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「form region」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索
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form regionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2306



例文

As a result, the occurrence of granularity is suppressed in a region inside a halftone image corresponding to the vicinity of the most highlight-side gradation value, and the occurrence of streak non-uniformity caused by variation of a position to form a dot is suppressed in a region inside a halftone image corresponding to the vicinity from an intermediate gradation value to the most shadow-side gradation value.例文帳に追加

その結果、最もハイライト側の階調値近傍に対応するハーフトーン画像中の領域にて粒状性の発生が抑制され、中間の階調値から最もシャドウ側の階調値近傍に対応するハーフトーン画像中の領域にてドットの形成位置のばらつきによる筋ムラの発生が抑制される。 - 特許庁

To provide a method for forming simply and conveniently a first wiring pattern including patterns of less than resolution limit in a first wiring pattern formation region and a second wiring pattern comprised of usual patterns of more than or equal to resolution limit in a second wiring pattern formation region, by using an SADP method (Self Align Double Patterning) through two-time lithography steps is used to form.例文帳に追加

2回のリソグラフィ工程によるSADP法(Self Align Double Patterning)を用いて、第1配線パターン形成領域には解像限界未満のパターンを含む第1配線パターンを形成し、第2配線パターン形成領域には解像限界以上の通常パターンからなる第2配線パターンを簡便に形成する方法を提供する。 - 特許庁

Ion implantation with a high dosage and a low acceleration voltage and ion implantation with a low dosage and a high acceleration voltage are successively performed using the mask to form an LDD (Lightly Doped Drain) region of the low-breakdown-voltage lateral trench MOSFET and an LDD region of the trench lateral power MOSFET at the same time.例文帳に追加

このマスクを用いて、高ドーズ量および低加速電圧で行うイオン注入と、低ドーズ量および高加速電圧で行うイオン注入を連続して行うことによって、低耐圧横型トレンチMOSFETのLDD領域と、トレンチ横型パワーMOSFETのLDD領域とを同時に形成する。 - 特許庁

A cleaning roller is provided with a first electrode to which bias of the positive polarity is applied and a second electrode to which bias of the negative polarity is applied, and the biases are applied to the respective electrodes to form the first region having the potential of the positive polarity and the second region having the potential of the negative polarity on the the surface of the cleaning roller.例文帳に追加

クリーニングローラに正極性のバイアスが印加される第1電極と、負極性のバイアスが印加される第2電極とを設けて、各電極のそれぞれバイアスを印加してクリーニングローラ表面に正極性の電位を有する第1領域と、負極性の電位を有する第2領域を形成する。 - 特許庁

例文

To protect a pedestrian in the even of collision with an automobile, the body shell element 1 has at least one edge region whereby an outer side part 4 is separated from a support structural part 3 in such a form that the outer side part 4 forms an energy absorbing region in front of the support structural part 3 as a protecting means in the event of collision.例文帳に追加

自動車との衝突の場合に歩行者を保護するため、ボディシェル要素1は、外側部4が衝突の際の保護手段として支持構造部3の前方にエネルギ吸収領域を形成するような態様で外側部4を支持構造部3から離している、少なくとも1つの縁部領域を有している。 - 特許庁


例文

A first impurity is ion-implanted into the active region exposed by the lamination gate to form a source/drain region at a first concentration, a word line is used as a mask for etching to remove the exposed field oxide film, and the first insulating film on the word line is also removed or equally etched.例文帳に追加

前記積層ゲートにより露出されたアクティブ領域に第1不純物をイオン注入して第1濃度のソース/ドレイン領域を形成し、ワードラインをエッチング用マスクとして用いて露出されたフィールド酸化膜を取り除くと共に、前記ワードライン上の第1絶縁をも取り除くか、均等にエッチングする。 - 特許庁

There are provided source and drain regions 14N and 14P of first conductive type arranged across a channel region, and a pair of pocket injection regions 12N and 12P of second conductive type which cover the side surface part in the vicinity on the channel region side of the source and drain regions to form a joint surface only with the side surface part vicinity.例文帳に追加

