例文 (999件) |
emission laserの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1593件
To improve confinement efficiency for light amplified by stimulated emission to limit a broadening width of outgoing laser light small and to prevent distribution of light emission from broadening with a simple structure of a chamfered structure.例文帳に追加
面取り構造という簡単な構造で、誘導放出によって増幅される光の閉じ込め効率を向上し、出射されるレーザ光の広がり幅を小さく制限すると共に、レーザ発光分布の広がりを防止する。 - 特許庁
To provide an optical pickup device equipped with a short-circuiting means which prevents an electrostatic breakdown of a light emission chip to emit a laser beam, and which does not damage a substrate connected with the light emission chip, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
レーザー光を放射する発光チップを静電破壊から防止すると共に、発光チップと接続された基板を傷めない短絡手段を備えた光ピックアップ装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
It is characterized in that there are provided multiple emission members 12 each ejecting a laser beam and there is formed a frangible portion P with a weaker intensity as compared with other parts in a part of the thickness direction between at least part of the emission members 12.例文帳に追加
レーザ光を射出する複数の発光部12を有し、少なくとも一部の発光部12間の厚み方向の一部に他の部分に比べて強度の弱い脆弱部Pが形成されたことを特徴とする。 - 特許庁
A mode-locking semiconductor laser 10 is equipped with a gain region 19 which generates induced emission light, and a saturable absorption region 20 which partly absorbs induced emission light for mode synchronization of the induced emission light generated by the gain region 19.例文帳に追加
誘導放出光を生成するための利得領域19および該利得領域で生成された誘導放出光のモード同期のために誘導放出光を部分的に吸収するための可飽和吸収領域20が共振器長Lの方向に伸長するモード同期半導体レーザ10。 - 特許庁
Provided is the semiconductor device having a stable angle of polarization by absorbing and relaxing residual stress applied to a light emission point by a solder layer by increasing a solder thickness below a light emission point of the semiconductor laser chip by forming a recessed portion in the mount portion at a part corresponding to below the light emission point.例文帳に追加
マウント部の、半導レーザチップの発光点の下に相当する部分に凹部を形成し、発光点の下の半田厚さを厚くすることで発光点にかかる残留応力を半田層で吸収して緩和することによって安定な偏光角の半導体装置を得ることができる。 - 特許庁
Each of the first and second laser array light source units 102 and 104 emits laser beams W14 and W24 from within a laser beam emission region structured such that the length of a first direction z is longer than that of a second direction y that is orthogonal to the first direction z.例文帳に追加
第1と第2のレーザアレイ光源ユニット102,104のそれぞれは、第1の方向zの長さが前記第1の方向zと直交する第2の方向yの長さよりも長いレーザ光出射領域内からレーザ光W14,W24を出射する。 - 特許庁
The laser resonator has a substrate and a waveguide resonance trellis partially including the gain quality of a material, wherein the waveguide resonance trellis is formed to an arbitrary pattern, the laser emission surface is formed into an arbitrary pattern, and laser beams are emitted in both directions.例文帳に追加
レーザ共振器は、基板と、ゲイン材質を一部に含む導波モード共鳴格子を有し、導波モード共鳴格子は任意パターンに形成されており、レーザ発光面が任意パターンであることを特徴とし、面方向にレーザ光が出力されることを特徴とする。 - 特許庁
The light source device includes a laser chip 100 being a surface emission laser array, a package member 120 for mounting the laser chip 100 thereon, a parallel flat plate 12, a coupling lens, a first opening plate, a first holding member 51, a second holding member, a monitor optical system, a light-receiving element and a light source control device.例文帳に追加
面発光レーザアレイであるレーザチップ100、該レーザチップ100が搭載されるパッケージ部材120、平行平板12、カップリングレンズ、第1開口板、第1保持部材51、第2保持部材、モニタ光学系、受光素子及び光源制御装置を有している。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser device that prevents contamination of a laser beam emission point caused by silver paste for fixing a sub-mount, and controls the fixation position of a semiconductor laser element on the surface of a lead frame and its tilt to constant ranges.例文帳に追加
