「emitter region」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

In this semiconductor device, LOCOS oxide films 14, 15, and N-type diffusion layers 22, 23 are formed around a P-type diffusion layer 18 as an emitter region.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、エミッタ領域としてのＰ型の拡散層１８の周囲には、ＬＯＣＯＳ酸化膜１４、１５、Ｎ型の拡散層２２、２３が形成される。 - 特許庁

Consequently, the N+ diffusion region 49 and N+ additional embedded layer 45 are connected surely together to lower the collector-emitter saturation voltage of the NPN transistor 31.例文帳に追加

そのことで、Ｎ^+型拡散領域４９とＮ^+型付加埋め込み層４５とは確実に連結され、ＮＰＮトランジスタ３１におけるコレクタ−エミッタ間飽和電圧が低減される。 - 特許庁

An SiGe alloy layer 4 is formed on this active region 2a, and a silicon film 5 and an n-type diffusion layer (emitter layer) 6 are formed on the SiGe alloy layer 4.例文帳に追加

この活性領域２ａ上にＳｉＧｅ合金層４を形成し、ＳｉＧｅ合金層４上にシリコン膜５およびｎ型拡散層（エミッタ層）６を形成する。 - 特許庁

Therefore, the number of carriers leaked to the semiconductor substrate 102 from the emitter region 112 can be reduced and a substrate current can also be reduced.例文帳に追加

このため、エミッタ領域１１２から放出されるキャリアのうち、半導体基板１０２に漏れるキャリアの数を減少させることができ、基板電流を減少させることができる。 - 特許庁

A P type diffusion layer 106 to become an emitter layer of a horizontal PNP transistor of the IIL and a P type diffusion layer 107 to become a collector layer are formed on the first element region.例文帳に追加

第１の素子領域にはＩＩＬの横型ＰＮＰトランジスタのエミッタ層となるＰ型拡散層１０６と、コレクタ層となるＰ型拡散層１０７が形成される。 - 特許庁

Under the circumstances, holes in the vicinity of the first base region 12 are promptly extracted upon application of a reverse bias to the voltage across the emitter and the base, and this suppresses the occurrence of a tail current.例文帳に追加

このため、エミッタ−ベース間電圧が逆バイアスされると、第１ベース領域１２近傍の正孔が速やかに引き抜かれ、テール電流の発生が抑えられる。 - 特許庁

Then the base layer 2 is formed, so that the impurity concentration of a side of the base layer 2 joined to the collector layer 1 is higher than that of a side thereof which is joined to the emitter region 3.例文帳に追加

そして、ベース層２が、コレクタ層１との接合側の不純物濃度がエミッタ領域３との接合側の不純物濃度より高くなるように形成されている。 - 特許庁

With respect to the high-frequency transistor 20, there are formed alternately in a square-form base region B_L a plurality of stripe-form emitter openings and a plurality of stripe-form base contacts.例文帳に追加

高周波トランジスタ２０では、方形状のベース領域Ｂ_Ｌ内に、ストライプ状を有するエミッタ開口部とベースコンタクト部とが交互に複数本形成されている。 - 特許庁

A high resistance poly-plug is connected to each source region, which is the emitter of a parasitic bipolar transistor so that parasitic thyristor operations are suppressed, and resistance to latch-up is improved.例文帳に追加

寄生バイポーラトランジスタのエミッタとなる各ソース領域に高抵抗のポリプラグが接続されているので、寄生サイリスタ動作が抑制されラッチアップ耐性が向上する。 - 特許庁

The emitter-side grating 23a substantially passes the laser beam L2 having a longer wavelength than the other laser beam L1, and directs it to a desired region of the light receiving element 12.例文帳に追加

発光素子側回折格子２３ａは、レーザ光Ｌ１，Ｌ２のうち波長の長いレーザ光Ｌ２をほぼ透過させて受光素子１２の所望の領域に導く。 - 特許庁

A P+ emitter region 41 is formed from above a step difference and an interval 42 is enlarged by the influence of acceleration oxidation to the collector buried layer 29.例文帳に追加

