「form region」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

Based upon the obtained circumscribed rectangle information, a line where character images form is specified, and a region of image data of the one line is divided by the number of bits to be embedded (step S302c).例文帳に追加

そして、得られた外接矩形情報に基づき、文字画像の並ぶ行を特定し、当該１行分のイメージデータの領域を、埋め込むべきビット数で分割する（ステップＳ３０２ｃ）。 - 特許庁

Four light shielding plates by moving in the direction parallel/perpendicular to the edge and by rotating determine the illuminating region and form an exposed field in various shapes and a dummy pattern.例文帳に追加

４枚の遮光板エッジに平行な方向と垂直な方向に移動し、また回転することにより、照明領域を決定し、種々の形の露光フィールドや、ダミーパターンを形成する。 - 特許庁

To form trench isolation having a flat surface by embedding an insulating film for isolation by using an HDP-CVD method without being affected by the area and the degree of crowding of an active region.例文帳に追加

活性領域の面積及び密集度合いに影響されずに、ＨＤＰ−ＣＶＤ法による分離用絶縁膜を埋め込んで平坦な表面を有するトレンチ分離を形成する。 - 特許庁

The mounting part 3 has a set pin 4 projecting from the mold inner surface and a magnetic parts 5 and 6 which form an annular magnetic attraction region surrounding the base end part 4a of the set pin 4.例文帳に追加

取付部３は型内面から突出するセットピン４と、セットピン４の基端部４ａを囲む環状の磁気吸着領域を型内面に形成する磁性部５、６とを備える。 - 特許庁

In a manufacturing method of the EEPROM-type memory cell, before forming a first spacer film 15, the low-concentration ion implantation of n-type impurities is so performed by using as a mask a control gate 13 as to form a low-concentration drain region 14a.例文帳に追加

第１のスペーサ膜１５形成前に、コントロールゲート１３をマスクとしてｎ型不純物を低濃度にイオン注入することで、低濃度のドレイン領域１４ａを形成する。 - 特許庁

The method includes steps of: providing a substrate; forming a barrier layer on the substrate, patterning the barrier layer, and thus exposing a portion of the substrate to form an electrode pattern region; changing the surface property of the substrate in the electrode pattern region to form a visible patterned mark; removing the barrier layer; and using the visible patterned mark as an alignment mark.例文帳に追加

本発明による方法は、基板を提供する段階と、基板に障壁層を形成し、更に障壁層をパターン化して基板の一部を露出させて電極パターン領域を形成する段階と、電極パターン領域の基板の表面特性を変えて、パターン化可視マークを形成する段階と、障壁層を除去する段階と、パターン化可視マークをアラインメントマークとする段階とを含む。 - 特許庁

In an etching method of selectively etching a polysilicon film 12 on a lower layer film 11 having a step 11a to form a specified pattern on the film 12, only a step region 12a of the polysilicon film 12 are selectively etched and the polysilicon film 12 with the etched step region 12a is selectively etched to form a specified pattern on non-step regions.例文帳に追加

段差部１１ａを有する下層膜１１上に形成されたポリシリコン膜１２をエッチングしてポリシリコン膜１２に所定のパターンを形成するエッチング方法であって、ポリシリコン膜１２の段差部領域１２ａのみを選択的にエッチングし、段差部領域１２ａがエッチングされたポリシリコン膜１２を選択的にエッチングして非段差部領域に所定のパターンを形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a display plate for a display apparatus, after a photosensitive film comprising a photosensitive substance is formed on a substrate including an active region, the photosensitive film is exposed by dividing the active region into a plurality of shots including first and second shots adjacent to each other and developed to form a photosensitive film pattern as an etching mask to form a thin film pattern.例文帳に追加

表示装置用表示板の製造方法では、アクティブ領域を含む基板の上部に、感光性物質からなる感光膜を形成した後、アクティブ領域を互いに隣接した第１ショットと第２ショットを含む複数のショットに分割して感光膜を露光し、現像して薄膜パターンを形成するためのエッチング用マスクである感光膜パターンを形成する。 - 特許庁