サブマウントを固着するための銀ペーストが原因となるレーザ発光点の汚染を防止し、また、リードフレーム表面に対する半導体レーザ素子の固着位置とその傾きを一定範囲に制御することができる半導体レーザ装置を提供すること。 - 特許庁
Laser for generating pulsed laser emission 2 includes: a resonator 3; a laser active medium 6 arranged in the resonator 3; and a Q switch 8 arranged in the resonator 3 and capable of setting a first state and a second state to set the quality of the resonator.例文帳に追加
パルスレーザ放射2を生成するレーザは、共振器3と、共振器3内に配置されるレーザ活性媒質6と、共振器3内に配置され、かつ共振器の質を設定するために第1状態と第2状態とに設定可能なQスイッチ8とを備える。 - 特許庁
When the light source 1 is driven by current less than threshold current of laser oscillation, display is performed by directly displaying information light on a display surface and when the light source is driven by current equal to or more than the threshold current of laser oscillation to perform laser emission, display is performed by projecting the information light to the outside.例文帳に追加
光源1をレーザ発振の閾値電流未満で駆動する場合は表示面に情報光を直接表示して、光源をレーザ発振の閾値電流以上で駆動してレーザ発光させる場合は情報光を外部に投射させて表示を行う。 - 特許庁
To provide a rotary laser emitting device which ensures a high measuring accuracy even when the direction of emission of laser light emitted from a laser emitting part provided in an annular rotary body surrounding a rotation axis deviates in relation to the rotation axis.例文帳に追加
回転軸を取り囲む環状の回転体に設けられたレーザ出射部から出射されるレーザ光の出射方向が回転軸に対してブレてしまった場合であっても高い測定精度の確保を可能とする回転レーザ出射装置を提供する。 - 特許庁
When a short-wavelength semiconductor laser l such as a semiconductor laser that emits blue light is to be used as the light source of the optical pick-up of an optical disk device, an intensity filter 9 is provided so that it can be inserted into or extracted from the path of emission light 10 of the semiconductor laser 1.例文帳に追加
光ディスク装置の光ピックアップの光源として青色発光の半導体レーザなどの短波長の半導体レーザ1を用いる場合に、半導体レーザ1の出射光10の経路に対して出し入れ可能に強度フィルタ9を設ける。 - 特許庁
The semiconductor laser element is configured by placing semiconductor laser resonators with different wavelengths side by side on one substrate, and this invention is characterized by that reflection films of nearly the same film thickness are formed to each light emission end face of each semiconductor laser resonator.例文帳に追加
一つの基板上に、異なる波長の半導体レーザ共振器を、複数個並置してなる半導体レーザ素子であって、前記半導体レーザ共振器の各光出射端面には略同一の膜厚の反射膜が形成されてなることを特徴とする。 - 特許庁
To provide an optical pickup and an optical disk apparatus in which light emission intensity of a laser light source can be easily adjusted when one side of laser light source is used for both of recording and reproducing and the other side of the laser light source is used for only reproducing.例文帳に追加
一方のレーザ光源が記録再生の両方に使用され、他方のレーザ光源が再生のみに使用される場合において、レーザ光源の発光強度を調整することが容易な光ピックアップ及び光ディスク装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a micro optical resonator of light wavelength size used for a light-emitting element and a laser element wherein a light-emission intensity is raised in non-linearity of at least single-multiplication of an input power related to light emission intrinsic to a light-emission layer, for improved dependency of the light-emission intensity on the input power.例文帳に追加
本発明は、発光素子やレーザー素子などに使用される光波長サイズの微小光共振器に係わり、発光強度の入力パワーに対する依存性を改善しようとするもので、具体的には、発光層固有の発光において入力パワーの1乗以上の非線形に発光強度を増大できる微小光共振器を提供する。 - 特許庁
In LD activation mode control of the image forming device, before detection of laser beams by both first and second BD sensors, laser diodes are controlled so that a light emission amount of the laser diodes in an image forming region of the photoconductor drums is equal to or smaller than a predetermined value: when both the first and second BD sensors detect laser beams, lighting control of the laser diodes is shifted to printing mode control.例文帳に追加
