「emitter region」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

An N+-type emitter region 5 is formed on the surface of the substrate within the P-type base region 3.例文帳に追加

Ｐ型ベース領域３内の基板表面にＮ^+型のエミッタ領域５が形成されている。 - 特許庁

The first embedded region 180 overlaps at least one side out of edges of the emitter region 170 but does not overlap the entire surface of the emitter region 170.例文帳に追加

また第１埋込領域１８０は、エミッタ領域１７０の縁のうち少なくとも一辺と重なっており、かつエミッタ領域１７０の全面には重なっていない。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises an n^-type drift region 26, a p^-type body region 28, an n^+type emitter region 36, an emitter electrode 52, and a gate electrode 34.例文帳に追加

半導体装置１０は、ｎ^−型のドリフト領域２６と、ｐ^−型のボディ領域２８と、ｎ^＋型のエミッタ領域３６と、エミッタ電極５２と、ゲート電極３４を備えている。 - 特許庁

All the emitter openings have an identical shape, inclusive of emitter openings EL1, EL2, and the emitter-opening width of each emitter-terminal-side region 21 is so formed as to be made wider than the emitter-opening width of each base-terminal side.例文帳に追加

エミッタ開口部は、エミッタ開口部ＥＬ１及びＥＬ２を含めすべて同一形状を有し、エミッタ端子側領域２１のエミッタ開口幅がベース端子側のエミッタ開口幅よりも広く形成されている。 - 特許庁

In addition, since the region is reduced where the gate electrode is facing to the emitter structure, a gate-to-emitter capacitance can be reduced.例文帳に追加

加えて、ゲート電極がエミッタ構造に面している領域が減る為、ゲート・エミッタ間容量が低減できる。 - 特許庁

The light receiving element 10 is a phototransistor comprising a collector region (Si substrate 11), a base region 12, and an emitter region 13.例文帳に追加

受光素子１０は、コレクタ領域（Ｓｉ基板１１）、ベース領域１２、エミッタ領域１３からなるフォトトランジスタである。 - 特許庁

On the surface layer of p body region 4, an n^+ emitter region 5 and a p^+ contact region 6 are provided adjacently.例文帳に追加

ｐボディ領域４の表面層には、ｎ^+エミッタ領域５とｐ^+コンタクト領域６とが接するように設けられている。 - 特許庁

A collector region 209 is formed in the resurf region 202 isolated from the base region 206 so that a distance from the collector region 209 to the emitter/source region 208 may become shorter than a distance from the drain region 214 to the emitter/source region 208.例文帳に追加

リサーフ領域２０２内には、ベース領域２０６とは隔離してコレクタ領域２０９が、コレクタ領域２０９からエミッタ／ソース領域２０８までの距離がドレイン領域２１４からエミッタ／ソース領域２０８までの距離よりも短くなるように形勢されている。 - 特許庁

The IGBT has an n-type emitter region, a p-type body region, an n-type drift region, a p-type collector region, and a gate electrode opposed to the body region, within a range wherein the emitter region and drift region are isolated, with an insulating film interposed.例文帳に追加

ＩＧＢＴは、ｎ型のエミッタ領域と、ｐ型のボディ領域と、ｎ型のドリフト領域と、ｐ型のコレクタ領域と、エミッタ領域とドリフト領域を分離している範囲のボディ領域に絶縁膜を介して対向しているゲート電極を有している。 - 特許庁

The transistor comprises a stratified base region 3, and an emitter region 5 formed with a pattern constituting a closed region on the surface of the base region 3.例文帳に追加

層状に設けられたベース領域３と、ベース領域３の表面に閉領域をなすパターンで形成されたエミッタ領域５とを備える。 - 特許庁

At least one N-type emitter region 3 and at least one N-type sense region 5 spaced apart from the emitter region 3 are selectively formed on a surface portion of a P-type base region 2.例文帳に追加

Ｐ型のベース領域２の表面部に、少なくとも１つのＮ型のエミッタ領域３及びエミッタ領域３と離隔した少なくとも１つのＮ型のセンス領域５が選択的に形成されている。 - 特許庁