After introducing wafers into the reactor tube, each region is heated up to a first processing temperature, then it is transferred up to a second processing temperature corresponding to each region, and a processing gas is introduced into the reactor tube to form, e.g. a film on the wafer in this temperature transfer step.例文帳に追加

ウエハを反応管内に搬入した後、各領域を第１のプロセス温度まで昇温させ、次いで各領域に対応する第２のプロセス温度まで移行させ、この温度移行工程において反応管内に処理ガスガスを導入してウエハに対して例えば成膜を行う。 - 特許庁

An N type semiconductor layer 22 having a low impurity concentration is epitaxially grown on an N semiconductor substrate 21, a desired pattern of oxide film is formed thereon, and the substrate is subjected to ion implantation with use of the pattern as its mask to form an active region edge 28 and a guard ring region 24.例文帳に追加

Ｎ型の半導体基板２１上に不純物濃度が低いＮ型の半導体層２２をエピタキシャル成長させ、その表面に所望のパターンの酸化膜を形成し、それをマスクとしてイオン注入により活性領域エッジ部２８およびガードリング領域２４を形成する。 - 特許庁

Then, after donor impurities are injected in the NMIS region RN and acceptor impurities are injected in the PMIS region RP among the first polysilicon film E1a and a second polysilicon film formed thereon, these are processed to form an n-type gate electrode and a p-type gate electrode.例文帳に追加

その後、第１多結晶シリコン膜Ｅ１ａおよびその上に形成した第２多結晶シリコン膜のうち、ＮＭＩＳ領域ＲＮにはドナー不純物を、ＰＭＩＳ領域ＲＰにはアクセプタ不純物を注入した後、これらを加工して、ｎ型のゲート電極とｐ型のゲート電極とを形成する。 - 特許庁

A semiconductor wafer 1 is defined into an outer peripheral annular region 1a and individual regions surrounded by the annular region 1a inside thereof, and the semiconductor wafer 1 included in the individual regions are cut along a plurality of cutting lines 4 perpendicular to each other in a lattice form into a plurality of chips 2.例文帳に追加

半導体ウェハ１を外周部の環状領域１ａと環状領域１ａの内側に囲繞された個片化領域とに区画し、個片化領域に含まれる半導体ウェハ１は直交する複数本の切断線４に沿って格子状に切断し、複数個のチップ２に個片化する。 - 特許庁

In the same apparatus for growing the following regions, parts of a sub-collector layer and collector layer stacked on a substrate 1 are removed to form a collector region 6, part of a buffer layer 2 is made to expose, and a buried region consisting of InAlAs is made to grow.例文帳に追加

同一の成長装置内で、基板１上に積層したサブコレクタ層およびコレクタ層の一部をエッチングにより除去してコレクタ領域６を形成するとともに、バッファ層２の一部を露出させ、その露出部分にＩｎＡｌＡｓからなる埋め込み領域を成長させる。 - 特許庁

There are provided a trench 3 formed in an element separation region which is so formed as to enclose an element formation region on a semiconductor substrate 1, and insulating films 4 and 5 which, formed with the same width as a trench width on the trench 3, form a void 50 in the trench 3.例文帳に追加

半導体基板１上の素子形成領域を囲むように形成される素子分離領域に形成されたトレンチ３と、トレンチ３上にトレンチ幅と略同一幅にて形成され、トレンチ３内に空隙５０を形成する絶縁膜４、５とを備えたものである。 - 特許庁

The laminated piezoelectric element provided on a fixed substrate 11 and having an inert region at the central part thereof is divided into two parts by the groove dividing the inert region, and also divided in the nozzle arranging direction right- angled to the direction of the groove by a plurality of grooves to form individual piezoelectric elements.例文帳に追加

固定基板１１上に設けられかつ、中央部に不活性領域を有する積層圧電素子を、不活性領域を分断する溝４０により２分割するとともに、これと直角方向のノズル配列方向に複数の溝で分断することにより個別の圧電素子を形成する。 - 特許庁

A region determining part 12 determines whether the region of the subject M is a foot or not for a point source 4 disposed outside the subject M based on the information on the form (absorption correction data) obtained by gamma rays which are emitted from the point source 4 and which transmit the subject M.例文帳に追加

