「gate modulation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Each pixel circuit includes a transistor that performs driving of the display element according to voltage applied to a gate and a booster circuit that boosts modulation voltage applied from a modulation driver to the modulation wire to apply it to a gate of the transistor.例文帳に追加

各画素回路は、ゲートに印加される電圧に応じて表示素子の駆動を行うトランジスタと、変調ドライバから変調配線に印加される変調電圧を昇圧してトランジスタのゲートに印加する昇圧回路と、を有している。 - 特許庁

This transmission equipment sets the FET gate voltage inside the transmission power amplifier in accordance with the selected modulation system upon switching the modulation system.例文帳に追加

変調方式を切り換えた場合、送信電力増幅器内部のＦＥＴのゲート電圧を、切り換え選択された変調方式に応じて設定する。 - 特許庁

A modulation gate generates a plurality of gate signals, in which at least a timing of either the rise or a fall is mode to be different.例文帳に追加

変調ゲート発生器は、立ち上がりまたは立ち下がりの少なくとも一方のタイミングが互いに異なる複数のゲート信号を発生する。 - 特許庁

A clear drain CD is arranged, and a clear gate electrode CG integrated with a modulation gate electrode MG is arranged between the clear drain CD and a hole pocket HP.例文帳に追加

クリアドレインＣＤを配置し、クリアドレインＣＤとホールポケットＨＰとの間に変調ゲート電極ＭＧと一体化されたクリアゲート電極ＣＧを配置する。 - 特許庁

The thickness of a gate insulating film of the modulation transistor is larger than that of the transistor for transferring charge.例文帳に追加

変調トランジスタのゲート絶縁膜の膜厚は、電荷転送用トランジスタのゲート絶縁膜の膜厚より、厚い。 - 特許庁

To output gate signals equivalent to gate signals obtained by PWM modulation at a frequency different from carrier signals output from a carrier signal oscillation part.例文帳に追加

キャリア信号発振部から出力されるキャリア信号と異なる周波数でＰＷＭ変調して得られたゲート信号に相当するゲート信号を出力させる。 - 特許庁

At this time, the modulation quantity of the pulse width of the gate-on signal is preferably increased toward lower stages of a liquid crystal panel.例文帳に追加

この時、液晶パネルの下段に向かうにつれてゲートオン信号のパルス幅の変調量が増加するのが好ましい。 - 特許庁

A modulation signal is multiplied by a gate signal of (a), and a burst signal having smooth rise/fall is outputted.例文帳に追加

変調信号は、図１（ａ）のゲート信号と乗算され、立上り／立下りが滑らかなバースト信号が出力される。 - 特許庁

Here, the modulation signal 11 and gate signal 15a synchronize with each other, so the gate circuit 3a can extract a part which partially corresponds to logic '1' or '0' along the time base from the monitor signal 14 and feed it back to the modulation operation.例文帳に追加

ここで、変調信号１１とゲート信号１５ａとが同期しているため、ゲート回路３ａにおいてモニタ信号１４から時間軸に沿って部分的に論理”１”又は”０”に対応する部分を取り出し、変調動作にフィードバックすることができる。 - 特許庁

A modulation system gate signal generator 13 generates a gate signal, which becomes valid only during a designated modulation system term, on the basis of a frame synchronizing signal and transmission control information from a transmission control signal decoder 145 and a modulation system instruction signal from the transmission control signal analysis controller 251.例文帳に追加

変調方式ゲート信号生成部１３は、伝送制御信号復号部１４５からのフレーム同期信号および伝送制御情報、並びに伝送制御信号解析制御部２５１からの変調方式指示信号に基づいて、指定された変調方式期間だけ有効となるゲート信号を発生する。 - 特許庁

Pulse width modulation (PWM) of a LED driving system can be achieved by disconnecting and grounding the gate of a transistor M1.例文帳に追加

ＬＥＤ駆動システムのパルス幅変調（ＰＷＭ）はトランジスタＭ１のゲートを切断、接地することにより実現することができる。 - 特許庁

Thus, the thickness of the clear gate insulation layer CGO is small, so that a low voltage applied to the clear gate electrode CG can control the movement of a carrier, and independently control the movement of the carrier even if the modulation gate electrode MG and the clear gate electrode CG are integrated.例文帳に追加

