「emission laser」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

It is possible to form an electrode pattern of any given shape with high precision equivalent to scanning precision of laser beam, and thanks to the existence of the intermediate layer, it is possible to secure protection of a DAE underlying layer, shape maintenance and improvement of emission efficiency, or the like.例文帳に追加

任意の形状の電極パターンをレーザー光の走査精度と同等の精度で高精度に形成することができ、中間層の存在で、ＤＡＥ下地層の保護、形状保持、発光効率向上などが可能となる。 - 特許庁

Meanwhile, in the case where the mean particle size of the heat-treated ZnO quantum dots is equal to or less than 10 nm, since a quantum size effect is manifested, and the light emission efficiency is enhanced, it becomes possible to apply to a quantum dot laser by utilizing this property.例文帳に追加

一方、熱処理されたＺｎＯ量子ドットの平均粒径が１０ｎｍ以下の場合は、量子サイズ効果が発現し、かつ発光効率が向上することから、この性質を利用して量子ドットレーザへの応用が可能となる。 - 特許庁

The beams L_a-L_c emitted from three laser emission parts (LD) 24a-24c pass through collimator lenses 31a-31c, beam splitters 25a, 25b, a planar mirror 26 and a cylindrical lens 32 and is imaged on a deflection surface 33a of a polygon mirror 33 as line images.例文帳に追加

３つのＬＤ２４ａ〜２４ｃから射出されたビームＬａ〜Ｌｃはコリメータレンズ３１ａ〜３１ｃ、ビームスプリッタ２５ａ、２５ｂ、平面ミラー２６、シリンドリカルレンズ３２を通過し、ポリゴンミラー３３の偏向面３３ａに線像として結像する。 - 特許庁

To prevent operation time necessary for correction of a defective pixel from increasing and to securely perform correction such as cutting or short circuiting of a wiring pattern, by avoiding emission of a laser beam to a defect source such as a foreign matter.例文帳に追加

異物などの欠陥源にレーザ光を照射することを回避することによって、欠陥画素の修正に要する作業時間の増大を防止するとともに、配線パターンの切断または短絡などの修正を確実に実行する。 - 特許庁

To provide an image formation apparatus which is configured to make a spot diameter on a photoreceptor drum constant by correcting a position deviation of a principal point of a collimator lens with respect to an emission point of a semiconductor laser because of a temperature change in the vicinity of the collimator lens.例文帳に追加

コリメータレンズの近傍の温度変化による半導体レーザの発光点に対するコリメータレンズの主点の位置のズレを補正して、感光体ドラム上でのスポット径を一定にするよう構成した画像形成装置。 - 特許庁

This quantum cascade laser is configured by including a semiconductor substrate, and an active layer which is formed on the substrate, and has a cascade structure in which unit laminates 16 comprising a light emission layer 17 and an injection layer 18 are laminated in a multi-stage.例文帳に追加

半導体基板と、基板上に設けられ、発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層されたカスケード構造を有する活性層とを備えて量子カスケードレーザを構成する。 - 特許庁

The laser diode 1 is disposed so that an emission surface is positioned on one focal point of the elliptically spherical mirror reflector 12, and the photodiode 2 is disposed so that an incident surface is positioned on the other focal point of the elliptically spherical mirror reflector 12.例文帳に追加

レーザダイオード１は、出射面が楕円球面反射鏡１２の一方の焦点に位置するように配設され、フォトダイオード２は、入射面が楕円球面反射鏡１２の他方の焦点に位置するように配設される。 - 特許庁

When measurements of the blood vessel to be examined are made again as usual, emission of light from a laser diode 36 is stopped via a light source control means 52 and only tracking beams are irradiated to the blood vessel to be examined to sample blood vessel shape information.例文帳に追加

再び被検血管に対して通常通りの測定を行うと、光源制御手段５２を介してレーザーダイオード３６の発光を停止し、トラッキング光のみが被検血管に照射され血管形状情報が取り込まれる。 - 特許庁

To provide a III-V compound semiconductor crystal whose hole type defect density is low and which is free from composition separation, and a semiconductor device and a semiconductor laser having good electric conductivity, a light emission property and a rapid modulation property.例文帳に追加

空孔型欠陥密度が小さく、かつ組成分離のないIII−Ｖ族化合物半導体結晶、並びに良好な電気伝導性、発光特性及び高速変調特性を有する半導体デバイス及び半導体レーザの提供。 - 特許庁

The quantum cascade laser is equipped with a semiconductor substrate and an active layer having a cascade structure wherein unit laminates 16, each consisting of a quantum well light emission layer 17 and an injection layer 18, are stacked in multiple stages.例文帳に追加