被検体Ｍの外部にある点線源４について、その点線源４から照射されて被検体Ｍを透過したγ線により求められた形態情報（吸収補正データ）に基づいて、部位判定部１２は被検体Ｍの部位を足部である・足部でないと判定する。 - 特許庁

In an FBG section 40 that performs high cutoff filtering against optical input in excess of 40 dB in a wide band exceeding 1 nm, a photo-sensitive material having a phtosensitivity against ultraviolet rays is added in the region of a cladding 42 so as to form the chirped Bragg grating same as that in the region of the core 41.例文帳に追加

光入力に対し、１ｎｍを越える広帯域で４０ｄＢを越える高遮断のフィルタリングを行うＦＢＧ部４０であって、クラッド４２の領域に、紫外線に対して感光性を有する感光性材料を添付し、コア４１の領域と同じチャープトブラッググレーティングを形成している。 - 特許庁

A part of a region of a SUS plate 10 where no circuit section 20 is formed is plastically deformed to project to the one surface side thereof, and a conductive material 40 conducting to the circuit section 20 is applied and superposed to the region to form the external connecting terminal 30.例文帳に追加

ＳＵＳ板１０のうち回路部２０が形成されていない領域の一部が一方の面側に突出するように塑性変形され、その領域に回路部２０に導通した導電材４０が塗工、積層されることによって外部接続端子３０が形成されている。 - 特許庁

The silicon oxide film is etched in a self-matching manner using the third silicon nitride film and cover film as a mask to form an opening positioned at a periphery of the cover film and on the base region to expose the base region, and a conductive film 17a is formed.例文帳に追加

第３のシリコン窒化膜及びカバー膜をマスクとして自己整合的にシリコン酸化膜をエッチングすることで、カバー膜の周囲に位置し且つ前記ベース領域上に位置する開口部を形成し、ベース領域を露出させ、導電膜１７ａを形成する工程とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

A conductive film 112 as a pixel electrode is formed (Fig. (C)) and subjected to patterning operation using the same photomask to form a pixel electrode 119, source wiring 117, a drain electrode 118, a source region 115, a drain region 116 and an amorphous semiconductor film 114 for channel formation (Fig. (D)).例文帳に追加

画素電極となる導電膜１１２を形成し（図（Ｃ））、同一のフォトマスクにてパターニングすることにより、画素電極１１９、ソース配線１１７及びドレイン電極１１８、ソース領域１１５及びドレイン領域１１６、チャネルが形成される非晶質半導体膜１１４を形成する（図（Ｄ））。 - 特許庁

The occlusion type NOx catalyst (24) is rotated by a catalyst rotating means (34), a space situated upper stream of the occlusion type NOx catalyst is partitioned centering around the central axis of the occlusion type NOx catalyst to form a first introduction region (27) and a second introduction region (28).例文帳に追加

吸蔵型ＮＯx触媒(24)は触媒回転手段(34)により回転させられるとともに、吸蔵型ＮＯx触媒の上流空間は導入領域仕切手段(25)により吸蔵型ＮＯx触媒の中心軸線を中心に仕切られ、第１導入領域(27)と第２導入領域(28)とが形成されている。 - 特許庁

The predetermined region on the surface of the substrate 1 rotated in a horizontally held state is covered with a mask, and the chemical liquid is sprayed on the surface of the substrate 1 from the spray nozzle arranged above the substrate to form a thin film on the predetermined region of the substrate 1.例文帳に追加

水平に保持して回転される基板１の表面の所定領域をマスク３で覆い、上記基板１の上方に配置されたスプレーノズル４により該基板１の表面に薬液を噴霧し、上記基板１の所望領域に薄膜を形成するようにしたものである。 - 特許庁

By irradiating ultraviolet rays on a region of the wetted variable film 30 overlapped with the pixel electrodes 21, patterning is carried out on lyophilic regions 22a and liquid-repellent regions 22b and liquid containing an organic compound is coated on the lyophilic region 22a to form an electroluminescent layer 23.例文帳に追加