チャネル領域を挟んで配置された第1導電型のソースおよびドレイン領域14N,14Pと、ソースおよびドレイン領域のチャネル領域側の側面部近傍のみを覆い、当該側面部近傍とのみ接合面をそれぞれ形成する一対の第2導電型のポケット注入領域12N,12Pとを備える。 - 特許庁

To provide a chair type therapeutic machine different from a conventional therapy form of concentration type in the femoral region and the buttocks, dispersing or expanding therapy areas by executing a therapy while moving therapy sites and responding to an individual difference in the shape of the femoral region of a subject.例文帳に追加

従来のような大腿部や臀部における一局集中型の施療形態ではなく、施療部位を移行しながら施療を実施して施療範囲の分散または拡大を図る共に、被施療者の大腿部形状における個人差に対応できるようにした椅子式施療機を提供する事を目的とする。 - 特許庁

To improve a winding method by which the correction of a package form is difficult in a high-speed winding region of a polyhexamethylene adipamide fiber having a large number of interlaces, e.g. in ≥4,000 m/min winding speed region, because of a high winding tension per dtex, remarkable recovery of delay of a fiber yarn, and the like.例文帳に追加

高交絡数を有するポリヘキサメチレンアジパミドの高速捲取領域、例えば、4000m/分以上の捲取速度領域において、デシテックス当りの捲取張力が高いこと、繊維糸条の遅延回復が著しいこと等による、パッケージフォームの適正化が困難な領域であった捲取方法の改良を目的とする。 - 特許庁

例文

To provide a black polymerizable composition that can form a black curing film excellent in resistance to alkaline developer and in light-shielding properties and is suitable for forming a light-shielding region for wafer-level lens, and to provide a method of producing a black layer using the black polymerizable composition and suitable for the light-shielding region on the wafer-level lens.例文帳に追加

アルカリ現像液耐性に優れ、遮光性に優れた黒色硬化膜を形成しうる、ウェハレベルレンズ用遮光領域の形成に有用な黒色重合性組成物、さらには、該黒色重合性組成物を用いた、ウェハレベルレンズの遮光領域に有用な黒色層の作製方法を提供する。 - 特許庁

例文

To carry out the uniform distribution of cooling water to the whole bristle flocking region by which the cooling water is uniformly distributed to the whole bristle flocking region and substantially supplied to each bristle bundle in a brush roll which is a bristle flocking type and has a form by which cooling is performed with the cooling water from the interior of the brush roll.例文帳に追加

ブリッスル植毛型で冷却がブラシロール内部からの冷却水による形式のブラシロールにおいて、ブリッスル植毛領域の全体に冷却水を均等配分できる、実質上各ブリッスル束宛に冷却水を供給できる、冷却水の均等配分を安定して行えるようにする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the high-voltage C-MOS element, a first oxide film pattern is formed on which a predetermined region of a semiconductor substrate is exposed, a second oxide film pattern is formed on the exposed semiconductor substrate, and ion implantation and annealing are performed with the first oxide film pattern serving as a mask to form a high-voltage deep well region.例文帳に追加

高電圧シーモス素子の製造方法は、半導体基板の所定領域が露出した第1酸化膜パターンを形成して、露出した半導体基板上に第2酸化膜パターンを形成して、第1酸化膜パターンをマスクにしてイオン注入及びアニーリングを遂行して高電圧ディープウェル領域を形成する。 - 特許庁

An IGZO semiconductor layer is provided on the source electrode layer and the drain electrode layer, and a source region and a drain region having lower oxygen concentration than the IGZO semiconductor layer is intentionally provided between the source electrode and drain electrode, and a gate insulating layer to form an ohmic contact.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層上にIGZO半導体層を設け、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート絶縁層との間に、IGZO半導体層よりも酸素濃度の低いソース領域及びドレイン領域を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 - 特許庁

That is to say, a cutout part is formed in a part, of the common electrode formed in a strip-like form along the circumference of the display region to be electrically connected to electrodes formed to cover the entire display region, facing a power extraction line to which a potential different from that of the common electrode is applied.例文帳に追加