半導体基板と、基板上に設けられ、量子井戸発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層されたカスケード構造を有する活性層とを備えて量子カスケードレーザを構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device capable of suppressing part of an emission end face of an active layer at a side of a diffraction grating layer from being molten and destroyed, and a second harmonic generator and an optical pickup apparatus employing the same.例文帳に追加

活性層の出射端面における回折格子層側の部分が溶融破壊されるのを抑制し得る半導体レーザ装置、これを用いた第２高調波発生装置及び光ピックアップ装置を提供することにある。 - 特許庁

While an information signal recorded in the optical disk is erased, the switch 21 repeats on-off with the same frequency as intermittent light emission of the laser beam in recording to the optical disk or high frequency superposition signal at the time of reproduction.例文帳に追加

光ディスクに記録された情報信号を消去する間、スイッチ２１は、光ディスクに対する記録時のレーザ光の間欠発光と同一の周波数又は再生時の高周波重畳信号でオンオフを繰り返す。 - 特許庁

Light emitted from the surface-emission type semiconductor laser 12 is refracted in multiple directions by being radiated to the plurality of microlenses 17, and the light is emitted throughout multiple directions from the surface 14b of the push button 14.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ１２から出射した光が、複数のマイクロレンズ１７に照射することによって多方向に亘って屈折し、この光が押しボタン１４の表面１４ｂから多方向に亘って出射する。 - 特許庁

To provide a surface emission semiconductor laser element in which electrode wiring has no possibility of disconnection, fabrication time can be shortened, yield can be prevented from lowering, and reliability can be enhanced.例文帳に追加

電極配線に断線が生ずる虞がなく、製造時間を短縮することができると共に、歩留まり低下を防止でき、信頼性を向上させることのできる面発光型の半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the submount substrate 4, an element mounting land 7 for mounting the surface emission semiconductor laser element 2 is formed on the element mounting surface 6 and a first air layer forming recess 11 is formed on the underside of the element mounting land 7.例文帳に追加

サブマウント基板４は、面発光型半導体レーザ素子２が実装される素子実装ランド７が素子実装面６に形成されると共に、素子実装ランド７の下側に、第１の空気層形成凹部１１が形成される。 - 特許庁

The photosetting resin 135 is arranged between the coupling lens 130 and the holder 110, and fixes the coupling lens 130 by bulging out only to the emission side of the laser light of the coupling lens 130 and hardened.例文帳に追加

光硬化性樹脂１３５は、カップリングレンズ１３０とホルダ１１０との間に配置されるとともに、カップリングレンズ１３０のレーザ光の出射側にのみはみ出して配置されて硬化されたことでカップリングレンズ１３０を固定している。 - 特許庁

The light absorbing layer 103 absorbs the energy of the laser beam 105, and thus, one part thereof is physically dissociated based on emission of a gas in the light absorbing layer 103 and sublimation or evaporation of the light absorbing layer 103.例文帳に追加

光吸収層１０３がレーザビーム１０５のエネルギーを吸収することで、光吸収層１０３内における気体の放出、光吸収層１０３の昇華または蒸発等により、一部が物理的に解離する。 - 特許庁

To mount a semiconductor chip with different emission wavelengths to optimal position of a sub-mount and to share an optical system for reduction in size and cost, in a semiconductor laser device with a pickup light source for compatible reproduction of CD and DVD.例文帳に追加

ＣＤ及びＤＶＤを互換再生するためのピックアップ光源の半導体レーザ装置において、発光波長の異なる半導体レーザチップをサブマウントの最適な位置にマウントし、光学系を共用して小型化、低コスト化を図る。 - 特許庁

The laser beam emitted from the light-reception-and-emission integrated elements 1a, 1b, is guided by the optical guide member 18, and enters a light receiving surface of a light receiving section of the front monitor light photo detector 17 much more than a conventional optical pickup device.例文帳に追加

受発光一体型素子１ａ，１ｂから出射されたレーザビームは、光ガイド部材１８によって案内されて、従来の光ピックアップ装置よりも多くフロントモニタ光受光素子１７の受光部の受光面へ入射する。 - 特許庁

At the proximity of an emission end 2a of an delivery fiber 2, the reflecting body 5 for transmitting the laser light LB and guide light GL and reflecting a part of guide light GL into the delivery fiber 2 as a reflected guide light RGL.例文帳に追加

デリバリファイバ２の出射端２ａ近傍には、レーザ光ＬＢ及びガイド光ＧＬが出射されるとともに、ガイド光ＧＬの一部を反射ガイド光ＲＧＬとしてデリバリファイバ２内に反射する反射体５が設けられている。 - 特許庁