段差の上部からＰ＋エミッタ領域４１を形成すること及びコレクタ埋め込み層２９に対する増速酸化の影響により、間隔４２を拡大する。 - 特許庁

In an entire emitter region 3, difference in inductance due to the routing of wiring is eliminated, thus canceling the phase deviation of an RF signal, and hence reliably increasing gain.例文帳に追加

全てのエミッタ領域３において、配線の引き回しによるインダクタンス差が無くなるためＲＦ信号の位相ズレを解消でき、ゲイン向上を確実に達成できる。 - 特許庁

On the surface of the first-layer emitter electrode 17 on the gate electrode 15 where no channel region 6 is formed, a polyimide film 7 which is to be a gate stage is formed.例文帳に追加

チャネル領域６を形成しない箇所のゲート電極２１上の第１層目のエミッタ電極１７の表面にゲート台座となるポリイミド膜７を形成する。 - 特許庁

This bipolar transistor comprises a GaAs substrate, an n-type collector region formed on the GaAs substrate, a p-type base region having a base layer consisting of p-type SiGe and having a composition, capable of lattice matching with the GaAs substrate and formed on the n-type collector region, and an n-type emitter region formed on the p-type base region.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板と、前記ＧａＡｓ基板上に形成されたｎ型コレクタ領域と、前記ｎ型コレクタ領域上に形成され前記ＧａＡｓ基板と格子整合する組成のｐ型のＳｉＧｅからなるベース層を有するｐ型ベース領域と、前記ｐ型ベース領域上に形成されたｎ型エミッタ領域と、を備えることを特徴とするバイポーラ型トランジスタを提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming an n-type semiconductor region 2 partially on a p-type semiconductor substrate 1, a step for forming an anti-oxidation layer 3 by lowering n-type carrier concentration above the n-type semiconductor region, and a step for forming a base region B, an emitter region E and a collector region C above the anti-oxidation layer 3.例文帳に追加

本発明は、ｐ型半導体基板１上部に部分的にｎ型半導体領域２を形成する工程と、前記ｎ型半導体領域上部のｎ型キャリア濃度を下げて酸化防止層３を形成する工程と、前記酸化防止層３上にベース領域Ｂとエミッタ領域Ｅとコレクタ領域Ｃを形成する工程を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

After an intrinsic base region 113 is formed by ion implantation through the aperture, the built-up silicon oxide film is etched back, and an insulating spacer 114 is formed to compose an emitter opening window, in which an emitter lead electrode 118 is formed.例文帳に追加

その開口部からイオン注入を行って真性ベース領域１１３を形成し、その後堆積したシリコン酸化膜をエッチバックして絶縁スペーサ１１４を形成することにより構成されたエミッタ開口窓にエミッタ引出し電極１１８を形成する。 - 特許庁

A p-type SiGe alloy layer 6a and a p-type silicon film 7a of a protruding cross-sectional shape are formed on the active region of an n-type collector layer 2, wherein an n-type emitter diffused layer 13 which functions as an emitter layer, is formed inside the upper part of the silicon film 7a.例文帳に追加

ｎ型のコレクタ層２の活性領域上にｐ型のＳｉＧｅ合金層６ａと断面凸状のｐ型のシリコン膜７ａとが形成され、シリコン膜７ａ内の上部にはエミッタ層として機能するｎ型のエミッタ拡散層１３が形成されている。 - 特許庁

The BCD device according to the embodiment includes a poly-emitter type bipolar transistor that includes a poly-emitter region comprised of the polysilicon material and includes one or more MOSs of a CMOS and a DMOS formed on the same single wafer as that on which the bipolar transistor is formed.例文帳に追加

実施の形態に係るＢＣＤ素子は、ポリシリコン材質からなるポリエミッタ領域を含むポリエミッタ型バイポーラトランジスタを含み、上記バイポーラトランジスタと同一な単一ウエハ上に形成されたＣＭＯＳとＤＭＯＳのうちの１つ以上のＭＯＳを含む。 - 特許庁

Also, of a p-n junction formed of the p-type base layer 24 and an n-type emitter layer 25 in a contact region equipped with a base electrode is removed so that ineffective currents, without contribution to a bipolar transistor operation can be prevented from running between the emitter and base.例文帳に追加