すなわち、表示領域の全体を覆うように形成された電極と電気的に接続するように、表示領域の外周に沿って帯状に形成される共通電極のうち、当該共通電極とは異なる電位が印加される電源引き出し線との対向部分に切り欠き部を形成する。 - 特許庁

The connection ends 1 and 2 are fitted to each other telescopically in order to form an overlapping region 3, where the bonding agent layer 4 is formed between the two connection ends 1 and 2 in the overlapping region 3, and the connection ends 1 and 2 are fitted to each other telescopically and pre-stressed in the radial direction at 20°C approximately.例文帳に追加

両接続端部1、2は重なり合い領域3を形成するため互いに入れ子式に嵌入され、重なり合い領域3における両接続端部1、2の間に接着剤層4が形成され、両接続端部1、2は、約20℃にて互いに径方向にプレストレスされるように入れ子式に嵌入されている。 - 特許庁

Next, the liquid crystal is oriented by heating the cholesteric liquid crystal coating film 13' ((b)) which is subsequently irradiated with active light rays which activate the optically active group via a photomask 20 with transmittance varying from region to region to be irradiated so as to form a cholesteric layer 13 with desired display regions and display colors ((c)).例文帳に追加

次に、コレステリック液晶塗膜13′を加熱して液晶を配向させた後((b))、照射領域ごとに異なる透過率を持つフォトマスク20を介して、光学活性基を活性化させる活性光線を照射し、所望の表示領域および表示色を有するコレステリック層13を形成する((c))。 - 特許庁

One sheet of the memory medium 1 is provided with a track servo region 2 where track servo signals are stored and a user data region 3 which a user utilizes for information storage dividedly to a concentric form and a writing and reading mechanism is constituted by a head 5 for reading the track servo information and a plurality of heads 5 for reading out the information.例文帳に追加

1枚の記憶媒体1にトラックサーボ信号を記憶したトラックサーボ領域2と、ユーザが情報記憶に利用するユーザデータ領域3とを同心円状に分けて設けるとともに、トラックサーボ情報を読み取るヘッド5と情報を読み出す複数のヘッド5とによって書込・読取機構を構成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of forming a resist film 3 on an opening formation region for contact hole or the like, forming an insulating film 4 in a region other than the resist film 3, and removing the resist film 3 to form an opening such as a contact hole 8a in the insulating film 4.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、コンタクトホールなどの開口部形成領域に、レジスト膜3を形成する工程と、レジスト膜3以外の領域に、絶縁膜4を形成する工程と、レジスト膜3を除去することにより、絶縁膜4にコンタクトホール8aなどの開口部を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

Treatment for locally increasing the immobilizing capacity to the bio-polymer being a measuring target is applied to the surface of the membrane to form at least one bio-polymer immobilizing region being a locally enhanced part in the immobilizing capacity to the bio-polymer being the measuring target as compared with the other region on the surface of the membrane.例文帳に追加

メンブレン面に対して、測定対象の生体高分子に対する固定化能を局所的に高める処理を施すことにより、測定対象の生体高分子に対する固定化能がメンブレン面における他の領域よりも局所的に高い部分である少なくとも1つの生体高分子固定化領域を形成する。 - 特許庁

The display changing means displays the character string in the display region by changing the character string to the form of permitting the check of the display contents in an easier way when such character string as to exceed the displayable number of the display region are to be displayed according to the system, and therefore a user is made able to easily check the contents shown by the character string.例文帳に追加

本装置によると、表示領域の表示可能数を越えるような文字列を表示しようとするときに、表示変更手段は表示内容がより確認し易い形態に変更して表示領域に表示するので、ユーザはその文字列で示す内容を容易に確認できるようになる。 - 特許庁

In the charging device, both ends of a resin layer 102 as a charging member located on a core metal 101 which is an electrically conductive support of a charging roller 14 are equipped with gap holding members 103 which are brought into contact with a non-image region of a photoreceptor to form gaps between the resin layer 102 and an image forming region of the photoreceptor.例文帳に追加