LD起動モード制御時において、第1BDセンサ及び第2BDセンサが共にレーザ光を検出するまでは、感光ドラムの画像形成領域におけるレーザダイオードの発光量が所定以下となるようにレーザダイオードを制御し、第1BDセンサ及び第2BDセンサが共にレーザ光を検出したときに、レーザダイオードの点灯制御を印刷モード制御に移行させる。 - 特許庁
In a laser array 11, laser emission parts 11a, 11b, 11c... are straightly arranged at an equal pitch and an outgoing light B1 is made a parallel luminous flux (luminous flux B2) regarding at least one direction by a cylindrical lens array 12.例文帳に追加
レーザアレイ11は、そのレーザ発光部11a,11b,11c…が直線状に等ピッチで配列され、出射光B1をシリンドリカルレンズアレイ12で、少なくともその一方向について平行光束化させる(光束B2)。 - 特許庁
To provide a laser distance measuring apparatus by which a distance can be measured with high accuracy by a method wherein the time up to the detection of reflected waves from the emission of a pulse-shaped laser beam to an object is measured by using a comparatively low cycle clock.例文帳に追加
対象物へのパルス状レーザ光の発射から反射波の検出までの時間測定を、比較的低周期のクロックを使用して高精度の距離測定を可能にするレーザ測距装置を提供すること。 - 特許庁
To measure the concentration of the target component in a desired section by obtaining a sufficiently large light detection value even if a laser emitting device enhanced in emission laser intensity or a large-sized condenser is not used.例文帳に追加
射出レーザ強度の高いレーザ射出装置や大型集光装置を使用しなくても、十分に大きい光検出値を取得して、所望区間における対象成分の濃度を測定できるようにする。 - 特許庁
To provide an imaging apparatus in which an image can be formed while regulating laser intensity correctly by ensuring the chance of APC (emission intensity regulation control of a laser light source) even when an HSYNC signal is missed.例文帳に追加
HSYNC信号が消失した場合でもAPC(レーザ光源の発光強度の調整制御)を行う機会を確保し,レーザ強度を正しく調整して画像形成できる画像形成装置を提供すること。 - 特許庁
To make maintainable the precision of the verticality and the horizontality even when the emission form of a laser light beam is changed according to uses by providing a means which detects the position relation between an optical system and a laser sighting device main body.例文帳に追加
光学系とレーザ照準装置本体との位置関係を検出する手段を設け、用途分けしてレーザ光線の射出形態を変更した場合でも、鉛直、水平の精度の維持を可能としたものである。 - 特許庁
The semiconductor laser wafer in which the p-side electrode 5 and the Ti protection layer 51 is formed is cut along with one direction, to fabricate a semiconductor laser bar 7 which makes the cutting plane by this cutting be a light emission end face 61.例文帳に追加
p側電極5及びTi保護膜51が形成された半導体レーザウエハを一方向に沿って切断して、この切断による切断面を光出射端面61とする半導体レーザバー7を作製する。 - 特許庁
In a group III nitride semiconductor laser element 11, since a laser waveguide is extended in a direction of a cross line of the m-n surface and a semi-polar surface 17a, light emission of band transition, which enables a low threshold current, can be utilized.例文帳に追加
III族窒化物半導体レーザ素子11では、レーザ導波路m−n面と半極性面17aとの交差線の方向に延在するので、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。 - 特許庁
To solve the problem of the accuracy degradation caused by the effect of heat received on a laser irradiating lance in continuous monitoring of molten steel by measuring an emission of the light of the wavelength specific to an element generated by irradiating the surface of the molten steel with a laser.例文帳に追加
溶鋼湯面にレーザを照射して生成した元素固有の波長の発光を測定する溶鋼連続モニタリングにおいて、レーザ照射ランスが受ける熱影響に起因する精度劣化の問題を解決する。 - 特許庁
In a group III nitride semiconductor laser element 11, it is possible to use light emission of a band transition which makes a low threshold current possible, because a laser waveguide is extended in a direction of the crossing line of the m-n surface and a semipolar surface 17a.例文帳に追加
III族窒化物半導体レーザ素子11では、レーザ導波路m−n面と半極性面17aとの交差線の方向に延在するので、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。 - 特許庁
The output of the laser beam is 30 to 60W, energy density is 4.2×10^7W/cm^2 to 8.4×10^7W/cm^2, and the emission time of the laser beam to a prescribed position is ≤60 seconds.例文帳に追加
