「emission laser」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

Emission time control of the laser diode 3 is jointly used, thereby, the fluctuation of light quantity due to the interference which occurs when s-polarization is used in the case of chrome mask can be reduced by the contribution of the p-polarization component and the stable positional control is made possible.例文帳に追加

レーザダイオード３の発光時間制御を併用することで、クロムマスクの場合にｓ偏光だと生じる干渉による光量変動を、ｐ偏光成分の寄与によって低減することができ、安定した位置制御が可能となる。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element array has semiconductor light emitting elements arranged in a two-dimensional matrix-like form, and each semiconductor light emitting element constitutes a surface emission laser structure composed of a P-type clad layer 23, an active layer 24 and an N-type clad layer 25.例文帳に追加

半導体発光素子アレイは、２次元マトリックス状に配置した半導体発光素子を有し、各半導体発光素子は、Ｐ型クラッド層（２３）、活性層（２４）及びＮ型クラッド層（２５）により構成される面発光レーザ構造体を構成する。 - 特許庁

To provide an image evaluation method and device for acquiring correlation between light emission property of a laser beam source and a size of an electrostatic latent image, and to provide an image forming apparatus for forming a high-definition image by reflecting the results acquired by the image evaluation method and the image evaluation device.例文帳に追加

レーザ光源の発光特性と静電潜像の大きさとの相関関係を求める評価方法、及び画像評価装置により得られた結果を反映させて高品位画像を形成する画像形成装置を提供する。 - 特許庁

In addition, the light emission side of a semiconductor laser 4 formed of GaN as a light source is connected to optical fiber bundles 5, which are disposed on a single row sheet 6 and tightly attached to the light incident end face of the optical waveguide path 2.例文帳に追加

また、光源としてのＧａＮからなる半導体レーザ４の光出射側は、光ファイバー束５に結合され、この光ファイバー束５が一列状のシート６に配列され、光導波路２の光入射端面に密着されている。 - 特許庁

Leakage of lithium electrolysis solution from a lithium coin cell 2 is detectable with a high degree of accuracy, even if fluorescence F generated from emission by irradiation of pulsed laser light L might as well be determined from quantification with a discriminating device 67 after spectral analysis with a fluorescence spectrometer 65.例文帳に追加

パルスレーザ光Ｌの照射にて発生した蛍光Ｆを蛍光分光測定器65にてスペクトル分析してから判定装置67にて定量して判断しても、リチウムコイン電池２からのリチウム電解液の漏洩を精度良く検出できる。 - 特許庁

In measuring the growing state of water grasses growing thick in water, at least an ultrasonic measuring method which is a remote-noninvasive measuring method and a laser excited emission detection method are combined and used.例文帳に追加

水中に繁茂する水草類の生育状況を計測するに際し、少くとも遠隔的・非侵襲的計測法である超音波計測法とレーザー励起発光検出法を組合せて用いることにより、水草類の生育状況を計測可能とする。 - 特許庁

To provide a scanning optical device provided with an image forming apparatus, for preventing an inferiority in printing quality by reducing a color shift mutual difference produced due to influence of heat of light emission accompanied by heat generation from a light source part of a semiconductor laser or the like.例文帳に追加

半導体レーザなどの、光源部からの発熱を伴う光の出射の熱の影響により生じる色ずれ相互差を低減し、印字品質の悪化を防止する、画像形成装置に備えられる走査光学装置を提供する。 - 特許庁

The surface-emission semiconductor laser element 40 has the laminating structure of a lower reflector 44, a lower clad layer 46, an active layer 48, an upper clad layer 50, an upper reflector 52, and a p-type contact layer 54 on an n-type GaAs stepped substrate 42.例文帳に追加

本面発光型半導体レーザ素子４０は、ｎ型ＧａＡｓ段差基板４２上に、下部反射鏡４４、下部クラッド層４６、活性層４８、上部クラッド層５０、上部反射鏡５２、及びｐ型コンタクト層５４の積層構造を備える。 - 特許庁

The light sources 101A, 101B are held by light source holding members 72A, 72B so that the emission directions of the respective laser light beams (hereafter also referred as a first axial direction and a second axis direction, respectively) intersect at right angle with the -y side faces of the light source holding members 72A, 72B.例文帳に追加