帯電ローラ14の導電性支持体である芯金101に設けた帯電部材としての樹脂層102の両端部に、感光体の画像領域外に当接させて樹脂層102と感光体の画像形成領域との間にギャップを形成するギャップ保持部材103を備える帯電装置である。 - 特許庁

Next, a silicon nitride film 54 is formed covering the part other than the active region 2 to form MOS transistors 10A and 10B, a re-oxidation film 5 is formed in the active region 2 through the working of an oxidation agent from the upper part of a surface oxidation film 4, and a gate insulating film 6 is formed of the surface oxidation film 4 and the re-oxidation film 5.例文帳に追加

次に、MOSトランジスタ10Aと10Bを形成する活性領域2以外を被覆する窒化シリコン膜54を形成し、表面酸化膜4の上部から酸化剤を作用させて活性領域2に再酸化膜5を形成し、表面酸化膜4と再酸化膜5とからなるゲート絶縁膜6を形成する。 - 特許庁

To form a uniform image alleviated in density unevenness and not largely varied in an image density even if a registration caused by the physical accuracy error varies subtly when forming an image on a predetermined region by moving a recording means having a plurality of nozzle groups relatively to the predetermined region of a recording medium.例文帳に追加

複数のノズル群を有する記録手段を記録媒体の所定領域に対して相対的に移動させながら所定領域に画像を形成するにあたり、物理的な精度誤差によるレジストレーションが微妙に変化しても、画像濃度が大きく変化せず濃度むらを軽減した均一な画像を形成する。 - 特許庁

In a region where a region in which wiring 40 is laid is overlapped with an inclined face of a slope 30, droplets D2a containing a wiring material are discharged to be isolated each other in the inclined face, and then cured to form suppression dots D2 projecting from an upper face of the slope 30 and being isolated each other.例文帳に追加

配線40が敷設される領域とスロープ部30の傾斜面とが重なる領域に、配線材料を含む液滴D2aをこれらが互いに傾斜面にて孤立するように吐出した後にこれを硬化させ、スロープ部30の上面から突出し、且つ互いに孤立した抑制ドットD2を形成する。 - 特許庁

To reduce a working time at the dicing step of dividing a semiconductor device by growing cracks along a planned dividing line starting from a reformed region after inducing multiple photon absorption by setting a laser light-condensing point within the semiconductor device to form the reformed region within the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の内部にレーザ光の集光点を合わせることで多光子吸収を引き起こし、半導体装置の内部に改質領域を形成した後、改質領域を起点として分割予定ラインに沿って亀裂を成長させて半導体装置を分割するダイシング工程において、加工時間を短縮すること。 - 特許庁

To provide a halftone phase shift mask which need not form a superfine pattern, suppresses a sub peak of light intensity exerting adverse influence on image formation at the time of exposure and has a light shielding pattern of lowered transmissivity in an outside region of an element region where multiple exposure is applied and to provide a manufacturing method of the halftone phase shift mask.例文帳に追加

超微細なパターンの形成を必要とせず、露光時の像形成に悪影響を及ぼす光強度のサブピークを抑え、かつ、素子領域の外側の多重露光される領域での透過率を下げた遮光パターンを有するハーフトーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。 - 特許庁

The tooth bottom surfaces 42A and 50A of the plates 42 and 50 are swirl sliding passage surrounded by swirl lap parts 43 and 51, and at least form a film 35 exhibiting low friction on regions X and Y positioned on an inner side of a boundary part 43a between an intermediate pressure region and a high pressure region.例文帳に追加

そして、鏡板42,50の歯底面42A,50Aは、渦巻き状のラップ部43,51によって囲まれた渦巻き状の摺接通路であり、少なくとも中圧領域と高圧領域との境界部分43aより内側に位置する領域X、Yに低摩擦性を有する被膜35を形成してある。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, having through holes arranged in a matrix form connected to the respective cells and formed by photolithography and etching, by which the dimensional variances in the diameters of the through holes in the outer peripheral cell region and in the internal cell region of a mat comprising the cells can be decreased.例文帳に追加