After forming projections 41, 42 by a method complying with the wire bonding method on the surface electrode 12 and the surface metal pattern 13 of the surface emission-type laser 1, the tip part is fixed to the metal pattern 33 of the supporting member 3 by ultrasonic welding.例文帳に追加

突起４１，４２を、ワイヤボンディング法に準じた方法により、面発光レーザ１表面の電極１２および金属パターン１３に形成した後、その先端部を支持部材３の金属パターン３３に超音波溶接で固定する。 - 特許庁

The epitaxial growth layer 3 is adhered to a substrate 4 for transfer, and light such as laser light, emission lines of a mercury lamp, or the like is irradiated from the backside of the single crystal substrate 1 to separate the epitaxial growth layer 3 from the single crystal substrate 1.例文帳に追加

エピタキシャル成長層３を転写用基板４に接着し、単結晶基板１の裏面からレーザ光，水銀灯の輝線などの光を照射して、エピタキシャル成長層３と単結晶基板１とを互いに分離する。 - 特許庁

This optical information recording medium has a recording layer capable of recording information by emission of the laser beam containing at least one kind of metallic chelate compound with a chemical compound as a ligand represented by formula (1).例文帳に追加

下記一般式（１）で表される化合物を配位子とする金属キレート化合物の少なくとも一種を含有するレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有することを特徴とする光情報記録媒体。 - 特許庁

To provide a light emitting device that adjusts an optical spread angle, can efficiently take out emission light from a semiconductor laser element from the light emitting device, and is superior in heat dissipation of a wavelength conversion member.例文帳に追加

光広がり角を調整可能にし、半導体レーザ素子からの出射光を効率良く発光装置から取り出すことができるとともに、波長変換部材の放熱性に優れた発光装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A point receiving light by moving the light detection device 2 in the direction (arrow direction) of the tenplate 7 from the other tenplates along the emission route of the laser beam LB, namely, the light receiving point is marked on the foundation G.例文帳に追加

そしてレーザビームＬＢの出射経路に沿って、前記他の添プレートから前記添プレート７の方向（図６の矢印方向）に、前記光検出装置２を移動させて受光した点、即ち受光点を基礎Ｇ上にマークする。 - 特許庁

Essential purpose of the driving circuit of laser (compensation of variation in the emission intensity due to temperature characteristics) is not damaged because the capacitor C has no effect on the relatively long term variation, e.g. drift due to temperature characteristics.例文帳に追加

また、コンデンサＣは、温度特性による変動のような比較的長い期間に渡る変動には影響を及ぼさないので、レーザ駆動回路の本来の目的（温度特性による発光強度の変動の補償）が損なわれることはない。 - 特許庁

The emission wavelength of a laser element 41 is modulated in frequency so as to scan the absorption wavelength of a measuring target oxygen gas and the transmitted light transmitted through the measuring target oxygen gas is detected by a light detecting part 22 through the condensing lens 21.例文帳に追加

測定対象の酸素ガスの吸収波長を走査するようにレーザ素子４１の発光波長を周波数変調させ、測定対象ガスを透過した透過光を、集光レンズ２１を介して光検出部２２で検出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser diode which can effectively disperse thermal stresses and mechanical stresses applied at the time of performing flip chip bonding and in which uniform optical emission occurs over the whole body of a ridge waveguide, and to provide its assembly.例文帳に追加

フリップチップボンディング時に加えられる熱的ストレスおよび機械的ストレスを効果的に分散でき、リッジウェーブガイド全体にわたって均一な光放出がおきる半導体レーザーダイオード及びその組立体をを提供する。 - 特許庁

In a writing mode, a first comparator 9 supplies a difference voltage between a signal proportional to the output of a photodetection circuit 2 and a first reference voltage VR1 to a current amplifier 10 to stabilize the emission power of a laser.例文帳に追加

書き込みモードでは、光検出回路２の出力に比例した信号と第一の基準電圧ＶＲ１との誤差電圧を第一の比較器９が電流アンプ１０に供給することによりレーザーの発光パワーを安定化させる。 - 特許庁

The filter 3 has transmittance characteristics where the transmissivity in a direction parallel to the optical axis of stimulated emission light (laminating direction) is higher than the transmissivity in a direction different from the optical axis of the light output from the laser 1.例文帳に追加

フィルタ部３は面発光型半導体レーザ１から出力される光のうち誘導放出光の光軸と平行な方向（積層方向）の透過率がその光軸とは異なる方向の透過率よりも高い透過特性を有する。 - 特許庁

