「etch-back」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

An SiN film 8 is formed on the resultant entire substrate and then subjected to a full etch back processing, leaving the SiN film 8 on tops of the parts 7a of the SiO2 film within the grooves 6.例文帳に追加

全面にＳｉＮ膜８を形成した後、全面エッチバックを行うことにより、溝６の内部のＳｉＯ_2 膜の部分７ａの上部にＳｉＮ膜８を残す。 - 特許庁

A conductive material with improved hardness, such as W (tungsten), is deposited on the upper surface of the substrate and is subjected to etch back is made, thus forming a probe pad electrode 18 in the electrode hole 16b.例文帳に追加

基板上面にＷ（タンダステン）等の高硬度導電材を堆積してエッチバックすることにより電極孔１６ｂ内にプローブパッド電極１８を形成する。 - 特許庁

To prevent peeling of an adhered layer during etch back of an electrically conductive film in the peripheral regions of a wafer, in a case in which hole patterns are formed through the exposure of the whole area of the wafer, and plugs are formed.例文帳に追加

全面露光によりホールパターンを形成し、プラグを形成する際に、ウェハ周辺領域において、導体膜のエッチバック時に密着層が剥がれるのを防止する。 - 特許庁

In the landing plug contact forming method, an existing CMP process is not used for a poly-silicon recess for isolating the landing plug contact (LPC), but an etch-back process of two steps is used.例文帳に追加

本発明では、ランディングプラグコンタクト(ＬＰＣ)の分離のためのポリシリコンリセス(Ｒｅｃｅｓｓ)のために、既存のＣＭＰ工程を用いず、２ステップのエッチバック工程を用いる。 - 特許庁

To provide: a back-channel-etch type thin-film transistor which can be improved in productivity and transistor characteristics; a semiconductor device; and manufacturing methods thereof.例文帳に追加

生産性及びトランジスタ特性を向上することができるバックチャネルエッチ型の薄膜トランジスタ、半導体装置、及びこれらの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To materialize the simplification of an etch back process for flattening the top of an insulated isolation trench, and secure the flatness of the top of the insulated isolation trench enough at the same time.例文帳に追加

絶縁分離トレンチの上部を平坦化するためのエッチバック工程の簡略化を実現し、同時に絶縁分離トレンチ上部の平坦性を十分に確保すること。 - 特許庁

Except for the back-etch and the gas-sensitive layer formation, all other layers including the tungsten resistive heater 6, are made using a CMOS process employing tungsten metallization.例文帳に追加

当該エッチバック工程及びガス感受性層の形成工程を除いて、タングステンヒーター６を含む他のすべての層は、タングステン金属化を用いたＣＭＯＳプロセスが利用される。 - 特許庁

The etching stopper film 20 exposed out of the silicide block layer 30 is removed, and the etch back of the insulating film 10 for the side wall is effected to form side walls on both sides of the gate electrode.例文帳に追加

シリサイドブロック層３０から露出したエッチングストッパ膜２０を除去し、サイドウォール用絶縁膜１０をエッチバックして、ゲート電極の両側にサイドウォールを形成する。 - 特許庁

To improve charge transfer efficiency by preventing a film decrease due to a resist etch back process for flattening and forming a charge transfer electrode of uniform film thickness.例文帳に追加

平坦化のためのレジストエッチバック工程に起因する膜減りを防止し、均一な膜厚の電荷転送電極を形成することにより電荷転送効率の改善を図る。 - 特許庁

Subsequently, it is coated with silica 6 for planarization, subjected to etch back for removing the silica, planarized while leaving the silica between lines, thus forming a second insulation film 7.例文帳に追加

その後、平坦化の為にシリカ６を塗布して、エッチバックを行い余分なシリカを除去し、かつ配線間にシリカを残し平坦化を行い、第２の絶縁膜７を形成する。 - 特許庁

A first insulation film is formed for forming a side wall on a gate electrode of a semiconductor element formed on a semiconductor substrate, and a side wall is formed by etch back.例文帳に追加

半導体基板上に形成された半導体素子のゲート電極上に、サイドウォールを形成用の第１の絶縁膜を形成して、エッチバックによりサイドウォールを形成する。 - 特許庁

The Si substrate 12 is immersed in TMAH to etch crystal-isotropically the Si substrate 12 through the etching window 26 of the back side, and a through hole 14 is formed on the Si substrate 12.例文帳に追加

ＴＭＡＨにＳｉ基板１２を浸漬して裏面エッチング窓２６からＳｉ基板１２を結晶異方性エッチングし、Ｓｉ基板１２に貫通孔１４を設ける。 - 特許庁

An amorphous silicon film is made at the flank of the aperture by stacking the amorphous silicon film and the etch back, and treatment for HSG is applied to this to form an HSG(hemispherical grained Si) 113.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜の堆積とエッチバックにより開口側面にアモルファスシリコン膜を形成し、これにＨＳＧ化処理を施してＨＳＧ層１１３を形成する。 - 特許庁

