「etch in」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method for forming features in an etch layer.例文帳に追加

エッチングレイヤ中にフィーチャを形成する方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MEASURING ETCH PIT DENSITY IN SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

半導体単結晶におけるエッチピット密度の測定方法 - 特許庁

Methods are provided for manufacturing optical display devices which remove an etch resist and residual post-etch metal in a single step.例文帳に追加

エッチングレジストとエッチング後の金属残渣を単一工程で除去する、光学ディスプレーデバイスの製造方法が提供される。 - 特許庁

Etch-back is executed by depositing polycrystalline silicon 16 in the trench.例文帳に追加

トレンチの内部に多結晶シリコン１６を堆積してエッチバックを行う。 - 特許庁

METHODS AND APPARATUS FOR OPTIMIZATION OF ETCH RESISTANCE IN PLASMA PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

プラズマ処理システムにおけるエッチング耐性を最適にする方法および装置 - 特許庁

METHOD FOR ADJUSTING CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY IN ETCH PROCESS例文帳に追加

エッチング処理において限界寸法の均一性を調節するための方法 - 特許庁

To provide a method of etching on a processing platform (e.g. a cluster tool) in which robust pre-etch and post-etch data may be obtained in-situ.例文帳に追加

本発明は、粗いエッチング前及びエッチング後のデータがその場所で得られる処理台(例えば、クラスターツール)においてエッチングする方法を提供する。 - 特許庁

In addition, since the upper face of the p-AlInAs clad layer 7 is directly covered with the p-InGaAsP etch-stopper layer 8, the etching in forming the ridge can be stopped by the p-InGaAsP etch-stopper layer 8.例文帳に追加

加えて、p-AlInAsクラッド層７の直上に、p-InGaAsPエッチングストッパ層８を有するために、リッジ形成時のエッチングをp-InGaAsPエッチングストッパ層８で止めることができる。 - 特許庁

To provide a method for monitoring improved an etch process in manufacturing an integrated circuit.例文帳に追加

集積回路の製造において改善されたエッチング処理のモニタリング技術。 - 特許庁

The heavy metal contained in the etchant and adhered to the etch residues 1 is removed by removing the etch residues 1 from the silicon substrate.例文帳に追加

エッチング残り１がシリコン基板から除去されることにより、エッチング液に含まれエッチング残り１に付着していた重金属は除去される。 - 特許庁

To uniformly etch a semiconductor film used for a semiconductor device properly in a plane.例文帳に追加

半導体装置に用いられる半導体膜を面内で均一性よくエッチングする。 - 特許庁

A cladding 42 is etched by a dry etching method in which an etch rate of the cladding 42 is equal to or higher than an etch rate of the filler 36.例文帳に追加

被覆材４２のエッチングレートが充填材３６のエッチングレートと同じ又はこれよりも高いドライエッチング法により被覆材４２をエッチングする。 - 特許庁

A half etch 12a parallel to the major axis direction of the ferrule 2 is formed in the ferrule mounting part 12 of a lead frame 1, and the ferrule 2 is arranged on the half etch 12a.例文帳に追加

リードフレーム１のフェルール搭載部１２に、フェルール２の長軸方向と平行なハーフエッチ１２ａを形成し、フェルール２をハーフエッチ１２ａ上に配置する。 - 特許庁

To eliminate the need to use an organic masking layer solvent, and to etch a portion of an insulating layer after a plasma metal etching step, in a metal etch processing sequence.例文帳に追加

金属エッチング処理工程は、有機マスキング層溶媒を用いることを省き、プラズマ金属エッチング工程の後に絶縁層６８，８１の一部をエッチングする。 - 特許庁

In this process, the contacts are established only through overlaps between the openings in the hard mask and openings in the etch mask layer.例文帳に追加

この工程で、ハードマスク及びエッチマスク層双方の開口部が重複する部分のみで、接点が確立される。 - 特許庁

The side surface of the memory gate 115 in contact with the control gate 126 is formed by etch back.例文帳に追加

コントロールゲート１２６と接するメモリーゲート１１５の側面をエッチバックにより形成する。 - 特許庁

Preferred underlying coating compositions can exhibit enhanced etch rates in plasma etchants.例文帳に追加