行列をなして配置された各セルに接続するスルーホールが、フォトリソグラフィとエッチングにより形成される半導体装置の製造方法であって、各セルからなるマットの外周セル領域と内部セル領域におけるスルーホール径の寸法バラツキを低減することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of annealing a semiconductor device so as to form a substantially ohmic contact region between a wide band gap semiconductor layer 14, and a contact region 20 positioned thereon includes a process of subjecting the semiconductor device to an annealing temperature ofapproximately 900°C extending over an annealing time of approximately two hours or longer.例文帳に追加

ワイドバンドギャップ半導体材層14とその上に配置されるコンタクト領域20との間に実質的なオーミックコンタクト領域を形成するための半導体デバイスをアニーリングする方法は、約2時間以上のアニーリング時間に亘って約900℃以下のアニーリング温度に半導体デバイスをさらす工程を含む。 - 特許庁

Further, the semiconductor device manufacturing method comprises a process of injecting a p-type impurity into the semiconductor layer by using the oxide film on the surface of the n-type semiconductor region as a mask to selectively form a p-type semiconductor region having a p-type impurity concentration higher than that of the semiconductor layer on the semiconductor layer.例文帳に追加

また、半導体装置の製造方法は、n形半導体領域の表面上の酸化膜をマスクにして、半導体層にp形不純物を注入し、半導体層に半導体層よりもp形不純物濃度が高いp形半導体領域を選択的に形成する工程を有する。 - 特許庁

The optical path switching prism 1 is constituted so that at least one of the slope of the right-angled triangular prism 2 and the slope of the right-angled triangular prism 3, which form a joint surface 5, includes a region coated with a semi-transmissive film 4 in a region forming the joint surface 5 of the slope.例文帳に追加

さらに、接合面5を形成する直角三角柱プリズム2の斜面と直角三角柱プリズム3の斜面の少なくとも一方の斜面が、その斜面の接合面5を形成する領域に半透過膜4がコーティングされた領域を含むように、光路切換えプリズム1は構成される。 - 特許庁

The water slide falling layer transfer sheet 10 includes the water slide falling layer 1, which is equipped with a water slide falling surface having a hydrophobic region comprising a hydrophobic polymer material 2 and a hydrophilic region comprising a hydrophilic polymer material 3, provided on a temporary support 7 in a form that the water slide falling surface is opposed to the temporary support 7.例文帳に追加

仮支持体7上に、疎水性高分子材料2からなる疎水性領域と親水性高分子材料3からなる親水性領域とを有する水滑落性表面を備えた水滑落性層1を、該表面を仮支持体側7に向いた形で有する水滑落性層転写シート10。 - 特許庁

Next, each of a part of the protective membrane 20 and the wiring laminated part 30 above the center of a release requiring region T is removed up to such a depth that prevents the movable electrode 50 from being exposed to form a plurality of preliminary opening parts C1b arranged at a predetermined interval in the release requiring region T and having a substantially rectangular shape in plan view.例文帳に追加

次に、リリース必要領域Tの中央上方の保護膜20、配線積層部30の一部を可動電極50を露出しない深さに除去することにより、リリース必要領域T内に所定の間隔を設けて複数配設されたが平面視略矩形状の予備開口部C1bを形成する。 - 特許庁

To provide a painting method of a three-dimensionally formed object, in which a curved portion region and/or a flection portion region is provided with a continuous pattern on a face forming the curved portion regions or between faces forming the flection portion regions and a painted object in a three-dimensional form having the continuous pattern without albinism, etc. can be provided.例文帳に追加

立体形状物の湾曲部領域及び/又は屈曲部領域には、湾曲部領域を形成する面や、屈曲部領域を形成する面と面との間に連続模様を有し、連続模様には、白化現象等の無い、立体形状塗装物を提供できる、立体形状物の塗装方法を提供する。 - 特許庁

The electron beam drawing with a spot beam comprises drawing an object drawing region while irradiating and scanning the object drawing region with a spot beam, wherein a part of the scan pitch of the spot beam is irradiated with a pitch narrower than the preliminarily determined scan pitch to form an overlapped drawing portion.例文帳に追加

