例文 (137件) |
interconnection lineの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 137件
CONDUCTIVE LINE PAD FOR INTERCONNECTION例文帳に追加
相互接続用の導電性ラインパッド - 特許庁
MULTILAYER INTERCONNECTION BOARD WITH TRANSMISSION LINE例文帳に追加
伝送線路を有する多層配線基板 - 特許庁
INTERCONNECTION LINE WIRING DEVICE, IMAGE DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING INTERCONNECTION LINE WIRING DEVICE例文帳に追加
引出線配線装置、画像表示装置及び引出線配線装置の製造方法 - 特許庁
LEASED LINE CONFIGURATION SYSTEM AND LEASED LINE INTERCONNECTION CONTROL PROGRAM例文帳に追加
専用線構築システム及び専用線相互接続制御プログラム - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING METAL INTERCONNECTION LINE例文帳に追加
金属相互接続線を形成するための方法 - 特許庁
A lower part of the multilayer interconnection board has a strip line structure, and an upper part of the multilayer interconnection board has a microstrip line structure.例文帳に追加
多層配線基板は下部がストリップライン構造となり、上部がマイクロストリップライン構造となっている。 - 特許庁
INTERCONNECTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR CHIP CARRIER AND LINE例文帳に追加
半導体チップキャリアおよびラインの相互接続方法 - 特許庁
A local interconnection layer 51a for a bit line and a local interconnection 51b for the inverse of a bit line are situated in the fourth-layer conductive layer.例文帳に追加
第4層導電層には、ビット線用局所配線層51a、/ビット線用局所配線層51bが位置している。 - 特許庁
The first interconnection line PI1 connects the first power suply line PL1 with the third power supply line PL4.例文帳に追加
第1相互接続ラインPI1は、第1電源ラインPL1と第3電源ラインPL3とを接続する。 - 特許庁
The second interconnection line PI2 connects the second power supply line PL2 with the fourth power supply line PL4.例文帳に追加
第2相互接続ラインPI2は、第2電源ラインPL2と第4電源ラインPL4とを接続する。 - 特許庁
To provide a novel method of forming an interconnection line.例文帳に追加
相互接続ラインを形成するための新規な方法を提供する。 - 特許庁
MULTILAYER INTERCONNECTION CIRCUIT BOARD INCORPORATING COAXIAL LINE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
同軸線内蔵多層配線回路基板及びその製造方法 - 特許庁
The scanning circuit of the electronic device includes a first power supply line pair (PL1, PL2), a second power supply line pair (PL3, PL4), a first interconnection line PI1, and a 2nd interconnection line PI2.例文帳に追加
電子装置の走査回路は、第1電源ライン対(PL1、PL2)と、第2電源ライン対(PL3、PL4)と、第1相互接続ラインPI1と、第2相互接続ラインPI2とを備える。 - 特許庁
To simultaneously form a line interconnection of a bit line or the like and borderless contact to a diffused part such as bit line contact.例文帳に追加
ビットラインなどのライン相互結線と、ビットライン・コンタクトなどの拡散部へのボーダレス・コンタクトとを同時に形成する。 - 特許庁
To display a utilization plan and an empty capacity of an interconnection line effectively.例文帳に追加
連系線の利用計画及び空き容量を効果的に表示する。 - 特許庁
The bit line 61a is connected to a transfer transistor Q1, via the local interconnection layer 51a for the bit line.例文帳に追加
ビット線61aはビット線用局所配線層51aを介して転送トランジスタQ_1と接続される。 - 特許庁
METHOD FOR SIMULTANEOUSLY FORMING LINE INTERCONNECTION AND BORDERLESS CONTACT TO DIFFUSED PART例文帳に追加
ライン相互結線と、拡散部へのボーダレス・コンタクトとを同時に形成する方法 - 特許庁
Only the polysilicon interconnection is used for connecting these line direction connection.例文帳に追加
これら行方向の接続を行う配線には、ポリシリコン配線のみが使用される。 - 特許庁
The interconnection assembly 100 includes a rear face 110 and a line card 130.例文帳に追加
相互接続アセンブリ100は、背面110と、線路カード130を備える。 - 特許庁
Each interconnection line in which the lengths are optimized is ended by the leaf cell in the array, with which the interconnection lines are brought into contact lastly.例文帳に追加
長さを最適化した各相互接続線は、その相互接続線が最後に接触するアレイ内のリーフ・セルで終了する。 - 特許庁
A polysilicon interconnection 111 connects the gate 102 arranged in the same line, and the polysilicon interconnection 112 connects the transistor 105 arranged in the same line.例文帳に追加
ポリシリコン配線111は同じ行に配列された転送ゲート102を接続し、ポリシリコン配線112は同じ行に配列されたリセットトランジスタ105を接続する。 - 特許庁
COUPLING HOLE BETWEEN DIFFERENT LAYERS AND INTERCONNECTION METHOD IN MULTI-LAYERED HIGH FREQUENCY TRANSMISSION LINE例文帳に追加
異層間結合孔及び多層高周波伝送線路における相互接続方法 - 特許庁