濡れ性可変膜３０のうち画素電極２１に重なった領域に紫外線を照射することにより、親液性領域２２ａと撥液性領域２２ｂにパターニングし、親液性領域２２ａに有機化合物含有液を塗布して、エレクトロルミネセンス層２３を形成する。 - 特許庁

The mold matching surfaces 7a and 8a of the lower and upper molds 7 and 8 are brought into contact with each other in the inner region in the diametric direction of the annular stepped part D and the mold matching surfaces 7b and 8b of the upper and lower molds 7 and 8 are constituted so as to form a slight gap in the outer region in the diametric direction.例文帳に追加

環状段差部Ｄの径方向内側領域において、下型７と上型８の型合わせ面７ａ，８ａを当接させ、径方向外側領域において下型７と上型８の型合わせ面７ｂ，８ｂは若干の隙間が生じるように構成される。 - 特許庁

In the metal layer M4 of fourth layer, a metal region at a site superposed while opposing to the GND pattern G3 of metal layer M3 of the third layer is removed to make an opening, and this opening is filled with glass epoxy resin or the like to form a dielectric region D4.例文帳に追加

第４層の金属層Ｍ4では、第３層の金属層Ｍ3のＧＮＤパターンＧ3と相対向して重合する部位の金属領域が除去されて、開口部とされ、この開口部には、ガラスエポキシ樹脂等が充填されて誘電体領域Ｄ4が形成されている。 - 特許庁

The device, which has a substantially annular cup 20, spreads the liquid toward the marginal region 38 beyond the first and second surface 34 and 36 from the annular cup 20 to form a reservoir of the liquid material on the outer side of the marginal region 38 and forms a ligament from this reservoir, is provided.例文帳に追加

実質上環状のカップ２０を有し、環状カップ２０から第１および第２表面３４、３６を越えて前記縁領域３８に向かって液体材料を広げて前記縁領域の外側に液体材料の溜めを形成し、前記溜めからリガメント（ひも）を形成する装置を備えている。 - 特許庁

In this etching process, for the first region, the insulating layer 30 is etched to form a through hole 34 for electrical connection with the metal pattern 18, and for the second region, the insulating layer 30 and the semiconductor pattern 16 are etched to remove the second portion 28 of the semiconductor pattern 16.例文帳に追加

エッチング工程で、第１領域では絶縁層３０をエッチングして金属パターン１８との電気的接続のための貫通穴３４を形成し、第２領域では絶縁層３０及び半導体パターン１６をエッチングして、半導体パターン１６の第２部分２８を除去する。 - 特許庁

A conductive film 118 formed as a pixel electrode is formed (Fig. (C)) and subjected to patterning operation using the same photomask to form a pixel electrode 127, source wiring 125, a drain electrode 126, a source region 123, a drain region 124 and an amorphous semiconductor film 122 for channel formation (Fig. (D)).例文帳に追加

画素電極となる導電膜１１８を形成し（図（Ｃ））、同一のフォトマスクにてパターニングすることにより、画素電極１２７、ソース配線１２５及びドレイン電極１２６、ソース領域１２３及びドレイン領域１２４、チャネルが形成される非晶質半導体膜１２２を形成する（図（Ｄ））。 - 特許庁

A peripheral alignment film 109 that dries up quickly is applied in a frame form on a TFT substrate 100 including a display region having a pixel electrode 107 and its peripheral regions by inkjet, and then, a display region alignment film 108 that dries up slowly but has excellent leveling effect is applied by inkjet.例文帳に追加

画素電極１０７を有する表示領域とその周辺領域を有するＴＦＴ基板１００に、乾燥の速い周辺配向膜１０９をインクジェットで枠状に塗布し、その後、乾燥は遅いがレベリング効果が優れた表示領域配向膜１０８をインクジェットで塗布する。 - 特許庁

The method includes: a process (4) to form defects in a semiconductor material (2) during formation of a defect region by mechanical action or by oxygen injection; and then performing heat treatment of the semiconductor material (2) during generation of a material precipitate in the defect region.例文帳に追加

