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「form region」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索
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form regionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2306



例文

When a prescribed pixel 3 is irradiated with light having a first wavelength using the color liquid crystal module 8, the film 5 having the photoinduced bending properties in the pixel 3 is bent to form a light transmission region and the image is displayed by combination with a light shielding region where light can not be transmitted.例文帳に追加

カラー液晶モジュール8を用いて所定の画素3に第1の波長の光を照射すると、画素3内の光屈曲性フィルム5が屈曲して光透過領域が形成され、光が透過できない遮光領域との組み合わせにより画像が表示される。 - 特許庁

In the optical waveguide element (1), a photosensitive composition (25) for forming the optical waveguide (20) in an optical waveguide forming region (12) on the base material (10) is used to form a protective layer (31) to be an etching mask for the guide groove, in a guide groove forming region (13) on the base material (10) excluding the guide groove (30).例文帳に追加

光導波路素子(1)は、基材(10)上の光導波路形成領域(12)に光導波路(20)を形成する感光性組成物(25)を用いて、基材(10)上のガイド溝形成領域(13)にガイド溝用のエッチングマスクとなる保護層(31)をガイド溝(30)を除いて形成した。 - 特許庁

This program presets a region Fs where the display is secured irrelevant to dispersion in the display performances of the display 1220, according to the display form and controls to display a status gage 4, or a status information display, inscribed or close to the outer edge of the region Fs.例文帳に追加

表示形式応じて、予めディスプレイ1220の表示性能のバラツキに係らずに表示が確保される領域Fsを設定し、状況情報表示体であるステータスゲージ4等を領域Fsの外縁に内接或いは近接させるように表示制御する。 - 特許庁

Further, the semiconductor device manufacturing method comprises a step of simultaneously oxidizing the surface of the n-type semiconductor region and the surface of the semiconductor layer to form an oxide film having a film thickness relatively thicker on the surface of the n-type semiconductor region than on the surface of the semiconductor layer.例文帳に追加

また、半導体装置の製造方法は、n形半導体領域の表面及び半導体層の表面を同時に酸化し、相対的に半導体層の表面上よりもn形半導体領域の表面上で膜厚が厚くなる酸化膜を形成する工程を有する。 - 特許庁

例文

The supply port 61a and the discharge port 61b are disposed so as to form a humidification route in which humidified air flowing along the inner peripheral face of a first region 40a of the cap 40 flows along the inner peripheral face of a second region 40b via a space between the discharge port and the opposing member 7.例文帳に追加

そして、供給口61a及び排出口61bは、キャップ40の第1領域40aの内周面に沿って流れた加湿空気が、吐出口と対向部材7との間を経て、第2領域40bの内周面に沿って流れる加湿経路が形成されるように、配置されている。 - 特許庁


例文

Thus, when an amorphous Si film is formed on the insulation film 15 to form the semiconductor film 16 with the irradiation of laser beams, it is possible to make uniform an energy between a region corresponding to the gate electrode 13 and the other region, and to obtain a semiconductor film crystallized uniformly.例文帳に追加

これにより、絶縁膜15の上に非晶質Si膜を形成しレーザビームの照射により半導体膜16を形成する際に、ゲート電極13に対応する領域と他の領域とのエネルギー量を均一にすることができ、均一に結晶化された半導体膜が得られる。 - 特許庁

Second semiconductor regions 5 are made selective, so that they form a pair at a specified interval apart within a first semiconductor region 3, and a silicide film 8 is made inward from the main surface of the first semiconductor region 3 existing between the second semiconductor regions 5.例文帳に追加

第2の半導体領域5は第1の半導体領域3内に所定の間隔を開けて1対をなすように選択的に形成され、第2の半導体領域5の間に存在する第1の半導体領域3の主面表面から内部にかけてはシリサイド膜8が形成されている。 - 特許庁

Then, ion implantation using a second implantation mask 8 having an opening part with a width Ln (desirably, the value obtained by adding the twofold value of the spreading range in the lateral direction of ions in the region 6 to the width Lp) larger than the width Lp is performed to form an n-type source region 7.例文帳に追加

次に、幅Lpよりも大きな幅Ln(望ましくは領域6のイオンの横方向の拡がり範囲の2倍値を幅Lpに加えた値)の開口部を有する第2注入マスク8を用いたイオン注入を行うことで、n型ソース領域7を形成する。 - 特許庁