レーザービームの出力が30W〜60Wであり、エネルギー密度が4.2×10^7W/cm^2〜8.4×10^7W/cm^2であり、所定の位置へのレーザービームの照射時間が60秒以下である。 - 特許庁
To provide an optical pickup capable of executing stable focus control even when a laser beam source having first and second emission points arranged adjacently to emit laser beams of wavelengths λ1,λ2 (λ1<λ2).例文帳に追加
波長λ1、λ2(λ1<λ2)のレーザ光を出射する第1、第2の発光点を近接して設けたレーザ光源を用いても安定したフォーカス制御が行える光ピックアップを提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser having high COD level and high light emission efficiency, by preventing impurities from being accumulated in an active layer, when a window structure is formed by impurity diffusion near an end surface of a laser resonator.例文帳に追加
レーザ共振器端面近傍に不純物拡散により窓構造を形成する際に、活性層に不純物が蓄積されることを抑制し、CODレベルが高く、発光効率が高い半導体レーザを提供する。 - 特許庁
To provide a technique and a device of molten metal componential analysis by inhibiting effects of laser transmission blockers such as slug with the use of laser emission analytical technique and by means of an approach of inexpensive and minor maintenance cost.例文帳に追加
レーザー発光分析法を用いて、スラグなどのレーザー透過遮断物の影響を抑制し、また、安価でメンテナンス費用も軽微な方法で実現する方法および装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
In this laser emission spectroscopic analyzer for spectroscopically analyzing the excited light from plasma produced on a sample by the irradiation of laser beam, a spectrograph is an echelle spectrograph, and the detector is a CCD detector.例文帳に追加
レーザ光の照射により試料上に生成したプラズマからの励起光を分光して分析するレーザ発光分光分析装置において、分光器をエシェル分光器および、検出器をCCD検出器とする。 - 特許庁
To provide an emission spectrochemical analysis method for analyzing components of a metal sample with a laser beam and spark discharge by generating the spark discharge between the sample vapor generated by the laser beam and a counter electrode.例文帳に追加
レーザ光とスパーク放電を利用した発光分光分析方法において、レーザ光による試料蒸気と対電極との間でスパーク放電を発生させ、金属試料の成分を分析するための方法を提供する。 - 特許庁
To provide a controller for an optical transceiver capable of surely suppressing emission of a laser beam to the outside by controlling a laser output according to insertion/ejection of an optical connector without any special work on a connector side.例文帳に追加
コネクタ側に特別の細工をすることなく、光コネクタの挿脱に応じてレーザ出力を制御し、レーザ光の外部への放出を確実に抑えることを可能にした光トランシーバの制御装置を提供する。 - 特許庁
A laser marker makes a selection between the output of a print control signal from the generation timing of a print start signal and the output of a print control signal from the emission start timing of laser light for print.例文帳に追加
レーザマーカにおいて、印写開始信号の発生タイミングから印写制御信号を出力するか、または、印写用のレーザ光の出射開始タイミングから印写制御信号を出力するかを選択する。 - 特許庁
The optical semiconductor device 300 has a face-emission semiconductor laser element 320 and a photodiode 324 integrated and formed around the laser element through an element isolation region 322 on an n-GaAs substrate 301.例文帳に追加
本光半導体装置300は、n−GaAs基板301上に、面発光半導体レーザ素子320と、素子分離領域322を介してレーザ素子の周りに集積して設けられたフォトダイオード324とを備える。 - 特許庁
As the light source may be used a laser oscillator 110 emitting fluorine molecule laser, an argon dimer, a krypton dimer, or a VUV-ASE generator 210 emitting amplified spontaneous emission light.例文帳に追加
光源としては、フッ素分子レーザを出射するレーザ発振器110や、アルゴンダイマー、クリプトンダイマー、あるいはフッ素分子からの自然放出増幅光を出射するVUV−ASE発生装置210を用いることができる。 - 特許庁
Laser beams which are emitted from each light emission point of a laser light source 10 and made parallel by a collimator lens 11 are converged in a sub-scanning direction by a cylindrical lens 12 nearby reflecting surfaces of a polygon mirror 13.例文帳に追加
レーザ光源10の各発光点から発してコリメータレンズ11によって平行光束にされたレーザー光束は、シリンドリカルレンズ12によって、ポリゴンミラー13の反射面近傍において副走査方向に収束される。 - 特許庁