With the impurity concentration of the base region 3 higher, the base region 3 below the emitter region 4 is pushed out downward by the emitter region 4 to the collector region 1 side, forming the base region 3 with a step.例文帳に追加

そして、ベース領域３の不純物濃度が濃くされることにより、前記エミッタ領域４の下側のベース領域３が該エミッタ領域４により押し出されてコレクタ領域１側に下がり、ベース領域３が段付き構造に形成されている。 - 特許庁

The power semiconductor device has a first conductivity type emitter region, a second conductivity type base region touching the emitter region, a first conductivity type withstand voltage maintaining region touching the base region, a second conductivity type collector region touching the withstand voltage maintaining region, and a collector region arranged in contact with the collector region.例文帳に追加

第一導電型のエミッタ領域と、該エミッタ領域と接する第二導電型のベース領域と、該ベース領域と接する第一導電型の耐圧維持領域と、該耐圧維持領域と接する第二導電型であるコレクタ領域と、該コレクタ領域と接して配置される電極であるコレクタ電極とを備える。 - 特許庁

An IGBT region 20 has a p^+-type collector region 30a, an n^--type drift region 34a, a p-type body region 36a, and an n^+-type emitter region 46.例文帳に追加

ＩＧＢＴ領域２０は、ｐ^＋型のコレクタ領域３０ａと、ｎ^−型のドリフト領域３４ａと、ｐ型のボディ領域３６ａと、ｎ^＋型のエミッタ領域４６を有する。 - 特許庁

Along the gate insulation film 42, the drift region 26, the first additional semiconductor region 36, the drift region 26, the body region 32, and the emitter region 34 are arranged sequentially.例文帳に追加

ゲート絶縁膜４２に沿って、ドリフト領域２６、第１付加半導体領域３６、ドリフト領域２６、ボディ領域３２、エミッタ領域３４が順に並んでいる。 - 特許庁

A p^+ low resistance region 41 is provided at the interface among the p body region 4, the n^+ emitter region 5 and p^+ contact region 6, within the p body region 4.例文帳に追加

ｐボディ領域４内の、ｐボディ領域４領域と、ｎ^+エミッタ領域５およびｐ^+コンタクト領域６との界面には、ｐ^+低抵抗領域４１が設けられている。 - 特許庁

The bipolar transistor comprises a collector region 1, an emitter region 2 and a base region 3, and a semiconductor area 4 extends between the collector region 1 and the base region 3.例文帳に追加

コレクタ領域１、エミッタ領域２、ベース領域３とを有するバイポーラトランジスタであって、半導体領域４がコレクタ領域１とベース領域３との間に延在する。 - 特許庁

A semiconductor device is structured such that an emitter layer 3 is provided in a region A on a first principal plane side of a semiconductor substrate 1 and no emitter layer 3 is provided in a region B.例文帳に追加

半導体基板１の第１主面側の領域Ａにエミッタ層３が設けられ、領域Ｂにはエミッタ層３が設けられない構造とする。 - 特許庁

The polysilicon layer 12 and the emitter region 4 are connected by a wiring 15 for electrically connecting the polysilicon layer 12 and the emitter region 4.例文帳に追加

さらに、当該ポリシリコン層１２とエミッタ領域４とを電気的に接続するために、配線１５によりポリシリコン層１２とエミッタ領域４とを繋げる。 - 特許庁

The emitter region 36 is not formed on the second kind partial region 64.例文帳に追加

第２種類の部分領域６４には、エミッタ領域３６が形成されていないことを特徴としている。 - 特許庁

The n-type source region 120 and an n-type emitter region 210 are isolated structurally.例文帳に追加

ｎ型ソース領域１２０とｎ型エミッタ領域２１０とは、構造的に分離して形成されている。 - 特許庁

Regions where the dangling bonds are generated serve as the n-type emitter region 2e and collector region 2c.例文帳に追加

これらのダングリングボンドが生成された領域がｎ型のエミッタ領域２ｅ及びコレクタ領域２ｃとなる。 - 特許庁

On this surface a base region 13 is formed and an emitter region 14 is formed on the surface of the base region 13.例文帳に追加