A computer 11 displays a form of the design object on a display 13 in change processing and displays a range changeable as the form of the design object, as a substantially square region with a definition point as a center point and with a dimensional range as one side.例文帳に追加

コンピュータ11は、変更処理において、表示装置13に設計対象物の形態を表示するとともに、設計対象物の形態として変更可能な範囲を定義点を中心点とし、寸法範囲を1辺とする略正四角形領域として表示する。 - 特許庁

例文

After a device isolation groove is formed in a device isolation region on a semiconductor substrate 1, thermal oxidation treatment is then applied to the semiconductor substrate 1 to form a liner oxide film on an inner wall surface of the device isolation groove, and a silicon oxide film is continuously embedded within the device isolation groove to form a separated portion SGI.例文帳に追加

半導体基板1の素子分離領域に素子分離溝を形成した後、半導体基板1に熱酸化処理を施して素子分離溝の内壁面にライナー酸化膜を形成し、続いて素子分離溝の内部に酸化シリコン膜を埋め込むことにより分離部SGIを形成する。 - 特許庁

例文

Items included in a range pertinent to the inputted region designation are discriminated, and category information for classifying the business form data is prepared based on data in a data file 17c corresponding to the items, and stored so as to be associated with the business form data by a document information block 16a.例文帳に追加

この入力された領域指定に該当する範囲に含まれる項目を判別して、この項目に対応するデータファイル17c中のデータをもとに帳票データを分類するための分類情報を作成し、ドキュメント情報ブロック16aにおいて帳票データと関連づけて記憶する。 - 特許庁

Information on the partition design is involved in layout definition in the form of the electronic document at an item arrangement region simultaneously displaying an input item group as the same group on a screen when the electronic document is magnified and displayed in inputting the information in accordance with the form of the electronic document by a user.例文帳に追加

該分割設計情報は、電子帳票のフォームに従って利用者が情報を入力する際、該電子帳票を拡大表示する場合に、入力項目群を同じグループとして画面に同時表示させる項目配置領域の、該電子帳票のフォームにおけるレイアウト定義である。 - 特許庁

In the manufacturing method of the micromachine part or the like, a photosetting resin liquid is selectively irradiated with light by repeating collective exposure based on a projection region as a unit to form a cured resin layer and this cured resin layer is successively laminated to form the three-dimensional shape.例文帳に追加

本発明に係るマイクロ電子機器部品等の製造方法は、投影領域を単位として一括露光を繰り返すことにより、光硬化性樹脂液に選択的に光を照射して硬化樹脂層を形成し、該硬化樹脂層を順次積層して三次元形状を形成するものである。 - 特許庁

To form a contact with high reliability in a source/drain region and to form, with high reliability, a silicide layer at a part of the silicon layer which is crystal-grown by contacting to a silicon-contained metal molten liquid.例文帳に追加

MOSトランジスタのソース、ドレイン領域の接合深さが0.1μm程度になると、拡散層の厚さが薄すぎるために、エッチングによりソース、ドレイン領域上に接続孔の形成したり、シリサイド化反応によりソース、ドレイン領域にシリサイド層を形成することは、リーク電流の増大により困難になる。 - 特許庁

The manufacturing method includes a hole-processing process to form the plurality of the through-holes by performing hole-processing and a spray process to form a sprayed film by performing a plasma spray treatment against a supply surface on the side facing to the plasma generation region after the hole-processing process.例文帳に追加

穴あけ加工を行なって、前記複数の貫通穴を形成する穴加工工程と、 前記穴加工工程の後に、プラズマの生成領域に対面する側の供給面に、プラズマ溶射処理によって、溶射膜を形成する溶射工程とを有することで上記課題を解決する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the micromachine part or the like, a photosetting resin liquid is selectively irradiated with light by repeating collective exposure based on a projection region as a unit to form a cured resin layer and this cured resin layer is successively laminated to form the three-dimensional shape.例文帳に追加

本発明に係るマイクロ機械部品等の製造方法は、投影領域を単位として一括露光を繰り返すことにより、光硬化性樹脂液に選択的に光を照射して硬化樹脂層を形成し、該硬化樹脂層を順次積層して三次元形状を形成するものである。 - 特許庁

To provide a stereoscopic image forming apparatus that can form a planar image and a stereoscopic (protruding) image under the optimum conditions respectively without spoiling productivity, and that can form a stereoscopic (protruding) image in which any region can be easily made to protrude as required.例文帳に追加