光源保持部材７２Ａ，７２Ｂに、それぞれのレーザ光の射出方向（以下、第１軸方向、第２軸方向ともいう）が、光源保持部材７２Ａ，７２Ｂの−ｙ側の面に直交するように光源１０１Ａ，１０１Ｂを保持させる。 - 特許庁

To provide a method for growing a ZnO oxide semiconductor with excellent crystallinity and for growing a ZnO oxide semiconductor layer of low remaining-carrier concentration and provide a semiconductor light-emitting device, such as light-emitting diode and laser diode, having superior light- emission efficiency.例文帳に追加

ＺｎＯ系酸化物半導体を結晶性よく成長し、残留キャリア濃度の低いＺｎＯ系酸化物半導体層を成長すると共に、発光効率の優れた発光ダイオードやレーザダイオードなどの半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Fluorescence emission form the phosphors increases per three-, four- or higher dimensional power law, together with excitation intensity, and then makes the laser beam image, to limit not only photobleaching but also the fluorescence light to the vicinity of the focal plane.例文帳に追加

蛍光体からの蛍光放射は、励起強度とともに、３次的に，４次的に又はそれより大きな冪乗の法則で増大し、その結果、レーザ光を結像させることにより、光漂白のみならず、蛍光が焦点面の近傍に限定される。 - 特許庁

The pulse width of a generally used the pulse laser is 20 ns or below but, by increasing the pulse width to 30 ns or above, an emission spectrum excellent in stability, intensity and lasting properties can be obtained and the surface of the solid in the liquid can be analyzed on the spot.例文帳に追加

一般に用いられるパルスレーザのパルス幅は20ns以下であるが、パルス幅を30ns以上に大きくすることにより、安定性、強度、持続性に優れた発光スペクトルを得ることができ、液体中の固体表面をその場分析することが可能となる。 - 特許庁

Only the area of part of each of the side walls 2 and 3 of the synthetic resin container V1 has a two-dimensional code formation area A1 containing an additive that is thermally changed by the emission of a laser beam, thereby forming a two-dimension code C.例文帳に追加

合成樹脂製容器Ｖ１の側壁２、３の一部領域のみに、レザー光の照射により、熱的変化を生じ、二次元コードＣが形成される添加物が含まれている二次元コード形成領域Ａ１を形成したものである。 - 特許庁

Further, the holding portion may include a light guide means which guides light from the light passing hole 4 to a light-receiving portion 22 of the photodiode 20 or light from a light emission portion 27 of the laser diode 25 to the light passing hole 4 by reflecting or refracting the light.例文帳に追加

更には、光を反射又は屈折させることによって、通光穴４からの光をフォトダイオード２０の受光部２２へ、又は、レーザダイオード２５の発光部２７からの光を通光穴４へ導く導光手段を備えてもよい。 - 特許庁

To obtain a compact and thin photodetector, optical pickup device and optical head device regarding an optical pickup device which uses a semiconductor laser for parallelly emitting lights of 2 wavelengths or more from one package by shifting emission positions.例文帳に追加

１パッケージ内から２波長以上の光を発光点位置をずらして並行に出射する半導体レーザを用いた光ピックアップ装置において、光検出器の小型、薄型化、ひいては光ピックアップ装置、光ヘッド装置の小型、薄型化を図る。 - 特許庁

As for data writing, a change is given to optical transmissivity or light emission characteristics by irradiating a desired minute area with laser light focused by a lens OL place outside the memory area and causing heat denaturation within the pertinent minute area.例文帳に追加

データの書込みは、記憶領域の外部においたレンズＯＬで集光したレーザ光を所望の小区画に照射して、該当する小区画内部に熱による変性を起こすことで光の透過率あるいは発光特性に変化を与える。 - 特許庁

To provide a fluorescent screen which emits light by being excited by a laser or LED of blue light with a wavelength of 400-460 nm, the fluorescent screen having low transmittance of excitation light, high excitation efficiency, high safety, and high light emission luminance.例文帳に追加

波長４００〜４６０ｎｍの青色光のレーザー又はＬＥＤによって励起されて発光する蛍光スクリーンであって、励起光の透過率が低く、励起効率が高く、また安全性が高いと共に、発光輝度の高い蛍光スクリーンを提供する。 - 特許庁