本発明は、対象描画領域をスポットビームにて照射を行いながら走査しつつ、対象描画領域を描画するスポットビーム型の電子線描画において、スポットビームのスキャンピッチの一部を、予め定められたスキャンピッチより狭いピッチで照射して重複描画部を有するようにした事を特徴とする。 - 特許庁

In the case virgin materials and a scrap material as the materials to be melted are melted in a stacked form inside a melting furnace, the virgin material of a specified element(s) is located at the lower region of the melting raw material layer in the melting furnace in a form of being filled into the hollow scrap material (such as a pipe material).例文帳に追加

バージン原料及びスクラップ材を、被溶解原料として、溶解炉内に積層した形態で溶解させる場合において、特定元素のバージン原料については、中空状のスクラップ材(パイプ材等)に充填させた形態で、溶解炉内における被溶解原料層の下部領域に位置させておく。 - 特許庁

This manufacturing method of the organic EL element at least has a process to form a barrier rib pattern on a transparent substrate, and a process to form a layer by transferring hole transport ink to an region surrounded by the barrier rib by a letterpress printing method, and the surface tension of the hole transport ink is 40 mN/m or less.例文帳に追加

透明基板上に隔壁パターンを形成する工程と、上記隔壁で囲まれた領域に凸版印刷法により正孔輸送インキを転写して層を形成する工程とを少なくとも有し、該正孔輸送インキの表面張力が40mN/m以下である有機EL素子の製造方法。 - 特許庁

This method of manufacturing the nitride semiconductor light emitting element includes a process to form a ridge part 22 extending in the Y direction, and a process to form groove parts 33a and 33b extending in the Y direction so as to hold a region corresponding to the ridge part 22 between them in the X direction perpendicular to the Y direction.例文帳に追加

この窒化物半導体発光素子の製造方法は、Y方向に延びるリッジ部22を形成する工程と、Y方向と直交するX方向においてリッジ部22に対応する領域を挟むように、Y方向に延びる溝部33aおよび33bを形成する工程とを備えている。 - 特許庁

Copper ion is added to an amino acid to form a copper complex at room temperature, then the substitution reaction with an acid chloride is carried out in an aqueous mixed solvent to form an amino acid acryloyl-copper complex or metharyloyl-copper complex, then the copper is removed from the organic solvent phase with a chelating agent at room temperature in a neutral region.例文帳に追加

アミノ酸に銅イオンを加え、室温で、銅錯体形成後、水系混合溶媒中で、酸クロライドの置換反応によりアミノ酸アクリロイル−銅錯体あるいは、メタクリロイル−銅錯体を生成させ、室温および中性領域において銅をキレート化剤で有機溶媒相から抽出除去する。 - 特許庁

Next, the via hole forming region of the copper foil 1 is selectively removed by etching to form an opening 9, Then, the insulating resin layer 2 exposed in the opening 9 is removed by etching by using an alkaline etching solution until the conductive layer 4 positioned at the lower part is exposed, to form a via hole 10.例文帳に追加

次いで、銅箔1のビアホール形成部位を選択的にエッチング除去して開口部9を形成した後、この開口部9に露出する絶縁樹脂層2を、その下部に位置する導体層4が露出するまでアルカリ性エッチング液を用いてエッチング除去してビアホール用穴10を形成する。 - 特許庁

Originally, ceremonial vessel stand form earthenware and ceremonial jar form earthenware started in Kibi region were used in funeral rituals, while cylindrical Haniwa passed on tumulus are thought to have had a purpose to divide the sanctuary based on their arrangement of surrounding a hill tomb and important section. 例文帳に追加

元々、吉備地方に発生した特殊器台形土器・特殊壺形土器は、墳墓上で行われた葬送儀礼に用いられものであるが、古墳に継承された円筒埴輪は、墳丘や重要な区画を囲い込むというその樹立方法からして、聖域を区画するという役割を有していたと考えられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Although this ownership form was also found in territories of court nobles, temples and shrines, and vassals of domains, it was most typically found in Kanto region where chigyo-chi (territories) of the hatamoto (direct retainers of the bakufu, which is a form of Japanese feudal government headed by a shogun) with a small stipend (fiefdom) were concentrated, because the Edo bakufu obliged them to live in Edo (except for those assigned to provinces) in order to ensure the control of them. 例文帳に追加