生産性を損なうことなく、平面画像及び立体(隆起)画像のそれぞれを最適な条件で形成すると共に、ニーズに応じて、任意の領域を容易に隆起させることができる立体(隆起)画像の形成が可能な立体画像形成装置を提供する。 - 特許庁

For example, after a correction film 8 is formed in the region including a white defect, the correction film 8 is partially removed according to the form and/or arrangement which produces the gray tone effect equivalent to the normal pattern to form a correction pattern 3a', 3b' having mutually different widths and position from the normal pattern 3a, 3b.例文帳に追加

例えば、白欠陥を含む領域に修正膜8を形成した後、正常パターンと同等のグレートーン効果を奏する形状及び/又は配列にて前記修正膜8を部分的に除去して、正常パターン3a、3bとは幅や位置が異なる修正パターン3a’、3b’を形成する。 - 特許庁

To provide a low-gloss, two-pack type acrylic polyurethane coating composition for interior finishing which can form a coating film having excellent mar resistance and resistance to fading in a low-gloss region in spite of its being a matte coating film, and simultaneously can form a coating film having high designing properties, and a coated article to be obtained therewith.例文帳に追加

艶消し塗膜でありながら、低光沢領域での耐傷つき性、耐色落ち性に優れ、かつ意匠性の高い塗膜を形成することができる内装用低光沢二液型アクリルウレタン塗料組成物、並びに、それにより得られる塗装物品を提供する。 - 特許庁

The external terminals 2 are arranged in a lattice form, in which two or more lines and columns located at equal intervals are arranged on the rear side of the wiring substrate, and in at least two outer lines or two outer columns on the lattice form, there is a region 10, where the external terminals 21, 22 are arranged into lattice forms.例文帳に追加

外部端子2は、配線基板裏面に等間隔に配置された列及び行を複数並べた格子状配列であり、格子状配列の外側の少なくとも2列もしくは2行には外部端子21、22が千鳥状に配列された領域10を有してる。 - 特許庁

The work forming process includes a press working to be applied to a disc-form plate member in its specific ring- shaped region from the peripheral end to the inner peripheral surface and produces a work for drum having a peripheral part in undulate form in which projections and recesses in the radial direction are repeated in the circumferential direction.例文帳に追加

ドラム素材53形成工程は、円板状のプレート部材51の外周端から内周部にかけての所定の環状領域にプレス加工を施して、径方向の凹凸が周方向に繰り返された波型形状の外周部を有するドラム素材53を形成する。 - 特許庁

As a result, even when the the paper curling to the unfixed image carrying side is conveyed to the fixing device, the image carrying side conveyance guide can appropriately guide the leading front portion of the form to the nip region 52 before the leading front portion of the form abuts on the heating rollers.例文帳に追加

これにより未定着像担持面側にカールした用紙が定着装置に搬送されてきた場合であっても,用紙の先端部分が加熱ローラに当接する前に,上記像担持側搬送ガイドが用紙の先端部分を上記ニップ領域52へ適切に案内することができる。 - 特許庁

This form apparatus is equipped with a foam body (10), having a pair of side walls (13) and (13) for forming a rising portion of the footing and a partition member (15) for forming a region, having no concrete fill between the partition and one side wall (13) in the upper portion of a space inside the form body (10).例文帳に追加

基礎立上り部を成型する一対の側壁(13)(13)を備えた型枠本体(10)と、この型枠本体(10)内に基礎長手方向に沿って配され、型枠本体(10)内の空間上部において一方の側壁(13)との間にコンクリート非充填域(59)を形成する仕切材(15)とを備えている。 - 特許庁

Or, a metal plate material is molded, inclined parts 23l, 23b, 23c, 23d rising diagonally so as to form a pyramid face of a truncated pyramid or a circular conical face of a truncated cone are provided, and a part of a region surrounded with the inclined parts are cut and raised so as to form panel material engagement parts 24, 25.例文帳に追加

あるいは、金属板材を成形し、角錐台の角錐面状または円錐台の円錐面状をなすように斜めに立ち上がる斜面部23a,23b,23c,23dを設け、これらの斜面部で囲まれた領域の一部を切り起こしてパネル状材係合部24,25を形成する。 - 特許庁

A method of fabricating a raised source/drain CMOS device, includes preparing a silicon substrate; depositing a layer of gate oxide; forming a gate placeholder; forming a raised source/drain region; implanting, activating and diffusing ions in the raised source/drain region to form a source region and a drain region; and replacing the gate placeholder with gate material.例文帳に追加