When a center emission wavelength λ0 of the semiconductor laser 11 is set to 680 nm, a design reference wavelength λ1 of the antireflection coating 31 is set to 740 nm and a design reference wavelength λ2 of the antireflection coating 32 is set to 730 nm.例文帳に追加

半導体レーザー１１の中心発光波長λ0を６８０ｎｍとして、反射防止膜３１の設計基準波長λ1は７４０ｎｍ、反射防止膜３２の設計基準波長λ2は７３０ｎｍに設定されている。 - 特許庁

The planar illumination device 15 includes laser beam sources for emitting R, G, B light 12, 13, 14, and a light guide plate 24 for emitting the R, G, B light 12, 13, 14, at emission angles that differ from one principal face 23.例文帳に追加

この面状照明装置１５はＲ、Ｇ、Ｂ光１２、１３、１４を出射するレーザ光源と、Ｒ、Ｇ、Ｂ光１２、１３、１４を一方の主面２３からそれぞれ異なる出射角度で出射する導光板２４を含んでいる。 - 特許庁

A protection film 7 is arranged on a substrate 2 for crystal growth for covering the light emission surface from which the light of a light emitting layer 3 is emitted before a process for forming the scribe groove ST for dividing each light emitting element 1 through the use of the laser.例文帳に追加

個々の発光素子１を分離するためのスクライブ溝ＳＴをレーザを用いて形成する工程の前に、結晶成長用基板２において発光層３の光が出射する出射面を覆う保護膜７を設ける。 - 特許庁

To provide an angle correction correction optical unit in which the emission angle of a beam is simply and accurately corrected and to provide an inexpensive laser marking device which is furnished with the optical unit and emits a plurality of lines of light.例文帳に追加

本発明の課題は、ビームの出射角度を簡単且つ高精度に補正することができる角度補正光学ユニット及びそれを搭載した低価格の複数ライン光を照射できるレーザ墨出し装置を提供することにある。 - 特許庁

The method of manufacturing the electron emission element using the carbon nanotube is that laser beams 1 are irradiated to a carbon nanotube layer grown on a substrate after focal distance and a focal diameter of the laser beams are adjusted to form removing parts in the carbon nanotube layer, and thereby, many projections having the same shape comprising the carbon nanotubes are formed at designated pitches.例文帳に追加

基板上に成長させたカーボンナノチューブ層にレーザー光１ をその焦点距離および焦点径を調整して照射して同層に除去部を形成することにより、カーボンナノチューブからなる多数の同形の突出体を所定ピッチで形成することを特徴とするカーボンナノチューブを用いた電子放出素子の製造方法である。 - 特許庁

A semiconductor laser having a different oscillation wavelength is packaged on both the surfaces of a base material 110 via a submount, and at least the thickness of the packaging region of the semiconductor laser in the base material 110 and the submount is made smaller than a prescribed thickness, thus securing heat radiation properties and reducing the emission point interval between semiconductor lasers.例文帳に追加

基材１１０の両面にサブマウントを介して発振波長の異なる半導体レーザを実装し、基材１１０およびサブマウントの少なくとも半導体レーザの実装領域の厚みを所定の厚みより小さくすることにより、放熱性を確保しつつ、各半導体レーザ間の発光点間隔を小さくすることができる。 - 特許庁

Surface emitting laser 16 is molded with a resin member 20 comprising an epoxy resin and a filler added as an additive for dispersing light output from the surface emitting laser 16, whereby the light-emitting module 10 inhibits a drop in an average light output against a change in the ambient temperature and its operation is stabilized without increasing light emission delay time.例文帳に追加

エポキシ樹脂に、面発光型レーザー１６から出力された光を散乱させる添加剤としてのフィラーを添加した樹脂部材２０で、面発光型レーザー１６をモールド素することで、環境温度の変化に対して、発光モジュール１０は平均光出力の低下を抑えると共に、発光遅延時間を増大させることなく、動作が安定する。 - 特許庁

A laser light L derived from a laser oscillator 50 is circularly emitted to a recessed conical reflection tube 90 at a circular trace S1 by a galvano mechanism 30a so as to be focused on the conical central part 91, and the outer circumferential face P0 of the cylindrical body inserted into the central hole 91 of the conical reflection tube is subjected to emission working.例文帳に追加

レーザ発振器５０から導き出されたレーザ光線Ｌをガルバノ機構３０により円周軌跡Ｓ１で凹状の円錐反射筒９０に周回照射させて円錐中心部９１に集束させ、上記円錐反射筒の中心孔９１に挿通させた筒状体の外周面Ｐ０を照射加工する筒状体のレーザ加工方法である。 - 特許庁