公家や寺社、諸藩の家臣の所領にも存在するが、最も代表的なのは江戸幕府が旗本の支配を確実にする事と彼らの江戸居住(地方在勤者を除く)を義務付けたために、小禄旗本の知行地(知行所)が集中した関東地方に多く見られる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The end face 11D of the protection film 11C becomes to form a nearly vertical cross section at the position of the end face 21A of the sealing substrate and the whole display region 11A is covered by a protection film 11C of the uniform thickness.例文帳に追加

保護膜11Cの端面11Dが、封止用基板21の端面21Aの位置においてほぼ垂直な断面となり、表示領域11A全体が、均一な膜厚の保護膜11Cで被覆される。 - 特許庁

The pushing member 75 and a gear side wall 54 of a ring gear 50, and the pushing member 175 and a gear side wall 133 of a sun gear 130 respectively form double walls in a radial direction region including the meshing parts H1 and H2 when viewed from the axial direction.例文帳に追加

押圧部材75およびリングギヤ50のギヤ側壁54と、押圧部材175 およびサンギヤ130 のギヤ側壁133とが、それぞれ、軸方向から見て両噛合部H1,H2が含まれる径方向範囲で二重壁を構成する。 - 特許庁

Because the OCS 114 and its peripheral region form a shade in oblique deposition and no alignment layer is formed thereon, a first alignment layer 118 is separately formed thereon with such methods as offset printing, spin-coating or ink-jet printing.例文帳に追加

このOCS114およびその周辺領域は、斜め蒸着では影になり配向膜が形成されないため、オフセット印刷、スピンコート、インクジェットなどの方式により別途第1の配向膜118を形成する。 - 特許庁

Both ends in the tire circumferential direction in the non-decoration region form an acute angle with a point where the boundary lines cross each other as an apex, and with an angle formed between the boundary lines as an apex angle.例文帳に追加

前記無装飾領域におけるタイヤ周方向の両端部は、前記境界線が交わる点を頂点とし、前記境界線の間で作られる角を頂角とする鋭角形状に形成されている。 - 特許庁

An EEPROM memory cell uses a PMOS type floating gate transistor, formed in an n-well 54 to form a control capacitor, when a floating gate 60 is defined over a p-diffused region 68 formed in the n-well 54.例文帳に追加

EEPROMメモリセルは、フローティングゲート60がnウエル54に形成されるp-拡散領域68上に定められる場合、nウエル54に形成されるPMOS型のフローティングゲートトランジスタを用いて制御キャパシタを形成する。 - 特許庁

At the same time, the laser scanner forms a dividing line section where at least one end 32 is a hook-like structure in order to form a catching region where ends 31 and 32 of dividing line sections of adjacent fields overlap.例文帳に追加

同時に、レーザスキャナが、隣り合うフィールドの分割線部分の端部31、32が重なり合う捕捉領域を形成するために、少なくとも一端32がフック状の構成である分割線部分を形成する。 - 特許庁

In the usual form, the body 1a and the auxiliary member 34 are relatively arranged so that the auxiliary gripping part 1A is positioned in an evacuation region having no interference when the gripping parts 1L and 1R are gripped by the driver.例文帳に追加

通常形態においては、補助把持部1Aが左右把持部1L、1Rをドライバーが把持する際に干渉することのない退避領域に位置するように本体1aと補助部材34とが相対配置される。 - 特許庁

例文

Each condensing element 54a is disposed corresponding to the transmissive region Tr and is disposed to form the convergent point of light exiting from the illumination device at a position nearer to the observer than the display medium layer 23.例文帳に追加

各集光素子54aは透過領域Trに対応して配置されており、且つ、照明装置から出射された光の収束点を表示媒体層23よりも観察者側に形成するように配置されている。 - 特許庁




  
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