積み上げソース/ドレインCMOSデバイスを製造する方法は、シリコン基板を準備する工程と、ゲート酸化物層を堆積させる工程と、ゲートプレースホルダーを形成する工程と、積み上げソース/ドレイン領域を形成する工程と、上記積み上げソース/ドレイン領域中でイオンの注入、活性化および拡散を行なって、ソース領域およびドレイン領域を形成する工程と;上記ゲートプレースホルダーとゲート材料とを取り換える工程とを含む。 - 特許庁

In the method of manufacturing a thin film transistor having a channel region connected to at least a source region and a drain region and a gate electrode opposite to the channel region through a gate insulation film on a substrate, the process of forming the gate insulation film is to form a silicon oxide by the plasma chemical vapor deposition method with the substrate 205 fixed by a retaining member 206 above plasma generating electrodes 203.例文帳に追加

基板上に少なくともソース領域およびドレイン領域に接続するチャネル領域と、該チャネル領域にゲート絶縁膜を介して対峙するゲート電極とを備える薄膜トランジスタの製造方法において、前記ゲート絶縁膜の形成工程は、前記基板205をプラズマ発生させるための電極203上に押さえ部材206により固定した状態で、プラズマ化学気相堆積法によりシリコン酸化物を形成する。 - 特許庁

In the etching process where a non-transfer region is dug down in order to form a mesa structure having a transfer region as the upper surface, an identification structure configuring a name mark, or the like, is formed simultaneously and an etching mask for forming the identification structure is formed to have a specific size corresponding to the height of the mesa structure having a transfer region as the upper surface.例文帳に追加

転写領域を上面とするメサ構造を形成するために非転写領域を掘り下げるエッチング工程において、同時にネームマーク等を構成する識別構造体を形成し、前記識別構造体形成用のエッチングマスクを、前記転写領域を上面とするメサ構造の高さに応じた特定の大きさに形成することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

This processing method comprises a process to selectively process processing films 105, 106 in the processing region by relatively scanning the substrate using a first processing light 110 whose irradiation form on the substrate is smaller than the processing region, and process to selectively process the processing films 105, 106 by irradiating the processing region with a second processing light 112.例文帳に追加

基板上での照射形状が前記加工領域より小さい第1の加工光110を、前記基板に対して相対的に走査させて前記加工領域の加工膜105,106の加工を選択的に行う工程と、前記加工領域内に第2の加工光112を照射して加工膜105,106の加工を選択的に行う工程とを含む。 - 特許庁

A cell 160 includes: a source electrode 182 formed to form an opening portion for defining a hexagonal element forming region; a drain electrode 180 formed like a strip in the element forming region with a predetermined distance from the source electrode 182; and a gate electrode 184 formed on the element forming region with a predetermined distance from both the source electrode 182 and the drain electrode 180.例文帳に追加

セル160は、六角形の素子形成領域を画定する開口部を形成するように形成されたソース電極182と、素子形成領域に、ソース電極182と一定距離を隔てて帯状に形成されたドレイン電極180と、ソース電極182とドレイン電極180との双方から所定の距離を隔てて形成されたゲート電極184とを含む。 - 特許庁

To selectively irradiate light to a desired point of an insulating region composed of an insulating material, form a plurality of isolated conductive regions existing in the insulating region, border adjust the insulating region and the conductive regions, and make the conductive regions narrow in pitch, small in size, resistant to an environmental temperature change, and enable to exhibit stable performance.例文帳に追加

絶縁性材料から成る絶縁領域の所望の箇所に選択的に光を照射して、前記絶縁領域中に存在する複数の孤立した導電領域を形成することによって、絶縁領域と導電領域とが境界調整され、導電領域のピッチが狭く、サイズが小さく、環境温度の変化に強く、安定した性能を発揮することができるようにする。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of ion-implanting impurities into a trench formation region 10 on the main surface of a silicon substrate 1, a step of forming trenches 5a-5c, by etching the trench formation region 10 so as to ion-implant the impurities, and to embed the trenches 5a-5c, to form an element isolation insulating region 7.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板1の主表面のトレンチ形成領域10に不純物をイオン注入する工程と、その不純物がイオン注入されたトレンチ形成領域10をエッチングすることによってトレンチ5a〜5cを形成する工程と、トレンチ5a〜5cを埋め込むように素子分離絶縁膜7を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The disclosed semiconductor device manufacturing method comprises implanting fluorine ions into a region 5B for forming a medium- thickness gate oxide film 12 under the condition of a fluorine range Rp of 15-150 nm in a substrate 1, removing a chemical oxide film 7 on the surface of the region 5B, and applying the oxidation to form the medium-thickness gate oxide film 12 on the region 5B.例文帳に追加