An astigmatism compensating element 2 in which quantity of astigmatism is varied in accordance with an incident luminous flux diameter is provided in emission luminous flux between a laser source 1 and a collimate lens 5 so that an optical axis direction position and a rotation angle around an optical axis can be adjusted.例文帳に追加

レーザ光源１とコリメートレンズ５との間の発散光束中に、入射光束径に応じて非点収差量の変化する非点収差補正素子２を光軸方向位置及び光軸回り回転角度が調整可能なように備える。 - 特許庁

The well layer 106 is mixed with an appropriate quantity of crystallized In as a group III element whose covalent bond radius is larger than Ga, so that the crystallinity of the semiconductor laser device 100 becomes superior, and an oscillation threshold current is reduced, resulting in improving light emission efficiency.例文帳に追加

この井戸層１０６には、Ｇａよりも共有結合半径が大きなＩＩＩ族元素であるＩｎが適量混晶化されているので、結晶性に優れたものになって、発振閾値電流が低減し、発光効率が向上する。 - 特許庁

In such a case, the main and auxiliary scanning direction moving devices and the elevator are configured to move the machining emission position of the laser beam so that the machining width of the inside of the outline of the hole H is narrowed as approaching the bottom part of the sheet bundle.例文帳に追加

この場合、主、副走査方向移動装置及び昇降装置が、孔Ｈの輪郭から内側の加工幅がシート束の底部に近づくにしたがって狭くなるようにレーザ光の加工照射位置を移動させるようになっている。 - 特許庁

To provide, in a light emitting device using a laser diode as a light source, a semiconductor light emitting device which has thin light emission area and can obtain linear white light of high luminance and compatibly dissipates heat and extracts light.例文帳に追加

レーザダイオードを光源とする発光装置において、発光面積が細く、高輝度の線状の白色光を得ることを可能とする半導体発光装置、及び放熱と光取り出しを両立させた半導体発光装置を提供すること。 - 特許庁

To resolve the difficulty of the alignment for bonding the active layer of a GaN-based semiconductor laser element to the side of its heat sink, although a light intercepting electrode for reducing its amplified spontaneous emission light is required to be formed on its transparent insulating substrate.例文帳に追加

透明で絶縁性基板を用いたＧａＮ系半導体レーザでは、自然放出光を減少させるために基板に遮光電極を設ける必要があるが、活性層をヒートシンク側に接着するための位置合わせが困難になる。 - 特許庁

An optical filter 30 is disposed on the optical path of emission light close to the illumination light unit 20, so that the terahertz pulsed light from the laser device 21 is made to irradiate a person M to be inspected via a luminous intensity distribution optical system 22 and the optical filter 30.例文帳に追加

照明光ユニット２０の近傍において射出光の光路上に光学フィルタ３０を配設し、レーザ装置２１からのテラヘルツパルス光を配光光学系２２及び光学フィルタ３０を介して検査対象の人物Ｍに照射する。 - 特許庁

A mode-locked semiconductor laser includes a gain region 24 for generating a stimulated emission light and a saturable absorption region 26 for partially absorbing the stimulation-emitted light generated in the region 24, in a series with respect to the longitudinal direction in an active layer 20.例文帳に追加

活性層２０に、誘導放出光を生成するための利得領域２４と、利得領域２４で生成された誘導放出光を部分的に吸収するための可飽和吸収領域２６とを、長手方向に対して直列に含んでいる。 - 特許庁

The image light in an arc emission region 5a including the laser light reflected at the part 7 to be welded is reflected to the rear part of the welding torch 11 by a mirror 31 on the light receiving side, and the scene is guided to a camera 37 by a fiber 34 on the light receiving side.例文帳に追加

受光側ミラー３１により、被溶接部分７で反射されたレーザー光を含むアーク発光領域５ａの映像光を溶接トーチ１１の後方に反射させ、その状景を受光側ファイバ３４でカメラ３７に誘導する。 - 特許庁

To provide a highly reliable constricted oxide layer type surface emission semiconductor laser element, by reducing a stress being applied to the boundary of an Al oxide layer and a current injection region, i.e., the forward end of the Al oxide layer (central side of mesa post).例文帳に追加