また、ｐ型ベース層２４とｎ型エミッタ層２５とで形成されたｐｎ接合のうち、ベース電極が設けられるコンタクト領域のものを除去することによって、バイポーラトランジスタ動作に寄与しない無効な電流がエミッタ・ベース間に流れることを防止する。 - 特許庁

By forming a PSG layer on a substrate, a protective film on a region in which a depletion layer is spread, a protective film for the protection from external contamination can be formed simply, and phosphorus treatment and formation of an emitter region can be practiced simultaneously.例文帳に追加

本発明は、基板上にＰＳＧ層を設けることにより、空乏層の拡がる領域の保護膜と外部からの汚染を防止する保護膜の形成を簡略化し、リン処理およびエミッタ領域形成が同時に行える。 - 特許庁

In order to expose an n^+-type emitter region 5 or a body p layer 6 (p-type base region 3), an opening end of a contact hole 10a formed on an interlayer insulating film 10 is retracted, and the opening width of the contact hole 10a is expanded.例文帳に追加

ｎ^+型エミッタ領域５やボデーｐ層６（ｐ型ベース領域３）を露出させるために層間絶縁膜１０に形成されるコンタクトホール１０ａの開口端を後退させ、コンタクトホール１０ａの開口幅を広げる。 - 特許庁

A semi-insulating region 38 is formed in the p-type GaAs base layer 34 and the n-type GaAs emitter layer 36 between the device region 20 formed in a central portion of the GaAs chip 14 and the metal electrode 18.例文帳に追加

ＧａＡｓチップ１４の中央部に形成された素子領域２０と金属電極１８との間において、ｐ型ＧａＡｓベース層３４とｎ型ＧａＡｓエミッタ層３６に半絶縁性領域３８が形成されている。 - 特許庁

An aperture 1a is formed through the emitter region 4, base region 2 and carrier accumulation layer 3 and a gate electrode 8 is formed on the internal wall surface of the aperture 1a via a gate insulating film 7.例文帳に追加

エミッタ領域４、ベース領域２およびキャリア蓄積層３を貫通するように開口部１ａが形成され、その開口部１ａの内壁面上にゲート絶縁膜７を介在させてゲート電極８が形成されている。 - 特許庁

An IGBT is structured in a main cell part MC so that a p^+-type body layer 5 is terminated in an n^+-type emitter region 4, and the IGBT is structured in a sense cell part SC so that p^+-type body layer 5 is terminated in a channel region.例文帳に追加

メインセル部ＭＣでは、ＩＧＢＴがｐ^+型ボディ層５がｎ^+型エミッタ領域４内で終端する構造とされ、センスセル部ＳＣでは、ＩＧＢＴがｐ^+型ボディ層５がチャネル領域内で終端する構造とされるようにする。 - 特許庁

In this semiconductor device, in a step of patterning lamination films 205 to 207 containing a polycrystalline silicon film 206 as a base lead-out electrode, a base emitter layer forming region and a collector layer forming region are eliminated by the use of the same mask.例文帳に追加

ベース引き出し電極となる多結晶シリコン膜２０６を含む積層膜２０５〜２０７をパターニングする工程において、同一のマスクを用いてベース・エミッタ層形成領域とコレクタ層形成領域とを除去する。 - 特許庁

A first P+ diffused layer 10 constituting an emitter region of a horizontal PNP transistor and a second P+ diffused layer 10 constituting a collector region are formed on an embedded silicon oxide film 2 on the SOUI substrate, respectively.例文帳に追加

横型ＰＮＰトランジスタのエミッタ領域を構成する第１のＰ^+ 拡散層１０及びコレクタ領域を構成する第２のＰ^+ 拡散層１０は、それぞれ、ＳＯＩ基板上の埋込シリコン酸化膜２上に形成されている。 - 特許庁

The emitter 83 and the collector 84 of the LDD structures are manufactured by forming poly-si gates 210 and 211 in a lateral pnp transistor forming region 200 at the time of forming a poly-si gate 210 in a MOSFET forming region 100, and implanting ions twice in the region 200 in the same way as in the region 100.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のエミッタ８３及びコレクタ８４は、ＭＯＳＦＥＴ形成領域１００にpoly-siゲート２１０を形成するときに、ラテラルＰＮＰトランジスタ形成領域２００にもpoly-siゲート２１０、２１１を形成し、領域２００に対しても領域１００に対してと同様に二回のイオン注入を行なうことによって製造される。 - 特許庁