開示される半導体装置の製造方法は、フッ素イオン注入を中膜厚のゲート酸化膜12を形成すべき領域5Bに、フッ素の飛程Rpが基板1中で15〜150nmとなるようなイオン注入条件で行った後、領域5Bの表面のケミカル酸化膜7を除去し、次に酸化処理により領域5Bに中膜厚のゲート酸化膜12を形成する。 - 特許庁

A transistor having a junction region is formed on a semiconductor substrate, and before forming a contact plug on the junction region, arsenic (As) with the small diffusivity of heat is implanted into the junction region in a plug ion implantation process and ohmic contact is formed to form a shallow junction.例文帳に追加

半導体基板上に接合領域を有するトランジスタを形成し、接合領域上にコンタクトプラグを形成する前にプラグイオン注入工程で熱に対する拡散性(diffusivity)が小さな砒素(As)を接合領域に注入し、オーミックコンタクトを形成することにより、浅い接合(Shallowjunction)を形成すると共に高いブレークダウン電圧の特性、低い漏洩電流特性及び優れたオーミックコンタクト特性を得ることができる。 - 特許庁

A liquid crystal display device has a driving substrate where a plurality of pixels each having a pixel region and a peripheral region enclosing the pixel region are formed in a matrix form, and a monochrome filter substrate which is disposed opposite to the driving substrate with a liquid crystal layer interposed and has light transmission regions and light shield regions formed according to pixel regions and peripheral regions.例文帳に追加

液晶表示装置は、それぞれが画素領域及び画素領域を囲む周辺領域を有する複数の画素がマトリクス状に形成された駆動基板と、液晶層を挟んで駆動基板と対向して配置され、画素領域及び周辺領域にそれぞれ対応して形成される透光領域及び遮光領域を有するモノクロフィルタ基板とを備える。 - 特許庁

One method of the present invention includes providing a non- galvanized metal sheet 4 to be processed to form the fabricated metal part; selecting a localized region on the non-galvanized metal sheet; roughening the localized region for acceptance of a protective coating; applying a protective coating 2 to a localized region; and fabricating the non-galvanized metal sheet into a fabricated metal part.例文帳に追加

本発明の方法の一つは、組立金属部品を形成するために処理されるべき非めっき金属板4を供給する工程と、非めっき金属板の局部領域を選択する工程と、保護被膜の受入れのために局部領域を粗くする工程と、局部領域へ保護被膜2を塗布する工程と、非めっき金属板を組立金属部品へと組み込む工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing NAND flash memory device by which, in a process wherein a bonding region of a selective transistor is exposed to form a contact plug, a gate and the contact plug are prevented from short-circuiting.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリの形成において、選択トランジスタの接合領域を露出させ、コンタクトプラグを形成する過程でゲートとコンタクトプラグが短絡することを防止する製造方法を提供する。 - 特許庁

A region of the gate contact is exposed to energy of some form, wherein the energy transforms a portion of the state-switchable material from a nonconductive state to a conductive state, the conductive portion defining the gate contact.例文帳に追加

ゲートコンタクト領域の一部がある形式のエネルギに露出させられ、このエネルギは状態切替可能材料の一部を非導電性から導電性に変質させ、導電部分はゲートコンタクトを規定する。 - 特許庁

To efficiently apply functional coating to form a coating film having ≤1 μm dry film thickness on a glass surface or other surface to be coated by hard work by freely selecting the change or the transition of a working region.例文帳に追加

塗布操作に係る作用領域の変更又は移行を選択自在に構成し、ガラス面その他の被塗布面に対し手作業により効率的にドライ膜厚1マイクロメートル以下の機能性被覆を施す。 - 特許庁

In particular, when a ridge sidewall is made in the form of an inverted mesa, element characteristics are greatly improved through the enlargement of an electrode contact width and constriction of a light emission region, thus forming a light transmission device.例文帳に追加