クリアゲート絶縁層ＣＧＯの層厚が薄いため、小さなクリアゲート電極ＣＧへの印加電圧でキャリアの移動が制御可能となり、変調ゲート電極ＭＧとクリアゲート電極ＣＧとを一体化しても独立にキャリアの移動を制御することが可能となる。 - 特許庁

A frame modulating circuit 93 is equipped with a frame counter counting the modulation period of the frame modulation etc., and outputs driving signals for rewriting display of a liquid crystal panel, frame by frame, to a gate driver 94 and a source driver 95 according to the modulation period and frame modulation pattern input from the decoding section 92.例文帳に追加

フレーム変調回路９３は、フレーム変調の変調周期を計数するフレームカウンタなどを備え、デコード部９２から入力された変調周期及びフレーム変調パターンに基づいて、液晶パネルの表示をフレーム毎に書き換えるための駆動信号をゲートドライバ９４、ソースドライバ９５へ出力する。 - 特許庁

To provide a circuit for generating a gate pulse modulation signal that can decrease generation of flickers by using two clock signals having different phases from each other on generating gate pulse modulation signals in overlap driving, and to provide a liquid crystal display device including the circuit.例文帳に追加

重畳駆動時にゲートパルス変調信号を生成する際に、位相が互いに異なる２つのクロック信号を用いることにより、フリッカの発生を低減することができるゲートパルス変調信号発生回路及びこれを含む液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A gate voltage of the BPF 2 is changed by a gate voltage control part 2a synchronized with the frequency modulation of the millimeter wave, and a signal of the reflected wave is passed while changing the passing band of the BPF 2.例文帳に追加

ＢＰＦ２のゲート電圧をゲート電圧制御部２ａによってミリ波の周波数変調に同期して変更させ、ＢＰＦ２の通過帯域を変更しながら反射波の信号を通過させる。 - 特許庁

The gate signal generation section 20 is subjected to one-pulse control or pulse width modulation control by a control section 10 for giving a gate signal to a semiconductor switch for composing the unit inverters 31, 32, 33, 34.例文帳に追加

ゲート信号発生部２０は、制御部１０によりワンパルス制御、又はパルス幅変調制御が施され、単位インバータ３１，３２，３３，３４を構成する半導体スイッチにゲート信号を与える。 - 特許庁

A conductivity modulation effect of a low-concentration drain diffusion layer is represented by a variable resistance model (RDD) which has a value varied by a drain voltage and a gate voltage.例文帳に追加

低濃度ドレイン拡散層の伝導率変調効果はドレイン電圧及びゲート電圧で値が変化する可変抵抗モデル（ＲＤＤ）で表現する。 - 特許庁

Further, the present invention includes the above and an improvement of other FET devices, for example a drain and a source of protrusion shapes, a multi-facet gate-on insulator, and a MODFET (modulation dope FET).例文帳に追加

さらに、このことおよび他のＦＥＴデバイスの改良例えば、隆起状ソース／ドレインおよびマルチファセット・ゲート・オン・インシュレータ、ＭＯＤＦＥＴが開示される。 - 特許庁

A silicon oxide film with a thickness of 1 nm or less that becomes the base layer of the lamination gate insulation film is formed on the wafer to measure thickness by the light modulation reflection spectral method.例文帳に追加

ウエハ上に積層ゲート絶縁膜のベース層となる１ｎｍ以下のシリコン酸化膜を形成し、光変調反射分光法で厚みを測定する。 - 特許庁

To make modulation potential arbitrarily variable with a command of a liquid crystal controller in scanning gate wiring in the case compensation potential applied to the gate wiring of a liquid crystal panel of a capacitively coupled driving type is modulated.例文帳に追加

容量結合駆動方式の液晶パネルのゲート配線に印加される補正電位を変調する場合、ゲート配線の走査中に液晶コントローラの指令により変調電位を任意に変更可能にすること。 - 特許庁

To arrange a control gate without causing increase of its manufacturing cost when realizing a semiconductor device in which the control gate is formed in a field effect transistor and which enables analog modulation of gain factor.例文帳に追加