Ａｌ酸化層と電流注入領域との境界、つまりＡｌ酸化層の先端部（メサポスト中央部側）に加わる応力を低減して素子信頼性の良好な酸化層狭窄型の面発光型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

A calibration curve of carbon's fluorescence intensity obtained from the surface of a wood by laser induced plasma emission analysis and wood's air-dried density determined as the ratio of mass and volume is prepared, and then the wood's air-dried density is measured by using the calibration curve.例文帳に追加

レーザ誘起プラズマ発光分析によって木材の表面から得られる炭素の蛍光強度と、質量と体積の比として求められる木材の気乾密度との検量線を作成し、該検量線を使用して、木材の気乾密度を測定する。 - 特許庁

In this optical branching device, the light signal outputted by the light emission of a laser diode(LD) 53 disposed in an electro-optic conversion circuit 511 of an electric signal section 51 is made incident on a sheet-like light transmission path 50 and is broadcast therein.例文帳に追加

本光分岐装置では、電気信号部５１の電気−光変換回路５１１に設けられたレーザーダイオード（ＬＤ）５３の発光により出力された光信号が、シート状導光路５０に入射され、その内部にブロードキャストされる。 - 特許庁

To provide a high definition image forming device exhibiting a high reproducibility by correcting image data so as to make a light emission pulse width a prescribed pulse width for an isolated dot pattern that lowers the reproducibility of an image due to the decrease in the light emission pulse width, an isolated dot for which laser on time is 1/4 in an SST to split one picture element into four bits.例文帳に追加

１画素を４ビットに分割するＳＳＴにおいて、レーザＯＮ時間が１／４になるような孤立ドットでは、発光パルス幅が細くなり画像の再現性が悪化してしまう孤立ドットパターンの場合に、発光パルス幅が所定のパルス幅になるように画像データを補正することにより、再現性の高い高品位な画像形成形成装置を提供する。 - 特許庁

A quantum cascade laser 1A includes a semiconductor substrate 10, and an active layer 15 which is provided on the substrate 10 and has a cascade structure in which a unit laminate consisting of a quantum well emission layer and an injection layer is stacked in multiple stages so that the emission layer and the injection layer are alternately laminated, for generating light by inter-subband transition in the quantum well structure.例文帳に追加

半導体基板１０と、基板１０上に設けられ、量子井戸発光層及び注入層からなる単位積層体が多段に積層されることで発光層と注入層とが交互に積層されたカスケード構造を有し、量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって光を生成する活性層１５とを備えて量子カスケードレーザ１Ａを構成する。 - 特許庁

In the light emission display constituted by stacking in order a plurality of first electrodes arranged in a fixed interval, light emission parts, and a plurality of secondary electrodes orthogonally crossing to the first electrodes and arranged in a fixed interval, wherein a portion of the secondary electrodes is removed by irradiating laser.例文帳に追加

基板上に、各々所定間隔をおいて配列される複数本の第１電極と、発光部と、該第１電極と直交し且つ所定間隔をおいて配列される複数本の第２電極とが順次積層されて構成される発光ディスプレイにおいて、第２電極が、レーザが照射されることにより当該第２電極の一部が取り除かれている特徴とする。 - 特許庁

Emission of a multibeam system exposing unit 3 emitting two laser beams is controlled such that the difference of surface potential of a photosensitive drum 1 when a 2 dot 2 space latent image is formed by emitting two laser beams simultaneously and when a 2 dot 2 space latent image is formed by emitting two laser beams independently will be lower than 20 V.例文帳に追加

露光装置３は２本のレーザービームを発光するマルチビーム方式の露光装置３であり、２本のレーザービームを同時に発光させて感光ドラム１上に、２ｄｏｔ ２ｓｐａｃｅ潜像を形成した場合の感光ドラム１上の表面電位と、２本のレーザービームを単独で発光させて感光ドラム１上に、２ｄｏｔ ２ｓｐａｃｅ潜像を形成した場合の感光ドラム１上の表面電位との差を２０Ｖ未満となるように、露光装置３における発光を制御する。 - 特許庁