この表面にはベース領域１３が形成され、ベース領域１３の表面にはエミッタ領域１４が形成されている。 - 特許庁

An n^+ type emitter region 3 and a p^+ type body region 4 are selectively provided on a surface of the base region 2.例文帳に追加

ベース領域２の表面には、ｎ^+型のエミッタ領域３およびｐ^+型のボディ領域４が選択的に設けられている。 - 特許庁

A gate electrode 210 is formed so as to cover the base region between the emitter/source region 206 and N-type region 202.例文帳に追加

エミッタ／ソース領域２０６とＮ型領域２０２との間のベース領域を覆うようにゲート電極２１０が形成されている。 - 特許庁

The first and second emitter regions 41, 42, 43 and 44 are divisions of a single emitter region.例文帳に追加

第１のエミッタ領域４１，４２、第２のエミッタ領域４３，４４はそれぞれ、１つのエミッタ領域を分割したものである。 - 特許庁

The diffusion region 14 extends to a depth reaching the back face of an element region 31 from the front face of the element region 31 in body regions 6a, 16a between the emitter region 12 and the drift region 22, and divides the body region 6, 16 into a first region 6 in contact with the emitter region 12 and a second region 16 in contact with the drift region 22.例文帳に追加

拡散領域１４は、エミッタ領域１２とドリフト領域２２の間のボディ領域６ａ、１６ａ内において素子領域３１の表面から素子領域３１の裏面に達する深さまで伸びており、ボディ領域６、１６をエミッタ領域１２に接する第１領域６とドリフト領域２２に接する第２領域１６に分離している。 - 特許庁

An n well region 6 whose concentration is higher than that of the n^--type epitaxial growth layer 2, and lower than that of the p^+-type emitter region 5 is formed at the periphery of the p^+-type emitter region 5.例文帳に追加

Ｐ＋型エミッタ領域５の周囲に、Ｎ−型エピタキシャル成長層２よりも高濃度で、且つＰ＋型エミッタ領域５よりも低濃度のＮウェル領域６が形成されている。 - 特許庁

A body region 25 of the channel region 10A includes an emitter region 26 which is in contact with a side surface of a trench gate 30 and electrically connected to an emitter electrode 28.例文帳に追加

チャネル区域１０Ａのボディ領域２５には、トレンチゲート３０の側面に接するとともにエミッタ電極２８に電気的に接続しているエミッタ領域２６が設けられている。 - 特許庁

A semiconductor region 31 of this lateral IGBT 100 includes a drift region 22, a body region 6, 16, an emitter region 12, a body contact region 8, a collector region 26, a buffer region 28 and a diffusion region 14.例文帳に追加

横型のＩＧＢＴ１００の半導体領域３１は、ドリフト領域２２とボディ領域６、１６とエミッタ領域１２とボディコンタクト領域８とコレクタ領域２６とバッファ領域２８と拡散領域１４で構成されている。 - 特許庁

The protective element includes a semiconductor substrate 1, a P well 2, an emitter region 5B, a first collector region 6B, a second collector region 8B, and a resistive connection region 9.例文帳に追加

半導体基板１、Ｐウェル２、エミッタ領域５Ｂ、第１コレクタ領域６Ｂ、第２コレクタ領域８Ｂおよび抵抗性接続領域９を有する。 - 特許庁

In at least a part of the second region 4 and the first region 2, a semiconductor structure of an emitter region 22, a body region 24, etc., is formed.例文帳に追加

第２領域４の少なくとも一部と第１領域２には、エミッタ領域２２やボディ領域２４等の半導体構造が形成されている。 - 特許庁

A base region 3a is formed on the collector region 1b of a semiconductor substrate 1, and an emitter region 6a is formed on the base region 3a.例文帳に追加

半導体基板１のコレクタ領域１ｂ上にはベース領域３ａが形成されており、ベース領域３ａ上にはエミッタ領域６ａが形成されている。 - 特許庁

A first contact portion 21a where an emitter electrode is brought into contact with the emitter region 15 is formed wide in a cross bar-like portion 15b of the emitter region 15, while a second contact portion 21b where the emitter electrode is brought into contact with the P-channel region 14 is formed smaller in width than the first contact portion 21a.例文帳に追加