Even if APC operation is effected under such a state as a sample/hold signal is brought into sample stat due to disturbance of a control signal, or the like, when a monitor current is not fed back from the photodiode PD, emission quantity of the laser diodes LD1 and LD2 is prevented from increasing over a set level thus preventing deterioration of the laser diodes LD1 and LD2.例文帳に追加

したがって、フォトダイオードＰＤからモニタ電流がフィードバックされていない時に、制御信号等の乱れを原因としてサンプル／ホールド信号がサンプル状態になってＡＰＣ動作が行われたとしても、レーザダイオードＬＤ１、ＬＤ２の発光量が設定値よりも大きくなることを防止し、レーザダイオードＬＤ１、ＬＤ２の劣化を防止することができる。 - 特許庁

The deposition of the stain is determined with the provision that a measuring time from emission up to the reception of reflected beam out of the plurality of emitted laser beams is shorter than a prescribed measuring time, and that the number of the laser beams having intensity of exceeding an upper threshold V1 is the first prescribed number or more in photoreceived pulses of the reflected beam.例文帳に追加

そこで、複数照射されるレーザ光の中で、照射からその反射光が受光されるまでの計測時間が所定計測時間より短く、かつ反射光の受光パルスが上閾値Ｖ１を超えるほど強度が強いレーザ光が第１の所定数以上であることを条件として、汚れが付着していると判定する。 - 特許庁

When the evaluation part 52 evaluates that, on the basis of the acceleration signals, the deviation of the machining position on a workpiece W is in excess of a prescribed allowable value, the evaluation part 52 outputs a signal for prohibiting the output of a trigger signal to a trigger signal generating part 53a to stop the emission of a laser beam LB from a laser generator 40.例文帳に追加

評価部５２は、これらの加速度信号に基づいてワークＷ上の加工位置の位置ずれ量が所定の許容値以上になったと評価した場合、トリガ信号の出力を禁止する出力禁止信号をトリガ信号発生部５３ａに出力し、レーザ発振装置４０からのレーザビームＬＢの出射を停止させる。 - 特許庁

A surface emission laser having a lower distributed reflection layer between a semiconductor substrate and an active layer, provided with an upper distributed reflection layer on the upper side of the active layer through an air gap and emitting laser light in the direction perpendicular to the semiconductor substrate from an optical resonator formed of the upper distributed reflection layer and the lower distributed reflection layer is improved.例文帳に追加

本発明は、半導体基板と活性層との間に下部分布反射層をもち、上部分布反射層を活性層の上側にエアギャップを介して設け、上部分布反射層と下部分布反射層とで光共振器を形成し半導体基板と垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザに改良を加えたものである。 - 特許庁

The collimated plane light source consists of a laser beam source 10 having a prescribed emission width, a reflecting member 20 to reflect emitted light beams L1 from a laser beam source 10 mutually in parallel in a prescribed direction, and a deflection member 30 having a deflection plane 32 to reflect each reflected light beam 24 reflected on the reflecting member 20 in an almost right-angled direction to the parallel surface.例文帳に追加

所定の出射幅を有するレーザ光源１０と、レーザ光源１０の出射光Ｌ１を所定方向に互いに平行に反射させる反射部材２０と、反射部材２０で反射した各反射光２４についてその平行面に対して略直角方向に反射させる偏向面３２を有する偏向部材３０とから構成する。 - 特許庁

Consequently, when a non-absorption region for an oscillation wavelength is formed on a light projection end surface of the infrared laser active layer 3 by effectively increasing the band gap of the infrared laser active layer 3 using diffusion of impurities, the diffusion temperature of impurities can be lowered to prevent the decrease in light emission efficiency and the increase in threshold current.例文帳に追加

このため、赤外レーザ活性層３の光出射端面において、不純物の拡散を用いて、この赤外レーザ活性層３のバンドギャップを実効的に大きくして、発振波長に対する非吸収領域を形成する際に、この不純物の拡散温度を低減できて、発光効率の低下や閾値電流の増加を防止できる。 - 特許庁

To improve freedom in designing a waveguide width by butt-joint-joining a modulator region and a laser region, reduce reflectivity on an emission end surface of laser light by providing a bent waveguide structure in the modulator region, and accurately align angles by making a mounting marker into a linear pattern.例文帳に追加

変調器領域とレーザ領域とをバットジョイント接合させることにより、導波路幅の設計の自由度が高められ、変調器領域に曲がり導波路構造が設けられることにより、レーザ光の出射端面での反射率が低減され、及び、実装用マーカを直線状パターンにすることにより、精度の良い角度合わせをする。 - 特許庁