To provide an orientation growth method for organic semiconductor crystals and an organic laser device utilizing the same, which self-organizes a molecular configuration-controlled organic semiconductor oriented crystal on a substrate, using π-conjugated system oligomer molecules having stable emission characteristics, and constitutes a low-loss waveguide or a resonator structure with the crystal itself, to enable laser oscillation.例文帳に追加

安定な発光特性を有する、π共役系オリゴマー分子を用いて、分子配列を制御した有機半導体配向結晶を基板上に自己組織化するとともに、結晶自身が低損失の導波路や共振器構造を構成することにより、レーザー発振を可能とする有機半導体結晶の配向成長方法とそれを利用した有機レーザーデバイスを提供する。 - 特許庁

An inking unit body 1 having a section 2 for emitting linear laser light at one end 1a along the longitudinal axis X-X and a laser emission on/off switch 3 at the other end 1b is provided, on the outer circumferential surface thereof, at least with a first reference face 4a and a second reference face 4b perpendicular thereto and a magnet 5 is arranged on each reference face.例文帳に追加

長手方向の軸線Ｘ−Ｘに沿う一端部１ａにライン状のレーザー光を出射するレーザー光出射部２を有し、他端部１ｂにレーザー光出射のオン／オフ用スイッチ３を有する墨出し器本体１の外周面に、少なくとも第１の基準面４ａと、これと直角をなす第２の基準面４ｂが形成されるとともに各基準面に、マグネット５が配される。 - 特許庁

A first time in which laser light is returned after being emitted and an angle of elevation being an emission angle at which the laser light is emitted from an overhead target detecting means 11 are detected by overhead target detection means 11, 12, and 13, and an overhead target calculation means 15 calculates an overhead target distance and an overhead target height on the basis of the first time and the angle of elevation.例文帳に追加

頭上物標検知手段１１，１２，１３によりレーザ光が出射されてから戻るまでの第１の時間と、当該レーザ光が頭上物標検知手段１１から出射された際の出射角である仰角を検知し、頭上物標算出手段１５は、第１の時間および仰角に基づいて頭上物標距離および頭上物標高さを算出する。 - 特許庁

The monitor optical detector 160 which absorbs a part of the light emitted from the surface light laser 110 to output its detection signal, comprises insulation layers 192, 194 between an intrinsic semiconductor layer 172 and impurity semiconductor layers 162, 164, so as to remove a photo current due to light of spontaneous emission from the surface light laser 110.例文帳に追加

本発明は、表面光レーザー部１１０から出射される光の一部を吸収してその検出信号を出力するモニター用光検出器１６０に、表面光レーザー部１１０から出射される自発放出光による光電流が除去されるように真性半導体層１７２と不純物半導体層間１６２，１６４に絶縁層１９２，１９４をさらに具備する。 - 特許庁

The negative-working photopolymerization type photosensitive lithographic printing plate precursor for exposing with laser has at least one photopolymerizable photosensitive layer on a hydrophilic support and further has a protective layer on the photosensitive layer, wherein the protective layer contains a dye or pigment capable of absorbing light having a wavelength of a laser emission wavelength±50 nm.例文帳に追加

親水性支持体上に、光重合性の感光性層を少なくとも１層有し、さらに該感光性層上に保護層を有し、レーザで露光するネガ型の光重合型感光性平版印刷版原版において、該保護層がレーザ発光波長±５０ｎｍの光を吸収可能な染料または顔料を含有することを特徴とするネガ型の光重合型感光性平版印刷版原版。 - 特許庁

In this constitution, a photoabsorption body 24 having a conical inner wall getting thin along with separation from the semiconductor laser 28, and reflection-prevention-worked in the inner wall is provided in an opposed end opposed to an arranging end of the semiconductor laser 28 in a measuring tube 22, and the parallel lights are multiply reflected by the photoabsorption body 24 while advancing toward an emission direction, so as to be absorbed.例文帳に追加

この構成において、測定管２２における半導体レーザ２８の配設端との対向端に、半導体レーザ２８から離れるに従って細くなる円錐形状の内壁を有し、この内壁に反射防止加工が施された光吸収体２４を備え、この光吸収体２４で平行光が出射方向へ向かいながら多重反射されて吸収されるようにする。 - 特許庁