特に、リッジ側壁形状を逆メサ形状にした場合において、電極接触幅の拡大、発光領域の狭窄化を通じて素子特性を大きく向上する光送信装置を構成する。 - 特許庁

On the other hand, in the case that the same program exists in plural, an EPG table in regular form such as indicating one of the contents of the same program in the same region covering a plurality of channels is made (S311).例文帳に追加

一方、同一番組が複数存在する場合は、複数のチャンネルに渡った同一領域に同一の番組内容を1つ表示するという本形式のEPGテーブルが作成される(S311)。 - 特許庁

To form a pattern composed of a plurality of fine patterns having a first length and a pattern composed of a plurality of fine patterns having a second length in a mixed manner along tracks in a region in a sector on a substrate surface.例文帳に追加

基板表面のセクタ内の領域に、トラックに沿って、第1の長さの複数の微小パターンからなるパターンと、第2の長さの複数の微小パターンからなるパターンとを混在させて形成する。 - 特許庁

At least one of a shroud Sh and a hub HU of the impeller 4 is formed so as to form a surface between blades BL which are disposed adjacently to each other as an inclining surface, and thereby, it is constituted in a step shape so as to contract a separation region of air.例文帳に追加

インペラ(4) のシュラウド(SH)とハブ(HU)の少なくとも一方を、隣り合うブレード(BL)の間が傾斜面になるように形成して、階段状に構成することにより、空気の剥離領域を小さくする。 - 特許庁

Moreover, a plasma generating device is constituted so as to have such a form that the lines 43 to pass through the central part of the region 41 do not intersect the pair of the electrodes 17 and 18.例文帳に追加

また、プラズマ生成装置は、プラズマ生成領域41の中央部を通過する磁力線43が一対の電極17,18と交差しないような形状を有するように構成されている。 - 特許庁

Next, a conductive film to be an upper electrode layer of an EL element is deposited from above the EL film to form a region where the conductive film contacts with the connection electrode layer.例文帳に追加

凹凸形状を有する導電性の接続電極層の上方からEL膜を成膜し、当該接続電極層表面を被覆しきれずに接続電極層表面が露出する領域を形成する。 - 特許庁

On the other hand, a proton or the like is injected to the isolation region so as to reach the board 11 through the core layer 13 and the lower side clad layer 12 from the upper side clad layer 14 to form an insulation layer 17.例文帳に追加

一方、分離領域は、上側クラッド層14からコア層13及び下側クラッド層12を通して基板11に達するようにプロトン等を注入し、絶縁層17を形成する。 - 特許庁

A rubber layer 11 and a thermoplastic bottom layer 12 are symmetrically used up and down and the surfaces of both of them are bonded in a predetermined pattern forming region 101 to form the rubber base material 10.例文帳に追加

ゴム層11と熱可塑性がある底層12とを対称的な上下に使用し、所定のパターン形成区域101において両者の面を接合することで、ゴム基材10を形成する。 - 特許庁

The weight W(f) is set at a value to form null such that the side lobes are reduced in the range of the clutters and in a region of the width of one partition adjacent to the range of the clutters.例文帳に追加

このウェイトW(f)は、クラッタの範囲およびこれに隣接する1つの区分幅の領域については、サイドローブを低減するようにヌルを形成する値に設定されるようにしたものである。 - 特許庁

If possible sections to be integrated by the processor 18 is present in the predetermined region, these sections are displayed on the monitor 30 in the form of an integrated section by the processor 18.例文帳に追加

そして、OSD処理部18による統合処理が可能な区画が前記所定領域に存する場合には、この区画はOSD処理部18により統合された状態でモニタ30に表示される。 - 特許庁

A p-type impurity is diffused through an opening of an insulated film 4 to form a p-type semiconductor region 6 in an n-type silicon semiconductor substrate 1, and simultaneously a silicon oxide film 7 is formed in the opening.例文帳に追加

N型シリコン半導体基板1に絶縁膜4の開口を通してP型不純物を拡散してP型半導体領域6を形成し、同時に開口内にシリコン酸化膜7を形成する。 - 特許庁

例文

In such a case as this, the load connection elements form a lamination, and an elastic intermediate layer is, in this case, arranged between each adjoining load connection elements in each strip cross section region.例文帳に追加

この場合には、負荷接続要素は積層を形成し、弾性の中間層は、この場合には、それぞれのストリップ状の断面の領域におけるそれぞれの隣接する負荷接続要素の間に配置される。 - 特許庁




  
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