好ましい下層被覆組成物は、プラズマエッチ中で高められたエッチ速度を示すことができる。 - 特許庁

To improve the uniformity in an etch rate by discharging oxygen from a focus ring.例文帳に追加

フォーカスリングから酸素を放出させることによって、エッチレートの均一性を改善する。 - 特許庁

Operation of the etching processing in a stable plasma region enables use of a timed etch end point.例文帳に追加

安定プラズマ領域でエッチング処理を行うと、時限エッチング終了点を使用できる。 - 特許庁

IN-SITU POST ETCH PROCESS TO REMOVE REMAINING PHOTORESIST AND RESIDUAL SIDEWALL PASSIVATION例文帳に追加

残存フォトレジスト及び残留側壁パッシベーションを除去する、その場でのポストエッチング工程 - 特許庁

A resist mask 7 is formed and sequentially a taper-shaped opening 9 is formed in a high resistance interconnection area consisting of the Al alloy film 5 by a dry etch or a wet etch (B).例文帳に追加

レジストマスク７を形成し、続いてドライエッチング又はウェットエッチングによりAl合金膜５の高抵抗配線領域部分にテーパー形状の開口部９を形成する（Ｂ）。 - 特許庁

To provide a method of measuring an etch pit density capable of measuring an etch pit density, without being affected by the flatness of a crystal face in a semiconductor single crystal.例文帳に追加

半導体単結晶における結晶面の平坦度に左右されずにエッチピット密度を正確に測定できるエッチピット密度の測定方法を提供すること。 - 特許庁

An etching process is performed to etch the spacer layer 460 so that spacers may remain at sidewalls of a pattern structure of the mold mask pattern 450, and to etch the mask layer 432 in the second region.例文帳に追加

モールドマスクパターン４５０のパターン構造物の側壁に複数のスペーサが残留するようにスペーサ層４６０をエッチングし、第２領域でマスク層４３２をエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for etching features in an etch layer, and a conditioning for a patterned pseudo-hardmask of amorphous carbon or polysilicon disposed over the etch layer.例文帳に追加

エッチング層内に特徴をエッチングするための方法であって、エッチング層の上に配されたアモルファスカーボン又はポリシリコンのパターン化疑似ハードマスクに対するコンディショニングを提供する。 - 特許庁

A channel layer 3 and an etch stop layer 8 at least are sequentially formed on a semiconductor substrate 1, and InGaP having an In composition ratio of 0.66-0.9 is used as the etch stop layer 8 of the field effect compound semiconductor device where a gate electrode 10, which is in Schottky contact with the etch stop layer 8, is formed on the etch stop layer 8.例文帳に追加

半導体基板１上に、少なくとも、チャネル層３及びエッチングストッパ層８が順次設けるとともに、、前記エッチングストッパ層８上に該エッチングストッパ層８とショットキー接触するゲート電極１０を設けた電界効果型化合物半導体装置の前記エッチングストッパ層８としてＩｎ組成比が０．６６〜０．９のＩｎＧａＰを用いる。 - 特許庁

In the sheet one-surface etching stage, a spin etching device 30 is used to spin-etch the diffused wafer.例文帳に追加

枚葉片面エッチング工程では、スピンエッチング装置３０を用いて、拡散ウェーハがスピンエッチングされる。 - 特許庁

Due to the different etch rates in the preparative layer, the sidewall surface of the aperture is bellows-shaped.例文帳に追加

予備層のエッチングレートの違いから開口の側壁面にじゃばら形状が形成される。 - 特許庁

In this manufacture, Si3N4 2 is grown on an Si substrate 1, and a mask Si3N4 2 is left behind, so as to plasma-etch it.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉ_3Ｎ_4２を成長させ、マスクＳｉ_3Ｎ_4２を残し、プラズマエッチングする。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF METAL COATED PART AND CONTACT STRUCTURE IN INTEGRATED CIRCUIT HAVING ETCH STOP LAYER例文帳に追加

エッチストップ層を具備した集積回路における金属被覆部およびコンタクト構造の製造方法 - 特許庁

The etch stop layer increases linearity of the FET and does not degrade the flow of electrons in the HBT.例文帳に追加

