etchant solution to cause an anisotropic etch pattern to form on a surface of the workpiece.例文帳に追加

エッチャント溶液内に電界が生成され、加工物の表面に異方性エッチング・パターンを形成させる。 - 特許庁

It exfoliates on the sufficient peeling conditions to etch the surface deterioration layer of the extracted thickness.例文帳に追加

そして、その抽出された膜厚の表面変質層をエッチングするに十分な剥離条件で剥離する。 - 特許庁

Also, the method for forming a via cavity in a double corrugated interconnecting structure includes forming an etch stop layer on the present interconnecting structure, forming a dielectric layer on the etch stop layer, etching a portion of the dielectric layer to form a via cavity therein, exposing a portion of the etch stop layer, and etching the etch stop layer to extend the via cavity.例文帳に追加

また、バイア空洞を二重波状形状相互接続構造に形成する方法は、現存の相互接続構造上にエッチング止め層を形成し、エッチング止め層上に誘電体層を形成し、誘電体層の一部分をエッチングしてバイア空洞を誘電体層に形成しエッチング止め層の一部分を露出し、エッチング止め層をエッチングしてバイア空洞を拡張することを含む。 - 特許庁

The sacrificial film G is used as a mask to etch the pattern F1, and a pattern F2 is formed on the film F to be treated (Fig.5(g)).例文帳に追加

犠牲膜ＧをマスクとしてパターンＦ１をエッチングし、被処理膜ＦにパターンＦ２を形成する（図５（ｇ））。 - 特許庁

An opening 5 which reaches the etch stopper film is then formed on the insulating film by etching using a first mask 4.例文帳に追加

次に、第１のマスク４を用いたエッチングにより、絶縁膜にエッチストッパー膜に達する開口部５を形成する。 - 特許庁

A thin damaged layer 37b on an upper face of a contact plug 37b is formed by means of accelerated ions in an etch-back process.例文帳に追加

コンタクトプラグの上部表面にエッチバック工程時加速化されたイオンにより損傷層が薄く形成される。 - 特許庁

To suppress a leak current caused by an etch pit formed on a surface part of an epitaxial layer in a manufacturing step.例文帳に追加

製造過程でエピタキシャル層の表面部に形成されるエッチピットに起因するリーク電流を抑えること。 - 特許庁

The conductivity of the thin film on the side wall is enhanced by ion bombardment carried out periodically during the etch process.例文帳に追加

側壁上の薄膜の導電性はエッチ処理中に周期的に行うイオン衝突により増強される。 - 特許庁

To provide an SiGe etch-stop material system on a monocrystalline silicon substrate useful for aqueous anisotropic etchants.例文帳に追加

水性異方性エッチング剤に対して有用な、シリコン基板上のＳｉＧｅエッチング停止構造物を提供する。 - 特許庁

Using measuring information (for example, critical dimensions (CD), layer thickness) provided ex-situ on the etch process combining with in-situ monitoring (for example, spectroscopic, interference measurement, scattering measurement, and reflectivity measurement) which is performed during the etch process, the etch process may be monitored.例文帳に追加

エッチング処理の間に実施されたインサイチューモニタリング（例えば、分光、干渉計測、散乱計測、反射率計測など）と組合せて、エッチング処理に対してエクスサイチューで提供された測定情報（例えば、限界寸法（ＣＤ）、層の厚さなど）を用いて、エッチング処理がモニタリングされても良い。 - 特許庁

The pattern R1 is used as a mask to etch the film F to be treated, and a pattern F1 is formed on the film F to be treated (Fig.5(c)).例文帳に追加

パターンＲ１をマスクとして被処理膜Ｆをエッチングし、被処理膜ＦにパターンＦ１を形成する（図５（ｃ））。 - 特許庁

The anisotropic etching process and the isotropic etching process are alternately repeated to etch the color filter on the support member 32.例文帳に追加

異方性エッチング処理と等方性エッチング処理とを交互に繰り返して支持体３２上のカラーフィルタをエッチングする。 - 特許庁

An etch stopper film (14) is formed on the modified SOG film (13a), and then a modified SOG film (15a) is formed.例文帳に追加

この改質ＳＯＧ膜（１３ａ）上にエッチストッパ膜（１４）を形成した後、改質ＳＯＧ膜（１５ａ）を形成する。 - 特許庁

By forming an oxidized film 13 on the entire surface and performing etch-back, a sidewall oxidized film 13 is formed on the sidewall of an oxidized film hard mask 12.例文帳に追加

全面に酸化膜１３を成膜し、エッチバックを行うことにより、酸化膜ハードマスク１２側壁に、サイドウォール酸化膜１３を形成する。 - 特許庁

To etch both of a transparent conductive film formed on an organic insulating film and a transparent conductive film formed on an inorganic conductive film at a time with good accuracy.例文帳に追加

有機絶縁膜上に形成された透明導電膜と無機絶縁膜上に形成される透明導電膜を同時に精度良くエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for forming element isolation forming element isolation on a semiconductor substrate without the need to provide an etch back process.例文帳に追加