The system comprises a semiconductor laser having multi-mode light emission spectrum characteristics different in frequency, an optical fiber SMF for connecting a station apparatus OLT to a plurality of subscriber terminals ONU through optical couplers OC to propagate signals from the semiconductor laser, and an adaptive control equalizer AE for making distorted signals near to original signal waveforms by wavelength dispersion at passing through an optical fiber SMF.例文帳に追加

波長の異なる発光スペクトル特性を有する半導体レーザと、局側装置ＯＬＴと複数の加入者端末ＯＮＵとを光カプラＯＣを介して接続し、半導体レーザからの信号を伝搬する光ファイバＳＭＦと、光ファイバＳＭＦ通過時に波長分散によって歪んだ信号を元の信号波形に近づける適応制御等化器ＡＥとを備えている。 - 特許庁

In the semiconductor laser device 1, a polarization hologram 6 transmits an emission light 70 from a semiconductor laser chip 2 to an optical disk 85 as a going light 71 without its diffraction, and shifts a returning light 77 generated by the reflection of the going light 71 on the optical disk 85 and its return and diffracts the light to be directed to first and second light receiving parts 3A, 3B.例文帳に追加

この半導体レーザ装置１では、偏光ホログラム６は、半導体レーザチップ２から光ディスク８５への出射光７０を回折しないで往路光７１として透過する一方、往路光７１が光ディスク８５で反射して戻ってきた復路光７７を半導体レーザチップ２に向かう方向から逸らすと共に第１，第２の受光部３Ａ，３Ｂに向けるように回折する。 - 特許庁

This optical pickup is provide with a 3-beam generating diffraction grating that distributes a 1st laser beam with a 1st wavelength λ1 and a 2nd laser beam with a 2nd wavelength λ2 to 3 emission lights respectively and a hologram element that is divided at least into 1st and 2nd regions within the same plane and distributes a reflected light from a recording medium toward a light receiving element substrate.例文帳に追加

この光ピックアップは、第１波長λ１を有する第１レーザ光及び、第２波長λ２を有する第２レーザ光を、それぞれ３本の出射光へ分岐する３ビーム生成用回折格子と、同一平面内で少なくとも第１領域，第２領域に分割され、記録媒体からの反射光を分岐し、受光素子基板へ向かわせるホログラム素子とを備える。 - 特許庁

As this laser marking device does not continuously execute the marking of black cells B as adjacent unit emission regions, it is possible to prevent deformation of the adjacent portion of the black cells B in the works which may occur due to excessive heat thereof, thereby improving the marking quality of the two-dimensional code.例文帳に追加

このレーザマーキング装置は、隣接した単位照射領域としての黒色セルＢを連続してマーキングしないから、ワークのうち黒色セルＢの隣接部分が過剰に熱を受けて変形することが防がれ、２次元コードのマーキング品質が向上する。 - 特許庁

If the scattered beam exists, a signal adding part 24 first sets the time from emission of the laser beam to reception of the scattered beam in a first delaying part 41 in order to generate the canceling signal required to eliminate the signal component of the scattered beam.例文帳に追加

散乱光がある場合には、信号加算部２４で散乱光の信号成分を除去するのに必要なキャンセル信号を生成するために、まず、レーザ光を出射してから散乱光が受信されるまでの時間を第１遅延部４１に設定する。 - 特許庁

To provide a projector capable of making a display with very small change of colors and change of the quantity of light even when a light emission peak wavelength changes owing to external heat etc., during use of a semiconductor laser, for example, as the light source of the projector.例文帳に追加

半導体レーザを例えばプロジェクタの光源として用いる場合に、発光ピーク波長が外部の熱等によって変化してしまうときでも、色の変化及び光量変化を非常に少なくして表示を行うことのできるプロジェクタを提供する。 - 特許庁

A light detecting layer 12, a multilayered film semiconductor layer 13, and a p-type contact layer 14 are laminated in this sequence on an n-type semiconductor substrate 11 for the formation of a semiconductor photodetector 10, and the semiconductor photodetector is formed integrally with a surface-emission semiconductor laser 20.例文帳に追加

半導体光検出器１０はｎ型半導体基板１１上に、光検出層１２、多層膜半導体層１３およびｐ型コンタクト層１４をこの順に積層して構成されており、面発光型半導体レーザ２０と共に一体に形成されている。 - 特許庁