The inverse of the bit line is connected to a transfer transistor Q2, via the local interconnection layer 51b for the inverse of the bit line.例文帳に追加
/ビット線61bは/ビット線用局所配線層51bを介して転送トランジスタQ_2と接続される。 - 特許庁
Then the connection portion 32 connects the external connection terminal 28 and interconnection line 26 to each other.例文帳に追加
そして、接続部32により外部接続端子28と引出線26とが接続される。 - 特許庁
A thick and wide interconnection line is formed in the second thick dielectric layer.例文帳に追加
厚くて幅広い相互接続ラインは第2の厚い誘電体層内に形成される。 - 特許庁
An interconnection device 100B transmits the Ethernet packet to be transmitted on the FL-net LAN line 40 to an Ethernet LAN line 60.例文帳に追加
相互接続装置100Bは、FL-netLAN回線40を伝送するイーサネットパケットをイーサネットLAN回線60に送信する。 - 特許庁
The lower electrode 108b is fabricated simultaneously with the first line 108a of multiplayer interconnection and the upper electrode 118b is fabricated simultaneously with the second line 118a of multiplayer interconnection.例文帳に追加
下部電極108bは、多層配線の第1配線ライン108aと同時に製造し、上部電極118bは、多層配線の第2配線ライン118aと同時に製造する。 - 特許庁
Similarly in the case that an interconnection communication request is made on the way of the off-line state, the off-line state is forcibly stopped and the interconnection communication request is accepted.例文帳に追加
同様に、オフライン状態の途中で相互接続通信要求がなされた場合、そのオフライン状態が強制的に中止されその相互接続通信要求が受付けられる。 - 特許庁
A second metal interconnection (DMTS) is disposed in a dummy word line mapping region (DWLR), and a connection between a low-resistive metal interconnection (MTS), which constitutes a word line (WL) disposed in a normal word line mapping region (NWLRA) and a gate electrode interconnection (TG) of a lower layer is shifted.例文帳に追加
ダミーワード線配置領域(DWLR)に第2メタル配線(DMTS)を配置し、ノーマルワード線配置領域(NWLRA)に配置されたワード線(WL)を構成する低抵抗メタル配線(MTS)と下層のゲート電極配線(TG)の接続をずらせる。 - 特許庁
To provide a multilayer interconnection board having a transmission line with high wiring density and superior transmission characteristics, and to provide a method for manufacturing the multilayer interconnection board.例文帳に追加
配線密度が高くかつ伝送特性の優れた伝送線路を有する多層配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
An interconnection device 100A transmits an Ethernet packet from an Ethernet LAN line 50 by utilizing an idle time of an FL-net LAN line 40.例文帳に追加
相互接続装置100Aは、イーサネットLAN回線50からのイーサネットパケットをFL-netLAN回線40の空き時間を利用して送信する。 - 特許庁
In particular, the interconnection line has a line width thinner than that of the microstripline so as to have a characteristic impedance higher than that of the microstripline.例文帳に追加
特に、中継ラインは、マイクロストリップラインよりも特性インピーダンスが高くなるよう、該マイクロストリップラインの線幅よりも細い線幅を有する。 - 特許庁
A line interconnection opening 62 is formed at a second level 46 by a lithography and etching.例文帳に追加
ライン相互結線用の開口62は、リソグラフィーおよびエッチングにより第2のレベル46に形成されている。 - 特許庁
Power grid of our country is constituted of tandem family which includes a loop part including a DC interconnection line.例文帳に追加
我が国の電力系統は直流連系線を含むループ部分を含む串形系統となっている。 - 特許庁
The signal line running in each of sense amplifier zones placed so to extend in a lateral direction in a memory array part(MA) comprises a hierarchic structure composed of an upper interconnection layer and a lower interconnection layer.例文帳に追加
メモリアレイ部(MA)において行方向に延在して配置されるセンスアンプ帯内を走る信号線を上層配線層と下層配線層の階層構造とする。 - 特許庁
At the time of dry etching of an interconnection layer M1 (indicated by a dashed line) for formation of the interconnection pattern 21, the dummy plug member 19d serves for a path for discharging plasma charge.例文帳に追加
配線パターン21形成のために配線層M1(破線)をドライエッチングしている最中において、ダミープラグ部材19dは、プラズマチャージを放電させる経路となる。 - 特許庁
In a DRAM having information storage capacitive elements C on a bit line BL, an interconnection trench 18 is made in an interconnection insulation film 17 formed on a gate electrode functioning as the word line WL of the DRAM and a side wall spacer 19 is formed on the side wall of the interconnection trench 18.例文帳に追加