機械的作用によって、または、酸素注入によって欠陥領域を形成する間に、半導体材料（２）内に欠陥を形成する工程（４）と、その後、欠陥領域内に材料析出物を生成する間に、上記半導体材料（２）の熱処理を行う工程とを含む。 - 特許庁

A horizontal flow is overlapped with the vertical flow in the bottom part region in the bioreactor (2) by introducing a drive fluid, especially liquid free jet stream from a nozzle (11) in order to avoid the stagnation of the sediment to form a revolving stream going toward the central region of the bottom part of the bioreactor (2).例文帳に追加

沈殿物の滞留を回避するため、ノズル（１１）から駆動流体、特に液体自由噴流を導入することによってバイオリアクター（２）内の底部領域の垂直流に水平流を重ねてバイオリアクター（２）の底部中央領域へ向かう旋回流を生成させる。 - 特許庁

A field oxide film 2, isolating the active region of a MOSFET is formed in a region on the surface of a p-type silicon substrate 1, a gate electrode is formed via a gate oxide film, ions are implanted into an arsenic ion implantation layer 5, and the substrate 1 is subjected to heat treatment to form a n-type diffused layer 6.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上の表面の領域にＭＯＳＦＥＴの活性領域を分離するフィールド酸化膜２を形成し、ゲート酸化膜を介してゲート電極を形成し、ヒ素イオン注入層５にイオン注入し熱処理を行いｎ型拡散層６を形成する。 - 特許庁

Also, the data of the image of the region R2 where it is predicted that the suspicious person P3 approaches are extracted form among the detection regions of the body sensing sensor in the image pickup region T1, and the extracted image data are stored, and the image is enlarged and displayed at the image display part by using the extracted image data.例文帳に追加

また、撮像領域Ｔ１のうちその人体感知センサの検知領域から不審者Ｐ３が接近してくると予想される領域Ｒ２の画像のデータを抽出し、抽出された画像データを記憶すると共にそれを用いて画像表示部に画像を拡大して表示する。 - 特許庁

To facilitate the exact arrangement of a recrystallization region (21) formed on an amorphous or polycrystalline semiconductor thin film (12), and to form an alignment mark (15) capable of being utilized in a process for manufacturing an electronic element, e.g. a thin film transistor (98), in the recrystallization region.例文帳に追加

非晶質または多結晶半導体薄膜（１２）に形成される再結晶領域（２１）の正確な配置を容易にし、さらにこの再結晶領域に形成される薄膜トランジスタ（９８）等の電子素子の形成工程に利用可能なアライメントマーク（１５）を形成する。 - 特許庁

A He ion is irradiated on the whole of a chip and a lifetime killer is introduced from a position d2 shallower than a position d1 of a PN junction surface 31 including the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion region 23 to a position d3 deeper than the position d1 to form a low lifetime region 32 on the whole of the chip.例文帳に追加

チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。 - 特許庁

To easily form a fine impurity region; to eliminate a need of removing a film at every ion implantation; and to reduce man-hours in a method of manufacturing a semiconductor device, which method comprises a process for forming the impurity region with ion implantation.例文帳に追加

本発明はイオン注入により不純物領域を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、微細な不純物領域の形成を容易にすることができると共にイオン注入毎に膜除去を行う必要がなく工数の削減を図ることを課題とする。 - 特許庁

An etching stoppage layer is formed between regions having two gains top and bottom and material quality having an etching rate different from that of the gain region is used as the etching stoppage layer, thereby enabling to selectively etch only the top gain region to form a cyclic diffraction grating having a uniform depth.例文帳に追加

エッチング停止層を上下2つの利得を有する領域の間に形成し、且つ、エッチング停止層として利得領域とエッチングレートが異なる材質を用いることで、選択的に上側の利得領域のみをエッチングし、一様な深さをもつ周期的な回折格子を形成することが可能となる。 - 特許庁

To provide an information carrying sheet on which an information pattern can be accurately detected in a near-infrared wavelength region and which is useful to ascertain whether securities are true, and an ink composition having absorption in a near-infrared wavelength region and useful to form the information pattern.例文帳に追加