In an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) provided with a pair of main electrodes (emitter-collector electrodes) and a trench gate electrode 32 controlling the on-off state of the electric current flowing between a pair of the main electrodes, an n-type floating semiconductor region is formed in a body region 28 side from the bonding interface of the body region 28 and a drift region 26.例文帳に追加

一対の主電極（エミッタ・コレクタ電極）と、その一対の主電極間を流れる電流のオン・オフを制御するトレンチゲート電極３２を備えているＩＧＢＴ(Insulated Bipolar Transistor)において、ボディ領域２８とドリフト領域２６の接合界面よりボディ領域２８側にｎ型のフローティング半導体領域が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁

An N-type island shaped region 14 surrounded by a separation region 13 comprises a collector region 16 extending from the upper surface of the epitaxial layer EL to the second buried layer 12, island shaped base regions 15, 17 surrounded by the second buried layer 12 and the collector region 16, and an emitter region 18 whose periphery keeps an approximately constant distance away from the collector region 16.例文帳に追加

分離領域１３に囲まれたＮ型の島状領域１４の中に、エピ層ＥＬの上面から第２の埋め込み層１２まで延びるコレクタ領域１６と、第２の埋め込み層１２とコレクタ領域１６に囲まれて島状を呈するベース領域１５、１７と、内側の窓部分よりベース電極を取り出せるようにしたリング状で、その外周がコレクタ領域１６とほぼ一定の距離だけ離れているエミッタ領域１８と、を形成する。 - 特許庁

A collector layer 103 formed on a semiconductor substrate 101, a base layer 104 comprising carbon which is formed on the collector layer, and an emitter layer formed on the base layer are provided, with tellurium contained in an intrinsic region 105 of the emitter later.例文帳に追加

半導体基板１０１上に形成されるコレクタ層１０３と、前記コレクタ層上に形成され、炭素を含有するベース層１０４と、前記ベース層上に形成されたエミッタ層を有し、前記エミッタ層の真性領域１０５にはテルルが含有されることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。 - 特許庁

A semiconductor device, which can improve VEBO on a substrate surface and can maintain a current amplification rate β, as is, by installing the low concentration base area 32 on the surface of the base region 22 adjacent to an emitter region 23 can be provided.例文帳に追加

エミッタ領域２３に隣接するベース領域２２表面に低濃度ベース領域３２を設けることにより基板表面でのＶEBOを上げることができ、電流増幅率βも従来のまま維持できる半導体装置を提供できる。 - 特許庁

An emitter E, a collector C1, and a sub collector C2 are composed of an n-channel region, and the breakdown voltage between the sub collector C2 and a base B is higher than a breakdown voltage between the collector C1 and the base B.例文帳に追加

エミッタＥ、コレクタＣ１及びサブコレクタＣ２はｎ型領域からなり、サブコレクタＣ２−ベースＢ間の降伏電圧は、コレクタＣ１−ベースＢ間の降伏電圧より高い。 - 特許庁

The impurity in the PSG film 40, then, is diffused in an area 13 of a p-type base, thereby, the region 14 of n-type emitter is formed along the opening of the trench 10a.例文帳に追加

そして、ＰＳＧ膜４０内の不純物をＰ型ベース領域１３内に拡散させることにより、トレンチ溝１０ａの開口に沿ってＮ型エミッタ領域１４を形成する。 - 特許庁

The upper interface of the first P+ diffused layer 10 and that of the second P+ diffused layer 10 are at deeper level that than of an emitter region 23 of a vertical NPN transistor.例文帳に追加

第１のＰ^+ 拡散層１０の上界面及び第２のＰ^+ 拡散層１０の上界面は、それぞれ、縦型ＮＰＮトランジスタのエミッタ領域２３の上界面より深い位置にある。 - 特許庁

To constitute a semiconductor device into a structure, wherein a turn-off breakdown at the edge part of a pressure contact region at the time of breaking a current is hardly generated and failure of a dielectric strength between a gate and an emitter at this edge is hard to occur.例文帳に追加