ビット線BL上に情報蓄積用容量素子Cを有するDRAMにおいて、DRAMのワード線WLとして機能するゲート電極上に形成された配線形成用の絶縁膜17に配線溝18を形成し、配線溝18の側壁にサイドウォールスペーサ19を形成する。 - 特許庁
After logic cells whose in-cell power supply trunk line is arranged in a first interconnection layer are arranged (S102), interstitial cells whose in-cell power supply line is arranged in a second interconnection layer are arranged (S103) at a position where the logic cells are not arranged.例文帳に追加
セル内電源幹線が第1配線層の論理セルが配置された(S102)後、上記論理セルが配置されていない箇所に、セル内電源幹線が第2配線層の隙間セルが配置される(S103)。 - 特許庁
An interconnection 12 to be a global data line is connected to a local data line formed in a p-type well region 3 via a selection transistor ST1.例文帳に追加
グローバルデータ線となる配線12とp型ウェル領域3内に形成されるローカルデータ線とを選択トランジスタST1を介して接続する。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit that assures a withstand voltage between interconnection layers of a bit-line hookup circuit.例文帳に追加
ビット線フックアップ回路における配線層間の耐圧を保障できる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁
The present invention concerns microwave filter banks of the type including at least one interconnection network and filters, each of the interconnection network at least comprising an input line and at least two output lines connected to the input line, a filter being connected to each output line of the interconnection network, the filters connected to the interconnection network or to a given interconnection network having different cutoff frequencies and non-overlapping bandwidth.例文帳に追加
少なくとも1つの相互接続ネットワーク及びフィルタを含むタイプのマイクロ波フィルタバンクであって、上記少なくとも1つの相互接続ネットワークの各々は、入力ラインと、入力ラインに接続される少なくとも2つの出力ラインとを備え、上記相互接続ネットワークの各出力ラインにはフィルタが接続され、上記相互接続ネットワーク又は所与の相互接続ネットワークに接続されるフィルタは、カットオフ周波数が異なり且つ帯域幅がオーバラップしない、マイクロ波フィルタバンクに関する。 - 特許庁
These openings are filled with one or more conductors to form the contact with the diffused part such as bit line contact or the like corresponding to the line interconnection of the bit line or the like.例文帳に追加
これらの開口は、1つ以上の導電体により充填されて、ビットラインなどのライン相互結線に対応する、例えばビットライン・コンタクトなどの拡散部へのコンタクトを形成する。 - 特許庁
A piping and instrumentation line diagram input means 2 inputs a piping and instrumentation line diagram showing the connection of pipings and instruments, interconnection and branching of pipings.例文帳に追加
配管計装線図入力手段2は、配管と機器、および、配管相互の接続および分岐を図示する配管計装線図を入力する。 - 特許庁
A bit line BL of a tungsten film, for example, and a first layer interconnection are then buried in the interconnection trenches 18 having an interval limited by the side wall spacer 19.例文帳に追加
サイドウォールスペーサ19でその間隔が狭められた配線溝18内に、たとえばタングステン膜からなるビット線BLおよび第1層配線を配線溝18に埋め込んで形成する。 - 特許庁
To provide a highly reliable multilayer wiring board by protecting an interconnection having a narrow line width out of the interconnection patterns from a moisture penetration to improve the moisture resistance.例文帳に追加
配線パターンのうちの線幅の小さい配線を外部からの水分の浸入から保護し、湿度に対する耐性を改良することにより、より信頼性の高い多層配線板を提供する。 - 特許庁
An interconnection line wiring device has an insulating layer 24 for electrical insulation, a connection portion 32 provided penetrating the insulating layer 24, an external connection terminal 28 formed on one surface of the insulating layer 24, and the interconnection line 26 formed on the other surface of the insulating layer 24.例文帳に追加
電気絶縁する絶縁層24、絶縁層24を貫通して設けられた接続部32、絶縁層24の一方の面に形成された外部接続端子28、絶縁層24の他方の面に形成された引出線26を設ける。 - 特許庁
The MTJ element 81 of a first memory element is formed on a local interconnection 7 above a digit line 5.例文帳に追加
ディジット線5の上方において、ローカル配線7上に第1の記憶素子であるMTJ素子81が形成される。 - 特許庁
A third flat interconnection layer 20 on the second flat interconnection layer 18, has several line conductors 22 which are isolated by dielectric materials and contact electrical conduction vias selectively.例文帳に追加
第2の平坦な相互接続層18上の第3の平坦な相互接続層20は、誘電体材料によって分離され、導電バイアに選択的に接触している複数のライン導体22を有する。 - 特許庁
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