電界効果型トランジスタに制御ゲートを設け利得係数をアナログ的に変調できる半導体素子を実現する場合にその制御ゲートを製造コストの増加を招来することなく配置できるようにすること。 - 特許庁

This insulated gate bipolar transistor 1 is provided with a collector area having a conductivity modulation function, an emitter area, and a gate electrode that is formed on a channel area between the collector area and emitter area, and it is also provided with an insulated gate control electrode G2 formed between the gate electrode and collector area.例文帳に追加

伝導度変調作用を有するコレクタ領域、エミッタ領域、前記コレクタ領域と前記エミッタ領域との間に存在するチャネル領域上に形成したゲート電極からなる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ１において、前記ゲート電極・前記コレクタ領域間に設けた絶縁ゲート型制御電極Ｇ２を有することを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。 - 特許庁

An insulated gate bipolar transistor is composed of a collector region, having a conductivity modulation action, an emitter region, and a gate electrode formed on a channel region residing between the collector region and the emitter region, and this insulated gate bipolar transistor is equipped with a control electrode provided between the gate electrode and the collector region.例文帳に追加

伝導度変調作用を有するコレクタ領域、エミッタ領域、前記コレクタ領域と前記エミッタ領域との間に存在するチャネル領域上に形成したゲート電極からなる絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、前記ゲート電極・前記コレクタ領域間に設けた制御電極を有することを特徴とする絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。 - 特許庁

Modulation by the delay element is attained by modulating a bias current of the load TRs (M2, M5), the feedback TRs (M3, M4) and the gate bias TRs (M21, M22).例文帳に追加

遅延の変調は、負荷トランジスター（Ｍ２，Ｍ５）、フィードバック・トランジスター（Ｍ３，Ｍ４）及びゲート・バイアス・トランジスター（Ｍ２１，Ｍ２２）のバイアス電流を変調することにより達成される。 - 特許庁

A gate driver 103 outputs scanning selection signals to the corresponding source wiring of a liquid crystal panel 101 and simultaneously imparts the modulation signals to the capacitively coupled source wiring.例文帳に追加

ゲートドライバ１０３は、液晶パネル１０１の当該ソース配線に走査選択信号を出力すると共に、容量結合されたソース配線に変調信号を与える。 - 特許庁

In such a manner, the overflow barrier 317 is formed at a position other than the position facing the gate electrode 321 and a modulation degree from the drain 312 to the overflow barrier 317 is increased.例文帳に追加

このようにオーバーフローバリア３１７をゲート電極３２１と対向する位置以外に形成してドレイン３１２からオーバーフローバリア３１７への変調度を大きくする。 - 特許庁

The rectifying control logic 32 synthesizes the input signals, generates a gate drive signal that contains a modulation pulse and has a prescribed energizing angle for outputting to an inverter 12 via a gate drive part 34, and controls the PWM current of the motor 10.例文帳に追加

整流制御ロジック３２はこれらの入力信号をシンセサイズして変調パルスを含んだ所定の通電角度のゲート駆動信号を発生しゲート駆動部３４を介してインバータ１２に出力しモータ１０のPWM電流制御を行う。 - 特許庁

Prescribed information is carried within the information carrying part 51 in a state of the information digitalized binarizedly, according to whether the light-transmissive modulation part 65 is coated in every of the each double gate transistor 20 or not.例文帳に追加

光透過性変調部６５が各ダブルゲートトランジスタ２０ごとに被覆しているか否かによって、所定情報がビット化した状態で情報担持領域５１内に担持されている。 - 特許庁

A low ON resistance is realized by injecting free carriers (holes) from the gate region 9 and bring about conductivity modulation in the drain region 3, thereby decreasing parasitic resistance.例文帳に追加

そして、ゲート領域９からは自由キャリア（正孔）を注入し、ドレイン領域３での電導度変調をもたらすことで、寄生抵抗を低減し、ＯＮ時での低抵抗を実現している。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device which is reduced in device size and can modulate a gain factor and can ensure the modulation degree of the gain factor regardless of conductance in a gate region.例文帳に追加

