「emitter region」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An emitter electrode 102 is in contact with the n^+-type emitter region 122.例文帳に追加

エミッタ電極１０２は、ｎ^＋型エミッタ領域１２２に接している。 - 特許庁

An emitter electrode 10 is connected to the p^--type base region 2 and the n^+-type emitter region 4.例文帳に追加

ｐ^−型ベース領域２とｎ^＋型エミッタ領域４にエミッタ電極１０が接続されている。 - 特許庁

Further, in a base region 5 contacting the emitter region 9, a Ge composition ratio increases from the emitter region 9 to the collector region 3.例文帳に追加

また、エミッタ領域９に接するベース領域５は、エミッタ領域９からコレクタ領域３に向かいＧｅ組成比が増加している。 - 特許庁

The p emitter region is composed of a low-concentration p-channel region 103 and a high-concentration p^+ emitter region 100.例文帳に追加

そしてｐエミッタ領域を，低濃度のｐチャネル領域１０３と高濃度のｐ^＋エミッタ領域１００とで構成した。 - 特許庁

The collector region 15 is formed to be isolated from the emitter region 14 and to surround the emitter region 14.例文帳に追加

コレクタ領域１５は、エミッタ領域１４と離間するとともにエミッタ領域１４を包囲するように形成されている。 - 特許庁

The n^+ emitter region 104, the p-channel region 103, and the p^+ emitter region 100 are brought into contact with an emitter electrode 109.例文帳に追加

そして，ｎ^＋エミッタ領域１０４とｐチャネル領域１０３とｐ^＋ エミッタ領域１００とのいずれもがエミッタ電極１０９に接するようにした。 - 特許庁

The IGBT100 includes an emitter region 8, a body region 12 and a drift region 19.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１００は、エミッタ領域８と、ボディ領域１２と、ドリフト領域１９を備える。 - 特許庁

The drift region 19 is separated from the emitter region 8 by the body region 12.例文帳に追加

ドリフト領域１９は、ボディ領域１２によってエミッタ領域８から分離されている。 - 特許庁

The body region 25 of the non-channel region 10B includes no emitter region 26.例文帳に追加

非チャネル区域１０Ｂのボディ領域２５には、エミッタ領域２６が設けられていない。 - 特許庁

An emitter region 104 is formed in the base region 102.例文帳に追加

ベース領域１０２内には、エミッタ領域１０４が形成されている。 - 特許庁

The trench 6 is in contact with an emitter region 5 and a fixed potential region 2.例文帳に追加

トレンチ６は、エミッタ領域５および固定電位領域２と接する。 - 特許庁

Then, an emitter 59 is formed on the silicon germanium layer 51 on the emitter 59 region.例文帳に追加

次に、エミッタ５９領域のシリコンゲルマニウム層５１上にエミッタ５９を形成する。 - 特許庁

Its fine emitter region is formed by an emitter diffusion performed from the bottom portion of the groove.例文帳に追加

溝の底部からエミッタ拡散によりより微小なエミッタ領域を形成する。 - 特許庁

The current suppression region 17 is formed under the emitter region 14 so as to cover the base of the emitter region 14.例文帳に追加

電流抑制領域１７は、エミッタ領域１４の底面を覆うように、エミッタ領域１４の下方に形成されている。 - 特許庁

The emitter region 15 has a low impurity concentration.例文帳に追加

エミッタ領域15の不純物濃度は低濃度である。 - 特許庁

While no emitter electrode is formed on the second emitter region 110, an emitter electrode is formed on that part of a base region 103 which is adjacent to the second emitter region 110.例文帳に追加

第２エミッタ領域１１０上にはエミッタ電極が形成されていない一方、第２エミッタ領域１１０と隣接する部分のベース領域１０３上にはエミッタ電極が形成されている。 - 特許庁