To realize a method for manufacturing a semiconductor device for improving manufacturing yield without damaging the surface of a semiconductor region in a flattening etch back process.例文帳に追加

平坦化のエッチバック工程で半導体領域の表面に損傷を与えることがなく、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置の製造方法の実現を課題とする。 - 特許庁

To planarize color layers of two colors simultaneously by planarization using an etch-back method by equalizing etching rates of color layers formed of colorant containing compositions of two or more colors.例文帳に追加

２色以上の着色剤含有組成物からそれぞれ形成された着色層のエッチングレートを均一化し、エッチバック法を用いた平坦化処理で２色同時に平坦化する。 - 特許庁

After removal of the silicon nitride film 113, a thermal oxidation film 117 and a photo resist 119 are deposited and subjected to a full-surface etch-back process to expose the thermal oxidation film 117 on the element region.例文帳に追加

シリコン窒化膜１１３を除去後、熱酸化膜１１７及びフォトレジスト１１９を堆積し、全面エッチバックを行って、素子領域上の熱酸化膜１１７を露出する。 - 特許庁

To provide a multiplayer printed wiring board having the hole filling base via structure that can prevent etch back of a metal layer at the internal side of through holes of the base board and has excellent flatness of additive pattern.例文帳に追加

ベース基板のスルーホールの内側において金属層のエッチバックを防止できて、アディティブパターンの平坦性に優れた、穴埋めベースビア構造を有する多層プリント配線基板を提供する。 - 特許庁

Alternately, a patterned photoresist may be used to allow for an etching process to selectively etch back the thickness of a spacer which was deposited in a single deposition.例文帳に追加

または、単一の被着物（deposition）中に被着されたスペーサーの厚さをエッチングで選択的に削るためのエッチング処理が可能となるように、パターン成形がなされたフォトレジストを用いてもよい。 - 特許庁

Moreover, when starting CMP or etch back in a state where a conductive film is vapor deposited on the whole surface after the contacts 25 are formed, the contacts 25 are etched to the heights of mask layers.例文帳に追加

また、ビットライン用コンタクトを形成し、全面に導電膜を蒸着した状態でCMPまたはエッチバックを進行する時にマスク層の高さまでビットライン用コンタクトを蝕刻する。 - 特許庁

Another method is the one of filling a small recess such as a narrow and deep trench and a small-diameter and deep hole with a copper CVD using a catalyst, and the one of forming a very thin film on an uppermost flat portion so that elimination is performed in preparation for a subsequent step by a dry or wet etch-back or high-temperature plasma etch-back step.例文帳に追加

ここに提示された他の方法は、狭くて深いトレンチと小径で深いホールのような小さな陥没部を触媒を使用した銅ＣＶＤで充填する方法であり、湿式または乾式エッチバックまたは高温プラズマエッチバック工程により後続工程段階に備えて除去されるように扁平な最上部の表面に非常に薄い薄膜を形成する方法である。 - 特許庁

In addition, since the sidewall nitride film is formed on the sidewall of the bit line 6 without requiring an etch-back process, the nitride film having a constant film thickness can be formed on the sidewall of the bit line 6 as compared with the SAC structure.例文帳に追加

また、エッチバックを必要とせずに、ビット線６の側壁に窒化膜を形成するため、 ＳＡＣ構造に比べて、ビット線６の側壁に一定の膜厚を有する窒化膜を容易に形成できる。 - 特許庁

To provide an aqueous composition which is used to remove bulk photoresists, post-etch and post-ash residues, residues from Al back-end-process interconnection structures, and contaminants; and a method for using the composition.例文帳に追加

本発明はバルクフォトレジスト、ポストエッチ及びポストアッシュ残渣、Ａｌバックエンド工程相互接続構造からの残渣、並びに混入物を除去するための水系配合物及びそれを使用する方法に関する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress missing of a TiN film in an etch-back step after deposition of a tungsten film when a tungsten plug is buried into a connection hole.例文帳に追加

接続孔内にタングステンプラグを埋め込む際、タングステン膜を堆積した後のエッチバック工程でＴｉＮ膜が抜けてしまうことを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then resist is subjected to an etch-back process on the entire surface under conditions of reducing a gap between adjacent lenses so as to transfer the resist pattern to the base lens material to form a lens array 22A having reduced gaps.例文帳に追加

この後、隣接するレンズの間隔を縮小させる条件で全面エッチバック処理を行い、レジストパターンを下地のレンズ材に転写し、ギャップを縮小したレンズアレイ２２Ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer printed wiring board capable of forming a via of high reliability and sufficiently preventing etch-back and excessive protrusion of glass cloth from the wall surface of a via hole.例文帳に追加