素子サイズを小さくするとともに、ゲート領域のコンダクタンスに関わらず利得係数の変調度合いを確保することができる利得係数の変調可能な半導体素子を得ること。 - 特許庁

By the discharging, a power source voltage supplied to a scanning line driver (high-level power source voltage of the scanning line driver) is modulated (VGH modulation), and the modulated voltage is outputted from a gate modulation circuit to a scanning line driving circuit and is used as the high-level power source voltage of the scanning line driving circuit.例文帳に追加

この放電により、走査線ドライバに供給する電源電圧（走査線ドライバのハイレベル電源電圧）が変調（ＶＧＨモジュレーション）され、これがゲート変調回路から走査線駆動回路へと出力されて走査線駆動回路のハイレベル電源電圧として用いられる。 - 特許庁

The gate signal generator 6 includes a period detection unit 61 detecting a period corresponding to a difference between a modulation frequency of a modulating signal of the reference laser light source 2 and a modulation frequency of a modulating signal of the object laser light source 3, and a signal generation unit 62 generating the gate signal of the frequency counter 5 synchronizing with the period detected by the period detection unit 61.例文帳に追加

ゲート信号生成手段６は、基準レーザ光源２における変調信号の変調周波数と、対象レーザ光源３における変調信号の変調周波数との差に相当する周期を検出する周期検出部６１と、周期検出部６１にて検出される周期に同期する周波数カウンタ５のゲート信号を生成する信号生成部６２とを備える。 - 特許庁

The modulation factor of the PWM converter is obtained by a divider 202 and compared with the output of a triangle wave generator 205 by a comparator 203 to generate gate signals of respective phases of switching devices 16-21.例文帳に追加

割り算器２０２はＰＷＭコンバータの変調率を求め、比較器２０３で三角波発生器２０５の出力と比較し、スイッチング素子１６〜２１の各相のゲート信号を作成する。 - 特許庁

To enhance the conductivity modulation effect of an insulated gate bipolar transistor by preventing holes injected from a P+ type collector layer into an N- type base layer from flowing out to a P type base layer.例文帳に追加

絶縁ゲートバイポーラトランジスタにおいて、Ｐ＋型コレクタ層からＮ−型ベース層に注入される正孔が、Ｐ型ベース層に流出するのを防止して伝導度変調効果を高めることが課題となる。 - 特許庁

As a result, variation in brightness can be reduced without seeking for a brightness variation avoiding frequency of a digital modulation system one by one even in the case of using an LCD panel of the preceding gate driving system.例文帳に追加

その結果、前段ゲート駆動方式のＬＣＤパネルを使用する場合でもデジタル調光方式の輝度変動回避周波数をいちいち探すことなく、輝度変化を軽減させることができる。 - 特許庁

Digital/analog converters 12 convert orthogonal digital base band signals I/Q from a gate array 11 into analog signals, an orthogonal modulation circuit 13 applies orthogonal modulation to the analog signals, a frequency conversion circuit 16 applies frequency conversion to the modulated signal, a high frequency amplifier 17 amplifies the frequency-converted signal and an antenna 18 transmits the amplified signal.例文帳に追加

ゲートアレイ１１からの直交デジタルベースバンド信号Ｉ／ＱをＤ／Ａ変換回路１２でアナログ変換し、直交変調回路１３で直交変調し、その変調信号を周波数変換回路１６で高周波変調信号に周波数変換し、高周波増幅器１７で増幅してアンテナ１８から送信する。 - 特許庁

In the control circuit 100 of a step-down switching regulator 200, a driver circuit 10 produces first and second gate voltages Vg1 and Vg2 on the basis of a pulse width modulation signal Vpwm subjected to duty ratio control.例文帳に追加

降圧型スイッチングレギュレータ２００の制御回路１００において、ドライバ回路１０は、デューティ比が制御されるパルス幅変調信号Ｖｐｗｍにもとづき、第１、第２ゲート電圧Ｖｇ１、Ｖｇ２を生成する。 - 特許庁

By superimposing the optical modulation drive pulse and amplified laser light with the optical modulator 207, the optical modulator 207 operates as the gate transmitting only a time interval nearly a few times the duration of the optical pulse (cf. (b)).例文帳に追加