近赤外波長域に吸収をもつインキ組成物に関し、近赤外波長域で情報パターンを精度よく検出でき、証券類などの真偽を判別するのに有用な情報担持シート及び前記情報パターンを形成するのに有用なインキ組成物を提供すること。 - 特許庁

In this ion implantation method, ions emitted from an ion source are made to pass through a mask 2 having an opening figure similar to a desired ion implantation region to form a pattern ion beam 4, and the ion beam is projected to the desired region of a wafer 7 with no resist applied, to introduce the ions.例文帳に追加

イオン源から放出したイオンを所望のイオン注入領域と略相似形の開口を有するマスク２に通過させてパターンイオンビーム４を形成し、このイオンビームをレジストが塗布されてないウェハ７の所望の領域に投射して、イオンを導入するイオン注入方法。 - 特許庁

A first image acquisition system 115 of a first modality using a catheter 260 in an anatomical region 255 of a patient 250 is configured to form a first image of the anatomical region using fluoroscopy, and the first image includes a set of fluoroscopic projection images.例文帳に追加

患者２５０の解剖学的領域２５５においてカテーテル２６０を用いる第一のモダリティの第一の画像取得システム１１５が、フルオロスコピィを用いて解剖学的領域の第一の画像を形成するように構成されており、この第一の画像は一組のフルオロスコピィ投影画像１８２を含む。 - 特許庁

The mask pattern includes a pattern group having a main pattern 303 that is a light-shielding region in an isolated line form, an assist pattern 301 composed of a plurality of minute phase shifters disposed on one side of the main pattern 303, and an opening region 302 disposed on the other side of the main pattern 301.例文帳に追加

マスクパターンは、孤立線状の遮光領域であるメインパターン３０３と、メインパターン３０３の一側方に配置された複数の微小位相シフターから構成されるアシストパターン３０１と、メインパターン３０１の他側方に配置された開口領域３０２とを有するパターン群を含む。 - 特許庁

In the same manner, in the metal layer M6 of a sixth layer, the metal region at a site superposed while opposing to the GND pattern G7 of the metal layer M7 of a seventh layer is removed to make an opening while this opening is filled with glass epoxy resin or the like to form a dielectric region D6.例文帳に追加

同様に、第６層の金属層Ｍ6では、第７層の金属層Ｍ7のＧＮＤパターンＧ7と相対向して重合する部位の金属領域が除去されて、開口部とされ、この開口部には、ガラスエポキシ樹脂等が充填されて誘電体領域Ｄ6が形成されている。 - 特許庁

This procedure is to reduce the draft of a formed material 10' in the fiber longitudinal direction from an elevated value to the set value in a starting stage of a spinning process in order to form the fiber mass increasing in adaptation to a tapered part of a yarn terminal end region 1 in a fiber bundle starting end region 2.例文帳に追加

糸終端領域１の先細り部に適合されて増加する繊維質量を繊維束始端領域２に形成するために、繊維長手方向形成物１０′のドラフトを、紡績プロセスの開始段階において、高められた値から、設定された値に減少させるようにした。 - 特許庁

In a display region 21, red pixels 22, green pixels 23 and blue pixels 24 arranged in a matrix-like form, and power lines 32, 33 and 34 connected to the respective pixels are arranged; and, in a frame region 72, the power bus lines 42, 43 and 44 for supplying power to the power lines are arranged.例文帳に追加

表示領域２１には、マトリクス状に配置された赤色画素２２、緑色画素２３、青色画素２４と、これら各画素に接続された電源線３２，３３，３４とを配置し、額縁領域７２には、これら電源線に電力を供給する電源バスライン４２，４３，４４を配置する。 - 特許庁

An ink droplet and a reactive liquid are ejected to form an image such that an amount of an ink droplet is less than that of a reactive liquid droplet or a dot diameter of an ink droplet is smaller than that of a reactive liquid droplet in a boundary portion between an image forming region and a non-image forming region.例文帳に追加

画像形成領域における非画像形成領域との境界部分では、インク滴の滴量が反応液滴の滴量未満となるか、またはインク滴のドット径が反応液滴のドット径未満となるようにインク滴及び反応液を吐出して画像を形成する。 - 特許庁