エミッタ電極がエミッタ領域15と接触する第１のコンタクト部21ａは、エミッタ領域15のクロスバー状部15ｂに幅広に設けられ、エミッタ電極がＰチャネル領域14と接触する第２のコンタクト部21ｂは、第１のコンタクト部21ａより幅が狭く形成されている。 - 特許庁

In a lateral bipolar transistor where a collector region and an emitter region are juxtaposed above a base region, the collector region and the emitter region are formed by diffusing P type or N type impurities contained in a silicon germanium layer in the base region.例文帳に追加

本発明では、ベース領域の上部にコレクタ領域とエミッタ領域とを並設してなる横型バイポーラトランジスタにおいて、コレクタ領域及びエミッタ領域は、シリコンゲルマニウムに含有させたＰ型又はＮ型の不純物をベース領域内で拡散させて形成した。 - 特許庁

In the IGBT 10, the distance between the emitter region 26 and the drift region 23 in the one direction is shorter than the distance between the emitter region 26 and the drift region 23 in the vertical direction.例文帳に追加

IGBT１０では、前記一方方向におけるエミッタ領域２６とドリフト領域２３の間の距離が、縦方向におけるエミッタ領域２６とドリフト領域２３の間の距離よりも短いことを特徴としている。 - 特許庁

It has an emitter electrode 7 formed in contact with the n^- region 2a.例文帳に追加

ｎ^-領域２ａに接するように形成されたエミッタ電極７を備える。 - 特許庁

The Boersch effect originates primarily from interactions between electrons in the region of the emitter. 例文帳に追加

ベルシュ効果は、主にエミッタの領域での電子間の相互作用に由来する。 - 科学技術論文動詞集

To prevent a thermionic emitter from being cracked by dividing an emitter region, with a thermionic cathode of an X-ray tube with a structure supporting the thermionic emitter with a heating element.例文帳に追加

熱電子エミッタを発熱体で支持する構造のＸ線管の熱陰極において、エミッタ領域を分割することで、熱電子エミッタにひび割れが生じないようにする。 - 特許庁

A p-type base region 104 has a part A positioned between an n^--type drift region 116 and an n^+-type emitter region 122.例文帳に追加

ｐ型ベース領域１０４は、ｎ^−型ドリフト領域１１６とｎ^＋型エミッタ領域１２２の間に位置する部分Ａを有する。 - 特許庁

When a N-type emitter region 15 is formed within a P-type base region 14, a ring-type LOCOS oxide film 16, that is opened in the region to which the N-type emitter region 15 is to be formed, is provided on the P-type base region 14 (Fig. 3(a)).例文帳に追加

Ｐ型ベース領域１４内にＮ型エミッタ領域１５を形成するに際し、Ｐ型ベース領域１４上にＮ型エミッタ領域１５の形成予定場所が開口した輪状のＬＯＣＯＳ酸化膜１６を設ける（図３（ａ））。 - 特許庁

The insulating film comprises a contact window 19 for emitter electrode wiring connection at the position corresponding to at least the emitter region 5.例文帳に追加

その絶縁膜は少なくともエミッタ領域５に対応した位置にエミッタ電極配線接続用のコンタクト窓１９を有する。 - 特許庁

The emitter layer 13 is N-type semiconductor region, and the second base layer 14 is a P-type semiconductor region.例文帳に追加

エミッタ層１３は、Ｎ型半導体領域であり、第２のベース層１４は、Ｐ型半導体領域である。 - 特許庁

The n-type source region 120 and an n-type emitter region 210 are so formed as to be separated from each other in structure.例文帳に追加

ｎ型ソース領域１２０とｎ型エミッタ領域２１０とは、構造的に分離して形成されている。 - 特許庁

The corner portion of the p-well region 4 opposite to the p-emitter region 3 may have an acute angle of about 30 to 60 degrees.例文帳に追加

ｐエミッタ領域３に対向するｐウェル領域４の角部を３０〜６０度の鋭角としてもよい。 - 特許庁