エッチバック現象及びビアホール壁面からのガラスクロスの突出を共に十分に抑制でき、信頼性の高いビアを形成することができる、多層プリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The inter-layer insulation film is formed on the aluminum wires, an embedding film is coated on a step difference to fill in the step difference, and etch-back is applied to them by using the reactant gas to expose the upper part of the first layer aluminum wires.例文帳に追加

その上に層間絶縁膜を成膜し、段差部分を埋め込み膜で塗布して段差を埋め、更にそれらを反応ガスを用いてエッチバックし１層目アルミ配線上部を露出させる。 - 特許庁

Thus, the method prevents the first filling material 6 at the central part of the trench 5 from being etched with precedence and can more flatten the surface of the filling material by etch back.例文帳に追加

これにより、第１の埋め込み材料６のうちトレンチ５の中央部に位置する部分が優先的にエッチングされることを防止でき、エッチバックにより埋め込み材料表面をより平坦化することができる。 - 特許庁

A dry-etching gas composition is composed of carbon tetrachloride gas and nitrogen gas, so as to etch back polysilicon and a silicon oxide at the same time at the same rate.例文帳に追加

ドライエッチング用ガス組成物は、ポリシリコンとシリコン酸化物とを実質的に同一であるエッチング速度で同時にエッチバックするために四フッ化炭素ガスと窒素ガスとで構成されることを特徴とする。 - 特許庁

Etch-back is conducted by dry etching using gas, the main component of which is oxygen, to recess the first and second organic filling material films 7 and 8 to form the embedded plugs 9 in the via holes 6.例文帳に追加

酸素を主体としたガスを用いてドライエッチングによりエッチバックを行い第１および第２の有機系埋め込み材料膜７，８をリセスさせてヴィアホール６内に埋め込みプラグ９を形成する。 - 特許庁

This manufacturing method of a nitride semiconductor laser device comprises a step to etch the back surface (nitride surface) of an n-type GaN substrate 1 having wurtzite structure by RIE method, and then, a step to form an n-electrode 8 on the back surface (nitride surface) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a cleaning agent for a semiconductor device which can completely remove fine residues, generated on tungsten and insulating film after the formation of a tungsten wiring by an etch-back method, and to provide a safe and superior environment.例文帳に追加

エッチバック法によるタングステン配線形成後にタングステンおよび絶縁膜上に生じる微細な残渣物を完全に除去でき、また、安全で環境面でも優れた半導体装置用洗浄剤を提供すること。 - 特許庁

The back-channel-etch type TFT 108 includes a gate electrode 11, an SiN film 12 that is formed on the gate electrode 11, and an SiO film 13 that is formed and patterned on the SiN film 12.例文帳に追加

本発明にかかるバックチャネルエッチ型のＴＦＴ１０８は、ゲート電極１１と、ゲート電極１１上に形成されたＳｉＮ膜１２と、ＳｉＮ膜１２上にパターニング形成されたＳｉＯ膜１３とを有する。 - 特許庁

An outside W film, having a hole pattern 5, is removed 80 to 90% by an etch back method, and then the remaining outside W film (remaining W film 7a) having a hole pattern 5 and an adhesive layer 6 are removed by a chemical-mechanical polishing method.例文帳に追加

孔パターン５の外部のＷ膜の８０〜９０％程度をエッチバック法で除去した後、孔パターン５の外部の残されたＷ膜（Ｗ残膜７ａ）および接着層６をＣＭＰ法で研磨除去する。 - 特許庁

Furthermore, the surface layer part of the joint silicon single crystal thin film 5, stuck on the first substrate 7, is etched back upto an etch-stop layer 6' that is formed based on the ion implantation layer 6, through this peeling operation.例文帳に追加

そして、この剥離により第一基板７上に貼り合わされた結合シリコン単結晶薄膜５表層部を、エッチストップ用イオン注入層６に基づいて形成されたエッチストップ層６’までエッチバックする。 - 特許庁

After the etch stopping film 5 exposed to the bottom of the groove by the additional etching is removed, the interlayer dielectric 4 exposed to the bottom of the groove by etching back is etched by a specified thickness to bury a wiring metal 10 in the hole and the groove.例文帳に追加

追加のエッチングにより溝底部に露出したエッチング阻止膜５を除去した後、エッチバックにより溝底部に露出した層間絶縁膜４を所定の厚さだけエッチングし、ホールおよび溝に配線金属１０を埋め込む。 - 特許庁

After a capacitive element and a resistance element are formed from the same polycrystal silicon on an active region and on an element isolation region, respectively, a substrate surface is polished by CMP or etch back with being planarized until reaching an intended film thickness of a resistor.例文帳に追加