光変調駆動パルスと増幅されたレーザー光とを光変調器２０７で重畳することにより、ほぼ光パルスの持続時間の数倍程度の時間幅のみを通過させるゲートとして動作する（（ｂ）参照）。 - 特許庁

The driving circuit 4 receives the driving voltage DV, video data VSD and synchronizing signal SYN, and outputs a passive driving pulse width modulation signal PDM to a gate electrode 6 and cathode electrode 7 of the panel 5.例文帳に追加

駆動回路４は、駆動電圧ＤＶ、映像データＶＳＤおよび同期信号ＳＹＮを受けて、パネル５のゲート電極６およびカソード電極７にパッシブ駆動パルス幅変調信号ＰＤＭを出力する。 - 特許庁

At the time of receiving the depression signal transmitted from the switch, the logical gate element transmits the electric signal transmitted from the infrared reception part to an infrared signal modulation/ demodulation circuit as received data.例文帳に追加

論理ゲート素子２３は、ＰＣ検出スイッチ２２から送信された押下信号の受信時に、赤外線受信部２１から送信された電気信号を受信データとして赤外線信号変復調回路２４へ送信する。 - 特許庁

When the luminous energy of the fluorescent lamp reaches the predetermined luminous energy, the mask signal is set to a low level to open a NOR gate 47, so that a signal formed by inverting the fluorescent lamp light modulation signal is applied to the element 26 as FL-ON.例文帳に追加

蛍光灯の光量が所定光量に達したら、マスク信号がローレベルとなり、ＮＯＲゲート４７が開き、蛍光灯調光信号を反転させた信号がＦＬ＿ＯＮとして素子２６に印加される。 - 特許庁

In a threshold modulation type solid-state imaging element which has a transfer transistor having a transfer gate electrode 21 and a transistor for signal output having a ring-shaped gate electrode 15, the voltage of a drain region 18 of the transistor for signal output is made temporarily higher than a last value in a period wherein the transfer transistor is ON.例文帳に追加

転送ゲート電極２１を有する転送トランジスタと、リング状ゲート電極１５を有する信号出力用トランジスタとを持つ閾値変調型固体撮像素子において、転送トランジスタがオン状態である期間に、信号出力用トランジスタのドレイン領域１８の電圧を一時的に直前の値よりも高くする。 - 特許庁

A modulation circuit 1 has a gate circuit 10 which controls supply and interruption of a modulation current in response to a burst circuit control signal CTL1, current source circuits 14-17, and a circuit current control circuit 18 which controls supply and interruption of a current by the circuits 14-17 in response to a current source circuit control signal CTL2.例文帳に追加

変調回路１は、変調電流の供給と遮断をバースト回路制御信号ＣＴＬ１に応じて制御するゲート回路１０と、電流源回路１４〜１７と、回路１４〜１７による電流の供給と遮断を電流源回路制御信号ＣＴＬ２に応じて制御する回路電流制御回路１８とを有する。 - 特許庁

Thus, the drain voltage induced Vth drop phenomenon (DIBL) and the channel modulation effect (CLM) at the pinch-off point can simultaneously be reduced in a 0.35 [μm] gate length transistor classified to be short channel one as an analog CMOS.例文帳に追加

これにより、アナログＣＭＯＳとしては短チャネルに部類される０．３５［μｍ］ゲート長トランジスタにおいて、ドレイン電圧誘起Ｖｔｈ低下現象（ＤＩＢＬ）と、ピンチオフ点でのチャネル変調効果（ＣＬＭ）とを同時に低減可能である。 - 特許庁

The input bit (SS 561) which is made hardly influenced by the disturbance in such a manner is used and a count value (S 563) of a non-modulation region (Unity) existing in front of a SYNC pattern is utilized for generation of a gate signal (S 564) in order to detect a synchronizing signal.例文帳に追加

こうして外乱に影響され難くした入力ビット（Ｓ５６１）を用い、ＳＹＮＣパターンの前にある無変調領域（Unity）のカウント値（Ｓ５６３）を同期信号検出のためのゲート信号（Ｓ５６４）生成に利用する。 - 特許庁