エッチバック工程を設けなくても半導体基板に素子分離を形成することができる素子分離形成方法を提供する。 - 特許庁

The pattern N1 and sacrifice film G are used as a mask to etch the processing film F to form a pattern F1 on the processing film F (Fig.7(g)).例文帳に追加

パターンＮ１と犠牲膜Ｇをマスクとして被処理膜Ｆをエッチングし、被処理膜ＦにパターンＦ１を形成する（図７（ｇ））。 - 特許庁

To etch a silicon nitride film formed on a substrate to be processed with high stability and without producing dust.例文帳に追加

被処理基板上に形成されたシリコンナイトライド膜を、高い安定性の下で、しかも発塵の少ない状態にてエッチングする。 - 特許庁

The obtained particle array body is used as an etching mask to etch a thin film formed on a substrate to obtain a thin film array body.例文帳に追加

また、この微粒子配列体をエッチング用マスクとして、基板上に形成した薄膜をエッチングし、薄膜配列体を得る。 - 特許庁

To pattern a comparatively thick ITO thin film, which was formed by room temperature film formation on a flexible board, through etching without causing residue or side etch.例文帳に追加

フレキシブル基板上に室温成膜した比較的厚いＩＴＯ薄膜をエッチングにより残渣やサイドエッチなくパターニングすること。 - 特許庁

Using the ex-situ measuring information combining with the in-situ monitoring, for example, an end point of the etch process, an etch depth profile of a feature formed on a substrate, and fault detection in a manufacturing process of the integrated circuit may be monitored.例文帳に追加

インサイチューモニタリングと組合せてエクスサイチュー測定情報を使って、例えば、エッチング処理の終点、基板上に形成された外観のエッチング深度プロフィール、集積回路製造プロセスの欠陥検出などをモニタリングしても良い。 - 特許庁

Subsequently, an oxide film is filled on a bit line, and further to the oxide film, CMP or etch back is proceeded to the polishing terminating layer.例文帳に追加

続いてビット線の上に酸化膜を充填し、さらに酸化膜に対して研磨終止層までＣＭＰ或いはエッチバックを進行する。 - 特許庁

An SF_6/C_4F_8 gas is introduced as an etching gas to generate a plasma gas and etch a part that is exposed from a resist mask 23 on the layer to be etched 22.例文帳に追加

エッチングガスとしてSF_6/C_4F_8ガスを導入してプラズマを発生させ、被エッチング層２２のレジストマスク２３から露呈する部分をエッチングする。 - 特許庁

The dielectric layer on the substrate surface is removed using an etch process such that a portion of the dielectric layer underlying each spacer remains.例文帳に追加

各スペーサの下の誘電体層の部分があとに残るようなエッチング・プロセスを使用して、基板表面の誘電体層が除去される。 - 特許庁

METHOD OF PREVENTING ETCH PROFILE BENDING AND BOWING IN HIGH ASPECT RATIO OPENINGS BY TREATING POLYMER FORMED ON OPENING SIDEWALLS例文帳に追加

開口部側壁に形成した高分子の処理により高アスペクト比の開口部におけるエッチプロファイルの屈曲と湾曲を防止する方法 - 特許庁

To provide a dry etching device which can etch substrates to be processed in various shapes, based on a satisfactory interface uniformity.例文帳に追加

各種形状の被処理基板を良好な面内均一性のもとでエッチング処理することができるドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing method of GaN whereby an etch pit is hardly caused on the polishing face of a GaN crystal and an excellent polishing face can be obtained.例文帳に追加

ＧａＮ結晶の研磨面にエッチピットが発生しにくく、良好な研磨面が得られるＧａＮの研磨方法を提供すること。 - 特許庁

On the other hand, a desired distribution of ions and neutral species in plasma is established using the ion/neutral species shield in order to etch the photomask.例文帳に追加

その一方、フォトマスクをエッチングするために、イオン・中性種シールドを用いてプラズマのイオンと中性種の所望の分布を確立する。 - 特許庁

To efficiently etch a film formed on a wafer, related to an etching apparatus used for manufacturing piezoelectric elements, semiconductor elements, etc.例文帳に追加

圧電素子、半導体素子などの製造に使用されるエッチング装置に関し、ウェハの上に形成された膜を効率良くエッチングすること。 - 特許庁

In addition, the use of the resist pattern 7 can precisely etch the base material 1 or the thin film previously formed on the base material 1.例文帳に追加

なお、このレジストパターン７を用いて基体１または基体１の上に予め形成した薄膜を精度よくエッチングすることができる。 - 特許庁

An SiN film 8 is formed on the resultant entire substrate and then subjected to a full etch back processing, leaving the SiN film 8 on tops of the parts 7a of the SiO2 film within the grooves 6.例文帳に追加

全面にＳｉＮ膜８を形成した後、全面エッチバックを行うことにより、溝６の内部のＳｉＯ_2 膜の部分７ａの上部にＳｉＮ膜８を残す。 - 特許庁