An emitter/source region 208 is formed within the base region 206.例文帳に追加

ベース領域２０６内には、エミッタ／ソース領域２０８が形成されている。 - 特許庁

Then, an emitter region 19 is formed on the surface of the base region 17.例文帳に追加

その後、ベース領域１７の表面にエミッタ領域１９を形成する。 - 特許庁

An n-type emitter region 4 is formed in the base region 3.例文帳に追加

そのベース領域３内にｎ形のエミッタ領域４が形成されている。 - 特許庁

A heterojunction bipolar transistor is successively provided with an emitter region 21, a base region 22, a collector region 20A, and a sub- collector region 27.例文帳に追加

エミッタ領域２１、ベース領域２２、コレクタ領域２０Ａおよびサブコレクタ領域２７を順に備える。 - 特許庁

An emitter region 170 is formed in the base region 150 and shallower than the base region 150.例文帳に追加

エミッタ領域１７０はベース領域１５０の中に形成され、ベース領域１５０より浅い。 - 特許庁

The spacer is arranged to electrically insulate the emitter region or the collector region from an external region.例文帳に追加

スペーサはエミッタまたはコレクタ領域を外部領域から電気的に絶縁するために配置される。 - 特許庁

The emitter layer consists of s first emitter region 11 of undoped semiconductor which is not doped with dopant intentionally and a second emitter region 12 of semiconductor which is doped with second conductivity dopant, and the second emitter region 12 surround the whole of the first emitter region 11.例文帳に追加

また、エミッタ層は、故意に不純物をドーピングしていないアンドープ半導体の第１エミッタ領域１１と、第２導電型ドーパントをドーピングした半導体の第２エミッタ領域１２とから成り、第２エミッタ領域１２が第１エミッタ領域１１全体を囲っている。 - 特許庁

An emitter region 10 of a second conductivity type is provided in the base region 9.例文帳に追加

ベース領域９には第２導電型のエミッタ領域１０が設けられる。 - 特許庁

A p-body region 203a, a p^+emitter region 203c, and an n^+emitter region 204a are formed in the region 213a, and a p-body region 203c, a p^+emitter region 203d, and an n-hole barrier region 211 are formed in the region 213b.例文帳に追加

半導体領域２１３ａにはｐボディ領域２０３ａ、ｐ＋エミッタ領域２０３ｃ及びｎ＋エミッタ領域２０４ａが形成されており、半導体領域２１３ｂにはｐボディ領域２０３ｃ、ｐ＋エミッタ領域２０３ｄ及びｎ正孔バリア領域２１１が形成されている。 - 特許庁

An emitter electrode 2 is connected to the emitter region 12 and the second part 11b of the p-type base region 11.例文帳に追加

エミッタ電極２はエミッタ領域１２とＰ型ベース領域１１の第２の部分１１ｂとに接続されている。 - 特許庁

A base region 2 is formed in a collector region 1, and the emitter region 3 is formed in the base region 2.例文帳に追加

コレクタ領域１にはベース領域２が形成され、さらに、ベース領域２にはエミッタ領域３が形成されている。 - 特許庁

To reduce displacement of a collector region and an emitter region within a base region for formation of the collector and emitter regions within the base region that constitutes a transistor.例文帳に追加

トランジスタを構成するベース領域にコレクタ領域やエミッタ領域を形成するに際し、ベース領域内におけるコレクタ領域やエミッタ領域の位置ずれを低減する。 - 特許庁

The emitter region 7 and the collector plug region 8 are short-circuited through a wiring 10.例文帳に追加

エミッタ領域７とコレクタプラグ領域８とは配線１０によって短絡する。 - 特許庁

An emitter/source region 306 is formed in the base region to be spaced from the resurf region 302.例文帳に追加

ベース領域内にはリサーフ領域３０２と離隔してエミッタ／ソース領域３０６が形成されている。 - 特許庁

In the bipolar transistor, an emitter electrode lead layer 9 is formed into such a shape as to completely cover the emitter region 5 and a depletion region 21 near the junction between the emitter region 5 and the base region 3.例文帳に追加

バイポーラトランジスタにおいて、エミッタ電極引き出し配線層９をエミッタ領域５と、エミッタ領域５とベース領域３との接合近傍での空乏層領域２１を完全に覆うような形状とする。 - 特許庁