容量素子をアクティブ領域上、抵抗素子を素子分離領域上に同一の多結晶シリコンで形成した後、ＣＭＰやエッチバック等で、所望の抵抗体の膜厚になるまで、基板表面を平坦化させながら削る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which level difference can be prevented between the surface of a semiconductor substrate and the upper face of a gate electrode during etch-back of a conductive film as a gate electrode.例文帳に追加

本発明の課題は、ゲート電極となる導電膜のエッチバックの際に生じる、半導体基板表面とゲート電極上面との間の段差の発生を防止できる半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁

Then, by performing etch back or chemical- mechanical polishing for the electrode pad 4a and the protective film 5, a part of the protective film 5 is also removed so that the electrode pad 4a and the protecting film 5 become approximately the same hight, and the difference in the heights of the protective films is eliminated.例文帳に追加

そして電極パッド４ａと保護膜５とをエッチバックあるいはケミカルメカニカルポリッシュすることで、電極パッド４ａと保護膜５をほぼ同一高さになるように保護膜５の一部も除去して保護膜５の段差をなくす。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent variations in the thickness of an interlayer insulating film during formation of a multi-layered wiring structure, by a resist etch back process to thereby obtain a semiconductor device having a stable capacity between wiring layers.例文帳に追加

多層配線構造のレジストエッチバックによる形成プロセスにおいて、層間絶縁膜厚の変動を防ぎ、配線層間容量の安定した半導体装置が得られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a gate electrode or a dummy gate electrode 11 for forming the gate electrode is patterned, an insulation film 29 is deposited, and after the upper part of the gate electrode or the dummy electrode is exposed by an etch-back, a first sidewall 22 is provided there, and successively, gate sidewalls 20, 21 are provided by performing an etching-back.例文帳に追加

ゲート電極またはゲート電極を形成するためのダミーゲート電極１１をパターニング後、絶縁膜２０を堆積し、エッチバックによりゲート電極またはダミーゲート電極の上部を露出させたのち、ここに第一の側壁２２を設け、続いてエッチバックを行うことにより、ゲートサイドウォール２０、２１を設ける。 - 特許庁

Thereafter the thin insulation film 11 of about 10-60 nm is formed so as to block the void 7 on the whole face, etch back is performed on the whole face, and a side wall 12 comprising the thin film 11 is formed on only the side wall of the contact holes 8, 8a, 8b.例文帳に追加

その後、全面にボイド７を塞ぐように、約１０〜６０ｎｍの薄い絶縁膜１１を形成し、全面にエッチバックを行い、コンタクトホール８，８ａ，８ｂ内の側壁にのみ薄い絶縁膜１１からなるサイドウォール１２を形成する。 - 特許庁

Then, a second nitride film 7 which is harder to etch than the oxide film 4 is formed on the oxide film 4, and all the surface of the laminate is etched back as far as the GaAs substrate 2 to form a second opening 8 with the second nitride film 7 left on the side of the opening 8.例文帳に追加

次に、酸化膜４上に酸化膜４よりもエッチングされにくい第２の窒化膜７を形成し、側面に第２の窒化膜７を残した状態で、ＧａＡｓ基板２に達するまで全面をエッチバックして第２の開口部８形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which includes an etch-back process that prevents the generation of the etching residue of a tungsten film or a titanium nitride film at the time of forming a tungsten plug having a small plug loss and hence can make stable etching possible with less wiring defect.例文帳に追加

プラグロスの小さいタングステンプラグを形成する際に、タングステン膜または窒化チタン膜のエッチング残渣の発生を防止し、配線不良が少なく安定したエッチングを可能にするエッチバック工程を備えた半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

Removing from the first portion of the cavity the sacrificial material underlying the device structure by introducing the release etchant from the back side of the substrate via the second portion of the cavity allows the release etch to be performed without exposing the device structure to the release etchant.例文帳に追加

基板の背面から空洞の第２の部分を介してリリースエッチャントを導入することによって、デバイス構造の下に位置する犠牲材料を空洞の第１の部分から除去することで、デバイス構造がリリースエッチャントに曝されることなくリリースエッチングを行うことができる。 - 特許庁

An insulating film is processed by etch back, a sidewall insulating film 24 is formed on the sidewall of a light-shielding film 23 covering a transfer electrode 21 in a self-aligned manner, and then an opening 23a is formed in the light-shielding film 23 by etching while the sidewall insulating film 24 and a resist film 26 are used as a mask.例文帳に追加

エッチバックにより絶縁膜を加工して、転送電極２１を被覆する遮光膜２３の側壁に自己整合的にサイドウォール絶縁膜２４を形成し、当該サイドウォール絶縁膜２４とレジスト膜２６をマスクとしたエッチングにより、遮光膜２３に開口部２３ａを形成する。 - 特許庁