電流遮断時の加圧接触領域のエッジ部でのターンオフ破壊が生じ難く、また、このエッジ部でのゲート／エミッタ間の絶縁耐圧不良が起こり難い構造とする。 - 特許庁

An emitter current for which the base current is amplified flows as a photoelectric current and a logarithmically transformed voltage appears at the source of a MOS transistor T1 for performing an operation in a sub threshold region.例文帳に追加

このベース電流が増幅されたエミッタ電流が光電流として流れ、サブスレッショルド領域で動作を行うＭＯＳトランジスタＴ１のソースに対数変換された電圧が現れる。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor which is superior in electrical characteristics and high in reliability by suppressing thermal history given to a base region and reducing the electrical resistance of the emitter electrode.例文帳に追加

ベース領域に与える熱履歴の抑制およびエミッタ電極の電気抵抗値の低減などにより、電気的特性に優れ、信頼性の高いバイポーラトランジスタを提供することができる。 - 特許庁

an emitter current in which this base current is amplified flows as a photocurrent and a logarithmically converted voltage appears at a gate of a MOS transistor T1 that performs an operation in a sub-threshold region.例文帳に追加

このベース電流が増幅されたエミッタ電流が光電流として流れ、サブスレッショルド領域で動作を行うＭＯＳトランジスタＴ１のゲートに対数変換された電圧が現れる。 - 特許庁

In the first island-shaped region, a first Zener diode ZD1 formed of a base layer 6 and an emitter layer 7 is connected to an input/output terminal SG in a forward direction.例文帳に追加

第１の島状領域においてベース層６およびエミッタ層７により形成される第１のツェナーダイオードＺＤ１が入出力端子ＳＧに順方向接続されている。 - 特許庁

In the p-type base layer 3, an n-type emitter layer 4 is formed and in a region on the surface of the n-type base layer 1, which is different from the p-type base layer 3, a trench groove 8 is formed.例文帳に追加

そして、ｐ型ベース層３内にはｎ型エミッタ層４が形成され、また、ｎ型ベース層１の表面でｐ型ベース層３と異なる領域にはトレンチ溝８が形成されている。 - 特許庁

Since the concentration of an electric field generated in the vicinity of the bottom surface of the buffer region 113 is eased by the configuration, voltage resistance between the collector and the emitter can be further increased.例文帳に追加

当該構成により、バッファ領域１１３の底面近傍で発生する電界集中が緩和されることとなるため、コレクタ−エミッタ間の耐圧を更に高くすることが可能となる。 - 特許庁

This invention is related to an inter-road/vehicle communication system for performing inter-road/vehicle communication based on an optical signal between an in-vehicle unit 2 and a light emitter/receiver 8 of an optical beacon 4 in a communication region A.例文帳に追加

本発明は、通信領域Ａにおいて車載機２と光ビーコン４の投受光器８との間で光信号による路車間通信を行う路車間通信システムである。 - 特許庁

The cold cathode electron emitter comprises a wide band gap (WBG) semiconductor that is n+ doped in high concentration, p doped WBG region, and a metallic layer having a low work function.例文帳に追加

冷陰極電子エミッタは、高濃度にｎ＋ドーピングされたワイドバンドギャップ（ＷＢＧ）の半導体、ｐドーピングされたＷＢＧ領域、および低い仕事関数を持つ金属層を含む。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 101, an emitter mesa section 105 and base mesa sections 104 and 103 are formed, and the surface of a sub- collector layer 102 is exposed in a region outside a collector layer 103.例文帳に追加

半導体基板１０１上にエミッタメサ部１０５、ベースメサ部１０４，１０３を形成するとともに、コレクタ層１０３の外側の領域にサブコレクタ層１０２の表面を露出させる。 - 特許庁

To automatically track a target object in a low electric field region in which a receiving electric field of a primary emitter for tracking is not more than a value of thermal noise C/N even if a digital modulation system is used.例文帳に追加

デジタル変調方式を用いても追尾用一次輻射器の受信電界が熱雑音Ｃ／Ｎ値以下の低電界領域において目標物体を自動追尾する。 - 特許庁