Maximum size of each emitter region is to be not more than 3 mm.例文帳に追加

各エミッタ領域の最大寸法は３ｍｍ以下にする。 - 特許庁

A base electrode 5 and an emitter electrode 6 are provided in contact with the respective base region 3 and emitter region 4.例文帳に追加

このベース領域３およびエミッタ領域４にそれぞれコンタクトしてベース電極５およびエミッタ電極６が設けられている。 - 特許庁

A p-channel region 18, an n+-emitter region 24, a trench-type gate electrode 22, and an emitter electrode 28 are made on the n-drift region 12.例文帳に追加

ｎ−ドリフト領域１２上には、ｐチャネル領域１８、ｎ＋エミッタ領域２４、トレンチ型のゲート電極２２、エミッタ電極２８が形成される。 - 特許庁

A base region 13 and an emitter region 14 are formed to form a semiconductor device.例文帳に追加

ベース領域１３やエミッタ領域１４を形成して半導体素子を形成する。 - 特許庁

The emitter regions are positioned on the base region in the first conductivity-type region.例文帳に追加

エミッタ領域は第１導電型領域においてベース領域上に位置している。 - 特許庁

An IGBT 10 comprises an n^+type emitter region 34, an n^-type drift region 26, a (p) type body region 28 formed between the emitter region 34 and the drift region 26, a trench gate 40 extending in the body region 28 from the emitter region 34 toward the drift region 26, and an insulator protrusion 60.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０は、ｎ^＋型のエミッタ領域３４と、ｎ^−型のドリフト領域２６と、エミッタ領域３４とドリフト領域２６を隔てているｐ型のボディ領域２８と、エミッタ領域３４からドリフト領域２６に向けてボディ領域２８内を伸びているトレンチゲート４０と、絶縁体の突出部６０を備えている。 - 特許庁

An n-type emitter region 208 is formed in the base region 206 to be spaced from the resurf region 202.例文帳に追加

ベース領域２０６内にリサーフ領域２０２とは離隔してＮ型エミッタ領域２０８が形成されている。 - 特許庁

Within the base region, an n^+-type emitter/source region 206 is formed in separation from the resurf region 202.例文帳に追加

ベース領域内にはリサーフ領域２０２と離隔してＮ^+ 型エミッタ／ソース領域２０６が形成されている。 - 特許庁

A second region (84), contiguous to the first region, is used to form the emitter region of the transistor.例文帳に追加

第１領域に隣接する第２領域（８４）は、トランジスタのエミッタ領域を形成するために用いられる。 - 特許庁

A transistor 100 has an emitter region 10, a base region 20 and a collector region 50.例文帳に追加

本発明におけるトランジスタ１００が、エミッタ領域１０、ベース領域２０およびコレクタ領域５０を有する。 - 特許庁

In the base region, an N-type emitter/source region 206 is formed separately from the N-type region 202.例文帳に追加

ベース領域内にはＮ型領域２０２と離隔してＮ型のエミッタ／ソース領域２０６が形成されている。 - 特許庁

The vertical auxiliary transistor operates with the emitter region 31, a deep side portion of the base region 14B contacting the bottom of the emitter region, and a collector deep region 12B serving as a current channel.例文帳に追加

縦型の補助トランジスタ部は、エミッタ領域３１と、その底面に接するベース領域１４Ｂの深部側部と、コレクタ深部領域１２Ｂとを電流チャネルとして動作する。 - 特許庁

The field-effect semiconductor device is equipped with a semiconductor region sandwiched between the gate electrodes 106, and the semiconductor region is formed into a stripe-shaped structure composed of an n^+ emitter region 104 and a p emitter region.例文帳に追加

電解効果型半導体装置における，ゲート電極１０６に挟まれた半導体領域を，ｎ^＋ エミッタ領域１０４とｐエミッタ領域とによるストライプ状の構造とした。 - 特許庁

A base electrode pattern 9a and an emitter electrode pattern 10a are formed respectively on the upper part of a base region 3 and an emitter region 4.例文帳に追加

ベース領域３及びエミッタ領域４の上部に、それぞれベース電極パターン９ａ、エミッタ電極パターン１０ａを形成する。 - 特許庁