エッチストップ層はＦＥＴの線形性を増大させ、ＨＢＴの電子の流れを低下させない。 - 特許庁

In one embodiment, the door is a slit valve door sealing a substrate transfer port of an etch chamber.例文帳に追加

一実施形態において、ドアは、エッチングチャンバの基板搬送ポートを密閉するスリットバルブドアである。 - 特許庁

In the VSE, reactive ion etching or wet etching is used in order to etch the surface to be bonded slightly (3).例文帳に追加

ＶＳＥは、結合される面を僅かにエッチングするためにリアクチブイオンエッチングまたは湿式エッチングが用いられる（３）。 - 特許庁

In one embodiment of the method, a plasma is formed in a substrate processing chamber to etch a wafer in the chamber.例文帳に追加

本発明の方法の一実施形態は、基板処理チャンバ内でプラズマを形成して、チャンバ内に配置されたウェハをエッチングする。 - 特許庁

There is a strategic jump in germanium and concentration from the buffer side of the interface to the etch-stop material, such that the etch-stop layer is considerably more resistant to the etchant.例文帳に追加

界面のバッファサイドからエッチング停止物質にかけて、エッチング停止層がエッチング剤に対して非常に抵抗力があるように、ゲルマニウムおよび濃度において計画的な飛躍を行う。 - 特許庁

To etch the rear surface of a semiconductor wafer while forming an etching solution in which reagent solutions are always mixed in a desired ratio.例文帳に追加

常に所望の割合に混合されたエッチング液を生成して半導体ウェーハの裏面のエッチングを行うようにする。 - 特許庁

To suppress the occurrence of defects in a protection film formed in an etched portion as well as to attain a high etch rate.例文帳に追加

エッチング部に形成される保護膜における欠陥の発生を抑制するとともに、高いエッチングレートを実現する。 - 特許庁

In this condition, an etching solution 92 is fed to the wafer 28 from a nozzle 94 to etch the wafer 28.例文帳に追加

この状態でウェーハ２８にノズル９４からエッチング液９２を供給し、ウェーハ２８をエッチングする。 - 特許庁

In embodiments, the etch is highly selective between the material of the insulation layer and the material of the substrate.例文帳に追加

実施例でエッチングは、絶縁層の材料と基板の材料との間で高度に選択的である。 - 特許庁

To provide methods for forming anisotropic features for high aspect ratio application in etch process.例文帳に追加

エッチ処理に高アスペクト比を適用するための異方性特徴部を形成する方法を提供する。 - 特許庁

The obtained photosensitive resist is used as a mask to etch the halftone film to form the specified pattern in the halftone film.例文帳に追加

感光性レジストをマスクとしてハーフトーン膜をエッチングして、ハーフトーン膜に所定のパターンを形成する。 - 特許庁

Consequently, at the same time of suppressing an etching quantity in the depthwise direction of a cavity 15, a side etch quantity can be increased.例文帳に追加

従って、窪み１５の深さ方向のエッチング量を抑えると同時に、サイドエッチ量を大きくできる。 - 特許庁

To uniformly etch an aluminum film or its alloy film without generating residue, unevenness or defect in the etching.例文帳に追加

アルミニウム膜またはその合金膜をエッチング残渣、エッチングムラまたはエッチング不良なく、均一にエッチングする。 - 特許庁

The SOG film 13 is left behind in a large step region and narrow inter-wiring regions by etch back.例文帳に追加

エッチバックして段差の大きな領域や、配線間の狭い領域にＳＯＧ膜１３を残留させる。 - 特許庁

To provide a structure in which a first metal interconnection is not exposed in an etch-back process for an SOG film, in a process for manufacturing a multi-layer interconnection structure body.例文帳に追加

多層配線構造体の製造工程のＳＯＧ膜のエッチバック工程で、第１の金属配線を露出しない構造とする。 - 特許庁

To provide an etching apparatus which can quickly and accurately etch a resin film into a uniform geometry in a short time, and can etch the film anisotropically in the thickness direction to be etched.例文帳に追加

本発明は、樹脂膜を、短時間で、かつ、速く、形状が均一で、精度良くエッチングができ、さらにエッチングされる膜の厚み方向に対しても異方的にエッチングができるエッチング装置を提供するものである。 - 特許庁