A voltage-current conversion circuit 10 of the drive circuit 100 for driving the semiconductor laser LD1 converts an input voltage Vin that indicates the light emission luminance of the semiconductor laser LD1 to be driven to a current.例文帳に追加
半導体レーザLD1を駆動する駆動回路100において、電圧電流変換回路10は、駆動対象の半導体レーザLD1の発光輝度を指示する入力電圧Vinを、電流に変換する。 - 特許庁
The output unit 5 can output the intensity distribution of laser beam on the line 11 while converting it into the intensity distribution on a polar coordinate- centering the emission point 101 of the semiconductor laser device 1.例文帳に追加
出力装置5は、直線11上におけるレーザービームの強度分布を、半導体レーザー装置1の発光点101を中心とする極座標上の強度分布に変換して出力することができる。 - 特許庁
A position detecting apparatus 1 for detecting light emitting point of a laser source 2 comprises a stage 3 which, with the laser source 2 made to emit light, comprises a reference surface 3a for detecting the position of emission point.例文帳に追加
レーザ光源2の発光点の位置を検出するための位置検出装置1は、レーザ光源2を発光させてその発光点の位置を検出するための基準面3aを有するステージ3を備えている。 - 特許庁
The optical head is provided with a laser emission element 4 as a light source, an optical system for guiding a laser light onto an optical disk, and a detector for receiving a reflected light from the optical disk and converting the received light intensity into an electric signal.例文帳に追加
光源となるレーザ発光素子4と、レーザ光を光ディスク上に導く光学系と、光ディスクからの反射された光を受光し、その受光強度を電気信号に変換するディテクタとを備える。 - 特許庁
Namely, laser beams are applied to the investigation area in parallel by using an immovable light distribution box and the emission interval of laser beams and the light receiving frequency of reflected light beams are changed to change time required for investigation.例文帳に追加
つまり、非可動の配光器を用いて探査領域へ並行してレーザ光を照射するようにし、レーザ光の出射間隔及び反射光の受光回数を変更することで、探査に要する時間を変更する。 - 特許庁
To enhance the operability of a probe with touch sensor by mounting a CCD camera on the tip of the probe so that a skin surface to be irradiated with laser beam can be observed, and displaying a state allowing the emission of laser beam or not.例文帳に追加
プローブの先端にCCDカメラを取り付けてレーザ光を照射する皮膚面を観察できるようにすると共に、レーザ光を照射できる状態かどうかを表示してタッチセンサ付きプローブの操作性を高める。 - 特許庁
To provide a magneto-optical recording and reproducing device of a pulse drive magnetic modulation overwrite system emitting a laser beam without mitigation vibration by light emission of recording power.例文帳に追加
本発明は、記録パワーの発光で緩和振動すること無くレーザ発光するパルス駆動磁気変調オーバーライト方式の光磁気記録再生装置に関する。 - 特許庁
The measurement is started together with the laser beam emission by the key operation of the PC 9, a concrete is press-filled in the steel tubular column 2 and the distance to the crest CL is measured.例文帳に追加
PC9のキー操作によりレーザ発光と共に計測を開始し、鋼管柱2にコンクリートを圧入してその天端CLの距離を計測する。 - 特許庁
The APC 24 of an optical disk device controls the increase of a driving current to compensate for a reduction in light emission amount due to the temperature increase of a semiconductor laser element.例文帳に追加
光ディスク装置のAPC24は、半導体レーザ素子の温度上昇に伴う発光量の低下を補償すべく駆動電流を増大制御する。 - 特許庁
To record additional information by controlling a pit edge in a master disk exposure system which carries out the pulse light emission of a laser as a thermal recording method.例文帳に追加
熱記録方式としてレーザをパルス発光させる原盤露光方式において、ピットエッジを制御し付加的な情報を記録できるようにする。 - 特許庁
Laser drive circuits 10a and 10b respectively drive a light emission part built in an LD array 2 according to image data and output a light beam to a photoreceptor.例文帳に追加
レーザ駆動回路10a,10bは、画像データに応じてLDアレイ2に内蔵される発光部をそれぞれ駆動し、光ビームを感光体に出力する。 - 特許庁
To provide a surface emission semiconductor laser element which lowers a chance of getting uneven current injection to an active layer and prevents a light of the outer peripheral part from being blocked.例文帳に追加
活性層への電流注入が不均一になりにくく、外周部の光が遮られることがない面発光型半導体レーザ素子を提供すること。 - 特許庁
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